JP2001084642A

JP2001084642A - 光記録媒体とその製造方法

Info

Publication number: JP2001084642A
Application number: JP2000203967A
Authority: JP
Inventors: Koichiro Kijima; 公一朗木島; Isao Ichimura; 功市村; Kimihiro Saito; 公博斉藤; Kiyoshi Osato; 潔大里
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-07-09
Filing date: 2000-07-05
Publication date: 2001-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】表面平坦性にすぐれた光記録媒体を形成して
ニアフィールド光学系によって記録再生が可能な光記録
媒体を構成する。【解決手段】光照射により情報の記録および再生の少
なくとも一方を行う光記録媒体であって、光照射がなさ
れる側の表面に微細凹凸２が形成された基板１と、この
基板上に、少なくとも記録層を有し、微細凹凸が反映し
た微細凹凸表面を有する成膜層と、この成膜層上に微細
凹凸表面を埋込んで形成され、照射光に対して透過性を
有し、表面研磨がなされた研磨可能な硬度を有する単層
もしくは多層の、この光記録媒体に対して照射される光
透過性平坦化膜４とを有する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体とその
製造方法に関し、特に、光学レンズと光記録媒体との距
離がほぼ２００ｎｍ以下に近接した状態（ニアフィール
ド）で用いられる光記録媒体およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体例えば光ディスクとしては、
例えばピットや、トラッキング用のグルーブ等が予め基
板に形成された例えば再生専用のいわゆるＲＯＭ型の光
ディスク、あるいは上述した例えばピットや、トラッキ
ング用のグルーブ等が形成された基板上に情報記録層等
の成膜がなされる、相変化型光ディスクや光磁気ディス
ク等の記録再生用いわゆるＲＡＭ型の光ディスクがあ
る。

【０００３】相変化型光ディスクは、レーザ光照射によ
り記録層を、低反射率のアモルファス状態と高反射率の
結晶状態の間で相変化させて情報の記録を行い、その反
射率の変化を光学的に検出して情報の再生を行う。ま
た、光磁気ディスクは、外部磁界の印加やレーザ光照射
により記録層の磁化状態を変化させて情報の記録を行
い、この磁化によって再生レーザ光の偏光角を磁化状態
による磁気光学効果、例えばカー効果によって回転さ
せ、この回転の検出によって情報の再生を行うものであ
る。

【０００４】これら光ディスクは、光透過性の基板上
に、記録層、反射膜、誘電体保護層等の成膜層を有し、
基板側からレーザ光が入射されて記録層に対する情報の
記録、再生がなされる。

【０００５】光ディスクの記録密度は、一般に光源のレ
ーザスポット径に依存し、レーザスポット径が小さいほ
ど記録密度を高めることが可能となる。レーザスポット
径はλ／ＮＡ（λ：レーザ光の波長、ＮＡ：対物レンズ
の開口数）に比例する。したがって、光記録媒体の記録
密度を高めるにはレーザ光を短波長化し、ＮＡを高くす
ることが要求される。

【０００６】高ＮＡ化を実現する方法として、近年、テ
ラスター社から光ディスクと光学レンズとの距離が２０
０ｎｍ以下であるニアフィールド光ディスクが提唱され
ている。また、Ｑｕｉｎｔａ社からはスライダー上に光
学レンズが搭載され、光ディスクとスライダーとの距離
が１００ｎｍ以下となる光ハードディスク等が提唱され
ている。上述した光ディスクの記録・再生を行う光学系
にはソリッドイマージョンレンズ（ＳＩＬ）が含有さ
れ、ＮＡ＞１を得ることも可能である。

【０００７】ところで、光学系が高ＮＡ化された場合、
コマ収差が大きくなるという問題が発生する。コマ収差
は、（スキュー角）×（ＮＡ）³×（レーザ光が光ディ
スクを透過する距離）に比例する（但し、スキュー角は
光ディスクの光軸に対する傾き角）。前述したように、
従来の光ディスクにおいては、基板側から記録層にレー
ザ光照射が行われるため、コマ収差を低減するには基板
を薄くする必要がある。光ディスクの基板としてはプラ
スチック射出成形基板が多用されており、基板を高精度
で薄膜化するのは製造上困難である。

【０００８】これに対し、記録または再生時のレーザ光
照射を、光ディスクの記録層が形成された側から行うこ
とにより、レーザ光が光ディスクを透過する距離を大幅
に縮小させるようにした記録再生方法がある。この方法
による場合、コマ収差の低減が図られることから、高Ｎ
Ａ化に好適となる。

【０００９】また、光ディスクにおいて、前述した例え
ばトラッキング用のグルーブが形成され、グルーブ内に
形成された情報記録層、あるいは隣合うグルーブ間のい
わゆるランド上に形成された情報記録層に情報の記録が
なされる光ディスク、更に、グルーブとランドの双方に
記録がなされるいわゆるランド・グルーブ記録型の光デ
ィスクがあり、このランド・グルーブ記録による場合
は、高記録密度化が図られる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、光デ
ィスクと光学レンズ等の光学系とが約２００ｎｍ以下の
距離に近接させたニアフィールド光ディスク装置におい
ては、光ディスク表面に凸状の欠陥（以下突起という）
が存在すると、光学系を損傷させる要因となる。したが
って、ニアフィールドで用いられる光ディスクは、表面
が高精度に平面化されている必要があり、特にその表面
には突起がないことが厳しく要求される。

【００１１】また、光ディスクの記録層を有する側から
レーザ光を照射する方法による光ディスクにおいて、そ
の記録層側の表面に膜厚１００μｍ程度の保護層を形成
するディスクが存在する。この保護層は、例えば紫外線
硬化樹脂のスピンコート、あるいはフィルムの貼り合わ
せ等の方法により形成される。ところが、この紫外線硬
化樹脂からなる保護層を形成する場合、そのスピンコー
ト等の成膜時に空気の巻き込みによる気泡あるいはパー
ティクルに起因した膨らみが生じる。この膨らみは現状
において解消する方法がなく、この膨らみは、光ディス
ク表面の突起となる。すなわち、通常の、紫外線硬化樹
脂等の有機材料層は、柔軟性が高いことから、その成膜
後において、例えばＦＴＰ（Flying Tape Polish）等の
研磨を行うことができない。

【００１２】したがって、このような保護膜を表面に有
する光ディスクに対して、上述した光ディスクと光学系
との距離を２００ｎｍ程度以下とするニアフィールド光
学系による記録再生装置に適用する光ディスクとして不
適当である。

【００１３】とはいえ、このような不都合を避けるため
に保護層の形成を回避するときは、上述したピットやグ
ルーブ等の微細凹凸面を有する基板上に、この微細凹凸
の形状を踏襲して、すなわちこの凹凸表面が反映して形
成された凹凸表面を有する記録層は、保護層による表面
凹凸の緩和が図られないことから、特に光学系との距離
を２００ｎｍ程度以下というニアフィールド光学系によ
る場合、そのランド部とグルーブ部との距離の差が大き
くなり、特性の低下、記録密度を充分高められないとい
う不都合を来す。また、光ディスク表面に、適当な屈折
率を有する材料層を形成することにより、特定の層から
の表面反射を低減させたり、あるいは、特定の層との多
重干渉を調節することが可能であることから、ＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）を改善することが可
能である。ところが、上述したように、光ディスクの表
面に保護層等の表面層の形成を回避する場合、ＭＴＦの
向上は望めない。

【００１４】上述したように、光ディスクの記録密度を
高めるためランド・グルーブ構造とし、かつ、ＭＴＦを
改善するためには、光ディスクのレーザ光照射側、すな
わち記録層側の表面に一定の光学的条件を満たす保護層
等の光透過性層の形成が必要となり、かつその表面は高
精度に平坦化されていることが必要でとなる。

【００１５】このような光ディスク表面の保護層を、例
えばスパッタリング等の方法により、真空状態で成膜し
た場合、グルーブ内にもランド上とほぼ均一な厚さで保
護層が形成され、保護層の表面は下地段差を反映した形
状となる。しかだって、全面を研磨する必要があり、平
坦化には長時間を要する。また、表面の段差が解消され
るように過剰な膜厚、例えば１〜２μｍの厚さの保護層
を堆積させてから、全面を研磨する方法も考えられる
が、この場合にも研磨に長時間を要する。いずれの場合
にも、膜厚が全面が一様となるように、研磨を高精度に
制御する必要がある。

【００１６】紫外線硬化樹脂等を材料として、例えばス
ピンコート法により保護層を成膜すれば平坦な表面が得
られるが、前述したように気泡等に起因する突起の問
題、更にこの突起を研磨排除することができないことか
ら、歩留りの低下を来す。

【００１７】また、光記録媒体における、基板への、反
射膜、記録層、誘電体層等の成膜層の形成は、一般に真
空雰囲気中で、各材料をスパッタリングして成膜するも
のであるが、この成膜に当たって、スパッタ面の表面状
態、形状、そのほかの原因でスパッタリングにおいて異
常放電が発生して、これによって、成膜された成膜層の
表面から棘状の突起が発生する場合がある。そして、こ
の棘状突起が一旦発生すると、その後のスパッタリング
による成膜は、この突起を平坦にすることができない。
また、棘状突起の高さは、成膜層の厚さ程度に及ぶ場合
もある。そして、このような突起が形成されると、この
上に例えば保護層の堆積を行ってもこの保護層の厚さを
突起の高さ以上に充分厚い厚さに選定することが保護層
表面で充分な平坦性を得る上で必要となる。

【００１８】本発明は、上述した諸問題の解決を図るこ
とのできる光記録媒体とその製造方法を提供する。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明による光記録媒体
は、光照射により情報の記録および再生の少なくとも一
方を行う光記録媒体であって、光照射がなされる側の表
面に微細凹凸が形成された基板上に、表面が基板の微細
凹凸を反映した微細凹凸表面とされ、少なくとも記録層
を有する成膜層が形成された構成を有する。そして、本
発明においては、この微細凹凸表面を埋込んで照射光に
対して透過性を有し、表面研磨がなされた研磨可能な硬
度を有する光透過性平坦化膜が形成された構成とされ
る。

【００２０】この光透過性平坦化膜としては、無機材料
膜によって構成する。また、この光透過性平坦化膜は、
成膜温度が１５０℃以下の無機材料膜によって構成され
る。

【００２１】また、本発明による光記録記録媒体の製造
方法は、光照射により情報の記録および再生の少なくと
も一方を行う光記録媒体の製造方法であって、光照射が
なされる側の表面に微細凹凸が形成された基板の製造工
程と、この基板上に、微細凹凸が反映した微細凹凸表面
とされ少なくとも記録を層を有する成膜層の形成工程
と、この成膜層上に、微細凹凸表面を埋込んで、照射光
に対して透過性を有し、研磨可能な硬度を有する光透過
性平坦化膜を形成する形成工程と、少なくとも該光透過
性平坦膜の表面を研磨する工程とを経て目的とする光記
録媒体を製造する。更に、この製造方法において、光透
過性平坦化膜の成膜に先立ってこの光透過性平坦化膜の
成膜面に発生している突起を除去ないしは切頭する工程
を採ることができる。

【００２２】上述したように、本発明による光記録媒体
においては、特に表面研磨された光透過性平坦化膜が形
成された構成としたことにより、上述したニアフィール
ド光学系による記録および再生の少なくとも一方におい
て、光記録媒体と光学系との間の間隔が２００ｎｍ程度
以下、例えば１００ｎｍ程度以下とされた場合において
も、確実に記録、再生ができ、またランド・グルーブ記
録態様においても、確実に記録、再生ができるようにす
るものである。そして、その光透過性平坦化膜を、１５
０℃以下の成膜温度による特定された無機材料層によっ
て構成することによって、光記録媒体を構成する基板
を、一般に耐熱性の低い、しかしながら廉価で量産性に
すぐれた有機材料基板によって構成することができる。

【００２３】また、本発明方法は、光記録媒体を製造す
るに、微細凹凸を有する記録層を含む成膜層上に、研磨
可能な光透過性平坦化膜を形成し、その表面を研磨する
という工程を採ることによって、表面平面性にすぐれた
光記録媒体を構成することができるものであり、更に、
上述したように、光透過性平坦化膜の成膜に先立ってこ
の光透過性平坦化膜の成膜面に発生している突起を除去
ないしは切頭する工程を採ることによって、光透過性平
坦化膜の表面をすぐれた平面性をもって、かつ充分薄い
膜厚をもって確実に得ることができるものである。

【００２４】すなわち、後述するところから明らかにな
るように、光透過性平坦化膜の形成面に対する突起の除
去ないしは切頭作業を行わない場合は、光透過性平坦化
膜の形成の後に、光透過性平坦膜表面を研磨した場合に
おいても、その表面のグライドハイトを５０ｎｍ以下に
することは困難であるのに比し、上述した突起の除去な
いしは切頭を行うときは、そのグライドハイトを容易に
３０ｎｍ以下にすることできた。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明による光記録媒体および製
造方法の実施形態を説明する。〔光記録媒体〕本発明による光記録媒体は、相変化型光
記録媒体、磁気光学効果を利用する光磁気記録媒体、色
素記録層を有する色素記録媒体等、各種光記録媒体構成
とすることができる。また本発明による光記録媒体は、
ディスク、カード、シート等種々の形態を採ることがで
きる。

【００２６】図１は、本発明による光記録媒体Ｍの基本
的構成の概略断面図を示す。本発明による光記録媒体Ｍ
は、光を照射して情報の記録または再生の少なくとも一
方を行う光記録媒体であって、表面に各種情報ピット、
トラッキング用の断続的あるいは連続的グルーブＧ、ラ
ンドＬ等による微細凹凸２が形成されて成る基板１を有
する。そして、この基板１の微細凹凸２が形成された面
上に、少なくとも記録層を有する成膜層３、例えば反射
膜、情報の記録層、誘電体層等による成膜層３が被着形
成される。この成膜層３の表面には、微細凹凸２による
微細凹凸表面が反映した微細凹凸３ｓ形成されている。
そして、この微細凹凸３ｓを埋込むように研磨可能な光
透過性平坦化膜が形成され、かつその表面が研磨されて
平面化される。

【００２７】グルーブＧは、例えばスパイラル状に形成
され、隣り合うグルーブＧ間にランドＬが形成される。
本発明においては、ランドＬとグルーブＧとのいずれか
一方に、情報の記録がなれる態様、あるいは、ランドＬ
とグルーブＧの双方に対して情報の記録がなされるラン
ド・グルーブ記録態様を採ることができる。この場合、
ランドＬとグルーブＧとの高低差は、この光記録媒体に
対する記録および再生の照射光に対して、光の相互作用
が殆ど生じることのない高低差に選定する。

【００２８】基板１は、例えば０．３〜１．２ｍｍ程度
の厚さを有する、例えばポリエーテルサルフォン（ＰＥ
Ｓ）や、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）というような耐
熱性のある樹脂からなる樹脂基板、あるいはガラス基板
等によることができる。

【００２９】成膜層３の反射膜は、光記録媒体に入射し
て記録層透過した記録光あるいは再生光を反射する反射
膜として例えば膜厚５０〜２００ｎｍ程度、例えば膜厚
１００ｎｍのＡｌ膜、あるいはＡｌ合金膜等によって構
成することができるが、この反射膜は、上述した反射膜
としての機能のみでなく、記録層からの熱拡散を適当に
行うなどの機能を持たせる。このため、この反射膜は、
所要の反射率と熱伝導率を有する材料の金属、あるいは
金属以外の、半金属、金属または半金属の化合物、半導
体およびその化合物によって構成することができる。

【００３０】そして、例えば光記録媒体が、相変化型光
記録媒体である場合は、成膜層３の記録層、誘電体層等
は、相変化記録層の、再生光に対する例えば低反射率を
示すアモルファス状態と高反射率を示す結晶状態とを、
記録光の照射によって可逆的に変化することのできる記
録層、例えばＧｅＳｂＴｅ層を挟んでその上下に、この
記録層の変形を抑制する機能を有する例えばＺｎＳｅ−
ＳｉＯ₂による光透過誘電体層による保護層が形成され
た構成とすることができる。

【００３１】相変化記録層は、レーザ照射により結晶と
アモルファスの間を可逆的に相変化する材料、例えばカ
ルコゲン化合物、具体的には、あるいはカルコゲン化合
物、具体的には、上述したＧｅＳｂＴｅのほかに、Ｔ
ｅ，Ｓｅ，ＧｅＴｅ，ＩｎＳｂＴｅ，ＩｎＳｅＴｅＡ
ｇ，ＩｎＳｅ，ＩｎＳｅＴｌＣｏ，ＩｎＳｂＳｅ，Ｂｉ
₂Ｔｅ₃，ＢｉＳｅ，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｓｂ₂Ｔｅ₃等に
よって構成できる。

【００３２】また、例えば光記録媒体が、光磁気記録媒
体である場合は、成膜層３は、反射膜と、この上に順次
形成される例えばＳｉＮによる誘電体層、例えばＧｄＦ
ｅＣｏ層による第１の磁性層および例えばＴｂＦｅＣｏ
層による第２の磁性層よりなる記録層、その上に形成さ
れる例えばＳｉＯ₂層とＳｉＮ層とによる光透過性誘電
体層を有する構成とすることができる。

【００３３】そして、この成膜層３上に、その微細凹凸
表面を埋込んで形成される光透過性平坦化膜４は、光記
録媒体Ｍに対する照射光に対して透過性を有し、研磨可
能な硬度を有する層より成る単層もしくは多層膜よりな
り、その表面が研磨されて平坦化され、この光記録媒体
に近接対向して配置される光学系、すなわち光記録媒体
Ｍに対して光照射を行う光学系に損傷を与える突起部が
排除された平坦性を有する構成とする。

【００３４】この光透過性平坦化膜４は、スピンコート
材料によって構成することが望まれる。これは、スピン
コートによる場合、その成膜自体で、この光透過性平坦
化膜４の形成面の凹凸をカバレージ良く埋込んで、平坦
性にすぐれた光透過性平坦化膜４を成膜できることによ
る。また、光透過性平坦化膜の厚さは、４００ｎｍ以
下、例えば２００〜３００ｎｍの厚さ、すなわち例えば
ランドＬ上で２００ｎｍ、グルーブＧで３００ｎｍの厚
さとする。そして、この光透過性平坦化膜４は、無機材
料膜、更にＳｉＯ₂を主体とする、例えばＳＯＧ（Spin
on Glass ）によって構成し得る。

【００３５】また、この光透過性平坦化４膜は、その形
成温度が、１５０℃以下の光透過性平坦化材料膜、例え
ば低温ハードコート材のＮＨＣＬＴ−１０１（０４２
１）（日産化学工業（株）製）によって構成することが
できる。このように、光透過性平坦化膜４を、１５０℃
以下の成膜温度による光透過性平坦化材料層によって構
成することによって、光記録媒体を構成する基板１を、
一般に耐熱性の低い、しかしながら廉価で量産性にすぐ
れた前述したような有機材料基板、例えばポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）や、ポリエーテルイミド（ＰＥ
Ｉ）というような耐熱性のある樹脂からなる樹脂基板等
の基板によって構成することができる。

【００３６】尚、光透過性平坦化膜４は、例えば２回以
上繰り返し形成する多層構造とすることもできる。

【００３７】また、光透過性平坦化膜４の形成面に、す
なわち成膜層３と光透過性平坦化膜４との間に、誘電体
下地層を介在させることができる。この誘電体下地層
は、記録層における照射光の反射を低減する光干渉膜構
成とするとか、光記録媒体の表面硬度を高める機能を有
する材料層とすることができる。

【００３８】この光透過性平坦化膜４の誘電体下地層の
材料としては、ＳｉＯ₂，ＳｉＮ，ＭｇＯ，ＡｌＯ，Ｔ
ａＯ等の酸化物、ＴｉＮ，ＢＮ，ＡｌＮ等の窒化物、Ｍ
ｇＦ，ＮａＡｌＦ等のハロゲン化物、ＺｎＳ等の硫化
物、あるいはこれらの混晶を用いることができる。ま
た、例えばＡｌＯＮ等の酸化窒化物を用いることもでき
る。このように、誘電体下地層を形成することにより光
ディスクの表面硬化が高められ、また、ＭＴＦを改善す
ることができる。

【００３９】しかしながら、光透過性平坦化膜４の誘電
体下地層は、必須のものではない。すなわち、例えば成
膜層３における誘電体層が、この誘電体下地層に求めら
れる機能を満たしているときは、言うまでもなく、この
誘電体下地層は省略できる。次に、本発明による光記録
媒体を例示するが、本発明はこの例に限定されるもので
はない。

【００４０】（相変化光記録媒体例）まず、光記録媒体
Ｍが、相変化光記録媒体である場合の一例について説明
する。この場合は、図２に概略断面図を示すように、例
えば深さ３０ｎｍのグルーブＧが形成され、グルーブ間
にランドＬが形成された微細凹凸２が形成された基板１
上に、順次例えば厚さ１００ｎｍのＡｌ合金膜よりなる
反射膜３ａ、例えば厚さ２０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ₂に
よる第１の誘電体膜３ｂ、記録層の例えば厚さ１２ｎｍ
のＧｅＳｂＴｅによる相変化記録層３ｃ、例えば厚さ８
０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ₂による第２の誘電体膜３ｄ
が、それぞれ例えばスパッタリングによって形成され
る。そして、この成膜層３上に、光透過性平坦化膜４の
形成がなされるが、この例においては、例えば厚さ２５
ｎｍのＳｉＮによる下地層４ａを介して厚さ６０ｎｍの
光透過性平坦化膜４と、更にその上に例えば厚さ２５ｎ
ｍのＳｉＮによる表面層４ｂが形成される。この場合、
光透過性平坦化膜４は、例えばＦＴＰによる表面研磨が
なされる。更に、この光透過性平坦化膜４上に形成する
表面層４ｂについても、例えばＦＴＰによる表面研磨が
なされる。

【００４１】（光磁気記録媒体例）また、例えば光磁気
記録媒体である場合には、記録層を有する成膜層３は、
例えば図３にその概略断面図を示すように、同様に深さ
が例えば３０ｎｍのグルーブが形成された微細凹凸２が
形成された基板１上に、順次例えば厚さ１００ｎｍのＡ
ｌ合金膜よりなる反射膜１３ａ、例えば厚さ２０ｎｍの
ＳｉＮによる誘電体膜１３ｂ、記録層を構成する例えば
厚さ３ｎｍのＧａＦｅＣｏによる第１の磁性膜１３ｃ、
例えば厚さ１５ｎｍのＴｅＦｅＣｏによる第２の磁性膜
３ｄが、それぞれ例えばスパッタリングによって形成さ
れる。そして、この成膜層３上に例えば厚さ２５ｎｍの
ＳｉＮによる下地層４ａを介して厚さ６０ｎｍの光透過
性平坦化膜４と、更にその上に例えば厚さ２５ｎｍのＳ
ｉＮによる表面層４ｂが形成される。

【００４２】この場合においても、光透過性平坦化膜４
は、例えばＦＴＰによる表面研磨がなされる。更に、こ
の光透過性平坦化膜４上に形成する表面層４ｂについて
も、例えばＦＴＰによる表面研磨がなされる。

【００４３】〔本発明光記録媒体に対する記録再生装
置〕次に、本発明による光記録媒体が適用されるニアフ
ィールド記録あるいは／および再生を行う記録再生装
置、特にそのヘッド部について説明する。図４は、その
ヘッド部２１の一例の概略断面図を示し、レーザビーム
Ｌが、対物レンズ２２により収束され、ソリッドイマー
ジョンレンズ（ＳＩＬ）２３に入射するようになされて
いる。対物レンズ２２およびＳＩＬ２３からなるレンズ
群はレンズホルダ２４に保持されている。レンズホルダ
２４は電磁アクチュエータ２５により光軸方向およびデ
ィスク面内方向に移動可能であり、これにより、レンズ
群の位置調整が行われる。また、対物レンズ２２とＳＩ
Ｌ２３は、同一のレンズホルダ２４に保持されているた
め、対物レンズ２２とＳＩＬ２３の距離は一定に保たれ
ている。

【００４４】ＳＩＬ２３は球形レンズの一部を切り取っ
た形状であり、球面を対物レンズ２２に対向させ、平面
である底面を光記録媒体Ｍに対向させて配置される。Ｓ
ＩＬ３は、レーザビームＬを無収差フォーカス（ｓｔｉ
ｇｍａｔｉｃｆｏｃｕｓｉｎｇ）するように設計され
ている。このヘッド部２１は、本発明による光記録媒体
Ｍの光透過性平坦化膜４側に例えば２００ｎｍ以下近接
対向して、記録あるいは／および再生がなされる。

【００４５】また、図５は、同様に、本発明による光記
録媒体Ｍが適用される他のニアフィールド記録あるいは
／および再生装置のヘッド部２１の一例の概略断面図
で、この例においても、レーザビームＬは対物レンズ２
２により収束され、ソリッドイマージョンレンズ（ＳＩ
Ｌ）２３に入射する。これら対物レンズ２２、ＳＩＬ２
３からなるレンズ群は、前述したと同様に、レンズホル
ダ２４に保持され（図示せず）、電磁アクチュエータ２
５（図示せず）により光軸方向および光記録媒体の面内
方向に移動可能とされ、スライダ２６に保持される。こ
のスライダ２６は、アーム２７により光記録媒体Ｍに向
かって弾性的に所要の押圧力が働くようになされ、光記
録媒体Ｍ例えば光ディスクの回転による空気流によるエ
アベアリングによって近接対向するように浮上するよう
になされている。そして、この場合においても、このヘ
ッド部２１は、本発明による光記録媒体Ｍの光透過性平
坦化膜４側に近接対向して、記録あるいは／および再生
がなされる。

【００４６】〔光記録媒体の製造方法〕次に、本発明に
よる光記録媒体の製造方法について説明する。本発明製
造方法においては、表面に上述した微細凹凸２が形成さ
れた基板１を製造する工程を有する。この微細凹凸２を
有する基板１は、例えばポリエーテルサルフォン（ＰＥ
Ｃ）を射出成形して形成する。あるいは例えば基板上に
紫外線硬化樹脂等が塗布され、２Ｐ法（Photopolymeriz
ation 法) によって微細凹凸２を成形する。

【００４７】この基板１上に、図６Ａに示すように、少
なくとも記録層を有し微細凹凸２が反映した微細凹凸３
ｓが表面に生じるように形成された成膜層３を例えばス
パッタリングによって形成する。図６Ａにおいては、例
えば異常放電によって棘状の突起５が発生した状態を示
している。その後、好ましくは図６Ａに概略断面図を示
すように、成膜層３の成膜に際して発生した例えば棘状
の突起５を、図６Ｂに示すように、排除ないしは切頭す
る研磨工程を行う。その後、図６Ｃに示すように、この
成膜層３上に、微細凹凸表面３ｓを埋込んで、光記録媒
体Ｍに対する記録、再生照射光に対して透過性を有する
単層もしくは多層の光透過性平坦化膜４を形成する。こ
の場合、図６Ｃに示すように、高い棘状の突起５が研磨
されていることから、光透過性平坦化膜４は良好に平坦
化がなされる。そして、更に、この光透過性平坦膜４の
表面を研磨して、この光透過性平坦化膜４の形成時に、
空気の巻き込み、パーティクルの被着等によって形成さ
れた図６Ｃ中破線図示の突起６を突起を研磨除去する。

【００４８】光透過性平坦化膜４の形成は、例えば無機
材料によるＳｉＯ₂を主体とする、例えばＳＯＧをスピ
ンコートによって塗布する工程と、例えば加熱によりこ
の無機材料を硬化させる工程による。あるいは形成温度
が、１５０℃以下の光透過性平坦化材料膜、例えば低温
ハードコート材のＮＨＣＬＴ−１０１（０４２１）
（日産化学工業（株）製）をスピンコートにより塗布す
る。

【００４９】この光透過性平坦化膜４の成膜に当たり、
図示しないが、必要に応じて成膜層３上に、例えば図２
あるいは図３で説明した例えば光記録媒体に対する照射
光、すなわち記録光、再生光層の反射を低減するとか、
表面硬度を高める効果を得る下地層４ａを形成すること
ができる。

【００５０】尚、上述の図６Ｂで説明した光透過性平坦
化膜４の形成面に対する突起５の除去ないしは切頭の研
磨処理は、光透過性平坦化膜４の膜厚が、成膜層３の膜
厚、すなわち発生する突起５の高さによって省略するこ
とができる場合もあるが、光透過性平坦化膜４の膜厚等
の制約によって、光透過性平坦化膜４によって埋込むこ
とが不充分の場合、光透過性平坦化膜４に大きな突起が
発生する。このような状態で、この突起を例えばフライ
ングテープポリッシュ（ＦＴＰ）によって研磨しても、
その研磨加工テープが、突起の先端にのみ圧接し、図７
に概略断面図を示すように、突起６は、なまった形状に
なるに過ぎず、表面研磨によっても充分除去されずに残
る場合がある。これに対して、図６で説明したように、
突起５の除去ないしは切頭の研磨を予め行って置くとき
は、このような不都合が回避され、これによってグライ
ドハイトは１００ｎｍ以下、例えば３０ｎｍ程度が実現
できた。

【００５１】次に、本発明による光記録媒体Ｍおよびそ
の製造方法の実施形態を挙げて更に詳細に説明するが、
本発明はこのような実施形態に限られるものではない。（実施形態１）この実施形態においては、光記録媒体Ｍ
が、波長約６５０ｎｍのレーザ光を用いて記録・再生を
行う相変化型光ディスクであり、図３に示す構造を有す
る。以下、図８を参照して本実施形態の光ディスクおよ
び製造方法について説明する。この光記録媒体Ｍにおい
ても、ランドとグルーブの双方に情報の記録がなされる
ランド・グルーブ記録態様を採る。基板１は、前述した
ように、例えば０．３〜１．２ｍｍ程度の膜厚を有し、
例えばポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）や、ポリエー
テルイミド（ＰＥＩ）というような耐熱性のある樹脂か
らなるプラスチック基板や、ガラス基板等である。

【００５２】基板１の表面には、トラッキング用のガイ
ドとなるスパイラル状のグルーブＧと隣り合うグルーブ
Ｇ間にランドＬを有する微細凹凸２が形成されている。
ランドＬとグルーブＧとの段差は、レーザ波長の１／６
とし、このようにすることによって、隣リ合うトラック
間、すなわち隣り合うランドとグルーブ間のクロストー
クを最小化できる。このようにして、記録密度を高める
ことができる。グルーブＧの深さはランドＬに対して例
えば１００ｎｍとする。

【００５３】この基板１の微細凹凸２上に、成膜層３が
スパッタリングによって形成される。この成膜層３は、
基板１の微細凹凸２を有する面に、反射膜３ａが形成さ
れる。この反射膜３ａは、例えば膜厚１００ｎｍのＡｌ
膜を有する。この反射膜の膜厚は、前述したように例え
ば５０〜２００ｎｍ程度とする。この反射膜３ａは、前
述したように、光ディスクに入射して記録層を透過した
光を反射するのみでなく、記録層からの熱拡散を促進さ
せる機能も有する。すなわち、記録層は、記録，再生光
の光吸収により記録層の温度は上昇するが、これを反射
膜によって適当に放熱させるヒートシンク効果を持たす
ことができる。すなわち、反射膜３ａの構成材料は、所
定の反射率と熱伝導率を有する材料によって構成する。

【００５４】そして、反射膜３ａ上に、例えば、膜厚２
０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂層透明誘電体層によるによる
第１の保護層３ｂと、膜厚２０ｎｍのＧｅＳｂＴｅ層に
よる相変化記録層３ｃと、膜厚１００ｎｍの同様に透明
誘電体層のＺｎＳ−ＳｉＯ₂層による第２の保護層３ｄ
を順次スパッタリングによって積層成膜した成膜層３を
形成する。

【００５５】そして、成膜層３上に、光透過性平坦化膜
４を形成するものであるが、その下地層４ａとして、例
えは、膜厚１５ｎｍのＳｉＯ₂層と、膜厚５０ｎｍのＳ
ｉＮ層とを順次同様にスパッタリングする。これら下地
層４ａは、この上に形成する光透過性平坦化膜４、保護
層等を含めて記録層３ｃに対し無反射条件となるように
形成される。

【００５６】光透過性平坦化膜４は、例えば、２００〜
３００ｎｍの厚さのＳｉＯ₂層によって構成し、例えは
グルーブＧで３００ｎｍ程度、ランドＬ上で２００ｎｍ
とすれば基板１の表面の段差が解消され、平坦な光ディ
スク表面が得られる。

【００５７】この構成によれば、ランド・グルーブ記
録、再生を行うことができる。したがって記録密度の高
い光記録媒体を構成できる。また、この実施形態の光デ
ィスクは、光透過性平坦化膜４の表面が表面研磨された
平面化されており、ニアフィールドで用いられる場合に
光ディスクが光ディスク装置の光学系に対して損傷を与
えるのを防止することができる。

【００５８】次に、この本実施形態における光記録媒体
の製造方法について説明する。この場合、表面にグルー
ブＧによる微細凹凸３を有する基板１を、樹脂基板によ
って構成する場合は、例えば射出成形によって形成す
る。すなわち、成型金型内に、微細凹凸３を転写形成す
ることのできる微細凸凹を有するスタンパーを金型のキ
ャビティ内に配置し、このキャビティ内に加熱溶融され
た樹脂を高速で射出し、冷却することにより成型する。
あるいは、ガラス基板等による基板１を用いる場合は、
例えば２Ｐ法（Photopolymerization 法) によって形成
する。

【００５９】次に、このランドＬおよびグルーブＧが形
成された基板１の表面に、例えばスパッタリングにより
反射膜３ａを形成する。このスパッタリングは例えばイ
オンビームスパッタリングによることができる。そし
て、この反射膜３ａ上に、上述したＺｎＳ−ＳｉＯ₂に
よる第１の保護層３ｂ、ＧｅＳｂＴｅよる記録層３ｃ、
およびＺｎＳ−ＳｉＯ₂による第２の保護層３ｄを順次
スパッタリングして成膜層３を形成する。更に必要に応
じて上述した下地層４ａを例えばスパッタリングにより
形成する。

【００６０】次に、ＳｉＯ₂等の無機材料からなる光透
過性平坦化膜４を例えばスピンコート法により形成す
る。例えは、ＡＣＣＵＧＬＡＳＳＴ−１１シリーズ
（Alliedsｅｄ Signal 社製商品名）等の材料を溶液状
態で塗布してから、加熱して膜質を安定させることによ
りＳＯＧ膜が形成される。

【００６１】そして、この光透過性平坦化膜４に対する
表面研磨を行って表面の平坦性を高める。この光透過性
平坦化膜４は無機材料からなるため、例えば紫外線硬化
樹脂等の有機材料による場合と異なり、ＦＴＰによる研
磨が可能となる。すなわち、この光透過性平坦化膜４の
スピンコートする工程で、気泡やパーティクル等が膜中
に取り込まれ、前述した突起６の発生が生じる場合があ
るが、この突起はＦＴＰによって効果的に除去すること
ができる。このようにして、本発明による相変化光記録
媒体Ｍ、例えば相変化型光ディスクが形成される。

【００６２】（実施形態２）この実施形態の光記録媒体
Ｍは、波長約６５０ｎｍ半導体レーザ光を用いて記録・
再生が行われるランド・グルーブ記録の光磁気ディスク
であり、図９に示す構造を有する。この例では基板１上
に成膜層１３が形成される。これら基板１および成膜層
１３の反射膜１３ａは、実施形態１の基板１と反射膜１
３ａと同様の構成および方法によって形成することがで
きる。

【００６３】成膜層１３は、反射膜１３ａ上に、例え
ば、膜厚２０ｎｍのＳｉＮ層による第１の誘電体膜１３
ｂと、膜厚４ｎｍのＧｄＦｅＣｏ層による第１の磁性膜
１３ｃと、膜厚２０ｎｍのＴｂＦｅＣｏ層による第２の
磁性膜１３ｄとが例えばそれぞれスパッタリングによっ
て形成される。成膜層１３上には、膜厚１００ｎｍのＳ
ｉＮ層によって下地層４ａが形成される。第２の磁性層
１３ｄは、上述のレーザ照射によって磁化の状態が変化
する材料、例えば上述したＴｂＦｅＣｏのアモルファス
合金等が用いられる。具体的には、例えばＴｂ（Ｆｅ₉₀
Ｃｏ₁₀）あるいはＴｂ（Ｆｅ₈₅Ｃｏ₁₅）等が用いられ、
Ｃｏの組成比が低いほどキュリー温度が低く、低い記録
光強度で記録を行うことができる。

【００６４】成膜層１３上には下地層４ａを介して光透
過性平坦化膜４が形成される。下地層４ａおよび光透過
性平坦化膜４は、実施形態１と同様の構成とすることが
できる。

【００６５】また、この実施形態における光記録媒体Ｍ
の製造方法は、実施形態１と同様の方法を採ることがで
きる。

【００６６】そして、この場合においても、ランド・グ
ルーブ記録による記録密度化が図られ、またニアフィー
ルドで用いられる場合に光ディスクが光ディスク装置の
光学系に対して損傷を与えるのを防止することができ
る。

【００６７】次に、上述した光透過性平坦化膜４、ある
いはこれの下地に対するＦＴＰによる研磨装置の例を挙
げて説明する。〔研磨装置〕図１０は、この研磨装置の光ディスクによ
る光記録媒体Ｍの光透過性平坦化膜４に対する研磨状態
の概略斜視図を示す。光記録媒体Ｍを、矢印ｂのように
回転させ、研磨加工テープ４１を、光記録媒体Ｍの光透
過性平坦化膜４上に、媒体面に沿い、かつその回転方向
（矢印ｃの方向に）沿うタンジェンシャル方向に移行さ
せる。このとき、光記録媒体Ｍの回転速度は、その各部
の線速度が、研磨加工テープ４１の移行速度より充分大
きく選定される。一方、加工テープ４１上から加圧手
段、この例では、加工テープ４１との接触により加工テ
ーブ４１の移行に伴って回転する加圧ロール４２を、そ
の軸方向が加工テープ４１の幅方向となり、光記録媒体
Ｍの半径方向に差し渡るように配置する。この加圧ロー
ル４２は、加工テープ４１を、所要の圧力をもって光デ
ィスクに向かって押圧する。このとき、加工テープ４１
と、光記録媒体面との間には空気潤滑面が存在するが、
加圧ロール４２の押圧によって、この加圧ロールの周面
の軸方向に沿うほぼ直線に加工テープ４１を、光記録媒
体Ｍの光透過性平坦化膜４に加圧され、これによって光
透過性平坦化膜４に突起６が存在する場合、この突起６
において加工テープ４が接触してこれを研磨することに
なる。この加工テープ４１は、例えばアルミナＡｌ₂Ｏ
₃あるいはグリーンカーバイトを主成分とする♯５００
０〜♯１５０００のテープ状研磨シートによる。

【００６８】この研磨によって、有効に光透過性平坦化
膜４の、空気の巻き込み、塵埃等のいわゆるパーティク
ルの巻き込みによる突起を研磨し、表面の平坦性、平面
性が高められる。

【００６９】図１１は、他の研磨装置の例を示し、この
例では、圧接手段が、気体吹きつけを行うノズル、例え
ばエアノズル４３によって構成されており、この場合，
エアノズル４３からエアが、光ディスクすなわち光記録
媒体Ｍの面にほぼ垂直方向に吹きつけられて、加工テー
プ４１を、光記録媒体面に小面積の加圧部４４をもって
圧接することができる。そして、この場合、エアノズル
４３は、光ディスクの半径方向に移行走査するようにな
される。

【００７０】上述した研磨装置によれば、研磨加工テー
プ４１が、局部的圧接によって研磨がなされることか
ら、突起の研磨を効果的に行うことができる。

【００７１】しかしながら、前述したように、光透過性
平坦化膜４の成膜前に、成膜層３、１３の成膜に際して
発生した例えば棘状の突起５の排除ないしは切頭を行う
研磨工程を行うときは前述したように、より確実に光透
過性平坦化膜４の、表面平坦性をより高めることができ
る。すなわち、図６および図７で説明したように、記録
層等の成膜層３、１３を例えばスパッタリングによって
成膜するとき、前述したように異常放電等によって棘状
の突起５が発生する場合がある。この突起５の高さは一
般に成膜の厚さ程度であり、成膜層３の各構成膜の厚さ
は、前述したように、成膜層３の膜厚の数ｎｍ〜数１０
０ｎｍ程度であるので、光透過性平坦化膜の厚さを１０
０ｎｍ程度とすると、この突起５を光透過性平坦膜４に
よって充分覆ことができない。このため、光透過性平坦
化膜４に対し、上述した研磨方法による研磨に際して、
加工テープが突起に倣ってしまい、充分にこと突起５を
切頭するように研磨することができず、図７に模式的に
示すような、突起６が形成されてしまう。したがって、
この場合、実際にはグライドハイトを５０ｎｍ以下にす
ることは困難である。これに対して、上述したように、
光透過性平坦化膜４の形成前に、突起５の除去もしくは
切頭を行うときは、グライドハイトは３０ｎｍ以下にも
小さくすることができた。

【００７２】尚、本発明の光記録媒体およびその製造方
法の例は、上述の説明に限定されない。例えば、光透過
性平坦化膜４の表面にＦＴＰによる研磨を行うかわり
に、ハードディスク等の磁気記録装置の製造に使用され
るグライドヘッドを用いて研磨を行ってもよい。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可
能である。

【００７３】

【発明の効果】上述したように、本発明による光記録媒
体、本発明による製造方法によって得た光記録媒体によ
れば、表面が平坦化され、ニアフィールドで使用される
場合にも光学系に損傷を与えことが効果的に回避され
る。また、本発明によれば、ランドとグルーブの両方に
記録可能な光記録媒体を構成することができることか
ら、高記録密度が図られる。

【００７４】また、本発明において、１５０℃以下の形
成温度による光透過性平坦化膜としたことにより、光記
録媒体を構成する基板を、樹脂基板すなわち廉価で射出
成型による大量生産が可能となることによって、光記録
媒体の価格の低減化を図ることができる。

【００７５】更に、光透過性平坦化膜の形成前に、突起
の除去ないしは切頭を行うことから最終的に、充分膜厚
が薄く、かつ表面平坦性にすぐれた光記録媒体を構成す
ることができ、よりニアフィールド化が図られ、高Ｎ．
Ａ．を可能にし、高記録密度化を図ることができる。本
発明の光記録媒体の製造方法によれば、表面が平坦化、
平面化されることにより、光記録媒体の製造において歩
留りの向上が図られる。

【００７６】また、光記録媒体の表面の平面性の向上に
よって、この光記録媒体に対する記録、再生を行うヘッ
ド部すなわちピックアップ装置の長寿命化、安定動作を
行うことができるなど多くの利益を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光記録媒体の基本的構成の概略断
面図である。

【図２】本発明による光記録媒体の一例の概略断面図で
ある。

【図３】本発明による光記録媒体の他の一例の概略断面
図である。

【図４】本発明による光記録媒体に適用する記録、再生
装置のヘッド部の一例の断面図である。

【図５】本発明による光記録媒体に適用する記録、再生
装置のヘッド部の他の一例の断面図である。

【図６】Ａ〜Ｃは、光透過性平坦化膜の形成前の研磨の
説明図である。

【図７】本発明による光記録媒体の製造方法の説明図で
ある。

【図８】本発明の実施形態の一例の光記録媒体の概略断
面図である。

【図９】本発明の実施形態の一例の光記録媒体の概略断
面図である。

【図１０】本発明による研磨装置の一例の斜視図であ
る。

【図１１】本発明による研磨装置の一例の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・微細凹凸、３，１３・・・成膜
層、４・・・光透過性平坦化膜，５、６・・・突起、２
１・・・ヘッド部、２２・・・対物レンズ、２３・・・
ＳＩＬ、２４・・・レンズホルダ、２５・・・電磁アク
チュエータ、２６・・・スライダ、２７・・・アーム、
４１・・・研磨加工テープ、４２・・・加圧ロール、４
３・・・ノズル、４４・・・加圧部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ 11/105 ５０１ 11/105 ５０１Ｚ５０１Ａ５２１５２１Ｅ５２６５２６Ｆ５３１５３１Ａ５３１Ｈ５３１Ｐ５３１Ｄ５３１Ｅ５４６５４６Ｆ５４６Ｂ５４６Ｇ５４６Ｅ (72)発明者斉藤公博東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者大里潔東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光照射により情報の記録および再生の少
なくとも一方を行う光記録媒体であって、上記光照射がなされる側の表面に微細凹凸が形成された
基板上に、表面が上記微細凹凸が反映した微細凹凸表面とされ、少
なくとも記録層を有する成膜層上を有し、上記微細凹凸表面を埋込んで上記照射光に対して透過性
を有し、表面研磨がなされた研磨可能な硬度を有する光
透過性平坦化膜を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】上記成膜層が、上記基体上に形成された
反射膜を有することを特徴とする請求項１に記載の光記
録媒体。
【請求項３】上記光透過性平坦化膜が、無機平坦化材
料より成ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒
体。
【請求項４】上記光透過性平坦化膜が、形成温度１５
０℃以下の平坦化材料より成ることを特徴とする請求項
１に記載の光記録媒体。
【請求項５】上記基板が有機材料基板より成り、上記光透過性平坦化膜が、形成温度１５０℃以下の成膜
材料より成ることを特徴とする請求項１に記載の光記録
媒体。
【請求項６】上記光透過性平坦化膜が、スピンコート
平坦化材料より成ることを特徴とする請求項１に記載の
光記録媒体。
【請求項７】上記成膜層の少なくとも１層がスパッタ
リング膜より成ることを特徴とする請求項１に記載の光
記録媒体。
【請求項８】上記光透過性平坦化膜の厚さが、４００
ｎｍ以下の厚さとされたことを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。
【請求項９】上記光透過性平坦化膜の厚さが、上記光
透過性平坦化膜の厚さ以下とされたことを特徴とする請
求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１０】上記光透過性平坦化膜の厚さが、１０
０ｎｍ以下とされたことを特徴とする請求項１に記載の
光記録媒体。
【請求項１１】上記光透過性平坦化膜は、ＳｉＯ₂を
主成分とするスピンコート平坦化材料より成ることを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１２】上記光透過性平坦化膜は、光記録媒体
の表面に、近接対向して配置される上記光照射を行う光
学系に損傷を与える突起が排除された高い平面性を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１３】上記微細凹凸は、ランドとグルーブと
を有し、上記ランドとグルーブとの高低差は、上記照射光に対し
て相互作用が少ない高低差に選定され、上記ランドとグルーブとのいずれか一方、もしくはその
双方の上記記録層に上記情報の記録がなされることを特
徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１４】上記光透過性平坦化膜の形成面に、誘
電体下地層を形成させたことを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。
【請求項１５】上記光透過性平坦化膜の形成面に、誘
電体下地層が形成され、上記記録層に対する照射光の照
射効率を高めることを特徴とする請求項１に記載の光記
録媒体。
【請求項１６】上記光透過性平坦化膜の形成面に、誘
電体下地層が形成されて光記録媒体の表面硬度を高めた
ことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１７】上記記録層は、上記光照射により低反
射率のアモルファス状態と高反射率の結晶状態の間で相
変化する材料層を有して成ることを特徴とする請求項１
に記載の光記録媒体。
【請求項１８】上記記録層は、上記光照射により磁化
状態が変化する材料層を有して成ることを特徴とする請
求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１９】光照射により情報の記録および再生の
少なくとも一方を行う光記録媒体の製造方法であって、上記光照射がなされる側の表面に微細凹凸が形成された
基板の製造工程と、該基板上に、上記微細凹凸が反映した微細凹凸表面とさ
れ少なくとも記録を層を有する成膜層の形成工程と、該成膜層上に上記微細凹凸表面を埋込んで、上記照射光
に対して透過性を有し、研磨可能な硬度を有する光透過
性平坦化膜の形成工程と、少なくとも該光透過性平坦膜の表面を研磨する工程とを
有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項２０】上記光透過性平坦膜の形成工程前に、
上記基板表面の突起部を除去ないしは切頭する工程を有
することを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体の
製造方法。
【請求項２１】上記研磨工程が、フライングテープポ
リッシュ（ＦＴＰ）工程であることを特徴とする請求項
１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項２２】上記成膜層の形成工程において、上記基板上に反射膜を形成する工程を有することを特徴
とする請求項１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項２３】上記成膜層の形成工程が、スパッタリ
ング法による成膜方法であることを特徴とする請求項１
９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項２４】上記光透過性平坦膜の形成を１５０℃
以下の温度で行うことを特徴とする請求項１９に記載の
光記録媒体の製造方法。
【請求項２５】上記基板を有機材料基板により作製
し、上記光透過性平坦膜の形成を１５０℃以下の温度で行う
ことを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体の製造
方法。
【請求項２６】上記光透過性平坦化膜の形成を、無機
材料のスピンコート法によって行うことを特徴とする請
求項１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項２７】上記光透過性平坦化膜の厚さを４００
ｎｍ以下の厚さに形成することを特徴とする請求項１９
に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項２８】上記光透過性平坦化膜の厚さを、上記
成膜層の厚さ以下に形成することを特徴とする請求項１
９に記載の光記録媒体ん製造方法。
【請求項２９】上記光透過性平坦化膜を、ＳｉＯ₂を
主成分とする平坦化材料をスピンコート法によって形成
することを特徴とする請求項１９に記載の光記録媒体の
製造方法。
【請求項３０】上記微細凹凸は、ランドとグルーブと
を有し、該ランドとグルーブとの高低差は、上記照射光に対して
相互作用が少ない高低差に選定され、上記ランドとグルーブとのいずれか一方もしくはその双
方の、上記記録層を上記情報の記録部とすることを特徴
とする請求項１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３１】上記少なくとも記録層を有する成膜層
の形成工程の後に、上記成膜層表面に誘電体下地層を形成する工程を経て光
透過性平坦化膜の形成工程を行うことを特徴とする請求
項１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３２】上記少なくとも記録層を有する成膜層
の形成工程の後に、上記記録層表面に誘電体下地層を形成する工程を経て光
透過性平坦化膜の形成工程を行い、上記誘電体下地層は、光記録媒体の表面硬度を高める材
料層によって形成することを特徴とする請求項１９に記
載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３３】上記記録層は、上記光照射により低反
射率のアモルファス状態と高反射率の結晶状態の間で相
変化する材料層によって形成することを特徴とする請求
項１９に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３４】上記記録層は、上記光照射により磁化
状態が変化する材料層によって形成することを特徴とす
る請求項１９に記載の光記録媒体の製造方法。