JP2001023244A - 光記録媒体およびその製造方法と、光記録装置 - Google Patents

光記録媒体およびその製造方法と、光記録装置

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JP2001023244A JP11196743A JP19674399A JP2001023244A JP 2001023244 A JP2001023244 A JP 2001023244A JP 11196743 A JP11196743 A JP 11196743A JP 19674399 A JP19674399 A JP 19674399A JP 2001023244 A JP2001023244 A JP 2001023244A
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公一朗 木島
Yuji Kuroda
裕児 黒田
Isao Ichimura
功 市村
Kiyoshi Osato
潔 大里
Kimihiro Saito
公博 斉藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】再生信号強度が高く、表面に損傷を受けにくい
ニアフィールド用の光記録媒体およびその製造方法と、
その光記録媒体を含む光記録装置を提供する。 【解決手段】基板１１と、基板上に形成された反射膜１
２と、反射膜上に形成された記録層１４と、記録層上に
形成された第１の保護層１５とを有し、光学系から第１
の保護層が形成された側を介して記録層に光を照射して
情報の記録・再生を行う光記録媒体であって、第１の保
護層上に、光が第１の保護層表面において無反射となる
無反射多層膜１９が形成され、無反射多層膜と光学系と
の間隔は近接場であり、無反射多層膜は、前記間隔の変
動に伴う再生信号強度の変化を緩和する所定の屈折率お
よび膜厚を有する層からなる積層膜である光記録媒体お
よびその製造方法と、その光記録媒体を有する光記録装
置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体および
その製造方法と光記録装置に関し、特に、ニアフィール
ドで用いられる光記録媒体であって、光記録媒体と光学
系との間隔の変動に伴う再生信号強度の低減が防止さ
れ、かつ、光学系との衝突による損傷が防止された光記
録媒体およびその製造方法、およびその光記録媒体を含
む光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ハードディスク等の磁気記録媒体
は、良好な信号特性を得るために、記録・再生を行うヘ
ッドとディスク等の媒体とを極めて近接させた状態で用
いられていた。それに対して、相変化型光ディスクや光
磁気ディスク等の光記録媒体においては、記録・再生を
行う光学系あるいはヘッドと記録媒体とが一定の距離で
離れた状態で用いられていた。しかしながら近年、光記
録媒体に適用される装置において、光学系の開口数（Ｎ
Ａ）を上げることによりディスクの記録密度を高める目
的で、光学系あるいはヘッドとディスクを例えば２００
ｎｍ以下に近接させた（近接場あるいはニアフィール
ド）方式が採用されるようになってきている。
【０００３】ニアフィールドで用いられる光記録媒体用
装置としては例えば、スライダー上にレンズが搭載され
た構造を特徴とする光ハードディスクや、レンズが電磁
アクチュエータにより可動となっている光ディスク装置
等がある。これらの装置において、記録・再生を行うた
めの光は、少なくとも対物レンズとソリッドイマージョ
ンレンズ（ＳＩＬ）を含む複数のレンズから構成される
光学系によって記録媒体上に照射される。これにより、
１を超えるＮＡが得られている。
【０００４】図９に、ハードディスクの概略図を示す。
ディスク１０１は基板１０２上に記録層１０３と潤滑膜
１０４とが積層された構造となっている。記録層１０３
の磁化を変化させる記録・再生用ヘッド１０５はスライ
ダー１０６に搭載されてディスク面方向に移動可能とな
っている。潤滑膜１０４はヘッド１０５とディスク１０
１の磨耗を防止する目的で設けられる。潤滑膜１０４を
形成するには、例えばフッ素化合物を塗布すればよい。
光ディスクの場合には、記録膜の表面に形成される層に
は光学的条件の検討が必要となるが、ハードディスクの
潤滑膜１０４は光ディスクのように光学的条件を考慮す
る必要がないため、比較的容易に形成可能である。
【０００５】図１０に、光学系あるいはヘッドとディス
クとの距離が大きい従来の光ディスク、例えば相変化型
光ディスクや光磁気ディスクの概略図を示す。図１０の
光ディスクは、基板２０１上に誘電体保護層２０２、記
録層２０３、誘電体保護層２０４、反射膜２０５および
樹脂性保護層２０６が順次積層された構造となってい
る。相変化型光ディスクの場合、記録層２０３には光照
射によって相変化する材料が用いられる。光磁気ディス
クの場合、記録層２０３には光照射を用いて磁化の状態
が変化する材料が用いられる。
【０００６】図１０に示す光ディスクは、記録層２０３
の両面が誘電体保護層２０２、２０４により保護され、
さらにそれらの表面が基板２０１あるいは樹脂性保護層
２０６により保護されている。レンズ２０７とディスク
との距離はハードディスクの場合よりもはるかに大き
く、レンズ２０７あるいはヘッドとディスクとの摩擦あ
るいは衝突への対策となる膜は、通常望ましくはあるが
必須ではない。
【０００７】図１１に、ニアフィールドで用いられる光
ディスクの断面図を示す。基板３０１上に反射膜３０
２、第２の誘電体層３０３、記録層３０４および第１の
誘電体層３０５が順次積層された構造となっている。図
１０に示す光ディスクの場合、光透過性の基板２０１が
形成された側から光が照射されるが、図１１に示すニア
フィールド用の光ディスクの場合、第１の誘電体層３０
５が形成された側から光が照射される。これにより、高
ＮＡ化に伴うコマ収差の増大が緩和されている。図１１
の光ディスクにおいて、第１の誘電体層３０５、記録層
３０４、第２の誘電体層３０３および反射膜３０２の４
層は、ディスク面に対して垂直に入射される光に対して
良好な信号特性が得られるように最適化された設計とな
っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一方、前述したような
ヘッドとディスクとの距離が小さいニアフィールドの光
ディスク装置の場合には、ヘッドあるいはレンズ等の光
学系とディスクとが衝突する危険性が非常に高くなる。
しかしながら、ハードディスクの潤滑膜１０４に用いら
れるような潤滑性物質を光ディスク表面に、光学的条件
を満たすように均一に塗布して薄膜を形成するのは非常
に困難である。また、ニアフィールドの構成とした場
合、ハードディスクの潤滑膜１０４に用いられるフッ素
系材料では屈折率が低すぎて使用できず、他に適切な材
料が少ないという問題もある。
【０００９】また、レンズ表面にＡＲコートが施されて
いる場合、一度衝突してレンズ側のＡＲコートが損傷す
ると、記録・再生時に常時、損傷に起因した影響が及ぼ
される。すなわち、装置全体の光学特性に変化をきたす
ことになる。しかしながら、ＡＲコートの材料として、
衝突による損傷を受けにくい適切なコーティング材料を
選択するのは困難となっている。
【００１０】上記の従来のニアフィールド用の光ディス
クの膜構成によれば、ＮＡの高い成分の光、すなわち、
記録層３０４に対する入射角が大きい光が記録層３０４
に届きにくいという問題がある。これは、ＮＡの高い成
分の光に対する第１の誘電体層３０５の表面の反射率が
大きいことに起因する。また、レンズとディスク表面と
の間隔（以下、ｔとする。）が極めて小さい状態におい
て、ｔが微妙に変動すると、それに伴って第１の誘電体
層３０５の表面の反射率が大きく変化する。
【００１１】図１１に示す従来構成のニアフィールド用
の相変化型光ディスクにおいて、レンズとディスク表面
との間の空気層を屈折率ｎ＝１、厚さｔの薄膜と見な
し、ｎ＝１．８の光学部品（レンズ）から厚さｔの空気
層を介して、様々な入射角でディスクへ光が入射する場
合（入射角が大きくなるにつれ、ＮＡが上がることに相
当する。）の第１の誘電体層３０５表面の反射率を計算
した。計算は入射角が０°、１０°、２０°、３０°、
４０°、５０°の場合についてそれぞれ行った。この計
算結果を図１２に示す。
【００１２】図１２に示すように、入射角が大きくなる
につれて、第１の誘電体層の反射率は高くなる。また、
空気層の厚さｔが０〜１００ｎｍ程度まで変化した場合
に、第１の誘電体層の反射率は急激に高くなる。実際の
ニアフィールド用の光ディスク装置において、レンズと
ディスク表面との間隔ｔは通常５０〜２００ｎｍ程度で
あり、第１の誘電体層の反射率が大きく変動する領域と
重なっている。したがって、ディスクの回転等によりｔ
が微妙に変化すると、ディスク面における光エネルギー
分布が変動しやすく、再生信号レベルを安定させるのが
困難となる。
【００１３】さらに、上記の従来のニアフィールド用の
光ディスクにおいて、レンズとディスク表面との間隔ｔ
が微妙に変動すると、光学特性の変化に伴い再生信号レ
ベルが大きく変化するという問題もある。図１１に示す
従来構成のニアフィールド用の相変化型光ディスクにお
いて、レンズとディスク表面との間の空気層を屈折率ｎ
＝１、厚さｔの薄膜と見なし、ｎ＝１．８の光学部品
（レンズ）から様々な入射角でディスクへ光が入射する
場合の再生信号強度を計算した。計算は、空気層の厚さ
ｔが０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍの場合
についてそれぞれ行った。この計算結果、すなわち再生
信号の空間周波数依存性を図１３に示す。縦軸の再生信
号レベルはＭＴＦ（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ ｔｒａｎｓ
ｆｅｒ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）に相当する値であり、再生
信号強度を規格化して表したものである。
【００１４】図１３に示すように、空気層の厚さｔが増
加すると、再生信号レベルは急激に減少する。したがっ
て、再生信号レベルを高くするためには、レンズとディ
スクとの距離ｔを小さくする必要がある。レンズとディ
スクが非常に接近した記録再生方式を用いると、レンズ
がディスク表面に衝突して記録層を損傷させやすい。し
かしながら、図１１に示すような従来構造によれば、デ
ィスクの最表層には例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2 やＳｉＮ等
の薄膜である第１の誘電体層３０５が形成される。した
がって、レンズとディスクとが衝突した場合には、第１
の誘電体層３０５とその下層の記録層３０４が容易に損
傷を受けやすい。
【００１５】また、レンズとディスクが従来になく近接
するため、ディスク表面に凸状の欠陥が存在する場合に
は、凸状部分がレンズに接触してレンズ表面を損傷させ
やすいという問題もある。これを防ぐため、ディスク表
面に研磨を行って表面性の改善を図ろうとしても、記録
層３０４上に形成された第１の誘電体層３０５が極めて
薄いため、研磨により記録層３０４が破壊される可能性
が高い。さらに、記録層３０４上に極めて薄い第１の誘
電体層３０５のみが形成されている場合には、ディスク
表面で局所的な光吸収が起こりやすい。記録再生時にレ
ーザ光によるアブレーションが起こると、ディスクが損
傷したり、ディスク材料がレンズ表面に付着してレンズ
が汚染されたりする。
【００１６】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、ニアフィールドで用い
られる光記録媒体であって、入射光の結合効率が高く、
安定した再生信号強度が得られる光記録媒体と、それを
含む光記録装置を提供することを目的とする。また本発
明は、ニアフィールドで用いられる光記録媒体であっ
て、光記録媒体と光学系との間隔の変動に伴う再生信号
強度の低減が防止された光記録媒体と、それを含む光記
録装置を提供することを目的とする。さらに本発明は、
ニアフィールドで用いられる光記録媒体であって、光学
系との衝突による損傷が防止された光記録媒体と、それ
を含む光記録装置を提供することを目的とする。また本
発明は、上記のような光記録媒体を簡略な工程で製造す
ることができる光記録媒体の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光記録媒体は、基板と、前記基板上に形成
された記録層と、前記記録層上に形成された第１の保護
層とを有し、光学系から、前記第１の保護層が形成され
た側を介して前記記録層に光を照射し、情報の記録およ
び再生の少なくとも一方を行う光記録媒体であって、前
記第１の保護層上に、前記光が前記第１の保護層表面に
おいて無反射となる無反射多層膜が形成され、前記無反
射多層膜と前記光学系との間隔は近接場であり、前記無
反射多層膜は、前記間隔の変動に伴う再生信号強度の変
化を緩和する、所定の光学的特性を有することを特徴と
する。本発明の光記録媒体は、好適には、前記光学的特
性は、前記無反射多層膜を構成する各層の屈折率および
膜厚に基づいて決定される特性であることを特徴とす
る。
【００１８】本発明の光記録媒体は、好適には、前記無
反射多層膜は少なくとも２層からなり、前記無反射多層
膜の最表層は研磨可能な表面硬度を有することを特徴と
する。本発明の光記録媒体は、好適には、前記無反射多
層膜の最表層はシリコン酸化膜からなることを特徴とす
る。本発明の光記録媒体は、好適には、前記シリコン酸
化膜の膜厚はほぼ１００ｎｍ以上であることを特徴とす
る。本発明の光記録媒体は、好適には、前記無反射多層
膜は複数のシリコン酸化膜を含有することを特徴とす
る。本発明の光記録媒体は、好適には、前記無反射多層
膜の表面は平滑化され、前記光学系を損傷させる凸状の
欠陥がないことを特徴とする。本発明の光記録媒体は、
好適には、前記基板と前記記録層との層間に前記光を反
射する金属または半金属からなる反射膜を有することを
特徴とする。本発明の光記録媒体は、好適には、前記基
板と前記記録層との層間に第２の保護層を有することを
特徴とする。
【００１９】本発明の光記録媒体は好適には、前記記録
層は、前記光の照射により相変化現象を起こし複素屈折
率が変化する材料からなることを特徴とする。あるい
は、本発明の光記録媒体は好適には、前記記録層は、前
記光の照射を用いて磁化状態を変化させ、これを偏光状
態の変化として検出することが可能である材料からなる
ことを特徴とする。あるいは、本発明の光記録媒体は好
適には、前記記録層は、前記光の照射により再生光の波
長に対する複素屈折率や形状が変化する有機色素材料か
らなることを特徴とする。あるいは、本発明の光記録媒
体は好適には、前記記録層は前記基板表面に形成された
ピットであり、前記光記録媒体は再生専用の光記録媒体
であることを特徴とする。
【００２０】これにより、光記録媒体の表面に垂直に入
射しない光に対しても、反射率を低減させて結合効率を
高めることが可能となる。すなわち、広範囲の入射角の
光に対して、ＭＴＦを向上させることができる。したが
って、高ＮＡ化された光学系からの光に対して、高いＭ
ＴＦが得られる。また、光学系と光記録媒体との間隔が
増加するとＭＴＦは減少するが、本発明の光記録媒体に
よれば、ＭＴＦの低減を抑制することができる。これに
より、光学系と光記録媒体との距離をある程度大きくす
ることも可能となり、光学系と光記録媒体との接触や衝
突を防止できる。さらに、本発明の光記録媒体によれ
ば、光記録媒体の表面に無反射多層膜を形成するため光
学系のレンズ表面に無反射コート（ＡＲコート）を施す
必要がない。したがって、レンズ表面の無反射コートが
光記録媒体との衝突などによって損傷し、記録・再生時
に常時、損傷が影響するのを防止することができる。
【００２１】上記の目的を達成するため、本発明の光記
録媒体の製造方法は、光学系から光を照射して情報の記
録および再生の少なくとも一方を行う光記録媒体の製造
方法であって、基板上に記録層を形成する工程と、前記
記録層上に第１の保護層を形成する工程と、前記光学系
との間隔が近接場であり、前記間隔の変動に伴う再生信
号の変化を緩和する所定の光学的特性を有し、前記光が
前記第１の保護層表面において無反射となる無反射多層
膜を、前記第１の保護層上に形成する工程と、前記無反
射多層膜の表面を研磨して平坦化させる工程とを有する
ことを特徴とする。
【００２２】本発明の光記録媒体の製造方法は、好適に
は、前記記録層、前記第１の保護層および前記無反射多
層膜を形成する工程は、スパッタリングによる成膜工程
であることを特徴とする。本発明の光記録媒体の製造方
法は、好適には、前記研磨工程は凸状部分を除去するフ
ライングテープポリッシュ（ＦＴＰ）工程であることを
特徴とする。
【００２３】これにより、表面が平坦な無反射多層膜を
簡略な工程で形成することができる。各層の成膜工程を
スパッタリングとすることにより、各層の形成を連続的
に行うことが可能であり、また、均一な膜厚で各層を成
膜することができる。無反射多層膜の研磨をＦＴＰ工程
とすることにより、短時間で研磨を行うことが可能であ
る。以上のように、本発明の光記録媒体の製造方法によ
れば、再生信号強度が高く、表面に損傷を受けにくいニ
アフィールド用の光記録媒体を、簡略な工程で形成する
ことができる。
【００２４】上記の目的を達成するため、本発明の光記
録装置は、光源と、光記録媒体と、前記光記録媒体との
間隔が近接場であり、前記光源からの光を前記光記録媒
体に照射する光学系とを有する光記録装置であって、前
記光記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された記録
層と、前記記録層上に形成された第１の保護層と、前記
第１の保護層上に形成され、前記光が前記第１の保護層
表面において無反射となる無反射多層膜とを有し、前記
光学系から、前記光記録媒体の前記無反射多層膜が形成
された側を介して前記記録層に光を照射して、情報の記
録および再生の少なくとも一方が行われ、前記無反射多
層膜は、前記間隔の変動に伴う再生信号強度の変化を緩
和する所定の光学的特性を有することを特徴とする。本
発明の光記録装置は、好適には、前記光学的特性は、前
記無反射多層膜を構成する各層の屈折率および膜厚に基
づいて決定される特性であることを特徴とする。
【００２５】本発明の光記録装置は、好適には、前記無
反射多層膜は少なくとも２層からなり、前記無反射多層
膜の最表層は研磨可能な表面硬度を有することを特徴と
する。本発明の光記録装置は、好適には、前記無反射多
層膜の最表層はシリコン酸化膜からなることを特徴とす
る。本発明の光記録装置は、好適には、前記シリコン酸
化膜の膜厚はほぼ１００ｎｍ以上であることを特徴とす
る。本発明の光記録装置は、好適には、前記無反射多層
膜は複数のシリコン酸化膜を含有することを特徴とす
る。本発明の光記録装置は、好適には、前記無反射多層
膜の表面は平滑化され、前記光学系を損傷させる凸状の
欠陥がないことを特徴とする。本発明の光記録装置は、
好適には、前記基板と前記記録層との層間に前記光を反
射する金属または半金属からなる反射膜を有することを
特徴とする。本発明の光記録装置は、好適には、前記基
板と前記記録層との層間に第２の保護層を有することを
特徴とする。
【００２６】本発明の光記録装置は好適には、前記記録
層は、前記光の照射により相変化現象を起こし複素屈折
率が変化する材料からなることを特徴とする。あるい
は、本発明の光記録装置は好適には、前記記録層は、前
記光の照射を用いて磁化状態を変化させ、これを偏光状
態の変化として検出することが可能である材料からなる
ことを特徴とする。あるいは、本発明の光記録装置は好
適には、前記記録層は、前記光の照射により再生光の波
長に対する複素屈折率や形状が変化する有機色素材料か
らなることを特徴とする。あるいは、本発明の光記録装
置は好適には、前記記録層は前記基板表面に形成された
ピットであり、前記光記録媒体は再生専用の光記録媒体
であることを特徴とする。
【００２７】これにより、光記録媒体の表面に垂直に入
射しない光に対しても、反射率を低減させて結合効率を
高めることが可能となる。すなわち、広範囲の入射角の
光に対して、ＭＴＦを向上させることができる。したが
って、高ＮＡ化された光学系からの光に対して、高いＭ
ＴＦが得られる。また、光学系と光記録媒体との間隔が
増加するとＭＴＦは減少するが、本発明の光記録装置に
よれば、ＭＴＦの低減を抑制することができる。これに
より、光学系と光記録媒体との距離をある程度大きくす
ることも可能となり、光学系と光記録媒体との接触や衝
突を防止できる。さらに、本発明の光記録装置によれ
ば、光記録媒体の表面に無反射多層膜を形成するため光
学系のレンズ表面に無反射コート（ＡＲコート）を施す
必要がない。したがって、レンズ表面の無反射コートが
光記録媒体との衝突などによって損傷し、記録・再生時
に常時、損傷が影響するのを防止することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光記録媒体およ
びその製造方法の実施の形態について、図面を参照して
説明する。 （実施形態１）図１に、本実施形態の光記録媒体と光学
部品（レンズ）との配置を示す。図１に示すように、光
ディスク１には基板２上に記録層を含む積層膜３が形成
されており、光ディスク１の積層膜３側に、ＳＩＬ４が
配置される。積層膜３の表面とＳＩＬ４との距離５は極
めて小さく、通常２００ｎｍ以下である。ＳＩＬ４には
対物レンズ（不図示）により集光された光が入射するた
め、高いＮＡとなる。また、θは光ディスク１に照射さ
れる光の入射角を示す。
【００２９】図２に本実施形態の光記録媒体の断面図を
示す。本実施形態は、波長６５０ｎｍの光に対して用い
られる相変化型光ディスクとする。図２に示す光ディス
クは、基板１１上に反射膜１２、第２の誘電体層１３、
記録層１４および第１の誘電体層１５が順次積層され、
さらに、その上層に第３の誘電体層１６、第４の誘電体
層１７および第５の誘電体層１８の３層が順に積層され
た構造となっている。
【００３０】本実施形態の光ディスクには、第５の誘電
体層１８が形成された側からレーザ光が照射される。レ
ーザ光はビーム径の中心を通る線（ビームウエスト）が
ディスク面に対して垂直となるように光ディスクに入射
する。図２の光ディスクにおいて、第３の誘電体層１
６、第４の誘電体層１７および第５の誘電体層１８の３
層からなる積層膜（無反射多層膜）１９は、光学部品
（レンズ）から様々な角度で入射する光に対して、第１
の誘電体層１５の表面において無反射となるように設計
される。第１の誘電体層１５、記録層１４、第２の誘電
体層１３および反射膜１２の４層と、上記の無反射多層
膜１９とを合わせた積層膜は、ディスク面に対して垂直
に入射する光（垂直入射成分）のエンハンス条件を満た
しており、垂直入射成分に対するコントラストが高くな
るように最適化された設計となっている。
【００３１】基板１１としては、例えばポリカーボネー
ト（ＰＣ）やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等
のアクリル系樹脂からなるプラスチック基板や、ガラス
基板等が用いられる。基板１１上の反射膜１２として
は、例えば膜厚１２０ｎｍのＡｌ合金膜が用いられる。
反射膜１２の膜厚は例えば５０〜２００ｎｍ程度とす
る。反射膜１２は、光ディスクに入射した光を反射する
のみでなく、記録層１４からの熱拡散を促進させる機能
も有する。光吸収により記録層１４の温度は上昇する
が、反射膜１２は通常、金属膜からなるため熱伝導率が
高く、一種のヒートシンクとして作用する。反射膜１２
の材料としては、所定の反射率と熱伝導率を有する材料
であれば、金属以外に半金属、金属または半金属の化合
物、半導体およびその化合物を用いることもできる。反
射膜１２上の第２の誘電体層１３としては、例えば屈折
率ｎ＝２．１６、膜厚４０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 層が
用いられる。第２の誘電体層１３は相変化する記録層１
４の保護層として機能する。第２の誘電体層１３は、例
えば光ディスクに書き換えを行わない場合等には、必ず
しも形成しなくてもよい。
【００３２】第２の誘電体層１３上の記録層１４として
は、例えば屈折率ｎ＝３．９、消衰係数ｋ＝３．５、膜
厚２０ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ層が用いられる。記録層
１４にはレーザ照射により結晶とアモルファスの間を可
逆的に相変化する材料が用いられる。例えば、カルコゲ
ンあるいはカルコゲン化合物、具体的にはＴｅ、Ｓｅ、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、
Ｂｉ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕ、Ｚｎ−Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを
含む系、あるいはこれらの系に窒素、酸素等のガス添加
物を導入したりＰｄを添加した系等を挙げることができ
る。
【００３３】記録層１４上の第１の誘電体層１５として
は、例えば屈折率ｎ＝２．１６、膜厚１００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 層が用いられる。第１の誘電体層１５は相
変化する記録層１４の保護層として機能する。第１の誘
電体層１５上の第３の誘電体層１６としては、例えば屈
折率ｎ＝１．４７、膜厚１５ｎｍのＳｉＯ2 層が用いら
れる。第３の誘電体層１６上の第４の誘電体層１７とし
ては、例えば屈折率ｎ＝２．０、膜厚５０ｎｍのＳｉＮ
層が用いられる。第４の誘電体層１７上の第５の誘電体
層１８としては、例えば屈折率ｎ＝１．４７、膜厚２０
０ｎｍのＳｉＯ2 層が用いられる。第３の誘電体層１
６、第４の誘電体層１７および第５の誘電体層１８を上
記の構成とすることにより、高ＮＡのレンズから入射す
る光に対し、第１の誘電体層１５表面において無反射と
することができる。
【００３４】光ディスクの最表層に有機材料からなる層
を形成する場合、研磨を行うのに十分な表面硬度が得ら
れないため、成膜時に凸状の欠陥が発生すると、欠陥を
解消して表面を平坦化することができない。それに対し
て、本実施形態の光ディスクによれば最表層にＳｉＯ2
からなる第５の誘電体層１８が形成されるため、表面を
研磨して平坦化することができる。また、第５の誘電体
層１８の膜厚を例えば１００ｎｍ以上とすることによ
り、研磨の加工精度の余裕（マージン）を大きくするこ
とができる。すなわち、膜厚が数１０ｎｍ程度である薄
膜を研磨する場合のように、研磨の不均一性に起因した
下地の損傷等を防止することができる。
【００３５】上記の本実施形態の光記録媒体の膜構成に
よれば、ディスクの最表層がＳｉＯ2 の厚膜により被覆
されているため硬度が高く、ヘッドあるいは光学系とデ
ィスクとが衝突した場合にも光ディスクの記録層が損傷
を受けにくい。また、本実施形態の光記録媒体によれ
ば、多重干渉を利用したエンハンス条件が満たされてい
るため、最表層に無反射多層膜１９を形成しても光ディ
スクの光学的特性は劣化しない。
【００３６】また、本実施形態の光記録媒体によれば、
光ディスク表面に無反射多層膜１９が形成されるため、
レンズ側に無反射コートを施す必要がない。したがっ
て、光ディスクとレンズとの衝突により、無反射コート
が損傷を受け、記録・再生に常時、無反射コートの損傷
が影響を及ぼすのを防止することができる。さらに、本
実施形態の光記録媒体によれば、表面に研磨を行うこと
が可能であるため、比較的容易に表面を平坦化すること
ができる。また、本実施形態の光記録媒体を光源および
ニアフィールド用の高ＮＡ化された光学系と組み合わせ
ることにより、本発明の光記録装置を構成することがで
きる。
【００３７】（実施形態２）上記の実施形態１の相変化
型光ディスクにおいて、レンズとディスク表面との間の
空気層を屈折率ｎ＝１、厚さｔの薄膜と見なし、ｎ＝
１．８の光学部品（レンズ）から厚さｔの空気層を介し
て、様々な入射角でディスクへ光が入射する場合の第１
の誘電体層１５表面における反射率を計算した。計算
は、入射角が０°、１０°、２０°、３０°、４０°、
５０°の場合についてそれぞれ行った。この計算結果を
図３に示す。
【００３８】図３に示すように、空気層の厚さｔが５０
ｎｍ程度の場合、無反射多層膜１９が形成されているこ
とにより、第１の誘電体層１５表面における反射率は入
射角が５０°以内の光に対して１０％以下となってい
る。従来例である図１２と比較すると、第１の誘電体層
１５表面における反射率は顕著に低減されている。ま
た、図３に示すように、空気層の厚さｔの変動に対する
反射率の変化が緩やかとなっており、ディスク面におけ
る光エネルギー分布の変動が抑制されている。
【００３９】また、相変化型光ディスクにおいては、光
学的位相差が信号やトラッキングに与える影響の問題も
ある。上記の本実施形態の膜構成とした場合の、空気層
の厚さｔと光学的位相差の関係について図４に示す。実
際のニアフィールド用の光ディスク装置において、レン
ズとディスク面との間隔ｔは５０〜１００ｎｍ程度とさ
れることが多い。図４に示すように、本実施形態の膜構
成によれば、空気層の厚さｔが約５０〜２５０ｎｍの場
合には光学的位相差が小さく、位相の変動も抑制されて
いる。
【００４０】上記の実施形態１の相変化型光ディスクに
おいて、レンズとディスク表面との間の空気層を屈折率
ｎ＝１、厚さｔの薄膜と見なし、ｎ＝１．８の光学部品
（レンズ）から様々な入射角でディスクへ光が入射する
場合の再生信号強度を計算した。計算は、空気層の厚さ
ｔが０ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍの場合
についてそれぞれ行った。この計算結果、すなわち再生
信号の空間周波数依存性を図５に示す。縦軸の再生信号
レベルはＭＴＦに相当する値であり、再生信号強度を規
格化して表したものである。
【００４１】図１２に示す従来の膜構成の場合には、空
気層の厚さｔが増加すると再生信号レベルは減少する。
一方、図５に示すように、本実施形態の膜構成によれ
ば、再生信号レベルの減少が抑制され、ｔ＝５０ｎｍ、
１００ｎｍ、１５０ｎｍのいずれの場合にも再生信号レ
ベルが顕著に改善される。したがって、良好な再生信号
レベルが得られる空気層ｔの範囲、すなわちディスクと
光学系との距離の許容範囲が拡大される。
【００４２】これにより、例えばディスク回転中に光学
系とディスク表面との間隔ｔが微妙に変動した場合に
も、光学特性の大きな変化は抑制される。また、従来の
膜構成の光ディスクに比較して、光学系との距離ｔをあ
る程度大きくしても良好な再生信号が得られるため、光
学系とディスクとの距離を極力小さくする必要がなく、
光学系とディスクとの接触や衝突を防止することができ
る。
【００４３】本実施形態の光ディスクにおいて、無反射
多層膜１９は、入射光に対して第１の誘電体層１５表面
が無反射となる条件（無反射条件）を満たしている必要
がある。上記の本実施形態と比較するため、無反射多層
膜１９のかわりに、上記の無反射条件を満たさない積層
膜を形成し、図５と同様に再生信号の空間周波数依存性
を計算した。この計算結果を図６および図７に示す。
【００４４】上記の無反射条件を満たさない積層膜は、
図２に示す実施形態１の膜構成において、第３の誘電体
層１６と第５の誘電体層１８の膜厚をそれぞれ変更した
ものである。具体的には、第３の誘電体層１６として膜
厚１１５ｎｍのＳｉＯ2 層を、第４の誘電体層１７とし
て膜厚５０ｎｍのＳｉＮ層を、第５の誘電体層１８とし
て膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 層を積層させた構造であ
る。また、基板１１上に形成された多層膜がエンハンス
条件を満たすようにするため、第１の誘電体層１５の膜
厚を８３ｎｍに変更した。上記以外の各層の組成および
膜厚は、実施形態１と同様である。
【００４５】図６および図７は、無反射条件を満たさな
い上記の膜構成においてデフォーカス量を変化させ、高
いキャリアレベルが得られた２点における再生信号レベ
ルをそれぞれ示す。図６および図７を図５と比較する
と、再生信号レベルは著しく低減している。以上のよう
に、第１の誘電体層１５上に形成される積層膜が所定の
無反射条件を満たさない場合には、空気層の厚さｔの変
動に伴う再生信号レベルの低下を抑制することができな
い。
【００４６】（実施形態３）図２に本実施形態の光記録
媒体の断面図を示す。本実施形態は、波長６５０ｎｍの
光に対して用いられる光磁気ディスクとする。図２に示
す光ディスクは、基板１１上に反射膜１２、第２の誘電
体層１３、記録層１４および第１の誘電体層１５が順次
積層され、さらに、その上層に第３の誘電体層１６、第
４の誘電体層１７および第５の誘電体層１８が順に積層
された構造となっている。本実施形態の光ディスクに
は、実施形態１の光ディスクと同様に、第５の誘電体層
１８が形成された側からレーザ光が照射される。レーザ
光はビーム径の中心を通る線（ビームウエスト）がディ
スク面に対して垂直となるように光ディスクに入射す
る。
【００４７】図２の光ディスクにおいて、第３の誘電体
層１６、第４の誘電体層１７および第５の誘電体層１８
からなる積層膜１９は、光学部品（レンズ）から様々な
角度で入射する光に対して、第１の誘電体層１５の表面
において無反射となるように設計される。第１の誘電体
層１５、記録層１４、第２の誘電体層１３および反射膜
１２の４層と、上記の無反射多層膜１９とを合わせた積
層膜は、ディスク面に対して垂直に入射する光（垂直入
射成分）のエンハンス条件を満たしており、垂直入射成
分に対するコントラストが高くなるように最適化された
設計となっている。
【００４８】本実施形態の光磁気ディスクの具体的な膜
構成は、以下のとおりである。基板１１としては例えば
ガラス基板が用いられ、基板１１上の反射膜１２として
は、例えば膜厚１２０ｎｍのＡｌ合金膜が用いられる。
反射膜１２上の第２の誘電体層１３としては、例えば屈
折率ｎ＝２．０、膜厚２０ｎｍのＳｉＮ層が用いられ
る。第２の誘電体層１３上の記録層１４としては、例え
ば屈折率ｎ＝２．８６、膜厚４ｎｍのＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
層、あるいは、屈折率ｎ＝３．１３、膜厚２０ｎｍのＴ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ層が用いられる。記録層１４にはレーザ
照射を用いて磁化の状態を変化させることが可能なアモ
ルファス合金等を適宜選択する。
【００４９】記録層１４上の第１の誘電体層１５として
は、例えば屈折率ｎ＝２．０、膜厚１００ｎｍのＳｉＮ
層が用いられる。第１の誘電体層１５上の第３の誘電体
層１６としては、例えば屈折率ｎ＝１．４７、膜厚１０
ｎｍのＳｉＯ2 層が用いられる。第３の誘電体層１６上
の第４の誘電体層１７としては、例えば屈折率ｎ＝２．
０、膜厚５０ｎｍのＳｉＮ層が用いられる。第４の誘電
体層１７上の第５の誘電体層１８としては、例えば屈折
率ｎ＝１．４７、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ2 層が用いら
れる。第３の誘電体層１６、第４の誘電体層１７および
第５の誘電体層１８を上記の構成とすることにより、高
ＮＡのレンズから入射する光に対し、第１の誘電体層１
５表面において無反射とすることができる。
【００５０】上記の実施形態３の光磁気ディスクにおい
て、レンズとディスク表面との間の空気層を屈折率ｎ＝
１、厚さｔの薄膜と見なし、ｎ＝１．８の光学部品（レ
ンズ）から厚さｔの空気層を介して、様々な入射角でデ
ィスクへ光が入射する場合の第１の誘電体層１５表面に
おける反射率を計算した。計算は、入射角が０°、１０
°、２０°、３０°、４０°、５０°の場合についてそ
れぞれ行った。この計算結果を図８に示す。
【００５１】図８に示すように、空気層の厚さｔが５０
ｎｍ程度の場合、無反射多層膜１９が形成されているこ
とにより、第１の誘電体層１５表面における反射率は入
射角が５０°以内の光に対して１０％以下となってい
る。また、図８に示すように、空気層の厚さｔの変動に
対する反射率の変化が緩やかとなっており、ディスク面
における光エネルギー分布の変動が抑制されている。
【００５２】（実施形態４）上記の実施形態１および実
施形態３に示す光記録媒体の製造方法について、以下に
説明する。光ディスクの基板１１として多用されるプラ
スチック基板は、加熱溶融された樹脂を高速で射出し、
スタンパのついた金型に充填した後、冷却することによ
り形成される。基板１１の表面に、例えばスパッタリン
グにより反射膜１２を形成する。このスパッタリングは
例えばイオンビームスパッタリングとする。反射膜１２
を成膜後、第２の誘電体層１３であるＺｎＳ−ＳｉＯ2
層あるいはＳｉＮ層、記録層１４であるＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ層あるいはＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ層、および第１の誘電体
層１５であるＺｎＳ−ＳｉＯ2 層あるいはＳｉＮ層を順
次、スパッタリングにより形成する。
【００５３】その上層に、第３の誘電体層１６であるＳ
ｉＯ2 層と、第４の誘電体層１７であるＳｉＮ層とを順
次、例えばスパッタリングにより形成する。第４の誘電
体層１７の上層に、ＳｉＯ2 等の無機材料からなる第５
の誘電体層１８を例えばスパッタリングにより形成す
る。上記のように形成された第５の誘電体層１８は無機
材料からなるため、例えば紫外線硬化樹脂等の有機材料
の場合と異なり、表面に研磨を行うことが可能である。
第５の誘電体層１８の成膜をスパッタリングにより行う
際に、異常放電等により凸状欠陥が発生する場合があ
る。上記のように凸状の欠陥を有する表面に、例えばＦ
ＴＰ（ｆｌｙｉｎｇ ｔａｐｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）
研磨を行うことにより、凸状部分を除去して表面を平坦
化することができる。
【００５４】上記の本実施形態の光記録媒体の製造方法
によれば、第３〜第５の誘電体層の成膜工程と、第５の
誘電体層の研磨工程を従来の製造方法に追加するのみ
で、ディスク表面にヘッドとの衝突による損傷が生じに
くい光ディスクを製造することができる。また、本実施
形態の光記録媒体の製造方法によれば、ＦＴＰ研磨を行
うことにより、ディスク表面を短時間で平坦化すること
ができる。したがって、光学系あるいはヘッドに損傷を
与えにくい光ディスクを簡略な工程かつ短時間で製造す
ることができる。
【００５５】本発明の光記録媒体およびその製造方法
と、光記録装置の実施形態は、上記の説明に限定されな
い。例えば、上記の実施形態において、光記録媒体に近
接して配置される光学部品の屈折率ｎは１．８とした
が、任意の屈折率の光学部品に対して本発明の光記録媒
体を使用することができる。また、記録層に色素を用い
た光ディスクに本発明を適用することもできる。さら
に、本発明の光記録媒体は、書き換え可能、再生専用の
いずれでもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々の変更が可能である。
【００５６】
【発明の効果】本発明の光記録媒体および光記録装置に
よれば、記録層上の保護層の反射率を低減して入射光の
結合効率を上げ、再生信号強度を大きくすることができ
る。本発明の光記録媒体および光記録装置によれば、光
記録媒体と光学系との間隔の変動に伴う再生信号強度の
低減を防止することができる。また、本発明の光記録媒
体および光記録装置によれば、ニアフィールド用の光記
録媒体と光学系が接触または衝突し、光記録媒体が損傷
を受けるのを防止することができる。本発明の光記録媒
体の製造方法によれば、再生信号強度が高く、表面に損
傷を受けにくいニアフィールド用の光記録媒体を、簡略
な工程で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１〜４に係る光記録媒体と光
学系との配置を表す概略図である。
【図２】本発明の実施形態１〜４に係る光記録媒体の断
面図である。
【図３】本発明の実施形態２に係る光記録媒体の特性を
表す図であり、入射角を変化させたときの第１の誘電体
層表面における反射率を示す。
【図４】本発明の実施形態２に係る光記録媒体の特性を
表す図であり、空気層の厚さと位相差との関係を示す。
【図５】本発明の実施形態２に係る光記録媒体の特性を
表す図であり、再生信号レベルの空間周波数依存性を示
す。
【図６】本発明の実施形態２において、比較例として示
した光記録媒体の特性を表す図であり、再生信号レベル
の空間周波数依存性を示す。
【図７】本発明の実施形態２において、比較例として示
した光記録媒体の特性を表す図であり、再生信号レベル
の空間周波数依存性を示す。
【図８】本発明の実施形態３に係る光記録媒体の特性を
表す図であり、入射角を変化させたときの第１の誘電体
層表面における反射率を示す。
【図９】従来の磁気記録装置（ハードディスク）の概略
図である。
【図１０】従来の、ディスクと光学系が離れた状態で用
いられる光記録媒体の断面図である。
【図１１】従来のニアフィールド用の光記録媒体の断面
図である。
【図１２】従来のニアフィールド用の光記録媒体の特性
を表す図であり、入射角を変化させたときの第１の誘電
体層表面における反射率を示す。
【図１３】従来のニアフィールド用の光記録媒体の特性
を表す図であり、再生信号レベルの空間周波数依存性を
示す。
【符号の説明】
１…光ディスク、２、１１、１０２、２０１、３０１…
基板、３…積層膜、４…ＳＩＬ、１２、２０５、３０２
…反射膜、１３、３０３…第２の誘電体層、１４、１０
３、２０３、３０４…記録層、１５、３０５…第１の誘
電体層、１６…第３の誘電体層、１７…第４の誘電体
層、１８…第５の誘電体層、１９…無反射多層膜、１０
１…ディスク、１０４…潤滑膜、１０５…記録・再生ヘ
ッド、１０６…スライダー、２０２、２０４…誘電体保
護層、２０６…樹脂性保護層、２０７…レンズ、２０８
…無反射コート（ＡＲコート）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５３１Ｔ ５３１Ｐ ５３１Ａ ５４６ ５４６Ｇ ５４６Ｂ ５４６Ｆ (72)発明者 市村 功 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 大里 潔 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 斉藤 公博 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JC05 MA15 MA22 MA23 5D075 FG04 FG10 5D121 AA03 GG22

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板と、前記基板上に形成された記録層
    と、前記記録層上に形成された第１の保護層とを有し、 光学系から、前記第１の保護層が形成された側を介して
    前記記録層に光を照射し、情報の記録および再生の少な
    くとも一方を行う光記録媒体であって、 前記第１の保護層上に、前記光が前記第１の保護層表面
    において無反射となる無反射多層膜が形成され、 前記無反射多層膜と前記光学系との間隔は近接場であ
    り、 前記無反射多層膜は、前記間隔の変動に伴う再生信号強
    度の変化を緩和する、所定の光学的特性を有する光記録
    媒体。
  2. 【請求項２】前記光学的特性は、前記無反射多層膜を構
    成する各層の屈折率および膜厚に基づいて決定される特
    性である請求項１記載の光記録媒体。
  3. 【請求項３】前記無反射多層膜は少なくとも２層からな
    り、前記無反射多層膜の最表層は研磨可能な表面硬度を
    有する請求項１記載の光記録媒体。
  4. 【請求項４】前記無反射多層膜の最表層はシリコン酸化
    膜からなる請求項３記載の光記録媒体。
  5. 【請求項５】前記シリコン酸化膜の膜厚はほぼ１００ｎ
    ｍ以上である請求項４記載の光記録媒体。
  6. 【請求項６】前記無反射多層膜は複数のシリコン酸化膜
    を含有する請求項４記載の光記録媒体。
  7. 【請求項７】前記無反射多層膜の表面は平滑化され、前
    記光学系を損傷させる凸状の欠陥がない請求項１記載の
    光記録媒体。
  8. 【請求項８】前記基板と前記記録層との層間に前記光を
    反射する金属または半金属からなる層が形成されている
    請求項１記載の光記録媒体。
  9. 【請求項９】前記基板と前記記録層との層間に第２の保
    護層を有する請求項１記載の光記録媒体。
  10. 【請求項１０】前記記録層は、前記光の照射により相変
    化現象を起こし複素屈折率が変化する材料からなる請求
    項１記載の光記録媒体。
  11. 【請求項１１】前記記録層は、前記光の照射を用いて磁
    化状態を変化させ、これを偏光状態の変化として検出す
    ることが可能である材料からなる請求項１記載の光記録
    媒体。
  12. 【請求項１２】前記記録層は、前記光の照射により再生
    光の波長に対する複素屈折率や形状が変化する有機色素
    材料からなる請求項１記載の光記録媒体。
  13. 【請求項１３】前記記録層は前記基板表面に形成された
    ピットであり、前記光記録媒体は再生専用の光記録媒体
    である請求項１記載の光記録媒体。
  14. 【請求項１４】光学系から光を照射して情報の記録およ
    び再生の少なくとも一方を行う光記録媒体の製造方法で
    あって、 基板上に記録層を形成する工程と、 前記記録層上に第１の保護層を形成する工程と、 前記光学系との間隔が近接場であり、前記間隔の変動に
    伴う再生信号の変化を緩和する所定の光学的特性を有
    し、前記光が前記第１の保護層表面において無反射とな
    る無反射多層膜を、前記第１の保護層上に形成する工程
    と、 前記無反射多層膜の表面を研磨して平坦化させる工程と
    を有する光記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項１５】前記記録層、前記第１の保護層および前
    記無反射多層膜を形成する工程は、スパッタリングによ
    る成膜工程である請求項１４記載の光記録媒体の製造方
    法。
  16. 【請求項１６】前記研磨工程は凸状部分を除去するフラ
    イングテープポリッシュ（ＦＴＰ）工程である請求項１
    ４記載の光記録媒体の製造方法。
  17. 【請求項１７】光源と、光記録媒体と、前記光記録媒体
    との間隔が近接場であり、前記光源からの光を前記光記
    録媒体に照射する光学系とを有する光記録装置であっ
    て、 前記光記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された記
    録層と、前記記録層上に形成された第１の保護層と、前
    記第１の保護層上に形成され、前記光が前記第１の保護
    層表面において無反射となる無反射多層膜とを有し、 前記光学系から、前記光記録媒体の前記無反射多層膜が
    形成された側を介して前記記録層に光を照射して、情報
    の記録および再生の少なくとも一方が行われ、 前記無反射多層膜は、前記間隔の変動に伴う再生信号強
    度の変化を緩和する所定の光学的特性を有する光記録装
    置。
  18. 【請求項１８】前記光学的特性は、前記無反射多層膜を
    構成する各層の屈折率および膜厚に基づいて決定される
    特性である請求項１７記載の光記録装置。
  19. 【請求項１９】前記無反射多層膜は少なくとも２層から
    なり、前記無反射多層膜の最表層は研磨可能な表面硬度
    を有する請求項１７記載の光記録装置。
  20. 【請求項２０】前記無反射多層膜の最表層はシリコン酸
    化膜からなる請求項１９記載の光記録装置。
  21. 【請求項２１】前記シリコン酸化膜の膜厚はほぼ１００
    ｎｍ以上である請求項２０記載の光記録装置。
  22. 【請求項２２】前記無反射多層膜は複数のシリコン酸化
    膜を含有する請求項２０記載の光記録装置。
  23. 【請求項２３】前記無反射多層膜の表面は平滑化され、
    前記光学系を損傷させる凸状の欠陥がない請求項１７記
    載の光記録装置。
  24. 【請求項２４】前記基板と前記記録層との層間に前記光
    を反射する金属または半金属からなる層が形成されてい
    る請求項１７記載の光記録装置。
  25. 【請求項２５】前記基板と前記記録層との層間に第２の
    保護層を有する請求項１７記載の光記録装置。
  26. 【請求項２６】前記記録層は、前記光の照射により相変
    化現象を起こし複素屈折率が変化する材料からなる請求
    項１７記載の光記録装置。
  27. 【請求項２７】前記記録層は、前記光の照射を用いて磁
    化状態を変化させ、これを偏光状態の変化として検出す
    ることが可能である材料からなる請求項１７記載の光記
    録装置。
  28. 【請求項２８】前記記録層は、前記光の照射により再生
    光の波長に対する複素屈折率や形状が変化する有機色素
    材料からなる請求項１７記載の光記録装置。
  29. 【請求項２９】前記記録層は前記基板表面に形成された
    ピットであり、前記光記録媒体は再生専用の光記録媒体
    である請求項１７記載の光記録装置。
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