JPH07287872A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents

光学的情報記録媒体

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JPH07287872A
JPH07287872A JP6081532A JP8153294A JPH07287872A JP H07287872 A JPH07287872 A JP H07287872A JP 6081532 A JP6081532 A JP 6081532A JP 8153294 A JP8153294 A JP 8153294A JP H07287872 A JPH07287872 A JP H07287872A
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鋭二 大野
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嘉孝 坂上
Kazuhisa Ide
和久 井手
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直康 宮川
Nobuo Akahira
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    • G11B7/2407Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24085Pits

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 グルーブとランドの双方に信号を記録した場
合のクロストークの低減、あるいは両者における再生信
号品質の差の低減を図る。 【構成】 基板1の表面に溝状のグルーブ7と、グルー
ブ7に隣接するランド8の双方とを信号記録用トラック
とし、レーザー光6を照射し可逆的に記録する記録層3
を有する光学的情報記録媒体であって、グルーブ7の深
さDが、λ/(8n)<D<λ/(4n)(λ:再生光
の波長、n:基板の屈折率)を満たし、かつ、前記記録
層の高い方の反射率をR1、低い方の反射率をR2とす
るとき、0≦R2/R1≦0.2を満たし、さらに、前
記記録層の反射率が高い状態における反射光の位相をφ
1、反射率が低い状態における反射光の位相をφ2とす
るとき、2mπ<φ1−φ2<(1+2m)π(m:整
数)を満たす、あるいは、(2m−1)π<φ1−φ2
<2mπ(m:整数)を満たすようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光・熱等を用いて高速
かつ高密度に情報を記録再生する光学的情報記録媒体、
特に光ディスクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】レーザー光をレンズ系によって収束させ
ると、直径がその光の波長のオーダーの小さな光スポッ
トを作ることができる。そのために、小さい出力の光源
からでも単位面積あたりのエネルギー密度の高い光スポ
ットを作ることが可能である。したがって、物質の微少
な領域を変化させることが可能であり、またその微少領
域の変化を読みだすことも可能である。これを情報の記
録・再生に利用したものが、光学的情報記録媒体であ
る。以下、「光記録媒体」あるいは「記録媒体」と記述
する。
【0003】光記録媒体の一つに、レーザー光照射によ
って記録膜材料の状態を変化させ光学定数を変化させ
て、それにともなう反射光量の変化を検出して信号を記
録再生する、いわゆる相変化記録媒体がある。相変化記
録媒体では、一般にアモルファス状態と結晶状態とで光
学定数が異なることを利用して信号を記録再生する。
【0004】検出系に到達する反射光量が変化する理由
としては、微小記録領域の反射率がその周囲と異なる場
合と、反射光の位相が微小記録領域とその周囲で異なる
ために回折を起こす場合がある。
【0005】相変化記録媒体では、一般に結晶状態とア
モルファス状態の反射率の差によって信号が再生される
ように構造設計されるが、結晶状態とアモルファス状態
の位相差を積極的に利用する提案(特願昭63−227
015号)や、反射率差と位相差の両者を利用する提案
(特願平3−175001号)もなされている。
【0006】相変化記録媒体は、記録膜を変形させるこ
となく信号が記録でき、また、記録膜材料の状態を可逆
的に変化させることにより信号の書換えも可能であるた
め、近年勢力的に研究が進められている。
【0007】相変化記録材料としては、カルコゲン合金
がよく知られており、例えばGeSbTe系、InSbTe系、GeSn
Te系、InSe系、SbTe系等がある。これらの材料は比較的
強いパワーのレーザー照射によって溶融後冷却すること
でアモルファス状態になり、比較的弱いパワーのレーザ
ー照射によってアモルファス領域は結晶化温度以上に達
して結晶状態となる。したがって、例えばアモルファス
状態を信号の1に、また結晶状態を信号の0に対応させ
ることで信号の記録ができる。
【0008】相変化光ディスクの特徴の一つに、1ビー
ムオーバーライトが可能であることが上げられる。すな
わち、信号トラック上にレーザースポットを記録信号で
記録パワーと消去パワーの間で変調しながら一回通過さ
せるだけで、古い信号を消去しながら新しい信号を記録
することができる。1ビームオーバーライト技術の詳細
は、例えばシ゛ャハ゜ニース゛ シ゛ャーナル アフ゜ライト゛ フィシ゛ックス第26巻サフ
゜レメント第61頁(JJAP,Vol.26(1987)Supplement 26-4, P61)
に詳しい。
【0009】一方、高密度記録を目指した開発も進めら
れており、例えば光ディスクの信号記録用の案内溝上の
みならず、案内溝(以下グルーブ)と案内溝の間(以下
ランド)にも信号を記録して記録密度を高める方法(以
下ランド&グルーブ記録法)が提案されている(特公昭
63−57859号公報)。
【0010】さらに、この場合、溝深さ、溝幅等の溝形
状を限定すれば隣接トラック(信号はグルーブ、ランド
の双方に記録するため、両者共に記録トラックである。
以下単にトラックとも記す)からのクロストークを非常
に小さくできる(特願平4−79483号)。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】信号記録用のグルーブ
および信号記録用のランドを設けた基板上に、レーザー
光等の照射によって少なくとも反射率の高い状態と低い
状態間で変化する記録層を設けた光ディスクでは、従来
のグルーブまたはランドの一方にのみ信号を記録する光
ディスクでは見られなかった以下の課題が生じる場合が
あることが分かった。
【0012】1)隣接トラックからのクロストーク(ラ
ンドでは隣接するグルーブからの、またグルーブでは隣
接するランドからのクロストーク)の大きさが、基板の
溝形状のみならず、薄膜構成によって大きく異なり、場
合によってはクロストークが大きすぎて実用的でないこ
とがある。
【0013】2)グルーブに記録した場合とランドに記
録した場合で、その再生信号の品質、すなわち再生信号
振幅、信号対雑音比(以下CNR)等が異なる場合があ
る。再生信号の品質が大きく異なる場合には、ランドと
グルーブで再生後の信号処理手段を変える必要があると
いった不都合を生じる。
【0014】3)グルーブとランドの再生信号品質が初
期記録の時では同等であるが、オーバーライトを繰り返
した場合にランドの信号劣化の方が大きい場合がある。
【0015】なお、本明細書におけるランドとグルーブ
との区別は、レーザー光投入側に対して凸になっている
方をグルーブ、反対側に凸になっている方をランドと定
義する。レーザー光は通常基板を通して照射されるが、
基板と反対側からの照射される場合も、この定義に従え
ば本明細書に記述の内容は本発明に含まれる。
【0016】
【課題を解決するための手段】表面に凹凸による溝状の
グルーブと、グルーブに隣接するグルーブ間のランドの
双方を信号記録用トラックとする基板上に、レーザー光
等の照射によって少なくとも反射率の高い状態と低い状
態間で可逆的に変化する記録層を設けた光学的情報記録
媒体であって、再生光の波長をλとし、基板の屈折率を
nとすると、グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<
λ/(4n)を満たし、記録層の高い方の反射率をR
1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2/R1
≦0.2を満たし、さらに、記録層の反射率が高い状態
における反射光の位相をφ1、反射率が低い状態におけ
る反射光の位相をφ2とするとき、2mπ<φ1−φ2
<(1+2m)π、あるいは(2m−1)π<φ1−φ
2<2mπ(但し、mは整数)を満たすようにする。
【0017】
【作用】基板のグルーブ深さおよび記録媒体の反射率を
上記のように限定することにより、ランド&グルーブ記
録法においてもクロストークを低減できる。さらに、位
相差を限定することで、基板のグルーブ形状およびノイ
ズレベルによるランドとグルーブの信号品質の差や、サ
イクルに伴うランドでの信号品質劣化を補償できる。
【0018】
【実施例】以下図面を参照しながら本発明を詳細に説明
する。
【0019】図1に本発明に用いる光ディスクの一例の
断面図を示す。1は基板であり、その表面には信号記録
用トラックとしてグルーブ7およびランド8が設けてあ
る。
【0020】基板の材質としては、一般的に透明なガラ
ス、石英、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレー
ト等が用いられ、レーザー光は基板の信号トラック面と
は反対側から投入される。
【0021】基板上には第1の誘電体層2、記録層3、
第2の誘電体層4、反射層5の順に積層されている。さ
らに必要に応じて薄膜層を保護するために保護カバー9
を設けてもよい。
【0022】記録層3は、レーザー光等の照射によって
光学的に識別が可能な状態間で可逆的に変化する材料か
らなり、例えば相変化物質として一般的に知られている
ものが使用できる。
【0023】相変化物質は、アモルファスと結晶間、あ
るいは結晶とさらに異なる結晶間で状態変化を起こす例
えばTe,Se,Sb,In,Ge等の合金であり、これらの合金はア
モルファス状態と結晶状態では光学定数が変化し反射率
が異なるために、レーザー光等の照射によりその状態が
光学的に識別できる。具体的には例えばGeSbTe,InSbTe,
InSbTeAg,GaSb,InGaSb,GeSnTe,AgSbTe等の合金が適用さ
れる。
【0024】第1の誘電体層2および第2の誘電体層4
は、透明でかつ熱的に安定な物質がよく、例えば、金属
や半金属の酸化物、窒化物、カルコゲン化物、フッ化
物、炭化物等およびこれらの混合物であり、具体的には
例えばSiO2,SiO,Al2O3,GeO2,In 2O3,Ta2O5,TeO2,TiO2,Mo
O3,WO3,ZrO2,Si3N4,AlN,BN,TiN,ZnS,CdS,CdSe,ZnSe,ZnT
e,AgF,PbF2,MnF2,NiF2,SiC等の単体あるいはこれらの混
合物等である。
【0025】反射層5は金属膜で構成され、材料として
は例えばAu,Al,Ti,Ni,Cu,Cr等の単体あるいはこれらの
合金を用いることができる。
【0026】なお、第1の誘電体層2、記録層3、第2
の誘電体層4の膜厚を適切に設計することにより、反射
層5を用いない構造とすることも可能である。
【0027】相変化光ディスクのように反射率変化で信
号を再生する場合においては、図1のようにランドとグ
ルーブの双方に信号を記録しても、グルーブ深さを限定
することでクロストークを抑制できることが、特願平4
−79483号において提案されており、そのなかで、
クロストーク量を−20dB以下にするためにはグルー
ブ深さDを、再生光の波長をλとし、基板の屈折率をn
とすると、λ/(7n)≦D≦5λ/(14n)を満た
すように設定すればよく、さらに略λ/(5n)または
略3λ/(10n)にすれば、クロストークは極小にな
ることが開示されている。
【0028】なお、グルーブの幾何学的な深さは一定で
も、再生光の波長λと基板の屈折率nが変化すればグル
ーブの光学的深さは変化するため、本発明におけるグル
ーブの深さDはすべて光学的深さにより限定される。
【0029】本発明者らは、前記引例に基づき、ランド
とグルーブの幅をほぼ同じに保ちながら、グルーブ深さ
を種々変えて基板上にアモルファス相と結晶相との間で
可逆的に状態変化を起こす相変化光ディスクを作製し
て、記録再生特性およびクロストーク特性に付いて検討
を重ねた結果、さらに上述したようなランド&グルーブ
記録特有の課題があることが判明した。
【0030】本発明者らは上記課題について詳しく検討
したところ、課題1、2の原因はアモルファス状態と結
晶状態の反射光の位相差、グルーブとランドの幅の差、
グルーブとランドのノイズ差等にあることが分かった。
【0031】また、課題3に関しては原因は明確ではな
いが、ランドとグルーブの熱条件の差が起因しているこ
とが考えられる。すなわち、例えばグルーブはレーザー
光投入側に凸になっているのに対して、ランドではレー
ザー光投入側と反対側に凸になっていて幾何学的構造が
異なるため、ランドとグルーブではレーザー照射時にお
ける記録膜の昇温、放熱過程も異なるものと考えられ
る。
【0032】本発明はこのような新たな課題に対してな
されたものであり、記録媒体構成を以下のように限定す
る。
【0033】すなわち、反射率の高い状態と低い状態間
で可逆的に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体
において、再生光の波長をλとし、基板の屈折率をnと
すると、グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ/
(4n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射率
をR1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2/
R1≦0.2を満たすようにする。
【0034】このように限定することで、隣接トラック
からのクロストークを−20dB以下に抑えられること
が分かった。さらに、ランド再生信号とグルーブ再生信
号の振幅差も小さく抑えらることも分かった。
【0035】これは、R2/R1>0.2ではクロスト
ークが−20dBを超える場合が現われたが、これは記
録マーク内の反射率(低い方の反射率)が大きくなる
と、記録マークからの反射光と隣接トラックの反射光と
の干渉も大きくなり、記録マークからの反射光の位相に
よっては隣接トラックからも記録マークの有無が検出で
きるようになるためと考えられる。
【0036】また、ランドおよびグルーブにおける信号
品質の差およびサイクルによるランド信号の品質低下
は、反射率が高い状態における反射光の位相φ1と反射
率が低い状態における反射光の位相φ2との差、すなわ
ちφ1−φ2(以下Δφ12)を制御することで抑制で
きることが分かった。
【0037】例えば、2mπ<Δφ12<(1+2m)
π(但し、mは整数)を満たすように薄膜構成を設計す
ることで、ランド幅とグルーブ幅が同一のとき、ランド
の振幅はグルーブの振幅より大きくなる(特願平3−1
75001号参照)。
【0038】この現象も、記録マークからの反射光と隣
接トラックの反射光との干渉に起因するものであるが、
本発明はこの現象をランド&グルーブ記録の課題解決に
利用するものである。すなわち、Δφ12を上記範囲に
選べば、信号品質がグルーブよりランドの方が劣る場
合、例えば(1)基板のランド幅がグルーブ幅より狭い場
合、あるいは(2)基板のノイズレベルがグルーブよりラ
ンドの方が高い場合、等に、ランドの振幅を強調するこ
とで、ランドとグルーブとの信号品質を同等かつ良好に
でき、ランド&グルーブ記録に適した記録媒体になり得
ることが分かった。
【0039】また、上記Δφ12の限定は、上記課題3
のオーバーライトを繰り返した場合におけるランドの信
号劣化を補償するのにも有効である。すなわち、ランド
&グルーブ記録においては、グルーブとランドのCNR
が初期記録の時では同等であっても、オーバーライトを
繰り返した場合に、ノイズ増加に伴う再生信号のCNR
の低下がランドの方が早い、すなわちランドの信号劣化
の方が大きい場合がある。この場合ランドのCNR低下
によりサイクル寿命が決まる。
【0040】そこでΔφ12を上記範囲に限定して、初
期記録の段階でランド振幅をグルーブ振幅より若干大き
くなるように設計する。このような構成にすることによ
り、グルーブでの初期CNRが若干低下するものの、ラ
ンド振幅が大きくなることでランドの初期CNRが大き
くなり、かつサイクルによるCNR低下も小さくなるこ
とが分かった。すなわち、多サイクル後にランドとグル
ーブの信号品質が同等になるように設計することがで
き、結果としてランド、グルーブともにサイクル寿命の
長い記録媒体が供給できる。
【0041】また、(2m−1)π<Δφ12<2m
π、(但し、mは整数)を満たすように薄膜構成を設計
すれば、ランド幅とグルーブ幅とが同一のとき、グルー
ブの振幅はランドの振幅より大きくなる。Δφ12をこ
の範囲に選べば、信号品質がランドよりグルーブの方が
劣る場合、例えば(1)基板のグルーブ幅がランド幅より
狭い場合、あるいは(2)基板のノイズレベルがランドよ
りグルーブの方が高い場合、等に、グルーブの振幅を強
調することで、ランドとグルーブの信号品質を同等にで
き、ランド&グルーブ記録に適した記録媒体になり得
る。
【0042】ここで、記録媒体のアモルファス状態と結
晶状態との反射率と位相差の求め方について説明する。
【0043】図1のような薄膜積層構造における光線の
反射率と反射光との位相を計算する手法は、例えばマト
リックス法として公知であり、本発明でも各層の複素屈
折率と膜厚からマトリックス法で計算した(たとえば、
久保田広著「波動光学」岩波書店、1971年 第3章
参照)。
【0044】また、基板1と保護カバー9は無限大の膜
厚をもつものとして(基材−空気界面、密着保護層−空
気界面の効果を無視)みなし、反射率は基材から入射し
た光の基材中に出射してくる比率として求め、位相は基
板1と第1の誘電体層2の界面での位相を基準として求
めた。
【0045】なお、記録層の複素屈折率は、例えばGeSb
Te3元系では、ガラス基板上にスパッタ法で成膜した場
合におけるアモルファス状態の複素屈折率と、さらにこ
のサンプルを不活性ガス中で300℃、5分間熱処理し
て結晶化させた場合の複素屈折率を採用した。
【0046】また、基板ノイズがグルーブで高いか、ラ
ンドで高いかは基板の製造過程に大きく起因する。基板
ノイズの高低は、本発明にかかわる重要な要因であり、
ここで詳述するとともにノイズレベルの本発明における
定義を記す。
【0047】ディスク基板は一般的に予め溝が設けられ
たスタンパーから、インジェクション法(射出成形法)
あるいは2P法(photo polymarization 法)によって
複製される。
【0048】スタンパーの製法は、最初に図6のように
充分に研磨されたガラス源盤61を用意する。その上に
フォトレジスト62を塗布し、レーザー光63により溝
を記録し、さらに現像処理により凹凸状の溝64を形成
してガラス原盤をえる。
【0049】さらにこの上に例えば無電解メッキやスパ
ッタ法により全面に導電膜65を形成した後、電鋳プロ
セスによりニッケル等からなるスタンパー66を作製す
る。
【0050】このスタンパー66を基にディスク基板が
複製されるが、そのとき基板のグルーブはガラス源盤6
1のガラス面の転写面に対応し、ランドはフォトレジス
ト62面の転写面に対応する。ガラス面は充分に研磨さ
れているため鏡面であるが、フォトレジスト62面は表
面に若干の凹凸が存在する場合がある。このため結果と
して基板のグルーブ面は鏡面であるが、ランド面には凹
凸が存在して信号再生の場合のノイズとなる場合があ
る。
【0051】なお、上記スタンパーの作製方法では、ガ
ラス源盤61から1枚のスタンパーしか得られないが、
上記スタンパー66をもとにさらに電鋳プロセスを繰り
返して複数枚のスタンパーを得る方法もあり、最終的に
作製されたディスク基板のグルーブがフォトレジスト面
に対応する場合もあり得、この場合にはグルーブノイズ
がランドノイズより高くなる。
【0052】また、インジェクション法によりディスク
基板を作製する場合には、さらにランドにノイズが発生
する場合がある。インジェクション法は溶融した樹脂を
高圧力でディスクのスタンパーを含む金型内に注入して
固まらせる方法である。このときスタンパーの凹部への
樹脂の流れが不十分でその形状を完全に転写できない
と、複製された基板のランド部の形状に乱れが生じ、結
果として信号を再生した場合のノイズとなる。
【0053】特にランド&グルーブ記録に用いる基板
は、従来の光ディスク用基板よりグルーブが深いため
に、転写不良によるランドノイズの上昇が発生しやす
い。
【0054】以上のように基板製法によってランドとグ
ルーブのノイズレベルに差が生じる場合があるが、その
場合でもノイズレベルの高い方の信号振幅が大きくなる
ようにΔφ12を設定することで、ランドとグルーブの
信号品質は同等にすることができる。
【0055】基板のランドとグルーブとのノイズ比較
は、薄膜を形成する前のディスク基板を信号記録再生装
置に設置して、信号を再生する場合と同じ速度で回転
し、フォーカスおよびトラッキング制御をかけながらラ
ンドもしくはグルーブ上を走査し、そのときの再生信号
をスペクトラムアナライザーへ導き、記録信号帯域にお
けるノイズレベルを測定することで行える。
【0056】記録信号帯域においては、ランド、グルー
ブともにノイズレベルはブロードに変化するため、ラン
ドとグルーブとのノイズ比較は記録信号帯域に含まれる
1周波数を選択し、その周波数におけるノイズレベルを
比較することで簡易的に行える。例えば、記録マーク長
1μm(マークピッチ2μm)の場合の周波数は、一般的
に光ディスクの記録信号帯域に含まれるが、この周波数
は、再生レーザースポットと基板の相対速度をV(m/
s)とするときV/2(MHz)で現わされ、したがっ
てこの周波数におけるノイズレベルを測定することでラ
ンドとグルーブとのノイズレベル差を決定することが可
能である。
【0057】次に、基板のグルーブ深さ、未記録部と記
録部の反射率比および反射光の位相差を上記範囲に限定
した具体的実施例について詳細に記す。
【0058】(実施例1)光ディスクの構造は図1と同
じである。基板としてはポリカーボネイト製で、グルー
ブ深さが異なる3種類のインジェクション基板を用意し
た。グルーブ深さは62nm、71nm、99nmであり、これはポ
リカーボネイトの屈折率n=1.58、レーザー波長λ=780
nmのとき、それぞれλ/(8n)、λ/(7n)、λ/
(5n)に相当する。
【0059】なお、作製した光ディスクの評価は、波長
λ=780nmの半導体レーザーを光源とする記録再生装置で
評価したため、以下の屈折率等はことわりがない限りλ
=780nmにおける値を示す。グルーブ幅およびランド幅は
等しく、それぞれ0.8μmである。
【0060】誘電体層材料は、ZnSに20mol%のSiO2を添
加した複合材料を用いた。屈折率は2.1である。記録材
料としては、GeSbTeの3元系を用いた。複素屈折率は、
アモルファス状態が4.41-i1.34、結晶状態が5.52-i4.00
であった。反射層としては、AuとAlの両方を用いた。複
素屈折率は、Auが0.18-i4.64、Alが2.18-i6.80である。
【0061】前記3種類の基板上に第1の誘電体層、記
録層、第2の誘電体層、反射層の膜厚を変化させて成膜
し、記録部(アモルファス)と未記録部(結晶)との反
射率比および反射光の位相差が異なる光ディスクを種々
作製した。
【0062】(表1)に、作製したサンプルの薄膜構成
と、各薄膜構成に対してマトリックス法で求めたアモル
ファス状態と、結晶状態の反射率比R2/R1、および
反射光の位相差Δφ12を示す。なお、ランドとグルー
ブの振幅比とクロストークは、反射率の絶対値R1、R
2ではなくその比率R2/R1に依存するするため、そ
の値を示した。
【0063】ここで位相差Δφ12は、アモルファス状
態からの反射光の位相を基準とし、結晶状態からの反射
光の位相差を示してある。結晶状態のからの反射光の位
相が進んでいる場合符号は正、遅れている場合は負であ
る。位相は2πの周期で等価であるので−πから+πの
範囲で示した。
【0064】なお、記録層は成膜直後はアモルファス状
態のため、予めレーザー光を照射して光ディスク全面を
結晶化させて初期化した。
【0065】
【表1】
【0066】上記光ディスクを波長780nm、対物レンズ
の開口数(NA)0.55の記録再生装置で、ランドとグルー
ブとに記録した場合の再生振幅差およびクロストークを
測定した。
【0067】信号の記録再生評価は以下の手順で行なっ
た。光ディスクを記録再生装置に設置しスピンドルモー
タを回転させて線速度を5m/sとして、半導体レーザ
ーからの光ビームを光学系により微小な光スポットとし
て記録薄膜層に照射し、フォーカスおよびトラッキング
制御をかけて、最初にグルーブ上にレーザースポットを
トラッキングさせる。
【0068】そしてレーザー駆動回路を3MHzの単一
周波数で駆動することで、レーザー光をピークパワー
(記録パワー)とバイアスパワー(消去パワー)との間
でパワー変調し、連続する2本のグルーブ上に信号を記
録しする。薄膜構成によって記録感度が異なるため、そ
れぞれの光ディスクに対してピークパワーは再生振幅が
飽和する値に、バイアスパワーはオーバーライト消去率
が最大になる値に設定した。
【0069】次に、トラッキングの極性を反転させて、
レーザースポットを信号を記録した2本グルーブ間のラ
ンド上にトラッキングさせ、2.5MHzの信号を記録
する。そして、ランド上で2.5MHzの信号の再生振
幅と、両隣のグルーブからの3MHzのクロストークを
測定する。
【0070】続いて、2本の連続するランド上に3MH
zの単一周波数を記録し、トラッキングの極性を再び反
転させ、信号を記録した2本のランド間のグルーブ上に
レーザースポットをトラッキングさせ2.5MHzの信
号を記録する。そして、グルーブ上で2.5MHzの信
号の再生振幅と、両隣のグルーブからの3MHzのクロ
ストークを測定する。
【0071】以上のようにしてランドとグルーブとの再
生振幅の差、およびクロストーク量を全ての薄膜構成に
ついて調べ、反射率比R2/R1および位相差Δφ12
との関係を示したのが図2〜4である。
【0072】図2は、基板のグルーブ深さが62nm、図3
は71nm、図4は99nmの場合である。ここで再生振幅差Δ
Amp(dB)は、ランドの振幅からグルーブの振幅を
減じた値であり、したがって符号が正の場合ランドの振
幅が大きく、負の場合グルーブの振幅が大きいことを示
す。また、クロストークは、アモルファスと結晶との位
相差Δφ12の影響によりランドとグルーブとではその
大きさが異なったが、図2〜4では大きい方の値(悪い
方の値)を示した(概ねΔφ12が正のときグルーブで
のクロストークが大きく、負のときランドでのクロスト
ークが大きかった)。
【0073】図2〜4では、ΔAmp、クロストークと
もに反射率比R2/R1、位相差Δφ12、そしてグル
ーブ深さに依存している。薄膜構成によってはランド&
グルーブ記録用の記録媒体として考えた場合、クロスト
ークが大きすぎたり、あるいは振幅差ΔAmpが大きす
ぎて不適当な場合があることがわかる。しかしながら本
実施例のグルーブ深さ62nm、71nm、99nmでは、0≦R2
/R1≦0.2の範囲に選べばΔφ12の値が変化して
も、クロストークを−20dB以下、かつΔAmpの大
きさを3dB以下にすることができ、ランド&グルーブ
記録用媒体として良好な特性を示すことが分かる。
【0074】特に、R1/R2=0、つまりR2=0に
すればクロストークは小さく、かつランドとグルーブで
振幅を同じにできる。
【0075】さらに、グルーブ深さ71nm(λ/(7
n))、99nm(λ/(5n))の場合にはクロストーク
は小さく、0≦R2/R1≦0.2の範囲に選べばΔφ
12の値が変化しても、−25dB以下にできることが
分かる。
【0076】次に、Δφ12の値を制御することでΔA
mpを制御することができ、これを利用することでラン
ド&グルーブ記録の課題であるランドおよびグルーブに
おける信号品質の差、およびサイクルによるランド信号
の品質低下を抑制できることが分かった。以下に具体的
実施例を記す。
【0077】(実施例2)基板としてポリカーボネイト
製で、グルーブ深さが65nmの2種類の基板AおよびBを
用意した。基板Aは製造過程においてガラス源盤のガラ
ス面がグルーブ面に対応し、フォトレジスト面がランド
面に対応したものであり、逆に基板Bはガラス面がラン
ド面に対応し、フォトレジスト面がグルーブ面に対応し
たものである。グルーブ幅およびランド幅は等しくそれ
ぞれ0.8μmである。
【0078】基板A、Bのノイズレベルを測定した。実
施例1で用いた記録再生装置に基板を設置して再生レー
ザースポットと基板の相対速度を5m/sで回転させ、
5/2=2.5MHzの周波数におけるノイズレベルを
測定した。その結果、基板Aではランドのノイズレベル
が1.5dB高く、逆に基板Bではグルーブのノイズレ
ベルが1.2dB高かった。
【0079】基板A、Bのそれぞれに実施例1の薄膜構
成17と12で成膜し、4枚の光ディスクを作製した。(表
1)および図2〜4から分かるように、薄膜構成17はΔ
φ12が正で再生振幅はランドの方がグルーブより大き
くなり、薄膜構成12はΔφ12が負で再生振幅はグルー
ブの方が大きくなる構成である。
【0080】これらの光ディスクに、2.5MHzの信
号を記録再生した場合の評価結果を(表2)に示す。基
板Aに薄膜構成17を設けた光ディスクでは、ランドの振
幅がグルーブより2.1dB大きく、ランドのノイズが高
いのを補償しており、ランドとグルーブで同等のCNR
が得られた。同様に基板Bに薄膜構成12を設けた光ディ
スクでは、グルーブの振幅がランドより1.9dB大き
く、グルーブのノイズが高いのを補償しており、ランド
とグルーブとで同等のCNRが得られている。
【0081】なお、基板Aに薄膜構成12を設けた場合
は、ランドにおいてノイズレベルが高くかつ振幅が小さ
いためにランドのCNRが小さく、逆に基板Bに薄膜構
成17を設けた場合は、グルーブにおいてグルーブのノイ
ズレベルが高くかつ振幅が小さいためにグルーブのCN
Rが小さくて、それぞれランドとグルーブで信号品質が
異なり、結果としてランド&グルーブ記録用媒体として
の記録密度等は信号品質の悪い方により制限を受けるこ
とになる。
【0082】以上から、基板ノイズがグルーブよりラン
ドの方が高い場合には、2mπ<Δφ12<(1+2
m)π(但し、mは整数)((表1)の値はm=0に相
当)、となるように、また、基板ノイズがランドよりグ
ルーブの方が高い場合には(2m−1)π<Δφ12<
2mπ(表1の値はm=0に相当)、となるように薄膜
構成を設計することで、ランドとグルーブの信号品質を
同等にでき、ランド&グルーブ記録に適した媒体を提供
することができる。
【0083】上記基板A、Bは基板作製時のガラス原盤
に起因するものであると考えられるが、インジェクショ
ン時のスタンパーからの転写不良によりランドノイズが
上昇する場合がある。この場合も本実施例と同様に2m
π<Δφ12<(1+2m)πとなるように薄膜構成を
設計することで、ランドとグルーブの信号品質を同等に
でき、ランド&グルーブ記録に適した媒体を提供するこ
とができることはいうまでもない。
【0084】
【表2】
【0085】ランドとグルーブとの信号品質差は、ラン
ドとグルーブとの幅の差によっても発生する。記録マー
クの幅は、ランドとグルーブの段差によってそれ以上横
方向に広がるのを阻止され、結果としてトラック幅が広
い方が記録マーク幅も広くなって大きな振幅が得られる
からである。ランドとグルーブとの幅が異なる場合にお
いても、光ディスクのΔφ12を制御することでランド
とグルーブの信号品質を同等にすることが可能である。
以下にその実施例を示す。
【0086】(実施例3)ポリカーボネイト製でグルー
ブ深さが65nmの基板Cを用意した。基板Cは、ゾーンに
よってランド幅とグルーブ幅とを変化させてあり、ゾー
ン1はグルーブ幅が0.6μm、ランド幅が1.0μmで
あり、ゾーン2はグルーブ幅が1.0μm、ランド幅が
0.6μmである。
【0087】基板C上に実施例2と同様に実施例1の薄
膜構成17と12で成膜し、2枚の光ディスクを作製した。
これらの光ディスクに2.5MHzの信号を記録再生し
た場合の評価結果を(表3)に示す。ゾーン1に薄膜構
成12を設けた領域、およびゾーン2に薄膜構成17を設け
た領域ではランドとグルーブとの振幅がほぼ等しく、と
もにランドとグルーブとの幅の差による信号品質の差を
薄膜構成により補償しているのがわかる。
【0088】以上から、グルーブ幅がランド幅より広い
場合には、2mπ<Δφ12<(1+2m)π(但し、
mは整数)((表1)の値はm=0に相当)となるよう
に、また、ランド幅がグルーブ幅より広い場合には(2
m−1)π<Δφ12<2mπ(但しmは整数)((表
1)の値はm=0に相当)となるように薄膜構成を設計
することで、ランドとグルーブの振幅を同等にでき、ラ
ンド&グルーブ記録に適した媒体を提供することができ
る。
【0089】
【表3】
【0090】光ディスクは、その用途によっては多数回
の書換え性能が要求される。相変化光ディスクにおける
ランド&グルーブ記録では、前述のように、グルーブよ
りランドにおいてサイクルにともなうCNRの低下が大
きいという現象が現われる場合があることが分かった。
【0091】この課題に対しても光ディスクのΔφ12
を制御することで多サイクル後にランドとグルーブとの
信号品質を同等にし、結果としてサイクル寿命を長くで
きることがわかった。以下にその実施例を示す。
【0092】(実施例4)ポリカーボネイト製でグルー
ブ深さが71nmの基板を用意した。グルーブ幅およびラン
ド幅は等しく、それぞれ0.8μmである。この基板ではラ
ンドとグルーブのノイズレベルはほぼ同じであった。こ
の基板上に、実施例1の薄膜構成17および23で成膜し
て、2枚の光ディスクを作製した。
【0093】(表1)および図2〜4から分かるよう
に、薄膜構成17はΔφ12が正で再生振幅はランドの方
がグルーブより大きくなり、薄膜構成23はΔφ12がわ
ずかに負で再生振幅はグルーブとランドでほぼ等しくな
る構成である。
【0094】これらの光ディスクを5m/sで回転させ
て3MHzと1.25MHzの信号を交互にオーバーラ
イトし、3MHzの再生信号のCNRを測定して、オー
バーライトサイクルに対してプロットした結果を図5
(上方は薄膜構成23、下方は薄膜構成17)に示す。
【0095】薄膜構成23の光ディスクでは、初期CNR
はランド、グルーブ共に約54dBで同等であるが、オ
ーバーライト回数が増えるにつれてランドのCNRが低
下し約3万回のオーバーライトで50dBを下回る。こ
こで、例えばCNRが50dBを下回ったサイクル回数
をサイクル寿命と仮定すれば、薄膜構成23の光ディスク
では、ランド&グルーブ記録用媒体としてのサイクル寿
命はランドのサイクル性能で決まり、約3万回となる。
【0096】しかし薄膜構成17の光ディスクでは、ラン
ドの再生振幅の方が大きいために、初期CNRもランド
が約55.5dB、グルーブが約53dBとなりランド
のCNRの方が大きくなった。オーバーライトを繰り返
すと薄膜構成23の場合と同様にランドのCNRが低下
し、約30万回のオーバーライトでグルーブのCNRと
同じになるが、そのとき両者ともに50dBを上回って
いる。つまり薄膜構成17の光ディスクでは、ランド&グ
ルーブ記録用媒体としてのサイクル寿命は、30万回以
上である。
【0097】以上から、グルーブよりランドにおいてサ
イクルにともなう信号品質の低下が大きい場合があると
いうランド&グルーブ記録における課題は、2mπ<Δ
φ12<(1+2m)π(但し、mは整数)((表1)
の値はm=0に相当)となるように薄膜構成を設計する
ことで抑制でき、ランド&グルーブ記録用媒体のサイク
ル寿命を延ばすことができることが分かった。
【0098】次に、本発明のランド&グルーブ記録媒体
に適応できる基板のグルーブ深さをさらに詳しくしらべ
た。以下にその実施例を示す。
【0099】(実施例5)ポリカーボネイト製でグルー
ブ深さが41nmと110nmの2種類のインジェクション基板
を用意した。これは波長780nmの場合、それぞれλ/
(12n)、λ/(4.5n)に相当する。グルーブ幅
およびランド幅は、実施例1と同様にそれぞれ0.8μmで
ある。
【0100】これらの基板に実施例1と同様の薄膜構成
1〜33で成膜して光ディスクを作製し、さらに実施例1
と同様の方法でクロストークを測定した。その結果、グ
ルーブ深さが41nmの光ディスクは、グルーブ深さが浅い
ためクロストークの低減効果が小さく、全ての薄膜構成
においてクロストークは−20dBより大きくなった。
【0101】また、グルーブ深さ110nmの基板の場合に
は、クロストークは小さく良好であったが、ランドのノ
イズレベルがグルーブより5dB程度高いことが分かっ
た。これはグルーブが深すぎるため、インジェクション
時の樹脂の流れが充分でなく、スタンパー表面の凹凸が
完全に転写されなかったためと考えられる。
【0102】本実施例5と前述の実施例1との両方から
判断して、本発明のランド&グルーブ記録媒体として
は、クロストークが低減できるグルーブの深さDは、再
生光の波長をλとし、基板の屈折率をnとすると、λ/
(8n)<D<λ/(4n)の範囲であるが、さらに基
板形成の容易さを考えた場合λ/(8n)<D≦λ/
(5n)がよい。さらに、クロストークを充分に小さく
するにはλ/(7n)≦D≦λ/(5n)の範囲がよ
い。
【0103】
【発明の効果】以上詳述したように本発明は表面に凹凸
による溝状のグルーブと、前記グルーブと隣接するグル
ーブ間のランドの双方を信号記録用トラックとする基板
上に、レーザー光等の照射によって少なくとも反射率の
高い状態と低い状態間で可逆的に変化する記録層を設け
た光学的情報記録媒体であって、再生光の波長をλと
し、基板の屈折率をnとすると、前記グルーブの深さD
が、λ/(8n)<D<λ/(4n)を満たし、かつ、
前記記録層の高い方の反射率をR1、低い方の反射率を
R2とするとき、0≦R2/R1≦0.2を満たし、さ
らに、前記記録層の反射率が高い状態における反射光の
位相をφ1、反射率が低い状態における反射光の位相を
φ2とするとき、2mπ<φ1−φ2<(1+2m)
π、または、(2m−1)π<φ1−φ2<2mπ(但
し、mは整数)を満たす光学的情報記録媒体であるた
め、ランドとグルーブの双方に信号を記録しても隣接ト
ラックからのクロストークを小さく抑えることができ、
したがってランド&グルーブ記録法に適した光学的記録
媒体および記録装置の提供が可能になり、高密度光記録
を実現することができる。
【0104】さらに、結晶状態からの反射光の位相とア
モルファス状態からの反射光の位相の差を限定すること
で、基板のグルーブやランドの形状およびノイズレベル
に因るランドとグルーブの信号品質の差を補償して、ラ
ンドとグルーブで同等かつ良好な再生信号品質が得られ
るようになる。
【0105】加えて、結晶状態からの反射光の位相とア
モルファス状態からの反射光の位相の差を限定して初期
状態のランドの信号品質をグルーブより上げておくこと
で、オーバーライトを多数回重ねるとグルーブよりラン
ドにおいて信号品質の劣化が大きいという課題を抑制す
ることができ、結果としてサイクル寿命を長くできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による記録媒体の一実施例を説明するた
めの断面図
【図2】本発明の一実施例のグルーブ深さがλ/(8
n)の場合の、ディスク特性と反射率差および位相差の
関係を示す図
【図3】本発明の一実施例のグルーブ深さがλ/(7
n)の場合の、ディスク特性と反射率差および位相差の
関係を示す図
【図4】本発明の一実施例のグルーブ深さがλ/(5
n)の場合の、ディスク特性と反射率差および位相差の
関係を示す図
【図5】本発明の一実施例のCNRのオーバーライトサ
イクルによる変化の様子を示す図
【図6】本発明の一実施例のスタンパーの一般的な製法
を示す図
【符号の説明】
1 基板 2 第1の誘電体層 3 記録層 4 第2の誘電体層 5 反射層 6 レーザー光 7 グルーブ 8 ランド 9 保護カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井手 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮川 直康 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 赤平 信夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】表面に凹凸による溝状のグルーブと、前記
    グルーブと隣接するグルーブ間のランドの双方を信号記
    録用トラックとする基板上に、レーザー光等の照射によ
    って少なくとも反射率の高い状態と低い状態間で可逆的
    に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体であっ
    て、再生光の波長をλとし、前記基板の屈折率をnとす
    ると、前記グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ
    /(4n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射
    率をR1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2
    /R1≦0.2を満たし、さらに、前記記録層の反射率
    が高い状態における反射光の位相をφ1、反射率が低い
    状態における反射光の位相をφ2とするとき、2mπ<
    φ1−φ2<(1+2m)π(但し、mは整数)を満た
    すことを特徴とする光学的情報記録媒体。
  2. 【請求項2】グルーブの幅とランドの幅とが、略同一で
    あることを特徴とする請求項1記載の光学的情報記録媒
    体。
  3. 【請求項3】グルーブの幅が、ランドの幅より広いこと
    を特徴とする請求項1記載の光学的情報記録媒体。
  4. 【請求項4】表面に凹凸による溝状のグルーブと、前記
    グルーブと隣接するグルーブ間のランドの双方を信号記
    録用トラックとする基板上に、レーザー光等の照射によ
    って少なくとも反射率の高い状態と低い状態間で可逆的
    に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体であっ
    て、前記基板は表面に予め凹凸の溝を設けたスタンパー
    からの複製により作製され、前記基板のランド面がスタ
    ンパー作製のためのガラス原盤におけるレジスト面の転
    写面に対応し、グルーブ面が前記ガラス原盤におけるガ
    ラス面の転写面に対応して作製された基板であって、再
    生光の波長をλとし、前記基板の屈折率をnとすると、
    前記グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ/(4
    n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射率をR
    1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2/R1
    ≦0.2を満たし、さらに、前記記録層の反射率が高い
    状態における反射光の位相をφ1、反射率が低い状態に
    おける反射光の位相をφ2とするとき、2mπ<φ1−
    φ2<(1+2m)π(但し、mは整数)を満たすこと
    を特徴とする光学的情報記録媒体。
  5. 【請求項5】表面に凹凸による溝状のグルーブと、前記
    グルーブと隣接するグルーブ間のランドの双方を信号記
    録用トラックとする基板上に、レーザー光等の照射によ
    って少なくとも反射率の高い状態と低い状態間で可逆的
    に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体であっ
    て、前記基板は表面に予め凹凸の溝を設けたスタンパー
    からインジェクション法によって複製された基板であっ
    て、再生光の波長をλとし、前記基板の屈折率をnとす
    ると、前記グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ
    /(4n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射
    率をR1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2
    /R1≦0.2を満たし、さらに、前記記録層の反射率
    が高い状態における反射光の位相をφ1、反射率が低い
    状態における反射光の位相をφ2とするとき、2mπ<
    φ1−φ2<(1+2m)π(但し、mは整数)を満た
    すことを特徴とする光学的情報記録媒体。
  6. 【請求項6】表面に凹凸による溝状のグルーブと、前記
    グルーブと隣接するグルーブ間のランドの双方を信号記
    録用トラックとする基板上に、レーザー光等の照射によ
    って少なくとも反射率の高い状態と低い状態間で可逆的
    に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体であっ
    て、再生光の波長をλとし、前記基板の屈折率をnとす
    ると、前記グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ
    /(4n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射
    率をR1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2
    /R1≦0.2を満たし、さらに、前記記録層の反射率
    が高い状態における反射光の位相をφ1、反射率が低い
    状態における反射光の位相をφ2とするとき、(2m−
    1)π<φ1−φ2<2mπ(但し、mは整数)を満た
    すことを特徴とする光学的情報記録媒体。
  7. 【請求項7】ランドの幅が、グルーブの幅より広いこと
    を特徴とする請求項6記載の光学的情報記録媒体。
  8. 【請求項8】記録層の低い方の反射率R2が0%である
    ことを特徴とする請求項1または6何れかに記載の光学
    的情報記録媒体。
  9. 【請求項9】表面に凹凸による溝状のグルーブと、前記
    グルーブと隣接するグルーブ間のランドの双方を信号記
    録用トラックとする基板上に、レーザー光等の照射によ
    って少なくとも反射率の高い状態と低い状態間で可逆的
    に変化する記録層を設けた光学的情報記録媒体であっ
    て、前記基板は表面に予め凹凸の溝を設けたスタンパー
    からの複製により作製され、前記基板のグルーブ面がス
    タンパー作製のためのガラス原盤におけるレジスト面の
    転写面に対応し、ランド面が前記ガラス原盤におけるガ
    ラス面の転写面に対応して作製された基板であって、再
    生光の波長をλとし、前記基板の屈折率をnとすると、
    前記グルーブの深さDが、λ/(8n)<D<λ/(4
    n)を満たし、かつ、前記記録層の高い方の反射率をR
    1、低い方の反射率をR2とするとき、0≦R2/R1
    ≦0.2を満たし、さらに、前記記録層の反射率が高い
    状態における反射光の位相をφ1、反射率が低い状態に
    おける反射光の位相をφ2とするとき、(2m−1)π
    <φ1−φ2<2mπ(但し、mは整数)を満たすこと
    を特徴とする光学的情報記録媒体。
  10. 【請求項10】グルーブの深さDが、λ/(8n)<D
    ≦λ/(5n)を満たすことを特徴とする、請求項1、
    4、5、6、9何れかに記載の光学的情報記録媒体。
  11. 【請求項11】グルーブの深さDが、λ/(7n)≦D
    ≦λ/(5n)を満たすことを特徴とする請求項10記
    載の光学的情報記録媒体。
  12. 【請求項12】記録層が、アモルファス状態と結晶状態
    の間で可逆的に変化を起こす相変化記録材料からなるこ
    とを特徴とする、請求項1、4、5、6、9何れかに記
    載の光学的情報記録媒体。
  13. 【請求項13】基板上に、第1の誘電体層、記録層、第
    2の誘電体層、反射層の順に積層されたことを特徴とす
    る、請求項1、4、5、6、9何れかに記載の光学的情
    報記録媒体。
  14. 【請求項14】m=0であることを特徴とする、請求項
    1、4、5、6、9何れかに記載の光学的情報記録媒
    体。
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