JPH01303645A - 光学記録担体およびその製造方法 - Google Patents
光学記録担体およびその製造方法Info
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- JPH01303645A JPH01303645A JP63133291A JP13329188A JPH01303645A JP H01303645 A JPH01303645 A JP H01303645A JP 63133291 A JP63133291 A JP 63133291A JP 13329188 A JP13329188 A JP 13329188A JP H01303645 A JPH01303645 A JP H01303645A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｔｅ系光学記録層が形成された円盤状情報記
録担体（以下ディスクと記す）に利用できる光学記録担
体およびその製造方法に関するものである。
録担体（以下ディスクと記す）に利用できる光学記録担
体およびその製造方法に関するものである。
従来の技術
Ｔｅ系光記録材料は、レーザ光等の光パルス照射時に発
生する熱によって、照射部分がアモルファス相から結晶
層に変化することを用いて信号を記録し、それに伴う記
録膜の反射光量変化により前記信号の再生を行うもので
ある。
生する熱によって、照射部分がアモルファス相から結晶
層に変化することを用いて信号を記録し、それに伴う記
録膜の反射光量変化により前記信号の再生を行うもので
ある。
ここで、アモルファス状態にあるＴｅＯｘ（○（ｘ （
２）膜が結晶状態に達する迄に比較的短い時間ではある
が時間を要することがある。この場合に記録後の再生信
号ＲＦ振幅及びＣ／Ｎ値が時間と共に変化する様子を第
３図の７及び８に示す。この現象を増感現象と呼ぶ。
２）膜が結晶状態に達する迄に比較的短い時間ではある
が時間を要することがある。この場合に記録後の再生信
号ＲＦ振幅及びＣ／Ｎ値が時間と共に変化する様子を第
３図の７及び８に示す。この現象を増感現象と呼ぶ。
記録した信号を記録直後から良好に再生するためにはこ
の増感現象をなくする必要がある。この増感現象を改善
するために、ＴｅＯｘ膜に異なった種類の材料を添加す
る方法が提案されている。その方法では、異種の材料が
ＴｅＯｘ膜中において、結晶核の役割りを果たし、Ｔｅ
Ｏｘの相変化を促進すると考えられる。添加する材料と
してはＰｄが最適であり、ＴｅＯｘ膜に６〜４０ａｔ％
添加させるという方法が提案されている（特願昭５９−
１９２００３号）。
の増感現象をなくする必要がある。この増感現象を改善
するために、ＴｅＯｘ膜に異なった種類の材料を添加す
る方法が提案されている。その方法では、異種の材料が
ＴｅＯｘ膜中において、結晶核の役割りを果たし、Ｔｅ
Ｏｘの相変化を促進すると考えられる。添加する材料と
してはＰｄが最適であり、ＴｅＯｘ膜に６〜４０ａｔ％
添加させるという方法が提案されている（特願昭５９−
１９２００３号）。
発明が解決しようとする課題
Ｐｄを例えば１０ａｔ％添加させた上記従来例のＴｅＯ
ｘ膜を用いて記録後３３ｍ５ｅＣ後、（光学記録担体を
１．８０Ｏｒｐｍで回転させた時に、１回転に要する時
間）及び記録後１分間のＣ／Ｎ及びＲＦ信信号幅幅差は
みられず、増感現象のないことが、確認された。しかし
ながらＰｄを添加させて膜中のＴｅ相対量が減少すると
、Ｃハ比の低下をもたらし、Ｐｄを添加しないＴｅＯｘ
膜に比べて、Ｐｄを１ｏ ａｔ％添加した膜はＣ／Ｎ比
が約５ｄＢ低下することが確かめられた。
ｘ膜を用いて記録後３３ｍ５ｅＣ後、（光学記録担体を
１．８０Ｏｒｐｍで回転させた時に、１回転に要する時
間）及び記録後１分間のＣ／Ｎ及びＲＦ信信号幅幅差は
みられず、増感現象のないことが、確認された。しかし
ながらＰｄを添加させて膜中のＴｅ相対量が減少すると
、Ｃハ比の低下をもたらし、Ｐｄを添加しないＴｅＯｘ
膜に比べて、Ｐｄを１ｏ ａｔ％添加した膜はＣ／Ｎ比
が約５ｄＢ低下することが確かめられた。
課題を解決するだめの手段
本発明は上記の問題点を解決するため、光学記録担体の
記録材料として、Ｔｅ系光学記録膜に、Ｐｄを２ａｔ％
以上５ ａｔ％未満添加したものである。
記録材料として、Ｔｅ系光学記録膜に、Ｐｄを２ａｔ％
以上５ ａｔ％未満添加したものである。
また、前記光学記録担体との間に、５０〜３００人の厚
さの、Ｔｅ金ＦＥｆｆを設けて成るものである。
さの、Ｔｅ金ＦＥｆｆを設けて成るものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
ここではＴｅ系材料の一例として、Ｔｅの低酸化物であ
るＴｅＯｘについて説明する。
るＴｅＯｘについて説明する。
従来の技術に述べたように、Ｔ ｅ Ｏｘ膜にＰｄを添
加するＰｄが相変化を促進し増感現象が改善される。し
かしながらＰｄが添加されて、Ｔｅ の相対瞳が減少す
ると、Ｃ／Ｎの低下を招き、Ｐｄを１０ａｔ％添加した
膜では、約１ｄＢ増感することが確認された。そこでＰ
ｄの添加量を５ａｔ係未満に減少させ、例えば３ ａｔ
％Ｐｄを添加させて同様の検討を行った結果、記録後３
３ｍ５ｅｃ後と、１分後で同一のＣハ比が得られ、増感
現象は認められなかった。Ｐｄの含有量と増感の関係を
調べた結果、Ｐｄ含有量が２ ａｔ％未満となると、増
感現象が確認され、例えばＰｄを１．ｓａｔ％添加する
と、記録後３３ ｍ５ｅｃ後から１分後の間にＣハが約
１ｄＢ増感する。従って増感を抑える為にはＰｄ含有量
を、２ ａｔ％以上５ａｔ％未満とすればよい。
加するＰｄが相変化を促進し増感現象が改善される。し
かしながらＰｄが添加されて、Ｔｅ の相対瞳が減少す
ると、Ｃ／Ｎの低下を招き、Ｐｄを１０ａｔ％添加した
膜では、約１ｄＢ増感することが確認された。そこでＰ
ｄの添加量を５ａｔ係未満に減少させ、例えば３ ａｔ
％Ｐｄを添加させて同様の検討を行った結果、記録後３
３ｍ５ｅｃ後と、１分後で同一のＣハ比が得られ、増感
現象は認められなかった。Ｐｄの含有量と増感の関係を
調べた結果、Ｐｄ含有量が２ ａｔ％未満となると、増
感現象が確認され、例えばＰｄを１．ｓａｔ％添加する
と、記録後３３ ｍ５ｅｃ後から１分後の間にＣハが約
１ｄＢ増感する。従って増感を抑える為にはＰｄ含有量
を、２ ａｔ％以上５ａｔ％未満とすればよい。
しかしながら、この場合にも、Ｐｄを含有しないＴｅＯ
ｘ膜と比較すると、Ｃ／Ｎ 比は低下しており、Ｐｄ
５ ａｔ％添加の場合約２ｄＢ、３ａｔ％添加の場合約
１ｄＢの低下が認められた。
ｘ膜と比較すると、Ｃ／Ｎ 比は低下しており、Ｐｄ
５ ａｔ％添加の場合約２ｄＢ、３ａｔ％添加の場合約
１ｄＢの低下が認められた。
そこで、このＣ／Ｎ低下を防ぐために、本発明は基板と
、ＴｅＯｘ記録膜の間に、Ｐｄが２〜５ａｔ％含有され
たＴｅ膜を５０人〜３００人の厚さ設けて、二層構造膜
とすることが有効であることを発明した。例えば、Ｐｄ
を３ａｔ％含有させた二層構造膜の記録後の再生特性を
調べた結果、第３図の９，１０に示すようにＲＦ振幅及
びＣハの増感現象は認められず、更にＣ／Ｎはｒｓ ａ
ｄＢ得られ第３図８に示す従来例のＴｅＯｘ膜のＣ／
Ｎが６５ ｄＢであるのに比べ、３ｄＢ高めることがで
きた。
、ＴｅＯｘ記録膜の間に、Ｐｄが２〜５ａｔ％含有され
たＴｅ膜を５０人〜３００人の厚さ設けて、二層構造膜
とすることが有効であることを発明した。例えば、Ｐｄ
を３ａｔ％含有させた二層構造膜の記録後の再生特性を
調べた結果、第３図の９，１０に示すようにＲＦ振幅及
びＣハの増感現象は認められず、更にＣ／Ｎはｒｓ ａ
ｄＢ得られ第３図８に示す従来例のＴｅＯｘ膜のＣ／
Ｎが６５ ｄＢであるのに比べ、３ｄＢ高めることがで
きた。
Ｔｅ金属結晶膜あるいはＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜を基板上
に形成することにより、ＴｅＯｘ膜に比べ、より結晶性
の進んだＴｅの結晶粒子が生成されるので、再生レーザ
光の大きな反射率変化が得られ、高いＣ／Ｎ 比が得ら
れる。
に形成することにより、ＴｅＯｘ膜に比べ、より結晶性
の進んだＴｅの結晶粒子が生成されるので、再生レーザ
光の大きな反射率変化が得られ、高いＣ／Ｎ 比が得ら
れる。
実施例
本発明の光学記録担体は、例えばスパッタ蒸発法を用い
て形成を行うことができ、第２図を用いて実施例の説明
を行う。真空槽４内にディスク基板６をセット後、真空
槽内を例えば１Ｏ−６Ｔｅｒｒまて郵独寵する。真９［
終了後、真空槽３内にＡｒガスを導入して真空槽３内の
ガス圧を例えば３Ｘ１０””Ｔｅｒｒに設定する。この
ときディスク基板６は、成膜時の膜厚分布を抑制するた
めにモータ３により回転駆動されている。
て形成を行うことができ、第２図を用いて実施例の説明
を行う。真空槽４内にディスク基板６をセット後、真空
槽内を例えば１Ｏ−６Ｔｅｒｒまて郵独寵する。真９［
終了後、真空槽３内にＡｒガスを導入して真空槽３内の
ガス圧を例えば３Ｘ１０””Ｔｅｒｒに設定する。この
ときディスク基板６は、成膜時の膜厚分布を抑制するた
めにモータ３により回転駆動されている。
この状態においてターゲット６にＤＣ電源（図示せず）
により、例えば約３０Ｗの電力を印加すると、真空槽４
内にグロー放電が発生しターゲット６の物質がスパッタ
蒸発されアｅ−Ｐｄ膜が基板に付着する。約３０Ｗとい
う低パワーでスパッタを行うと結晶化された膜が形成さ
れる。約２００人のＴｅ−Ｐｄ膜を形成するには約３０
秒程度の成膜時間で可能であった。
により、例えば約３０Ｗの電力を印加すると、真空槽４
内にグロー放電が発生しターゲット６の物質がスパッタ
蒸発されアｅ−Ｐｄ膜が基板に付着する。約３０Ｗとい
う低パワーでスパッタを行うと結晶化された膜が形成さ
れる。約２００人のＴｅ−Ｐｄ膜を形成するには約３０
秒程度の成膜時間で可能であった。
Ｔｅ−Ｐｄ膜の成膜が終るとＡｒガス圧３Ｘ１０−３Ｔ
ｅｒｒに０２ガスを４Ｘ１０−４Ｔｅｒｒ導入した後、
ＤＣ電源により約１３０’Ｗの電力を印加すると、Ｔｅ
Ｏｘ−Ｐｄ膜が形成される。本実施例によれば３分程度
のスパッタ時間で１，０００人程度の成膜が可能であっ
た。
ｅｒｒに０２ガスを４Ｘ１０−４Ｔｅｒｒ導入した後、
ＤＣ電源により約１３０’Ｗの電力を印加すると、Ｔｅ
Ｏｘ−Ｐｄ膜が形成される。本実施例によれば３分程度
のスパッタ時間で１，０００人程度の成膜が可能であっ
た。
またＴｅ−Ｐｄ金属膜の替わりに、Ｔｅ金属嘆を基板上
に形成する場合には、Ｔｅのみからなる別のターゲット
を用いて、Ｔｅ金属膜を形成した後、Ｔｅ−Ｐｄターゲ
ットを用いて、Ｔ ｅｏｘ −Ｐ ｄ ｌ（Ｑの成膜を
行う。
に形成する場合には、Ｔｅのみからなる別のターゲット
を用いて、Ｔｅ金属膜を形成した後、Ｔｅ−Ｐｄターゲ
ットを用いて、Ｔ ｅｏｘ −Ｐ ｄ ｌ（Ｑの成膜を
行う。
またターゲットは第１図ａに示すように、ＴｅｌとＰｄ
２’７％混合されたターゲットを用いても、第１図すに
示すように、Ｔｅ ｌのみから成るターゲットの上部に
、少なくともＰｄ２を含む材料より成るリングを載せた
ものを使用しても、同様の効果が得られる。
２’７％混合されたターゲットを用いても、第１図すに
示すように、Ｔｅ ｌのみから成るターゲットの上部に
、少なくともＰｄ２を含む材料より成るリングを載せた
ものを使用しても、同様の効果が得られる。
本実施例により作成した光学記録担体を、例えば１．８
０Ｏｒｐｍで同素させ、単一周波数５ＭＨｚの信号を記
号後、３３ ｍ５ｅｃ経過後（光学記録担体が１回転す
るのに要する時間）と、１分経過後のＣ／Ｎ比を測定す
ると両者共、ｒｓ ｓ ｄＢであって。
０Ｏｒｐｍで同素させ、単一周波数５ＭＨｚの信号を記
号後、３３ ｍ５ｅｃ経過後（光学記録担体が１回転す
るのに要する時間）と、１分経過後のＣ／Ｎ比を測定す
ると両者共、ｒｓ ｓ ｄＢであって。
増感現象は全く認められなかった。
発明の効果
以上のように１本発明によれば、例えばＴｅ系光学記録
膜に、Ｐｄを２ａｔ％以上５ ａｔ％未満添加し、更に
前記光学記録担体との間に、５０〜３００人の厚さのＴ
ｅ−Ｐｄ金金属層るいはＴｅ金属層を設けて成る光学記
録担体であるので、従来のＴｅＯｘ記Ｑ膜と比較して記
録膜の増感現象を改善させることが可能となり、かつＣ
／Ｎ比を約ａｄＢ改善することが可能になる。
膜に、Ｐｄを２ａｔ％以上５ ａｔ％未満添加し、更に
前記光学記録担体との間に、５０〜３００人の厚さのＴ
ｅ−Ｐｄ金金属層るいはＴｅ金属層を設けて成る光学記
録担体であるので、従来のＴｅＯｘ記Ｑ膜と比較して記
録膜の増感現象を改善させることが可能となり、かつＣ
／Ｎ比を約ａｄＢ改善することが可能になる。
第１図は本発明に係る光学記録担体の一例を示す斜視図
、第２図は本発明に係る光学記録担体の製造方法を実施
する装置の一例の断面図、第３図はその光学記録担体の
記録再生特性を示す特性図である。 １・・・・・・Ｔｅ％ ２・・・・・・Ｐｄ、ｓ・・・
・・・モータ、４・・・真空槽、６・・・・・・ディス
ク基板、６・・・・・・ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ノ〜
−−７’ｅ （（１〕
、第２図は本発明に係る光学記録担体の製造方法を実施
する装置の一例の断面図、第３図はその光学記録担体の
記録再生特性を示す特性図である。 １・・・・・・Ｔｅ％ ２・・・・・・Ｐｄ、ｓ・・・
・・・モータ、４・・・真空槽、６・・・・・・ディス
ク基板、６・・・・・・ターゲット。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ノ〜
−−７’ｅ （（１〕
Claims (5)
- （１）ＴｅまたはＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主成分と
した光学記録材料に、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満
添加されていることを特徴とする光学記録担体。 - （２）Ｐｄが添加された光学記録材料と基板との間に、
５０〜３００Åの厚さのＴｅ−Ｐｄ金属結晶層が設けら
れていることを特徴とする請求項１記載の光学記録担体
。 - （３）Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶層にＰｄが２ａｔ％以上５ａ
ｔ％未満含有されていることを特徴とする請求項２記載
の光学記録担体。 - （４）Ｐｄが添加された光学記録材料と基板との間に、
５０〜３００Åの厚さのＴｅ金属結晶層が設けられてい
ることを特徴とする請求項１記載の光学記録担体。 - （５）ＴｅとＰｄとが混合されているターゲットを用い
、ＡｒおよびＯ＿２の混合ガス雰囲気中でスパッタリン
グさせることにより、Ｐｄを含有する記録膜を形成する
ことを特徴とする光学記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133291A JPH01303645A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学記録担体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133291A JPH01303645A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学記録担体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303645A true JPH01303645A (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15101219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133291A Pending JPH01303645A (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学記録担体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323242A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体の製造方法 |
| JPH01199333A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63133291A patent/JPH01303645A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323242A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録担体の製造方法 |
| JPH01199333A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006391A1 (fr) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Hitachi Maxell, Ltd. | Support et procede d'enregistrement d'informations |
| US8241834B2 (en) * | 2008-05-01 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Optical recording medium and production method therefor, and sputtering target and production method therefor |
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