JPH0421938A - 光学記録担体及びその製造方法 - Google Patents
光学記録担体及びその製造方法Info
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- JPH0421938A JPH0421938A JP2125947A JP12594790A JPH0421938A JP H0421938 A JPH0421938 A JP H0421938A JP 2125947 A JP2125947 A JP 2125947A JP 12594790 A JP12594790 A JP 12594790A JP H0421938 A JPH0421938 A JP H0421938A
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＴｅ系光学記録膜が形成された円盤状記録担体
（以下ディスクと記す）に用いられる光学記録担体及び
その製造方法に関するものである。
（以下ディスクと記す）に用いられる光学記録担体及び
その製造方法に関するものである。
Ｔｅ系光記録材料を用いた相変化型の光デイスクメモリ
は、レーザ光等の光パルスの照射時に発生する熱によっ
て照射部分がアモルファス相から結晶層に変化すること
を用いて信号を記録し、又それに伴う記録膜の反射光量
の変化によって記録された信号の再生を行うものである
。
は、レーザ光等の光パルスの照射時に発生する熱によっ
て照射部分がアモルファス相から結晶層に変化すること
を用いて信号を記録し、又それに伴う記録膜の反射光量
の変化によって記録された信号の再生を行うものである
。
ここでアモルファス状態にあるＴｅＯｘ（０＜ ｘく２
）膜が結晶状態に達するまでに、比較的短い時間ではあ
るが時間を要することがある。この場合に記録後の再生
信号の振幅及びＣ／Ｎ値が時間と共に変化する現象を増
感現象という。
）膜が結晶状態に達するまでに、比較的短い時間ではあ
るが時間を要することがある。この場合に記録後の再生
信号の振幅及びＣ／Ｎ値が時間と共に変化する現象を増
感現象という。
記録した信号を記録直後から良好に再生するためには、
増感現象をなくし、同時に高いＣ／Ｎ値を得ることが必
要となる。増感現象を改善するために、ＴｅＯｘに異な
った種類の材料を添加する方法が提案されている。その
方法では異種の材料がＴｅＯｘ膜中において結晶核の役
割を果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進すると考えられる
。
増感現象をなくし、同時に高いＣ／Ｎ値を得ることが必
要となる。増感現象を改善するために、ＴｅＯｘに異な
った種類の材料を添加する方法が提案されている。その
方法では異種の材料がＴｅＯｘ膜中において結晶核の役
割を果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進すると考えられる
。
しかしながら異なった種類の材料を添加して記録膜中の
Ｔｅの相対量が減少すると、Ｃ／Ｎ値が低下することが
確かめられた。そこで特願昭６３１３３２９１号に示さ
れているように、Ｔｅ系光学記録膜２１にＰｄを２ａｔ
％以上５ａｔ％未満添加し、第３図に示すようにディス
ク基板２２とＰｄが添加されたＴｅＯｘ膜２１との間に
Ｔｅ−Ｐｄ金属膜２３を設けた２層膜の光学記録担体が
提案されている。
Ｔｅの相対量が減少すると、Ｃ／Ｎ値が低下することが
確かめられた。そこで特願昭６３１３３２９１号に示さ
れているように、Ｔｅ系光学記録膜２１にＰｄを２ａｔ
％以上５ａｔ％未満添加し、第３図に示すようにディス
ク基板２２とＰｄが添加されたＴｅＯｘ膜２１との間に
Ｔｅ−Ｐｄ金属膜２３を設けた２層膜の光学記録担体が
提案されている。
このような従来の記録膜を用いて信号の記録再生を行う
と、記録後３３ｍ５ｅｃ （光学記録担体を１８０゜ｒ
ｐｍで回転させたときに１回転に要する時間）を経過し
た時点及び記録後１分経過した時点でＣ／Ｎ値に差はみ
られず、増感現象がないことが確認された。又単一周波
数５ＭＨｚの信号を記録した場合には５７ｄＢのＣ／Ｎ
比が得られた。
と、記録後３３ｍ５ｅｃ （光学記録担体を１８０゜ｒ
ｐｍで回転させたときに１回転に要する時間）を経過し
た時点及び記録後１分経過した時点でＣ／Ｎ値に差はみ
られず、増感現象がないことが確認された。又単一周波
数５ＭＨｚの信号を記録した場合には５７ｄＢのＣ／Ｎ
比が得られた。
しかしながらこのような従来の記録膜は、ディスク基板
２２と記録膜２１との界面がＴｅ −Ｐｄ金属膜２３か
ら成り立っているため、Ｔｅ −Ｐｄ金属膜２３が高温
雰囲気下で酸化され易いという問題点があった。例えば
高温、高湿の雰囲気下で従来例のディスクを用いて加速
テストを実施し、アレニウスプロットにより３２°Ｃ−
８０％換算で１０年以上の推定寿命が得られた。この点
では実用上の問題はないが、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ
の記録膜のみから成るディスクを用いて同様の加速テス
トを行えば、前述した従来例のディスクの２倍（２０年
）の推定寿命値が得られた。従ってディスクの信頼性を
向上させるためには、ディスクの推定寿命を更に改善す
る必要がある。
２２と記録膜２１との界面がＴｅ −Ｐｄ金属膜２３か
ら成り立っているため、Ｔｅ −Ｐｄ金属膜２３が高温
雰囲気下で酸化され易いという問題点があった。例えば
高温、高湿の雰囲気下で従来例のディスクを用いて加速
テストを実施し、アレニウスプロットにより３２°Ｃ−
８０％換算で１０年以上の推定寿命が得られた。この点
では実用上の問題はないが、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ
の記録膜のみから成るディスクを用いて同様の加速テス
トを行えば、前述した従来例のディスクの２倍（２０年
）の推定寿命値が得られた。従ってディスクの信頼性を
向上させるためには、ディスクの推定寿命を更に改善す
る必要がある。
本発明はこのような従来のディスクの問題点に鑑みてな
されたものであって、ディスクの寿命を改善できるよう
にすることを技術的課題とする。
されたものであって、ディスクの寿命を改善できるよう
にすることを技術的課題とする。
本願の請求項１の発明は基板上に形成されＴｅＯｘ（０
＜ｘ＜２）を主成分とし、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％
未満添加され５０Å〜３００人の厚さを持つＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜と、ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜上にＴｅを主成分
とし、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５０Å
〜３００人の厚さを持つＴｅ−Ｐｄ金属膜と、Ｔｅ−Ｐ
ｄ金属膜の上部にＴｅＯｘ（０＜ｘ〈２）を主成分とし
、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加されて形成され
たＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜と、を具備することを特徴とす
るものである。
＜ｘ＜２）を主成分とし、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％
未満添加され５０Å〜３００人の厚さを持つＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜と、ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜上にＴｅを主成分
とし、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５０Å
〜３００人の厚さを持つＴｅ−Ｐｄ金属膜と、Ｔｅ−Ｐ
ｄ金属膜の上部にＴｅＯｘ（０＜ｘ〈２）を主成分とし
、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加されて形成され
たＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜と、を具備することを特徴とす
るものである。
又本願の請求項２の発明はＴｅ及びＰｄを含有するター
ゲットを用いてスパッタリング蒸発させることによって
、Ｐｄを含有する膜を形成することを特徴とするもので
ある。
ゲットを用いてスパッタリング蒸発させることによって
、Ｐｄを含有する膜を形成することを特徴とするもので
ある。
更に本願の請求項３の発明はＴｅターゲット及びＰｄタ
ーゲットを同時にスパッタリング蒸発させることにより
Ｐｄを含有する膜を形成することを特徴とするものであ
る。
ーゲットを同時にスパッタリング蒸発させることにより
Ｐｄを含有する膜を形成することを特徴とするものであ
る。
この技術的手段による作用は次のようになる。
ここではＴｅ系材料の一例としてＴｅの低酸化物である
ＴｅＯｘについて説明する。
ＴｅＯｘについて説明する。
従来技術に示されているように、ＴｅＯｘ膜にＰｄを添
加することにより増感現象が改善され、更にＴｅ−Ｐｄ
膜とディスク基板の間にＴｅ −Ｐｄ金属膜を設けて２
層膜構造とすることにより良好なＣ／Ｎ値が得られる。
加することにより増感現象が改善され、更にＴｅ−Ｐｄ
膜とディスク基板の間にＴｅ −Ｐｄ金属膜を設けて２
層膜構造とすることにより良好なＣ／Ｎ値が得られる。
しかしながら従来の記録膜では基板と記録膜の界面がＴ
ｅ−Ｐｄ金属膜から成り立っているため、高温雰囲気下
では酸化され易＜ Ｃ／Ｎ比の低下を引き起こす可能性
がある。
ｅ−Ｐｄ金属膜から成り立っているため、高温雰囲気下
では酸化され易＜ Ｃ／Ｎ比の低下を引き起こす可能性
がある。
そこでＴｅ−Ｐｄ膜の酸化を防ぐために本発明者は基板
上にＰｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加されたＴｅＯ
ｘ−Ｐｄ膜を形成し、その上部にＴｅ −Ｐｄ膜を夫々
５０〜３００人の厚さ形成し、その上部にＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ記録層を設けた３層構造を構成した。
上にＰｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加されたＴｅＯ
ｘ−Ｐｄ膜を形成し、その上部にＴｅ −Ｐｄ膜を夫々
５０〜３００人の厚さ形成し、その上部にＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ記録層を設けた３層構造を構成した。
第１図は本発明の光学記録担体の断面図であり、ディス
ク基板１上に厚さ５０〜３００人のＴｅＯｘＰｄ記録膜
２．厚さ５０〜３００人のＴｅ−Ｐｄ金属膜３及びＴｅ
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜４を形成している。
ク基板１上に厚さ５０〜３００人のＴｅＯｘＰｄ記録膜
２．厚さ５０〜３００人のＴｅ−Ｐｄ金属膜３及びＴｅ
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜４を形成している。
本発明の記録膜はディスク基板との界面に高湿下で酸化
され易いＴｅ−Ｐｄ膜の代わりに高湿下においても安定
なＴｅＯに−Ｐｄ記録膜２が５０〜３００人の厚さ形成
されているので、ディスクの耐候性を改善することがで
き、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ記録膜のみから成るディ
スクと同程度の推定寿命値が得られた。更にＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜２上にＴｅ−Ｐｄ金属膜３が形成されている
ため、ＴｅＯｘＰｄ記録膜２に比べて結晶性の進んだＴ
ｅの結晶粒子が生成されるので、記録前後で大きな反射
率の変化が得られ、高いＣ／Ｎ値が得られる。従って本
発明により記録後の増感現象のない高Ｃ／Ｎ。
され易いＴｅ−Ｐｄ膜の代わりに高湿下においても安定
なＴｅＯに−Ｐｄ記録膜２が５０〜３００人の厚さ形成
されているので、ディスクの耐候性を改善することがで
き、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ記録膜のみから成るディ
スクと同程度の推定寿命値が得られた。更にＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜２上にＴｅ−Ｐｄ金属膜３が形成されている
ため、ＴｅＯｘＰｄ記録膜２に比べて結晶性の進んだＴ
ｅの結晶粒子が生成されるので、記録前後で大きな反射
率の変化が得られ、高いＣ／Ｎ値が得られる。従って本
発明により記録後の増感現象のない高Ｃ／Ｎ。
高倍転性のディスクを実現することが可能となる。
次に本発明の光学記録担体の実施例についてその製造工
程と共に説明する。本実施例の光学記録担体は例えばス
パッタ蒸発層を用いて形成することができる。第２図は
この形成過程を示す図であり真空槽１０内にディスク基
板１を設置し、真空槽内を例えば１０−’Ｔｏｒｒ台ま
で真空排気する。真空排気後、真空槽１０内にＡｒガス
を例えば５０５ＣＣＭ導入し続けて０２ガスをｌ０３Ｃ
Ｃ）！導入し、真空槽１０内のガス圧を５ Ｘｌ０−’
Ｔｏｒｒに調圧する。このときディスク基板１は成膜時
の膜厚分布を抑制するため、モータ１１によって回転駆
動するものとする。この状態でＴｅとＰｄを含有するタ
ーゲット１２に直流電源又は交流電源を印加する。例え
ばＤＣｌｏｏＷの電力を印加すると、真空槽１０内にグ
ロー放電が発生しターゲット１２の物質Ｔｅ−Ｐｄがタ
ーゲット１２の表面からスパッタ蒸発し、Ｔｅ−Ｐｄが
真空槽１０内に存在する０２分子と結合してディスク基
板ｌ上にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２が形成されていく。Ｔ
ｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２を１００人の膜圧で形成するため
の時間は約３０秒間であった。
程と共に説明する。本実施例の光学記録担体は例えばス
パッタ蒸発層を用いて形成することができる。第２図は
この形成過程を示す図であり真空槽１０内にディスク基
板１を設置し、真空槽内を例えば１０−’Ｔｏｒｒ台ま
で真空排気する。真空排気後、真空槽１０内にＡｒガス
を例えば５０５ＣＣＭ導入し続けて０２ガスをｌ０３Ｃ
Ｃ）！導入し、真空槽１０内のガス圧を５ Ｘｌ０−’
Ｔｏｒｒに調圧する。このときディスク基板１は成膜時
の膜厚分布を抑制するため、モータ１１によって回転駆
動するものとする。この状態でＴｅとＰｄを含有するタ
ーゲット１２に直流電源又は交流電源を印加する。例え
ばＤＣｌｏｏＷの電力を印加すると、真空槽１０内にグ
ロー放電が発生しターゲット１２の物質Ｔｅ−Ｐｄがタ
ーゲット１２の表面からスパッタ蒸発し、Ｔｅ−Ｐｄが
真空槽１０内に存在する０２分子と結合してディスク基
板ｌ上にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２が形成されていく。Ｔ
ｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２を１００人の膜圧で形成するため
の時間は約３０秒間であった。
次にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２を成膜した後、０２ガスの
導入を停止してターゲット１２に例えばＤＣ１００Ｗを
印加する。そうすればＴｅ−Ｐｄ金属膜３がディスク基
板ｌのＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２上に形成される。本実施
例では１００人のＴｅ −Ｐｄ金属膜３は形成するため
に約２０秒間の成膜時間で形成することができた。ここ
でＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２とＴｅ−Ｐｄ金属膜３の膜厚
は５０人未満では島状構造の膜が形成され、基板上に一
様に分布しないため効果がなく、３００人を越えると３
層膜形成時の膜応力により膜の境界で剥離が発生し易く
なる。その結果剥離部に水分等が浸入し膜が酸化されて
正常な記録再生ができなくなる。従ってこれらの膜の膜
厚は５０〜３０ＯＡの範囲内とすることが好ましい。
導入を停止してターゲット１２に例えばＤＣ１００Ｗを
印加する。そうすればＴｅ−Ｐｄ金属膜３がディスク基
板ｌのＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２上に形成される。本実施
例では１００人のＴｅ −Ｐｄ金属膜３は形成するため
に約２０秒間の成膜時間で形成することができた。ここ
でＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２とＴｅ−Ｐｄ金属膜３の膜厚
は５０人未満では島状構造の膜が形成され、基板上に一
様に分布しないため効果がなく、３００人を越えると３
層膜形成時の膜応力により膜の境界で剥離が発生し易く
なる。その結果剥離部に水分等が浸入し膜が酸化されて
正常な記録再生ができなくなる。従ってこれらの膜の膜
厚は５０〜３０ＯＡの範囲内とすることが好ましい。
Ｔｅ−Ｐｄ金属膜３の成膜を終了した後、再び０２ガス
を例えばＩＯ５ＣＣＭ導入し、ターゲット１２に例えば
ＤＣｌｏｏＷを印加する。そうすればディスク基板１の
Ｔｅ−Ｐｄ金属膜３上にＴｅＯｘＰｄ記録膜４が形成さ
れる。５分程度のスパッタ時間で約１０００人の成膜が
可能であった。
を例えばＩＯ５ＣＣＭ導入し、ターゲット１２に例えば
ＤＣｌｏｏＷを印加する。そうすればディスク基板１の
Ｔｅ−Ｐｄ金属膜３上にＴｅＯｘＰｄ記録膜４が形成さ
れる。５分程度のスパッタ時間で約１０００人の成膜が
可能であった。
ここでＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜２．Ｔｅ−Ｐｄ金属膜３及
びＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜４のＰｄ含有量は２％以下であ
れば増感現象が確認され、例えばＰｄを１．５ａｔ％添
加すると記録後３３１Ｉｌｓｅｃ後から１分間の間にＣ
／Ｎが約１ｄＢ増感する。又Ｐｄの添加量が５％以上と
なればＣ／Ｎ比が低下することとなる。従ってＰｄの含
有量は２ａｔ％以上５ａｔ％未満であることが好ましい
。
びＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜４のＰｄ含有量は２％以下であ
れば増感現象が確認され、例えばＰｄを１．５ａｔ％添
加すると記録後３３１Ｉｌｓｅｃ後から１分間の間にＣ
／Ｎが約１ｄＢ増感する。又Ｐｄの添加量が５％以上と
なればＣ／Ｎ比が低下することとなる。従ってＰｄの含
有量は２ａｔ％以上５ａｔ％未満であることが好ましい
。
ここで使用するターゲット１２は上述した実施例のよう
にＴｅ及びＰｄを含有するものを用いてもよく、又Ｔｅ
のターゲットとＰｄのターゲットとを用いてこれらを同
時にスパッタリング蒸発させるようにしても同様の効果
が得られる。さて本実施例により生成した光学記録担体
を例えば１８０゜ｒｐｍで回転させ単一の周波数、例え
ば５ＭＨｚの信号を記録した後に３３ｍ５ｅｃ経過した
後及び１分経過後にＣ／Ｎ比を測定した。こうするとい
ずれの場合も５７ｄＢの良好なＣ／Ｎ比が得られた。又
３２°Ｃ−８０％ＲＨの条件下でディスクをアレニウス
プロットにより従来例の２倍の２０年間の推定寿命値が
得られた。
にＴｅ及びＰｄを含有するものを用いてもよく、又Ｔｅ
のターゲットとＰｄのターゲットとを用いてこれらを同
時にスパッタリング蒸発させるようにしても同様の効果
が得られる。さて本実施例により生成した光学記録担体
を例えば１８０゜ｒｐｍで回転させ単一の周波数、例え
ば５ＭＨｚの信号を記録した後に３３ｍ５ｅｃ経過した
後及び１分経過後にＣ／Ｎ比を測定した。こうするとい
ずれの場合も５７ｄＢの良好なＣ／Ｎ比が得られた。又
３２°Ｃ−８０％ＲＨの条件下でディスクをアレニウス
プロットにより従来例の２倍の２０年間の推定寿命値が
得られた。
以上詳細に説明したように本発明によれば、基板上に基
板との界面が高温雰囲気下で酸化され難いＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ膜を含む３層膜によって光学記録担体を形成しており
、良好なＣ／Ｎ値を得ることができる。そして同時にデ
ィスクの推定寿命値として従来例の２倍の寿命値を得る
ことができるという効果が得られる。
板との界面が高温雰囲気下で酸化され難いＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ膜を含む３層膜によって光学記録担体を形成しており
、良好なＣ／Ｎ値を得ることができる。そして同時にデ
ィスクの推定寿命値として従来例の２倍の寿命値を得る
ことができるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による光ディスクの構成を示
す断面図、第２図はその製造工程を示す図、第３図は従
来の光学記録担体の断面図である。 １−−−−−−ディスク基板 ２．４−−−−−−Ｔ
ｅＯｘ−Ｐｄ記録膜 ３−−−−−Ｔ ｅ −Ｐ ｄ
金属膜 １０真空槽 Ｉ Ｌ−−−一・・モータ
１２・・−−−ｍ−ターゲット。 特許出願人 松下電器産業株式会社
す断面図、第２図はその製造工程を示す図、第３図は従
来の光学記録担体の断面図である。 １−−−−−−ディスク基板 ２．４−−−−−−Ｔ
ｅＯｘ−Ｐｄ記録膜 ３−−−−−Ｔ ｅ −Ｐ ｄ
金属膜 １０真空槽 Ｉ Ｌ−−−一・・モータ
１２・・−−−ｍ−ターゲット。 特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (3)
- （１）基板上に形成されＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主
成分とし、Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５
０Å〜３００Åの厚さを持つＴｅＯ＿ｘ−Ｐｄ記録膜と
、 前記ＴｅＯ＿ｘ−Ｐｄ記録膜上にＴｅを主成分とし、Ｐ
ｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５０Å〜３００
Åの厚さを持つＴｅ−Ｐｄ金属膜と、前記Ｔｅ−Ｐｄ金
属膜の上部にＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主成分とし、
Ｐｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加されて形成された
ＴｅＯ＿ｘ−Ｐｄ記録膜と、を具備することを特徴とす
る光学記録担体。 - （２）Ｔｅ及びＰｄを含有するターゲットを用いてスパ
ッタリング蒸発させることによって、Ｐｄを含有する膜
を形成することを特徴とする請求項１記載の光学記録担
体の製造方法。 - （３）Ｔｅターゲット及びＰｄターゲットを同時にスパ
ッタリング蒸発させることによりＰｄを含有する膜を形
成することを特徴とする請求項１記載の光学記録担体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125947A JPH0421938A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2125947A JPH0421938A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421938A true JPH0421938A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14922912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2125947A Pending JPH0421938A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0421938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009823A1 (fr) * | 1996-09-09 | 1998-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede de fabrication correspondant, et procede et dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations optiques |
-
1990
- 1990-05-15 JP JP2125947A patent/JPH0421938A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998009823A1 (fr) * | 1996-09-09 | 1998-03-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'informations optiques, procede de fabrication correspondant, et procede et dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations optiques |
| US6229785B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| KR100308217B1 (ko) * | 1996-09-09 | 2001-11-02 | 모리시타 요이찌 | 광학적정보기록매체와그제조방법,광학적정보기록·재생방법및광학적정보기록·재생장치 |
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