JP2998738B2 - スパッタリング装置とその成膜方法 - Google Patents
スパッタリング装置とその成膜方法Info
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- JP2998738B2 JP2998738B2 JP13932298A JP13932298A JP2998738B2 JP 2998738 B2 JP2998738 B2 JP 2998738B2 JP 13932298 A JP13932298 A JP 13932298A JP 13932298 A JP13932298 A JP 13932298A JP 2998738 B2 JP2998738 B2 JP 2998738B2
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- film
- sputtering apparatus
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば相変化型光
ディスクの記録膜、誘電体膜等を形成するのに用いられ
るスパッタリング装置に関する。
ディスクの記録膜、誘電体膜等を形成するのに用いられ
るスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング法とは、薄膜形成技術の
一つであり、例えば相変化型光ディスクの記録層や誘電
体層、反射層等を形成するのに用いられている。このス
パッタリング法で薄膜を形成するには、真空槽内に成膜
材料となるターゲットと薄膜が形成される基板とを対向
配置する。そして、この真空槽内にＡｒ等の不活性ガス
を導入し、ターゲットと基板との間に高圧を印加するこ
とで放電を生じさせる。放電雰囲気中に導入された不活
性ガスはイオン化し、ターゲット表面へ高速で衝突す
る。その結果、ターゲット表面からはターゲット粒子が
はじき出され、基板上に被着、堆積し、スパッタ膜が成
膜されることになる。
一つであり、例えば相変化型光ディスクの記録層や誘電
体層、反射層等を形成するのに用いられている。このス
パッタリング法で薄膜を形成するには、真空槽内に成膜
材料となるターゲットと薄膜が形成される基板とを対向
配置する。そして、この真空槽内にＡｒ等の不活性ガス
を導入し、ターゲットと基板との間に高圧を印加するこ
とで放電を生じさせる。放電雰囲気中に導入された不活
性ガスはイオン化し、ターゲット表面へ高速で衝突す
る。その結果、ターゲット表面からはターゲット粒子が
はじき出され、基板上に被着、堆積し、スパッタ膜が成
膜されることになる。
【０００３】ところで、磁性材料、特に組成変調多層膜
の作製方法として基板回転による成膜方法が特開平２−
２１０６３６号、特開平３−１３２９４４号、特開平７
−２４３０３８号公報などに示されているが、これらの
方法は、二つ以上のターゲットを同時にスパッタしなが
らそれぞれの膜を交互に堆積させるために基板を回転さ
せている。
の作製方法として基板回転による成膜方法が特開平２−
２１０６３６号、特開平３−１３２９４４号、特開平７
−２４３０３８号公報などに示されているが、これらの
方法は、二つ以上のターゲットを同時にスパッタしなが
らそれぞれの膜を交互に堆積させるために基板を回転さ
せている。
【０００４】また、近年盛んに研究開発がなされている
書き換え可能な光ディスクにおいては、堆積させた膜に
膜厚の分布（バラツキ）があると、記録・再生特性にバ
ラツキが及んでしまう。そのため、特公平５−３２８１
７号公報においては、膜厚分布を補正するための分布補
正板を用いることが提案されている。しかし、この分布
補正板は、ターゲットからの粒子が堆積しやすく、その
堆積により開口部の形状が変わり補正板本来の役割が得
られなくなりやすい。
書き換え可能な光ディスクにおいては、堆積させた膜に
膜厚の分布（バラツキ）があると、記録・再生特性にバ
ラツキが及んでしまう。そのため、特公平５−３２８１
７号公報においては、膜厚分布を補正するための分布補
正板を用いることが提案されている。しかし、この分布
補正板は、ターゲットからの粒子が堆積しやすく、その
堆積により開口部の形状が変わり補正板本来の役割が得
られなくなりやすい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、上記のような書き
換え可能な光ディスクの記録・再生特性のバラツキの原
因である基板上の膜厚の不均一な成膜を低減し、均一な
特性の光ディスクを提供することを目的としている。
した従来技術の欠点を改良し、特に、上記のような書き
換え可能な光ディスクの記録・再生特性のバラツキの原
因である基板上の膜厚の不均一な成膜を低減し、均一な
特性の光ディスクを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるス
パッタリング装置の態様は、成膜材料であるｎ個（ｎは
２以上の整数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは
２以上の整数）の基板とが対向して設けられ、前記基板
がその中心を回転軸として自転しながら前記ターゲット
上を公転し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の
公転軌跡が通過するように配置したスパッタリング装置
において、前記基板が、公転１回に対して自転回数がｎ
回（このｎは、前記ｎと同じ）以上の非整数値となるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるス
パッタリング装置の態様は、成膜材料であるｎ個（ｎは
２以上の整数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは
２以上の整数）の基板とが対向して設けられ、前記基板
がその中心を回転軸として自転しながら前記ターゲット
上を公転し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の
公転軌跡が通過するように配置したスパッタリング装置
において、前記基板が、公転１回に対して自転回数がｎ
回（このｎは、前記ｎと同じ）以上の非整数値となるよ
うに構成したことを特徴とするものである。
【０００７】又、本発明に係るるスパッタリング装置を
用いた成膜方法の態様は、成膜材料であるｎ個（ｎは２
以上の整数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは２
以上の整数）の基板とが対向して設けられ、前記基板が
その中心を回転軸として自転しながら前記ターゲット上
を公転し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の公
転軌跡が通過するように配置したスパッタリング装置を
用いた成膜方法において、前記基板が、公転１回に対し
て自転回数がｎ回（このｎは、前記ｎと同じ）以上の非
整数値となるように構成したことを特徴とするものであ
る。
用いた成膜方法の態様は、成膜材料であるｎ個（ｎは２
以上の整数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは２
以上の整数）の基板とが対向して設けられ、前記基板が
その中心を回転軸として自転しながら前記ターゲット上
を公転し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の公
転軌跡が通過するように配置したスパッタリング装置を
用いた成膜方法において、前記基板が、公転１回に対し
て自転回数がｎ回（このｎは、前記ｎと同じ）以上の非
整数値となるように構成したことを特徴とするものであ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のスパッタリング装置は、
成膜材料である円形ターゲットと膜を成膜する基板とが
対向して設けられ、前記基板がその中心を回転軸として
自転しながら前記ターゲット上を公転するスパッタリン
グ装置において、前記基板がターゲットを通過する際、
今回のターゲットに対する基板の重なる位置が、前回通
過した際の基板の重なる位置と異なるように自転するよ
うに構成したから、基板上に形成される膜の膜厚が均一
化した。
成膜材料である円形ターゲットと膜を成膜する基板とが
対向して設けられ、前記基板がその中心を回転軸として
自転しながら前記ターゲット上を公転するスパッタリン
グ装置において、前記基板がターゲットを通過する際、
今回のターゲットに対する基板の重なる位置が、前回通
過した際の基板の重なる位置と異なるように自転するよ
うに構成したから、基板上に形成される膜の膜厚が均一
化した。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明に係わるスパッタリング装置
の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１乃
至図３は、本発明に係わるスパッタリング装置の具体例
の構造を示す図であって、これらの図には、成膜材料で
ある円形ターゲット１１ａ〜１１ｄと膜を成膜する基板
１２ａ〜１２ｄとが対向して設けられ、前記基板１２ａ
〜１２ｄがその中心を回転軸１３として自転しながら前
記ターゲット１１ａ〜１１ｄ上を公転するスパッタリン
グ装置において、前記基板１２ａがターゲット１１ａを
通過する際、今回のターゲットに対する基板の重なる位
置Ｍ１が、前回通過した際の基板の重なる位置Ｍ１と異
なるように自転することを特徴とするものであり、又、
前記基板１２ａが、ターゲット１１ａ上にきた際、前記
基板１２ａの全面がターゲット１１ａに略重なるように
構成したことを特徴とするものであり、又、ターゲット
の個数をｎ個（図ではｎ＝４）としたとき、公転１回に
対して自転回数がｎ回以上（図ではｎ＝４．２５）の非
整数値となるように構成したことを特徴とするものであ
り、又、前記ターゲット１１ａ〜１１ｄは、基板の中心
軸１３の公転軌跡１４に沿って配置されていることを特
徴とするものであり、又、前記ターゲット１１ａ〜１１
ｄの中心Ｃは、基板の中心軸１３の公転軌跡１４が通過
するように配置されていることを特徴とするものであ
り、又、前記ターゲット１１ａ〜１１ｄは等間隔に配置
されているスパッタリング装置が示されている。
の具体例を図面を参照しながら詳細に説明する。図１乃
至図３は、本発明に係わるスパッタリング装置の具体例
の構造を示す図であって、これらの図には、成膜材料で
ある円形ターゲット１１ａ〜１１ｄと膜を成膜する基板
１２ａ〜１２ｄとが対向して設けられ、前記基板１２ａ
〜１２ｄがその中心を回転軸１３として自転しながら前
記ターゲット１１ａ〜１１ｄ上を公転するスパッタリン
グ装置において、前記基板１２ａがターゲット１１ａを
通過する際、今回のターゲットに対する基板の重なる位
置Ｍ１が、前回通過した際の基板の重なる位置Ｍ１と異
なるように自転することを特徴とするものであり、又、
前記基板１２ａが、ターゲット１１ａ上にきた際、前記
基板１２ａの全面がターゲット１１ａに略重なるように
構成したことを特徴とするものであり、又、ターゲット
の個数をｎ個（図ではｎ＝４）としたとき、公転１回に
対して自転回数がｎ回以上（図ではｎ＝４．２５）の非
整数値となるように構成したことを特徴とするものであ
り、又、前記ターゲット１１ａ〜１１ｄは、基板の中心
軸１３の公転軌跡１４に沿って配置されていることを特
徴とするものであり、又、前記ターゲット１１ａ〜１１
ｄの中心Ｃは、基板の中心軸１３の公転軌跡１４が通過
するように配置されていることを特徴とするものであ
り、又、前記ターゲット１１ａ〜１１ｄは等間隔に配置
されているスパッタリング装置が示されている。
【００１０】以下に、本発明のスパッタリング装置を更
に詳細に説明する。なお、ここでは、書き換え可能相変
化型光ディスクを作製する場合を例にして本発明を説明
する。図１にスパッタ室を上部からみた時の平面模式図
を、図２にターゲットと基板の位置関係を示す断面模式
図を示す。ここでは、ターゲットと基板の位置関係を見
易くするために、間に設置されているシャッターは記載
していない。
に詳細に説明する。なお、ここでは、書き換え可能相変
化型光ディスクを作製する場合を例にして本発明を説明
する。図１にスパッタ室を上部からみた時の平面模式図
を、図２にターゲットと基板の位置関係を示す断面模式
図を示す。ここでは、ターゲットと基板の位置関係を見
易くするために、間に設置されているシャッターは記載
していない。
【００１１】スパッタ室の蓋２０には、歯車１８が設置
されている。外部からトレイ回転軸１６を回転させる
と、トレイ１７が回転する。このトレイ１７の回転が、
トレイに取り付けている基板の公転動作となる。さら
に、トレイ１７には、基板回転（自転）用の歯車１９が
取り付けてあり、歯車１８と噛み合っている。そのた
め、基板取り付け部１２は、取付中心軸１３を軸として
回転（自転）することになる。また、基板回転の軸１３
は、ターゲット１１ａ〜１１ｄの中心軸ｃ上を通過する
ようになっている。さらに、公転１回転に対して基板１
１ａ〜１１ｄの自転回数は、４回転以上の非整数値にな
るように歯車１８、１９の歯数を限定しているので、あ
るターゲット上を同じ状態で基板が自転しながら通過す
ることはない。そのため、徐々に堆積する膜厚の均一性
が格段によくなっている。
されている。外部からトレイ回転軸１６を回転させる
と、トレイ１７が回転する。このトレイ１７の回転が、
トレイに取り付けている基板の公転動作となる。さら
に、トレイ１７には、基板回転（自転）用の歯車１９が
取り付けてあり、歯車１８と噛み合っている。そのた
め、基板取り付け部１２は、取付中心軸１３を軸として
回転（自転）することになる。また、基板回転の軸１３
は、ターゲット１１ａ〜１１ｄの中心軸ｃ上を通過する
ようになっている。さらに、公転１回転に対して基板１
１ａ〜１１ｄの自転回数は、４回転以上の非整数値にな
るように歯車１８、１９の歯数を限定しているので、あ
るターゲット上を同じ状態で基板が自転しながら通過す
ることはない。そのため、徐々に堆積する膜厚の均一性
が格段によくなっている。
【００１２】この状態は、図３に示され、基板１２ａ上
の位置Ｍ１が１回公転後ターゲット１１ａに対して異な
る位置にあることが示されている。前述の書き換え型光
ディスクの記録部は、通常４〜５層であり、４層の場合
は第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層の
４層、５層の場合は第１の誘電体層、第２の誘電体層、
記録層、第３の誘電体層、反射層の５層よりなる記録部
が形成されており、各層はスパッタリング法により形成
される。また、スパッタ室内には、誘電体層用ターゲッ
ト、記録膜用ターゲット、反射膜用ターゲットが等間隔
で配されている。 まず、第１の誘電体層を成膜するた
めにＡｒ等不活性ガスをスパッタ室に導入し、当該ター
ゲットと基板との間に高圧を印加し、放電させ成膜す
る。成膜終了後、導入した不活性ガスを一旦排気する。
次に、記録層を成膜するためにＡｒ等不活性ガスをスパ
ッタ室に導入し、当該ターゲットと基板との間に高圧を
印加し、放電させ成膜する。成膜終了後、導入した不活
性ガスを一旦排気する。次に、第２の誘電体層を成膜す
るためにＡｒ等不活性ガスをスパッタ室に導入し、当該
ターゲットと基板との間に高圧を印加し、放電させ成膜
する。成膜終了後、導入した不活性ガスを一旦排気す
る。最後に、反射層を成膜するためにＡｒ等不活性ガス
をスパッタ室に導入し、当該ターゲットと基板との間に
高圧を印加し、放電させ成膜する。成膜終了後、導入し
た不活性ガスを排気する。このような手順で、ターゲッ
ト一つずつスパッタ成膜し、書き換え型光ディスクを作
製する。
の位置Ｍ１が１回公転後ターゲット１１ａに対して異な
る位置にあることが示されている。前述の書き換え型光
ディスクの記録部は、通常４〜５層であり、４層の場合
は第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射層の
４層、５層の場合は第１の誘電体層、第２の誘電体層、
記録層、第３の誘電体層、反射層の５層よりなる記録部
が形成されており、各層はスパッタリング法により形成
される。また、スパッタ室内には、誘電体層用ターゲッ
ト、記録膜用ターゲット、反射膜用ターゲットが等間隔
で配されている。 まず、第１の誘電体層を成膜するた
めにＡｒ等不活性ガスをスパッタ室に導入し、当該ター
ゲットと基板との間に高圧を印加し、放電させ成膜す
る。成膜終了後、導入した不活性ガスを一旦排気する。
次に、記録層を成膜するためにＡｒ等不活性ガスをスパ
ッタ室に導入し、当該ターゲットと基板との間に高圧を
印加し、放電させ成膜する。成膜終了後、導入した不活
性ガスを一旦排気する。次に、第２の誘電体層を成膜す
るためにＡｒ等不活性ガスをスパッタ室に導入し、当該
ターゲットと基板との間に高圧を印加し、放電させ成膜
する。成膜終了後、導入した不活性ガスを一旦排気す
る。最後に、反射層を成膜するためにＡｒ等不活性ガス
をスパッタ室に導入し、当該ターゲットと基板との間に
高圧を印加し、放電させ成膜する。成膜終了後、導入し
た不活性ガスを排気する。このような手順で、ターゲッ
ト一つずつスパッタ成膜し、書き換え型光ディスクを作
製する。
【００１３】以下、図面を参照して本発明を具体的に説
明する。 （実施例１）図１は本発明のスパッタリング装置の構成
を説明するための模式図である。本スパッタ装置を用い
て以下のような、書き換え型の光ディスク媒体作製し、
記録・再生特性を評価した。
明する。 （実施例１）図１は本発明のスパッタリング装置の構成
を説明するための模式図である。本スパッタ装置を用い
て以下のような、書き換え型の光ディスク媒体作製し、
記録・再生特性を評価した。
【００１４】射出成型によって作られた片面にグルーブ
（深さ５５ｎｍ、幅０．６μｍ、ピッチ１．２μｍ）を
有し、直径１５ｍｍの中心孔を有する直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板のグルーブ
を有する面に、第１の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜
を１１０ｎｍ、記録層としてＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎ
ｍ、第２の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を２５ｎ
ｍ、反射層としてＡｌＴｉ膜を１００ｎｍ順次スパッタ
法により成膜し、このＡｌＴｉ膜の上に保護用の紫外線
硬化樹脂１５μｍを成膜し、記録可能媒体を製作した。
（深さ５５ｎｍ、幅０．６μｍ、ピッチ１．２μｍ）を
有し、直径１５ｍｍの中心孔を有する直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板のグルーブ
を有する面に、第１の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜
を１１０ｎｍ、記録層としてＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎ
ｍ、第２の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を２５ｎ
ｍ、反射層としてＡｌＴｉ膜を１００ｎｍ順次スパッタ
法により成膜し、このＡｌＴｉ膜の上に保護用の紫外線
硬化樹脂１５μｍを成膜し、記録可能媒体を製作した。
【００１５】内周から外周まで、再生波形の振幅が均一
で、ディスク円周方向でも振幅が均一な記録・再生特性
を示す媒体が得られた。 （実施例２）射出成型によって作られた片面にグルーブ
（深さ６５ｎｍ、幅０．６μｍ、ピッチ１．２μｍ）を
有し、直径１５ｍｍの中心孔を有する直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板のグルーブ
を有する面に、第１の誘電体層としてＳｉＯ2 を１４０
ｎｍ、第２の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を４０ｎ
ｍ、記録層としてＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎｍ、第３の誘
電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を２５ｎｍ、反射層とし
てＡｌＴｉ膜を１００ｎｍ順次スパッタ法により成膜
し、このＡｌＴｉ膜の上に保護用の紫外線硬化樹脂１５
μｍを成膜し、記録可能媒体を製作した。
で、ディスク円周方向でも振幅が均一な記録・再生特性
を示す媒体が得られた。 （実施例２）射出成型によって作られた片面にグルーブ
（深さ６５ｎｍ、幅０．６μｍ、ピッチ１．２μｍ）を
有し、直径１５ｍｍの中心孔を有する直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板のグルーブ
を有する面に、第１の誘電体層としてＳｉＯ2 を１４０
ｎｍ、第２の誘電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を４０ｎ
ｍ、記録層としてＧｅＳｂＴｅ膜を１８ｎｍ、第３の誘
電体層としてＺｎＳＳｉＯ2 膜を２５ｎｍ、反射層とし
てＡｌＴｉ膜を１００ｎｍ順次スパッタ法により成膜
し、このＡｌＴｉ膜の上に保護用の紫外線硬化樹脂１５
μｍを成膜し、記録可能媒体を製作した。
【００１６】内周から外周まで、再生波形の振幅が均一
で、ディスク円周方向でも振幅が均一な記録・再生特性
を示す媒体が得られた。 （比較例１）実施例１と同じ構造で、基板の自転軸を、
ターゲットの中心軸からずらしたスパッタリング装置
で、実施例１と同じ構造の書き換え可能型光ディスクを
作製し、記録・再生特性を評価した。その結果、内周と
外周で、再生波形の振幅にバラツキが見られ、膜厚の均
一性がよくないことが分かった。 （比較例２）実施例１と同じ構造で、基板の公転１回転
に対して自転を４回転としたスパッタリング装置で、実
施例１と同じ構造の書き換え可能型光ディスクを作製
し、記録・再生特性を評価した結果、ディスク円周方向
１回転あたり４つの振幅変動箇所が観測され、膜厚の均
一性がよくないことが分かった。
で、ディスク円周方向でも振幅が均一な記録・再生特性
を示す媒体が得られた。 （比較例１）実施例１と同じ構造で、基板の自転軸を、
ターゲットの中心軸からずらしたスパッタリング装置
で、実施例１と同じ構造の書き換え可能型光ディスクを
作製し、記録・再生特性を評価した。その結果、内周と
外周で、再生波形の振幅にバラツキが見られ、膜厚の均
一性がよくないことが分かった。 （比較例２）実施例１と同じ構造で、基板の公転１回転
に対して自転を４回転としたスパッタリング装置で、実
施例１と同じ構造の書き換え可能型光ディスクを作製
し、記録・再生特性を評価した結果、ディスク円周方向
１回転あたり４つの振幅変動箇所が観測され、膜厚の均
一性がよくないことが分かった。
【００１７】なお、本発明では、ターゲットを等間隔に
配置したが、場合によっては、等間隔に配置せずに膜厚
と均一にするように構成してもよい。
配置したが、場合によっては、等間隔に配置せずに膜厚
と均一にするように構成してもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、基板を自転させ、その自転軸
をターゲットの中心を通過するような公転軌跡と、さら
に公転１回転あたり自転を４回転以上の非整数値とする
ことにより膜厚の均一性が飛躍的に向上した。更に、デ
ィスク内での特性バラツキを抑制し、均一な特性の書き
換え可能光ディスクを作製することができる。
をターゲットの中心を通過するような公転軌跡と、さら
に公転１回転あたり自転を４回転以上の非整数値とする
ことにより膜厚の均一性が飛躍的に向上した。更に、デ
ィスク内での特性バラツキを抑制し、均一な特性の書き
換え可能光ディスクを作製することができる。
【図１】本発明に係るスパッタリング装置のスパッタ室
を上部から見た図である。
を上部から見た図である。
【図２】スパッタリング装置の断面図である。
【図３】本発明の基板の自転の状態を説明する図であ
る。
る。
１１ａ〜１１ｄ ターゲット １２ 基板取り付け部 １２ａ〜１２ｄ 基板 １３ 基板取り付け中心軸（自転軸） １４ 基板自転軸が描く公転時の軌跡 １５ トレイの回転方向 １６ トレイ回転軸 １７ トレイ（側面断面図） １８、１９ 歯車 ２０ スパッタ室の蓋 Ｍ１ 基板上の位置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 G11B 7/26
Claims (2)
- 【請求項１】 成膜材料であるｎ個（ｎは２以上の整
数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは２以上の整
数）の基板とが対向して設けられ、前記基板がその中心
を回転軸として自転しながら前記ターゲット上を公転
し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の公転軌跡
が通過するように配置したスパッタリング装置におい
て、前記基板が、公転１回に対して自転回数がｎ回（このｎ
は、前記ｎと同じ）以上の非整数値となるように構成し
た ことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 成膜材料であるｎ個（ｎは２以上の整
数）のターゲットと膜を成膜するｋ個（ｋは２以上の整
数）の基板とが対向して設けられ、前記基板がその中心
を回転軸として自転しながら前記ターゲット上を公転
し、前記ターゲットの中心は、基板の中心軸の公転軌跡
が通過するように配置したスパッタリング装置を用いた
成膜方法において、 前記基板が、公転１回に対して自転回数がｎ回（このｎ
は、前記ｎと同じ）以上の非整数値となるように構成し
たことを特徴とするスパッタリング装置を用いた成膜方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932298A JP2998738B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | スパッタリング装置とその成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13932298A JP2998738B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | スパッタリング装置とその成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335835A JPH11335835A (ja) | 1999-12-07 |
| JP2998738B2 true JP2998738B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=15242620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13932298A Expired - Lifetime JP2998738B2 (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | スパッタリング装置とその成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2998738B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-05-21 JP JP13932298A patent/JP2998738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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