JPH038141A - 光学記録担体及びその製造方法 - Google Patents
光学記録担体及びその製造方法Info
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- JPH038141A JPH038141A JP1142506A JP14250689A JPH038141A JP H038141 A JPH038141 A JP H038141A JP 1142506 A JP1142506 A JP 1142506A JP 14250689 A JP14250689 A JP 14250689A JP H038141 A JPH038141 A JP H038141A
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Landscapes
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｔｅ系光学記録膜が形成された円盤状情報記
録担体（以下ディスクと記す）を高速で回転させ、前記
ディスクにレーザ光の光パルスを照射させることにより
情報信号を記録再生する光学ディスクメモリに関する分
野に利用できる光学記録担体およびその製造方法に関す
るものである。
録担体（以下ディスクと記す）を高速で回転させ、前記
ディスクにレーザ光の光パルスを照射させることにより
情報信号を記録再生する光学ディスクメモリに関する分
野に利用できる光学記録担体およびその製造方法に関す
るものである。
従来の技術
Ｔｅ系光記録材料は、レーザ光等の光パルス照射時に発
生する熱によって、照射部分がアモルファス相から結晶
層に変化することを用いて信号を記録し、それに伴う記
録膜の反射光量変化によシ前記信号の再生を行うもので
ある。
生する熱によって、照射部分がアモルファス相から結晶
層に変化することを用いて信号を記録し、それに伴う記
録膜の反射光量変化によシ前記信号の再生を行うもので
ある。
ここで、アモルファス状態にあるＴｅ０ｘ（０（ｘく２
）膜が結晶状態に達する迄に比較的短い時間でにあるが
時間を要することがある。この場合に記録後の再生信号
ＲＦ振幅及びＣ７Ｎ値が時間と共に変化する現象を増感
現象と呼ぶ。
）膜が結晶状態に達する迄に比較的短い時間でにあるが
時間を要することがある。この場合に記録後の再生信号
ＲＦ振幅及びＣ７Ｎ値が時間と共に変化する現象を増感
現象と呼ぶ。
記録した信号を記録直後から良好に再生するためにはこ
の増感現象をなくし２同時に高いＧ ／ Ｎを得ること
が必要となる・この増感現象を改＠するために、ＴｅＯ
ｘ膜に異なった種類の材料を添加する方法が提案されて
いる。その方法では、異種の材料がＴａＯｘ膜中におい
て、結晶核の役割りを果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進
すると考えられる。
の増感現象をなくし２同時に高いＧ ／ Ｎを得ること
が必要となる・この増感現象を改＠するために、ＴｅＯ
ｘ膜に異なった種類の材料を添加する方法が提案されて
いる。その方法では、異種の材料がＴａＯｘ膜中におい
て、結晶核の役割りを果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進
すると考えられる。
しかしながら異なった種類の材料を添加して膜中のＴｅ
の相対量が減少するとＣ７Ｎ比が低下することが確かめ
られた。
の相対量が減少するとＣ７Ｎ比が低下することが確かめ
られた。
そこで、Ｔｅ系光学記録膜にＰｄを２ａｔ％以上６ＩＬ
ｔ％未満添加し、第３図示すように、ディスク基板１と
、Ｔｅ０ｘ−Ｐｄ膜８の間に６０〜３００人の厚さのＴ
ｅ−ＰＣ！金属膜９を設けて成る二層膜の光学記録担体
が提案さｎている （特願昭６３−１３３２９１号） 発明が解決しようとする課題 上記従来例の記録膜を用いて信号の記録再生を行うと、
記録後３３ ｍ ３１５Ｃ後、（光学記録担体を１８０
Ｏｒｐｍで回転させた時に２１回転に要する時間）及び
記録後１分経過後のＣ／Ｎ比に差ばみられず増感現象の
ないことが確認され、単一周波数ｓ ＭＨｚの信号を配
録した場合６７ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。しかしなが
ら従来例の記録膜を形成するためには、スパッタ装置を
用いてプラズマ放電を発生させて、まず第一層目のＴａ
−Ｐｄ金属膜をスパッタ蒸発により形成後、プラズマ放
電をいったん停止させ、０２ガスをヌバソタ室内に導入
後、プラズマ放電を再開し反応性スパッタ法により第二
層のＴｅ０ｘ−Ｐｄ膜を形成するという方法を用いてい
る。この場合第一層膜を形成後、第二層膜の形成を開始
する迄に時間を要するために、真空室内に微量存在する
Ｎ２０．Ｎ２等がＴｅ−Ｐｄ膜の表面に付着しＣ／Ｎ低
下の原因となると共に２二層膜構造とした場合、 Ｔｅ
−Ｐｄ金属膜とＴｅ０ｘ−Ｐｄ膜の界面から微小な剥離
が発生することも考えられる。この現象を防ぐためには
、真空室内の内壁等にＮ２０が吸着しないようにベーキ
ング等を行い注意を払う必要がある。
ｔ％未満添加し、第３図示すように、ディスク基板１と
、Ｔｅ０ｘ−Ｐｄ膜８の間に６０〜３００人の厚さのＴ
ｅ−ＰＣ！金属膜９を設けて成る二層膜の光学記録担体
が提案さｎている （特願昭６３−１３３２９１号） 発明が解決しようとする課題 上記従来例の記録膜を用いて信号の記録再生を行うと、
記録後３３ ｍ ３１５Ｃ後、（光学記録担体を１８０
Ｏｒｐｍで回転させた時に２１回転に要する時間）及び
記録後１分経過後のＣ／Ｎ比に差ばみられず増感現象の
ないことが確認され、単一周波数ｓ ＭＨｚの信号を配
録した場合６７ｄＢのＣ／Ｎ比が得られた。しかしなが
ら従来例の記録膜を形成するためには、スパッタ装置を
用いてプラズマ放電を発生させて、まず第一層目のＴａ
−Ｐｄ金属膜をスパッタ蒸発により形成後、プラズマ放
電をいったん停止させ、０２ガスをヌバソタ室内に導入
後、プラズマ放電を再開し反応性スパッタ法により第二
層のＴｅ０ｘ−Ｐｄ膜を形成するという方法を用いてい
る。この場合第一層膜を形成後、第二層膜の形成を開始
する迄に時間を要するために、真空室内に微量存在する
Ｎ２０．Ｎ２等がＴｅ−Ｐｄ膜の表面に付着しＣ／Ｎ低
下の原因となると共に２二層膜構造とした場合、 Ｔｅ
−Ｐｄ金属膜とＴｅ０ｘ−Ｐｄ膜の界面から微小な剥離
が発生することも考えられる。この現象を防ぐためには
、真空室内の内壁等にＮ２０が吸着しないようにベーキ
ング等を行い注意を払う必要がある。
課題を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決するため、Ｔｅ系光学記録
膜が、ディスク基板との境界近傍でばＴｅまたはＴｅ−
Ｐａ金属から底っており、境界近傍から離ｎるにしたが
って前記金属の酸化物に除徐に遷移させ、記録膜の最外
部では前記金属の酸化物から成るように構成したもので
ある。また上記記録膜を製造する際に真空室内でプラズ
マ放電を発生させディスク基板にＴｅまたはＴｅ−Ｐｄ
金属をスパッタ蒸発させて金属結晶層を付着させっつ０
２ガスを徐々に真空槽に導入し、その流量を徐々に増す
ことにより前記金属膜を酸化膜に遷移させ、遷移後は０
２ガスの流量を一定に保ちながらでθ系記録膜を形成す
るようにしたものである。
膜が、ディスク基板との境界近傍でばＴｅまたはＴｅ−
Ｐａ金属から底っており、境界近傍から離ｎるにしたが
って前記金属の酸化物に除徐に遷移させ、記録膜の最外
部では前記金属の酸化物から成るように構成したもので
ある。また上記記録膜を製造する際に真空室内でプラズ
マ放電を発生させディスク基板にＴｅまたはＴｅ−Ｐｄ
金属をスパッタ蒸発させて金属結晶層を付着させっつ０
２ガスを徐々に真空槽に導入し、その流量を徐々に増す
ことにより前記金属膜を酸化膜に遷移させ、遷移後は０
２ガスの流量を一定に保ちながらでθ系記録膜を形成す
るようにしたものである。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
ここでＦ′ｉＴθ系材料の一例として、Ｔｅの低酸化物
であるＴａＯｘについて説明する。
であるＴａＯｘについて説明する。
従来の技術に述べたように、ＴｅＯｘ膜にＰｄを添加す
ることにより増感減少が改善さｎ、更にＴａ０ｘ−Ｐｄ
膜とディスク基板の間にＴｅ−Ｐｄ 金属層を設けて二
層膜構造とすることにより良好なＣ／Ｎ比が得られる。
ることにより増感減少が改善さｎ、更にＴａ０ｘ−Ｐｄ
膜とディスク基板の間にＴｅ−Ｐｄ 金属層を設けて二
層膜構造とすることにより良好なＣ／Ｎ比が得られる。
しかしながら前記記録膜を形成する際にＴｅ−Ｐｄ金属
層を形成後、真空室内に存在するＨ、、Ｏ、Ｎ２ 等
がＴｅ−Ｐｄ膜の表面に付着しＣ／Ｎ低下の原因になる
と共に、二層膜構造とした場合、Ｔｅ−Ｐｄ金属膜とＴ
ａ０ｘ−Ｐｄ膜の界面から微小な剥離が発生することも
考える。実際真空室内を８０％ＲＨの高湿下に３０分放
置後に前記記録膜を形成するとＧ／Ｎは約３ｄＢ低下す
ることが確認された。
層を形成後、真空室内に存在するＨ、、Ｏ、Ｎ２ 等
がＴｅ−Ｐｄ膜の表面に付着しＣ／Ｎ低下の原因になる
と共に、二層膜構造とした場合、Ｔｅ−Ｐｄ金属膜とＴ
ａ０ｘ−Ｐｄ膜の界面から微小な剥離が発生することも
考える。実際真空室内を８０％ＲＨの高湿下に３０分放
置後に前記記録膜を形成するとＧ／Ｎは約３ｄＢ低下す
ることが確認された。
そこでこのＣ／Ｎ低下を防ぐために本発明者はＴｅ系光
学記録膜がディスク基板との境界近傍ではＴ６′または
Ｔｅ−Ｐｄ金属から成っており、境界近傍から離れるに
従って前記金属の酸化物に徐々に遷移させ記録膜の最外
部では前記金属の酸化物から放るように構成することが
有効であることを発明した。第１図に本発明の光学記録
担体の断面図を示す。ディスク基板１に対して、光学記
録膜は２，３．４の三相に分けらｎる。ディスク基板１
との境界近傍部２相はＴｅまたはＴｅ −Ｐｄから成る
相であり、３相部分はＴｅまたはＴｅ−Ｐｄの酸化物に
徐々に遷移しつつある相であり、４相部分はＴｅＯｘ−
４たはＴａ０ｘ−Ｐｄの相である。本発明の記録膜は真
空槽内でプラズマ放電を発生させてディスク基板にＴｅ
またはＴｅ−Ｐｄ金属をスパッタ蒸発させて金属結晶層
を付着させつつ０２ガスを徐々に前記真空槽に導入し、
その流量を徐々に増すことにより前記金属膜を酸化膜に
遷移させる方法で形成することができるため、プラズマ
放電を成膜途中で停止させる必要がなく、真空槽内のＮ
２０ 、 Ｎ２ 等が膜中に取り込まれる確率が低くな
る。その結果本発明によりＣ／Ｎ比を従来例に比べ更に
２ｄＢ高めることができ、５９ ｄＢを安定して得るこ
とが可能になった。
学記録膜がディスク基板との境界近傍ではＴ６′または
Ｔｅ−Ｐｄ金属から成っており、境界近傍から離れるに
従って前記金属の酸化物に徐々に遷移させ記録膜の最外
部では前記金属の酸化物から放るように構成することが
有効であることを発明した。第１図に本発明の光学記録
担体の断面図を示す。ディスク基板１に対して、光学記
録膜は２，３．４の三相に分けらｎる。ディスク基板１
との境界近傍部２相はＴｅまたはＴｅ −Ｐｄから成る
相であり、３相部分はＴｅまたはＴｅ−Ｐｄの酸化物に
徐々に遷移しつつある相であり、４相部分はＴｅＯｘ−
４たはＴａ０ｘ−Ｐｄの相である。本発明の記録膜は真
空槽内でプラズマ放電を発生させてディスク基板にＴｅ
またはＴｅ−Ｐｄ金属をスパッタ蒸発させて金属結晶層
を付着させつつ０２ガスを徐々に前記真空槽に導入し、
その流量を徐々に増すことにより前記金属膜を酸化膜に
遷移させる方法で形成することができるため、プラズマ
放電を成膜途中で停止させる必要がなく、真空槽内のＮ
２０ 、 Ｎ２ 等が膜中に取り込まれる確率が低くな
る。その結果本発明によりＣ／Ｎ比を従来例に比べ更に
２ｄＢ高めることができ、５９ ｄＢを安定して得るこ
とが可能になった。
実施例
本発明の光学記録担体ば、例えばスノくツタ蒸発法を用
いて形成を行うことができ、第２図を用いて実施例の説
明を行う。真空槽６内にディスク基板６をセット後、真
空槽６内を例えば１０ Ｔｅｒｒまで真空排気する。
いて形成を行うことができ、第２図を用いて実施例の説
明を行う。真空槽６内にディスク基板６をセット後、真
空槽６内を例えば１０ Ｔｅｒｒまで真空排気する。
真空排気終了後、真空槽６内に人ｒガスを導入して真空
槽６内のガス圧を例えば３×１０ Ｔｅｒｒに設定する
。このときディスク基板１は成膜時の膜厚分布を抑制す
るためにモータ６により回転駆動されている。
槽６内のガス圧を例えば３×１０ Ｔｅｒｒに設定する
。このときディスク基板１は成膜時の膜厚分布を抑制す
るためにモータ６により回転駆動されている。
この状態においてＴａ−Ｐｄより成るターゲット７にＤ
Ｃ電源（図示せず）により、例えば１００Ｗの電力を印
加すると真空槽６内にプラズマ放電が発生しターゲット
７の物質がスパッタ蒸発されＴｅ−Ｐｄ膜がディスク基
板１に付着し第１図の２相が形成される。その後に新た
に０２ガスの導入パルプを徐々に開いて流量を増してゆ
くと真空槽Ｓ内で反応性スパッタが進行し前記金属の酸
化膜に徐々に遷移し、第１図の３相が形成される。０２
ガスの流量を徐々に増してゆき、真空槽６内のガス圧が
例えば３．５Ｘ１０ Ｔｅｒｒ に達するとその状態で
０２ガスの流量を一定に保持すると前記金属の酸化物が
付着し第１図の４相が形成する。本実施例によれば３分
程度のスパッタ時間で１０００人程度の成膜が可能であ
った。
Ｃ電源（図示せず）により、例えば１００Ｗの電力を印
加すると真空槽６内にプラズマ放電が発生しターゲット
７の物質がスパッタ蒸発されＴｅ−Ｐｄ膜がディスク基
板１に付着し第１図の２相が形成される。その後に新た
に０２ガスの導入パルプを徐々に開いて流量を増してゆ
くと真空槽Ｓ内で反応性スパッタが進行し前記金属の酸
化膜に徐々に遷移し、第１図の３相が形成される。０２
ガスの流量を徐々に増してゆき、真空槽６内のガス圧が
例えば３．５Ｘ１０ Ｔｅｒｒ に達するとその状態で
０２ガスの流量を一定に保持すると前記金属の酸化物が
付着し第１図の４相が形成する。本実施例によれば３分
程度のスパッタ時間で１０００人程度の成膜が可能であ
った。
本実施例により作成した光学記録担体を例えば１８０ｏ
ｒｐｍで回転させ、単一周波数ｓ ＭＨｚの信号を記
録後、３３ ｆｌｌｓ６Ｑｌｌ後及び、１分経過後にＣ
／Ｎ比を測定すると両者共６９ｄＢという良好な値を得
た。
ｒｐｍで回転させ、単一周波数ｓ ＭＨｚの信号を記
録後、３３ ｆｌｌｓ６Ｑｌｌ後及び、１分経過後にＣ
／Ｎ比を測定すると両者共６９ｄＢという良好な値を得
た。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、例えばτθ系光学記録
膜がディスク基板との境界近傍ではＴｅまたはＴｅ−Ｐ
ｄ金属から成っており、境界近傍から離れるに従って、
前記金属の酸化物に徐々に遷移させ記録膜の最外部では
前記金属の酸化物から成る光学記録担体であるので従来
の二層より成るＴａＯｘ膜と比べてプラズマ放電を成膜
途中で停止させる必要がなく真空槽内のＮ２０．Ｎ２等
が膜中に取り込ま扛る確率が低くなり、更に記録膜界面
での微小剥離も発生しないために、Ｃ／Ｎ比を従来例に
比べて２ｄＢ高めることができ５９ｄＢを安定して得る
ことができる。
膜がディスク基板との境界近傍ではＴｅまたはＴｅ−Ｐ
ｄ金属から成っており、境界近傍から離れるに従って、
前記金属の酸化物に徐々に遷移させ記録膜の最外部では
前記金属の酸化物から成る光学記録担体であるので従来
の二層より成るＴａＯｘ膜と比べてプラズマ放電を成膜
途中で停止させる必要がなく真空槽内のＮ２０．Ｎ２等
が膜中に取り込ま扛る確率が低くなり、更に記録膜界面
での微小剥離も発生しないために、Ｃ／Ｎ比を従来例に
比べて２ｄＢ高めることができ５９ｄＢを安定して得る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例による光学記録担体の断面図
、第２図はスパッタ装置の主要構造を示す構成図、第３
図は従来例の光学記録担体の断面図である。 １・・・・・ディスク基板、２・・・・・・Ｔｅまたは
Ｔｅ −Ｐｄから成る相、３・・・・Ｔｅまたは−Ｔｅ
−Ｐｄの酸化物に徐々に遷移しつつある相、４・・・・
・・ＴｅＯｘＰｄの相、５・・・・・・真空槽、６・・
・・・モータ、７・・・・・ターゲット、８・・・・・
・Ｔ ｅ Ｏｘ−Ｐ ａ膜、９・・・・ＴｅＰｄ金属膜
。
、第２図はスパッタ装置の主要構造を示す構成図、第３
図は従来例の光学記録担体の断面図である。 １・・・・・ディスク基板、２・・・・・・Ｔｅまたは
Ｔｅ −Ｐｄから成る相、３・・・・Ｔｅまたは−Ｔｅ
−Ｐｄの酸化物に徐々に遷移しつつある相、４・・・・
・・ＴｅＯｘＰｄの相、５・・・・・・真空槽、６・・
・・・モータ、７・・・・・ターゲット、８・・・・・
・Ｔ ｅ Ｏｘ−Ｐ ａ膜、９・・・・ＴｅＰｄ金属膜
。
Claims (2)
- （１）Ｔｅ系光学記録膜がディスク基板との境界近傍で
はＴｅまたはＴｅ−Ｐｄ金属から成っており、境界近傍
から離れるにしたがって前記金属の酸化物に徐々に遷移
し、記録膜の最外部では前記金属の酸化物から成ること
を特徴とする光学記録担体。 - （２）ディスク基板にＴｅ系光学記録膜を形成して成る
光学記録担体を製造する際に真空槽内でプラズマ放電を
発生させディスク基板にＴｅまたはＴｅ−Ｐｄ金属をス
パッタ蒸発させて金属結晶層を付着させつつＯ＿２ガス
を徐々に前記真空槽に導入し、その流量を徐々に増すこ
とにより前記金属膜を酸化膜に遷移せしめ、遷移後はＯ
＿２ガスの流量を一定に保ちながらＴｅ系光学記録膜を
形成することを特徴とする光学記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142506A JPH038141A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1142506A JPH038141A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038141A true JPH038141A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15316931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1142506A Pending JPH038141A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120128917A1 (en) * | 2003-12-01 | 2012-05-24 | Sony Corporation | Manufacturing method of master disc for optical disc, and master disc for optical disc |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP1142506A patent/JPH038141A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120128917A1 (en) * | 2003-12-01 | 2012-05-24 | Sony Corporation | Manufacturing method of master disc for optical disc, and master disc for optical disc |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
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