JP2003016704A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

光磁気記録媒体およびその製造方法

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JP2003016704A JP2001199741A JP2001199741A JP2003016704A JP 2003016704 A JP2003016704 A JP 2003016704A JP 2001199741 A JP2001199741 A JP 2001199741A JP 2001199741 A JP2001199741 A JP 2001199741A JP 2003016704 A JP2003016704 A JP 2003016704A
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magneto
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magnetic
optical recording
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Yutaka Wada
豊 和田
Hiroshi Nakayama
比呂史 中山
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録／再生のレーザ光のパワーマージンを十
分に確保して、記録マーク長を微小化しトラックピッチ
を狭小化して記録密度を高密度化し、記憶容量の大容量
化を図りつつ、良好な信号特性を保って再生し、高信頼
性を確保する。 【解決手段】 ディスク基板２のランドおよびグルーブ
が存在する一主面に、第１の誘電体層３と、室温で垂直
磁気異方性を有する第１の磁性層４、室温で面内磁気異
方性を有する第２の磁性層５、および室温で垂直磁気異
方性を有する第３の磁性層６を順次積層した多層磁性膜
１０と、第２の誘電体層７と、反射層８と、保護層９と
を順次積層して光磁気ディスク１を構成する。第２の磁
性層５の飽和磁化を8.80×10-2〜1.76×10-1Wb/m2と
し、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を0.6〜3.0Paとす
る。第３の磁性層６におけるＣｏの含有率を15〜17atom
％とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光磁気記録媒体
およびその製造方法に関し、特に、磁気超解像(Magneti
cally Induced Super Resolution)再生が可能な光磁気
ディスク、光磁気テープおよび光磁気カードに適用して
好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気ディスクにおける記録マー
クの高密度化に伴って、記録容量のさらなる増大化が進
められている。このように記録容量を増加させるため
に、記録マーク長を小さくするとともに、トラックピッ
チを狭小化させ、記録ピットを微小化させて高密度化を
図る方法が図られている。
【０００３】この高密度化に有効な手段として、レーザ
光のスポット径よりも小さい記録マークを再生可能な、
磁気超解像技術（ＭＳＲ）が提案されている（例えば、
特開2000-200448公報）。この磁気超解像技術は、主な
磁性積層膜が、第１の磁性層、第２の磁性層および第３
の磁性層からなる場合に、第２の磁性層が室温で面内磁
化を持つことによって、レーザ光のスポット内におい
て、低温部分で磁化を初期化磁界方向に向け、第３の磁
性層に記録した情報信号の転写を遮断する。また、中温
度部分では、垂直磁化となることによって、磁性層同士
の交換結合力により信号の転写を補助し、さらに高温部
では、キュリー温度ＴCで磁化を消失させることによっ
て、第１の磁性層への転写を遮断し、レーザ光のスポッ
ト径よりも小さい信号の再生を可能にする。
【０００４】具体的には、図１４に示すように、光磁気
ディスク１００において、第１の磁性層を再生層１０
１、第２の磁性層を中間層１０２、および第３の磁性層
を記録層１０３とした場合に、光磁気ディスク１００を
回転させるとともに、再生用のレーザ光を磁性積層膜に
照射した際に、光磁気ディスク１００に温度分布が生じ
る。なお、図１４中の矢印は、光磁気ディスク１００に
おける再生時の磁化状態を示す。
【０００５】そして、温度分布が生じた状態において、
低温領域では、中間層１０２と記録層１０３との間に作
用する交換結合力よりも再生磁界が大きい場合に、中間
層１０２の磁化方向が再生磁界と同方向に揃う。中間層
１０２と交換結合した再生層１０１の磁化方向は記録マ
ークと無関係に再生磁界と逆方向に揃い、これによりフ
ロントマスクが形成される。高温領域では、再生層１０
１と中間層１０２との間に作用する交換結合力が切断さ
れ、再生層１０１の磁化方向が再生磁界と同方向に揃う
ことにより、リアマスクが形成される。中間温度領域で
は、再生層１０１、中間層１０２および記録層１０３間
に再生磁界よりも大きな交換結合力が働いており、記録
層１０３の磁化方向が再生層１０１に転写される。
【０００６】このように光磁気ディスク１００の磁気光
学的出力を検出した際に、レーザ光のスポット内におい
て低温領域および高温領域にマスクが形成されている。
そのため、このマスクが形成された領域の磁気信号が再
生されることなく、中間温度領域のみから光磁気信号を
再生することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
記録マークの微小化を図るためには、読み出す信号にお
ける振幅の急激な低下が問題になる。このため、光磁気
ディスクにおいて、今後のさらなる高密度化を図るため
には、信号検出における磁気的分解能の改善が必要にな
る。
【０００８】また、光学ピックアップから照射されるレ
ーザ光は、その強度にばらつきがある。さらに、この磁
気超解像動作（ＭＳＲ動作）は、レーザ光の強度に対し
て非常に敏感であるため、磁気的分解能の向上ととも
に、記録パワーに対するマージンの狭小化の抑制も必要
になる。
【０００９】そのため、記録マークを微小化し、トラッ
クピッチを狭小化した場合においても、記録パワーに対
するマージンを狭めることなく、磁気的分解能を向上さ
せて、再生における光学特性を満足する光磁気記録媒体
の技術の開発が熱望されていた。
【００１０】したがって、この発明の目的は、レーザ光
のパワーマージンを、記録可能および／または再生可能
な十分な範囲で確保することができ、これにより、記録
マーク長が微小化され、トラックピッチが狭小化された
光磁気記録媒体に記録された情報信号を、良好な信号特
性を保ちつつ再生して、記録密度の高密度化を図ること
ができ、大容量化が図られた高信頼性を有する光磁気記
録媒体およびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、基板上に、室温で垂直磁
気異方性を有する第１の磁性層と、室温で面内磁気異方
性を有する第２の磁性層と、室温で垂直磁気異方性を有
する第３の磁性層とが順次積層された多層磁性膜が設け
られ、多層磁性膜にレーザ光を照射することにより、情
報信号を記録可能および／または再生可能に構成された
光磁気記録媒体において、第２の磁性層の飽和磁化が、
８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2より大きく１．７６×１０
-1Ｗｂ／ｍ2未満であることを特徴とするものである。
【００１２】この第１の発明において、第２の磁性層の
膜厚は、典型的には、２５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であ
り、好適には、２８ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【００１３】この第１の発明において、第１の磁性層の
飽和磁化は、典型的には、８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2
以下であり、好適には、１．００×１０-2Ｗｂ／ｍ2以
上である。
【００１４】この第１の発明において、典型的には、多
層磁性膜は、基板における凹凸の溝トラックが形成され
た一主面に設けられており、この基板は平面円環形状を
有する。
【００１５】この発明の第２の発明は、基板の一主面上
に、室温で垂直磁気異方性を有する第１の磁性層と、室
温で面内磁気異方性を有する第２の磁性層と、室温で垂
直磁気異方性を有する第３の磁性層とを順次積層して多
層磁性膜を形成し、多層磁性膜にレーザ光を照射するこ
とにより、情報信号を記録可能および／または再生可能
に構成された光磁気記録媒体の製造方法において、第２
の磁性層を形成するときの気体の圧力を、０．６Ｐａよ
り高く３．０Ｐａ以下とすることを特徴とするものであ
る。
【００１６】この第２の発明において、典型的には、第
１の磁性層を、第１の磁性層の飽和磁化が８．８０×１
０-2Ｗｂ／ｍ2以下になるように成膜し、好適には、さ
らに、１．００×１０-2Ｗｂ／ｍ2以上になるように成
膜する。
【００１７】この第２の発明において、典型的には、第
２の磁性層を、第２の磁性層の飽和磁化が８．８０×１
０-2Ｗｂ／ｍ2より大きく１．７６×１０-1Ｗｂ／ｍ2未
満になるように成膜する。
【００１８】この発明において、典型的には、第３の磁
性層におけるＣｏの含有率を、１５原子パーセント以上
１７原子パーセント以下にする。
【００１９】この発明において、典型的には、多層磁性
膜は、凹凸の溝トラックが形成された基板の一主面に設
けられている。また、この基板は平面円環形状を有し、
さらに、この基板の一主面における溝トラックのトラッ
クピッチを、０．４７・λ／ＮＡμｍ以上、０．８３・
λ／ＮＡμｍ以下とする。
【００２０】この発明において、典型的には、第２の磁
性層におけるキュリー温度は、第１の磁性層のキュリー
温度および第３の磁性層のキュリー温度のうちの小さい
温度より小さい。また、この発明において、典型的に
は、第２の磁性層を、膜厚が３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下
になるように成膜する。
【００２１】この発明は、典型的には、基板の凹凸の溝
トラックが設けられた一主面におけるランドおよびグル
ーブともに情報信号を記録する、いわゆるランド・グル
ーブ記録方式を採用した光磁気記録媒体に適用される
が、情報信号をランド部に記録する、いわゆるランド記
録方式、または情報信号をグルーブに記録する、いわゆ
るグルーブ記録方式を採用した光磁気記録媒体に適用す
ることも可能である。
【００２２】この発明は、典型的には、再生光スポット
内の後方の高温部で信号を検出する、ＲＡＤ(Rear Aper
ture Detection)と称される再生方法に適用され、具体
的にはＤ−ＲＡＤと称される、スポットの進行方向の前
方および後方にマスクを形成するダブルマスク型のＲＡ
Ｄ方式を採用した光磁気記録媒体に適用される。なお、
ＲＡＤ方式は、スポット内のこのスポットの幅より小さ
い幅を有する高温領域が記録マークの検出領域となるこ
とから、スポットの低温領域Ｃを検出領域とするＦＡＤ
方式と比較して、その検出領域のトラック方向の幅が狭
く、隣接トラックからのクロストークが少なく、記録密
度の高密度化に寄与する割合が大きい。
【００２３】上述のように構成された、この発明によれ
ば、室温で面内磁気異方性を有する第２の磁性層を有す
る多層磁性膜が設けられた光磁気記録媒体において、第
２の磁性層の成膜時の気体の圧力を０．６Ｐａより高く
３．０Ｐａ以下とし、第２の磁性層の室温における飽和
磁化を８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2より大きく１．７６
×１０-1Ｗｂ／ｍ2未満にしていることにより、レーザ
光の記録パワーマージンおよび再生パワーマージンを十
分な範囲で確保しつつ、ジッター特性の向上を図ること
ができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。なお、以下の一実施
形態の全図においては、同一または対応する部分には同
一の符号を付す。
【００２５】まず、この発明の一実施形態による光磁気
ディスクについて説明する。図１はこの第１の実施形態
による光磁気ディスクを示す。
【００２６】図１に示すように、この一実施形態による
光磁気ディスク１は、ディスク基板２の一主面に、第１
の誘電体層３、第１の磁性層４、第２の磁性層５、第３
の磁性層６、第２の誘電体層７、反射層８および保護層
９が、順次積層されて構成されている。
【００２７】ディスク基板２は、例えば射出成形法によ
り樹脂材料をディスク状に成形したものからなる。この
樹脂材料としては、例えばガラス２Ｐなどやポリカーボ
ネート（ＰＣ）などの合成樹脂材料が用いられ、この一
実施形態においては、例えばＰＣからなるＰＣ基板が用
いられる。また、ディスク基板２の一主面には、ランド
およびグルーブからなる凹凸の溝トラックが形成されて
いる。また、このディスク基板２の寸法の一例を挙げる
と、厚さｔを１．２ｍｍ、直径φを８６ｍｍ（３．５イ
ンチ）、トラックピッチＴｐを０．６７μｍ、グルーブ
深さを５０ｎｍとする。なお、ディスク基板２として
は、少なくとも、光磁気ディスク１に対して情報信号の
記録および／または再生を行う際に用いられるレーザ光
を透過可能な材料から構成される基板であれば、いかな
る基板を用いてもよく、厚さｔ、直径φ、トラックピッ
チＴｐおよびグルーブ深さに関しても上述の値以外の値
としても良い。また、ディスク基板２のレーザ光が照射
される側の面に、紫外線硬化樹脂などの保護層を設ける
ようにしても良い。
【００２８】また、ディスク基板２の一主面上に設けら
れた第１の誘電体層３は、例えば膜厚が８０ｎｍの窒化
シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）からなる。この第１の誘電体層３
は、第１の磁性層４、第２の磁性層５および第３の磁性
層６を水分などから保護するためのものであるととも
に、第１の磁性層４における光磁気効果を光学的にエン
ハンスするためのものである。
【００２９】また、第１の誘電体層３上に設けられた第
１の磁性層４は、膜厚が例えば４０ｎｍ程度の、希土類
金属のＧｄと、遷移金属のＦｅおよびＣｏとからなる希
土類合金（ＧｄＦｅＣｏ）膜、遷移金属磁化優勢（以
下、ＴＭリッチ）で、垂直方向、すなわち積層方向に磁
化容易軸を有している。また、第１の磁性層４の室温
（１０℃〜３５℃）での飽和磁化Ｍｓ1は、本発明者の
実験により得た知見によれば、再生信号の劣化を抑制す
るために、８．８×１０-2Ｗｂ／ｍ2以下である必要が
ある。したがって、飽和磁化Ｍｓ1は、８．８×１０-2
Ｗｂ／ｍ2（７０ｅｍｕ／ｃｃ）以下から選ばれ、この
一実施形態においては、例えば３．８×１０-2Ｗｂ／ｍ
2（３０ｅｍｕ／ｃｃ）程度に選ばれる。また、必要に
応じて、１．０×１０-2Ｗｂ／ｍ2（８ｅｍｕ／ｃｃ）
以上にすることも可能である。この飽和磁化Ｍｓ1は、
１７０℃付近まで温度とともに上昇する。また、キュリ
ー温度ＴC 1はほぼ３００℃程度であり、室温での保磁力
ＨC1は、例えば１．１９×１０5Ａ／ｍ以下である。
【００３０】また、第１の磁性層４上に設けられた第２
の磁性層５は、例えばＧｄＦｅＣｏＳｉ膜からなる。な
お、非磁性元素であるＳｉは、キュリー温度ＴC2を低く
設定するための元素であり、Ｓｉの代わりにＡｌやＣｒ
などの元素を添加することも可能である。また、この第
２の磁性層５におけるキュリー温度ＴC2は、２００℃程
度である。この第２の磁性層５は、キュリー温度ＴC2ま
で補償温度が見られない希土類磁化優勢（以下、ＲＥリ
ッチ）であり、室温（１０℃〜３５℃）では面内方向に
磁化容易軸を有している。そして、この磁化容易軸は、
室温より高い所定温度以上になると面内方向から垂直方
向に変化する。
【００３１】また、第２の磁性層５の膜厚においては、
磁壁の厚さが２５ｎｍ程度であるため、具体的には、２
５ｎｍ以上にする必要があり、２８ｎｍ以上が好まし
い。また、本発明者の知見によれば、第２の磁性層５の
膜厚を大きくしすぎると、感度が低下したりジッターが
上昇したりして、再生信号品質が低下してしまう。その
ため、第２の磁性層５の膜厚は、典型的には、２５〜６
０ｎｍの範囲、好適には、２９〜３５ｎｍの範囲から選
ばれ、この一実施形態においては、例えば３２ｎｍに選
ばれる。
【００３２】また、第２の磁性層５の室温（１０℃〜３
５℃）での飽和磁化Ｍｓ2は、磁気超解像（ＭＳＲ）動
作を行うために、第１の磁性層４の飽和磁化Ｍｓ1以上
（Ｍｓ2≧Ｍｓ1）である必要がある。そして、この第１
の磁性層４の飽和磁化Ｍｓ1と第２の磁性層５の飽和磁
化Ｍｓ2との差が、ＭＳＲ動作におけるフロントマスク
の形成に影響を与えるため、８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ
2（７０ｅｍｕ／ｃｃ）より大きいことが望ましく、他
方、ジッターの上昇や記録パワーマージンの減少を抑制
するために、１．７６×１０-1Ｗｂ／ｍ2未満が望まし
い。したがって、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2は、
典型的には、８．８０×１０-2〜１．７６×１０-1Ｗｂ
／ｍ2（７０〜１４０ｅｍｕ／ｃｃ）、好適には、１．
１３×１０-1〜１．３４×１０-1Ｗｂ／ｍ2（９０〜１
０７ｅｍｕ／ｃｃ）から選ばれ、この一実施形態におい
ては、例えば１．２２×１０-1Ｗｂ／ｍ2（９７ｅｍｕ
／ｃｃ）または１．３４×１０-1Ｗｂ／ｍ2（１０７ｅ
ｍｕ／ｃｃ）に選ばれる。そして、この飽和磁化Ｍｓ2
は、キュリー温度ＴC2まで単調に減少する。なお、第２
の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2に関する詳細は後述する。
【００３３】また、第２の磁性層５上に設けられた第３
の磁性層６は、例えば、希土類金属のＴｂと、遷移金属
のＦｅおよびＣｏとからなる希土類合金（ＴｂＦｅＣ
ｏ）膜からなり、ＴＭリッチで、垂直方向に磁化容易軸
を有している。この第３の磁性層６は光磁気効果を生
じ、情報信号を記録するためのものである。また、第３
の磁性層６において、室温での飽和磁化Ｍｓ3は８．８
０×１０-2〜１．８８×１０-2Ｗｂ／ｍ2（７０〜１５
０ｅｍｕ／ｃｃ）であり、１５０℃程度まで温度ととも
に上昇する。また、キュリー温度ＴC3はほぼ３００℃で
あり、室温での保磁力ＨC3の値は７．９６×１０5Ａ／
ｍ（１０ｋＯｅ）以上である。また、第３の磁性層６の
膜厚は、例えば４５ｎｍである。
【００３４】そして、上述の第１の磁性層４、第２の磁
性層５および第３の磁性層６により、ＭＳＲ動作を可能
にする多層磁性膜１０が構成されている。ここで、これ
らの第１の磁性層４、第２の磁性層５および第３の磁性
層６におけるそれぞれのキュリー温度ＴC1，ＴC2，ＴC3
においては、ＴC2＜ＴC1、ＴC2＜ＴC3の関係を満たして
いる。また、第１の磁性層４および第３の磁性層６のそ
れぞれの室温における保磁力ＨC1，ＨC3においては、Ｈ
C3＞ＨC1の関係を満たしている。
【００３５】また、第３の磁性層６上に設けられた第２
の誘電体層７は、例えば膜厚が３０ｎｍのＳｉ3Ｎ4から
なる。この第２の誘電体層７は、第１の誘電体層３と同
様に第３の磁性層６の光磁気効果を光学的にエンハンス
するための層であるとともに、第３の磁性層６を水分な
どから保護するためのものである。
【００３６】また、第２の誘電体層７上に設けられた反
射層８は、膜厚が１０ｎｍ程度の、Ａｌや銀（Ａｇ）な
どの合金からなり、この一実施形態においては、例えば
アルミニウムチタン合金（ＡｌＴｉ）からなる。この反
射層８は、第３の磁性層６に伝導してきた熱を拡散する
ためのものである。この反射層８において熱を拡散させ
ることにより、第３の磁性層６における記録マークの大
きさをコントロールするとともに、多層磁性膜１０にお
ける温度プロファイルを制御可能とする。これによっ
て、記録再生特性が良好な状態に維持される。
【００３７】また、反射層８上に設けられた保護層９
は、例えば紫外線硬化樹脂からなる。また、この保護層
９は、ディスク基板２上に設けられた第１の誘電体層
３、第１の磁性層４、第２の磁性層５、第３の磁性層
６、第２の誘電体層７および反射層８を保護するための
ものである。
【００３８】また、以上のように構成された光磁気ディ
スク１に対する記録／再生は、光磁気ディスク１に対し
てディスク基板２が存在する側からレーザ光Ｌ1を照射
することにより行われる。
【００３９】次に、以上のように構成されたこの一実施
形態による光磁気ディスク１の製造方法について説明す
る。
【００４０】この一実施形態による光磁気ディスク１の
製造方法においては、まず、例えばＰＣからなるディス
ク基板２を射出成形法により形成する。このとき、この
ディスク基板２の一主面上には、光学的にトラッキング
を行うためのランドおよびグルーブが形成される。この
一実施形態においては、光磁気ディスク１の再生光を波
長が６３５ｎｍ程度のレーザ光とし、用いられる光学系
の開口数（ＮＡ）を０．５８程度とし、このとき、トラ
ックピッチＴｐは、０．４７・λ／ＮＡ〜０．８３・λ
／ＮＡμｍから選ばれ、ここではトラックピッチＴｐを
０．６７μｍ程度にする。
【００４１】次に、ディスク基板２を真空チャンバー内
に搬入し、その所定位置に載置する。次に、例えばアル
ゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ2）ガスとの混合ガスを用
いるとともに、Ｓｉターゲットを用いた反応性スパッタ
リング法により、ディスク基板２上にＳｉＮを成膜す
る。これにより、ディスク基板２上に、ＳｉＮからなる
第１の誘電体層３が形成される。ここで、この反応性ス
パッタリング法におけるガス圧は、例えば１．５Ｐａで
ある。
【００４２】次に、第１の誘電体層３が形成されたディ
スク基板２を、ＧｄＦｅＣｏからなるターゲットが設置
された真空チャンバー内に搬送し、その所定位置に載置
する。その後、例えばスパッタリング法により、第１の
誘電体層３上にＧｄＦｅＣｏを成膜する。これにより、
ＧｄＦｅＣｏからなる第１の磁性層４が形成される。こ
こで、この第１の磁性層４の形成条件の一例を挙げる
と、雰囲気ガスとしてＡｒガスを用い、圧力を４．０Ｐ
ａとする。
【００４３】次に、第１の磁性層４が形成されたディス
ク基板２を、ＧｄＦｅＣｏＳｉターゲットが設置された
真空チャンバー内に搬送し、その所定位置に載置する。
その後、スパッタリング法により、第１の磁性層４上に
ＧｄＦｅＣｏＳｉを成膜する。これにより、ＧｄＦｅＣ
ｏＳｉからなる第２の磁性層５が形成される。ここで、
この第２の磁性層５の成膜においては、雰囲気ガスとし
てＡｒガスを用いる。また、本発明者が実験により得た
知見によれば、第２の磁性層５における垂直磁気異方性
を弱くして、第３の磁性層６から第１の磁性層４への転
写を容易に行うようにするために、３Ｐａ以下にするこ
とが望ましい。また、本発明者が行ったガス圧を低くし
た実験によれば、ガス圧を０．６Ｐａ以下にすると異常
放電が発生してしまうため、ガス圧ｐとしては、０．６
Ｐａより大きくするのが望ましい。したがって、第２の
磁性層５の成膜時のガス圧ｐは、０．６Ｐａより大きく
３Ｐａ以下（０．６Ｐａ＜ｐ≦３Ｐａ）に選ばれ、さら
に、特性を確保する観点からは、ｐ＝１Ｐａ近傍がもっ
とも望ましい。
【００４４】次に、第２の磁性層５が形成されたディス
ク基板２を、ＴｂＦｅＣｏからなるターゲットが設置さ
れた真空チャンバーに搬送し、その所定位置に載置す
る。その後、例えばスパッタリング法により、第２の磁
性層５上にＴｂＦｅＣｏを成膜する。これにより、第２
の磁性層５上にＴｂＦｅＣｏからなる第３の磁性層６が
形成される。ここで、この第３の磁性層６の形成条件の
一例を挙げると、雰囲気ガスとしてＡｒガスを用い、圧
力を４．５Ｐａとする。また、第３の磁性層６を構成す
る材料としては、ＴｂＦｅＣｏ以外にもＤｙＦｅＣｏや
ＧｄＦｅＣｏを用いることも可能であり、第３の磁性層
６を、これらの合金膜を積層させた多層構造とすること
も可能である。
【００４５】次に、第３の磁性層６が形成されたディス
ク基板２を、Ｓｉからなるターゲットが設置された真空
チャンバーに搬送し、その所定位置に載置する。次に、
例えばＡｒガスとＮ2ガスとの混合ガスを用いるととも
に、Ｓｉターゲットを用いた反応性スパッタリング法に
より、ディスク基板２上にＳｉＮを成膜する。これによ
り、ディスク基板２上に、ＳｉＮからなる第２の誘電体
層７が形成される。ここで、この反応性スパッタリング
法におけるガス圧は、例えば１．０Ｐａである。
【００４６】次に、第２の誘電体層７が形成されたディ
スク基板２を、ＡｌＴｉターゲットが設置されている真
空チャンバー内に搬入し、その所定位置に載置する。次
に、例えば雰囲気ガスとしてＡｒガスを用い、ＡｌＴｉ
からなるターゲットを用いたスパッタリング法により、
第１の誘電体層３上にＡｌＴｉを成膜する。これによ
り、第２の誘電体層７上にＡｌＴｉからなる反射層８が
形成される。ここで、この反射層８の形成におけるスパ
ッタ条件の一例を挙げると、ガスとしてＡｒガスを用
い、圧力を１．０Ｐａとする。
【００４７】その後、スパッタリングチャンバーから、
全ての膜が形成されたディスク基板２を搬出する。
【００４８】次に、例えばスピンコート法により、全て
の層が形成されたディスク基板２上に有機樹脂材料、具
体的には、例えば紫外線硬化樹脂を塗布し、紫外線を用
いて硬化させることにより、保護層９を形成する。
【００４９】以上により、所望とするこの一実施形態に
よる光磁気ディスク１が製造される。
【００５０】次に、上述の光磁気ディスク１において、
記録再生特性を評価した。すなわち、上述の製造方法に
従って、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2を、０．１２
２Ｗｂ／ｍ2、０．１３４Ｗｂ／ｍ2および０．１８８Ｗ
ｂ／ｍ2とした光磁気ディスク１を製造し、これらの光
磁気ディスク１に対して、評価機を用いて記録再生特性
の評価を行った。なお、評価機に用いられるレーザ光の
波長は、６３５ｎｍ、対物レンズのＮＡは、０．５８で
ある。そして、まず、最短マーク長を０．３μｍとし、
１−７変調されたランダムパターンのマークを、光磁気
ディスク１の一主面におけるランドおよびグルーブにそ
れぞれ記録する。
【００５１】その後、適切な再生パワーにおいて再生を
行い、その再生におけるジッターの記録パワーマージン
依存性を評価した。この評価におけるジッター特性のラ
ンドにおける評価結果を図２に示し、グルーブにおける
評価結果を図３に示す。
【００５２】図２から、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ
2が０．１８８Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１のランドに
おいて、ジッターの最小値が１１．０％であるのに対
し、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１３４Ｗｂ
／ｍ2の光磁気ディスク１においては、ジッターの最小
値が９．４％程度であり、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍ
ｓ 2が０．１２２Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１において
は、ジッターの最小値が９．２％程度であることが分か
る。すなわち、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2を０．
１３４Ｗｂ／ｍ2や０．１２２Ｗｂ／ｍ2にすることによ
って、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１８８Ｗ
ｂ／ｍ2の光磁気ディスク１と比較して、記録パワーマ
ージンを狭くすることなく、ジッターを約１．５％程
度、改善可能になることがわかる。
【００５３】また、図３から、第２の磁性層５の飽和磁
化Ｍｓ2が０．１８８Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１のグ
ルーブにおいて、ジッターの最小値が約１０．３％であ
るのに対し、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１
３４Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１においては、ジッタ
ーの最小値が８．５％程度であり、第２の磁性層５の飽
和磁化Ｍｓ2が０．１２２Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１
においては、ジッターの最小値が９．０％程度であるこ
とが分かる。すなわち、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ
2を０．１３４Ｗｂ／ｍ2にすることによって、第２の磁
性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１８８Ｗｂ／ｍ2の光磁気
ディスク１と比較して、記録パワーマージンを狭くする
ことなく、ジッターを約１．８％程度、改善可能にな
り、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍｓ2を０．１２２Ｗｂ
／ｍ2にすることによって、第２の磁性層５の飽和磁化
Ｍｓ2が０．１８８Ｗｂ／ｍ2の光磁気ディスク１と比較
して、記録パワーマージンを狭くすることなく、ジッタ
ーを約１．３％程度改善可能になることがわかる。
【００５４】また、本発明者は、この発明による光磁気
ディスク１（実施例）と従来の光磁気ディスク（比較
例）とにおける、ジッターの記録パワーマージン依存性
についての評価を行った。このジッターの記録パワーマ
ージン依存性の評価は、従来技術による光磁気ディスク
およびこの発明による光磁気ディスクにおける、それぞ
れの内周（半径ｒ＝２４．５ｍｍ）部と外周（半径ｒ＝
４０．５ｍｍ）部において、それぞれのランドおよびグ
ルーブについて行った。
【００５５】図４に、この発明および従来技術による光
磁気ディスクの内周部のランドにおけるジッターの記録
パワー依存性を示す。また、図５に、この発明および従
来技術による光磁気ディスクの外周部のランドにおける
ジッターの記録パワー依存性を示す。また、図６に、こ
の発明および従来技術による光磁気ディスクの内周部の
グルーブにおけるジッターの記録パワー依存性を示す。
また、図７に、この発明および従来技術による光磁気デ
ィスクの外周部のグルーブにおけるジッターの記録パワ
ー依存性を示す。
【００５６】図４から、従来技術による光磁気ディスク
（比較例）の内周部のランドにおいては、ジッターの最
小値が１１％程度であるのに対し、この発明による光磁
気ディスク（実施例）の内周部のランドにおいて、ジッ
ターの最小値が９．３％となることが分かる。したがっ
て、この発明による光磁気ディスク１によれば、従来に
比してジッターが１．７％改善されていることが分か
る。また、図５から、光磁気ディスクの外周部において
は、従来技術による光磁気ディスクとこの発明による光
磁気ディスク１とにおいて、ジッターの記録パワー依存
性の傾向がほぼ同様であり、ジッターの最小値の改善も
０．１％程度にとどまっていることが分かる。したがっ
て、上述した図４および図５から、この発明による光磁
気ディスクにおいては、内周部におけるランドのジッタ
ー特性を、外周部のジッター特性に近づけることがで
き、光磁気ディスクの内周部および外周部における記録
パワーによるジッターの変化を低減することが可能とな
ることが分かる。
【００５７】また、図６から、従来技術による光磁気デ
ィスク（比較例）の内周部のグルーブにおいては、ジッ
ターの最小値が１０．２％程度であるのに対し、この発
明による光磁気ディスク（実施例）の内周部のグルーブ
において、ジッターの最小値が８．６％となることが分
かる。したがって、この発明による光磁気ディスク１に
よれば、従来に比して、内周のグルーブにおけるジッタ
ーが１．６％程度改善されていることが分かる。また、
図７から、光磁気ディスクの外周部においては、従来技
術による光磁気ディスクとこの発明による光磁気ディス
クとにおいて、外周部におけるグルーブのジッターの記
録パワー依存性の傾向がほぼ同様であり、ジッターの最
小値もあまり変化しないことが分かる。そして、上述し
た図６および図７から、この発明による光磁気ディスク
１においては、内周部におけるランドのジッター特性
を、外周部のジッター特性に近づけることができること
が分かる。これによって、光磁気ディスクの内周部およ
び外周部における記録パワーによるジッターの変化を低
減することが可能となることが分かる。
【００５８】したがって、図４〜図７から、この発明に
よる光磁気ディスク１によれば、内周部におけるジッタ
ー特性を外周部におけるジッター特性に近づけることが
でき、この光磁気ディスクの記録再生特性を、ディスク
の全面において、ほぼ等しくすることができる。そのた
め、光磁気ディスクの信頼性を向上させることができ
る。
【００５９】また、本発明者は、第２の磁性層５の成膜
に関して、種々実験を行った。図８に、第２の磁性層５
の飽和磁化Ｍｓ2における成膜時のガス圧依存性を示
し、図９に、第２の磁性層５の飽和磁界Ｈｓ2における
成膜時のガス圧依存性を示す。なお、図８に示す飽和磁
化Ｍｓ2は、３００ｎｍの膜厚のＧｄＦｅＣｏＳｉ膜を
成膜し、その飽和磁化を測定した後、３４ｎｍ程度の膜
厚に換算した値である。また、図９に示す飽和磁界Ｈｓ
2は、ＧｄＦｅＣｏＳｉ膜を４０ｎｍの膜厚に成膜した
後に測定した値である。
【００６０】図８および図９から、第２の磁性層５の成
膜時におけるガス圧を低下させ、より高真空化していく
のに伴い、それぞれ第２の磁性層５における飽和磁化Ｍ
ｓ2および飽和磁界Ｈｓが増加していることが分かる。
具体的には、図８から、第２の磁性層５の成膜時のガス
圧を４Ｐａとした場合に、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍ
ｓ2が０．１１３Ｗｂ／ｍ2（９０ｅｍｕ／ｃｃ）程度で
あるのに対し、ガス圧を１Ｐａとした場合に、第２の磁
性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１３４Ｗｂ／ｍ2（１０７
ｅｍｕ／ｃｃ）程度まで、約０．２１Ｗｂ／ｍ2（１７
ｅｍｕ／ｃｃ）増加することが分かる。また、図９か
ら、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を４Ｐａとした場
合に、飽和磁界Ｈｓが７．３２×１０4Ａ／ｍ（０．９
２ｋＯｅ）程度であるのに対し、ガス圧を１Ｐａとした
場合に、飽和磁界Ｈｓが１．２９×１０5Ａ／ｍ（１．
６２ｋＯｅ）程度まで、約５．６Ａ／ｍ（０．７ｋＯ
ｅ）増加することが分かる。さらに、この第２の磁性層
５の成膜時におけるガス圧を種々変えた場合であって
も、キュリー温度ＴC2は、１９０℃程度のままであるこ
とが確認された。これらのことから、上述したように、
第２の磁性層５の成膜時のガス圧を変化させることによ
って、垂直磁気異方性の制御が可能となることが分か
る。したがって、上述したように、この一実施形態にお
いては、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を、異常放電
を抑制するために０．６Ｐａより大きくし、所望の特性
を得るために３Ｐａ以下とし、１Ｐａ近傍にするのがも
っとも好ましいことが分かる。
【００６１】また、図１３に、この一実施形態による光
磁気ディスクの外周部および内周部における、ランドお
よびグルーブの、第２の磁性層５を成膜した時のガス圧
依存性を示す。図１３から、この一実施形態による光磁
気ディスクにおいては、第２の磁性層５の成膜時におけ
るガス圧を３Ｐａ以下にすることによって、ジッター特
性が向上することが分かる。また、特にグルーブにおい
ては、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を３Ｐａ以下に
することによって、光磁気ディスクの内周部および外周
部におけるジッターが９．５％以下になることが分か
る。また、ランドにおいても、同様に１１％以下にな
り、実用に供する光磁気ディスクを製造することができ
ることが分かる。また、良好なジッター特性を確保する
ためには、ガス圧を１Ｐａ近傍にすることが好ましいこ
とが分かる。
【００６２】また、本発明者は、再生記録感度に関して
実験検討を行っていく過程で、第３の磁性層６における
組成において、Ｃｏの含有率に関する種々の実験を行っ
た。すなわち、第３の磁性層６をＴｂＦｅＣｏから構成
し、Ｔｂの含有率を２２．５原子％に固定し、Ｃｏの含
有率を１５原子％、１６原子％および１７原子％として
Ｆｅの含有率を変えて調整した場合、換言すると、第３
の磁性層６をＴｂ22.5Ｆｅ77.5-xＣｏxから構成し、ｘ
＝１５，ｘ＝１６，ｘ＝１７とした場合において、光磁
気ディスクにおけるグルーブとランドとにおけるジッタ
ーの再生パワーＰｒ依存性を評価した。図１０に、グル
ーブにおけるジッターの再生パワーＰｒ依存性を示し、
図１１に、ランドにおけるジッターの再生パワーＰｒ依
存性を示す。
【００６３】図１０から、光磁気ディスクのグルーブに
おけるジッター特性は、Ｃｏの含有率ｘを、ｘ＝１５か
らｘ＝１７に増加させていくのに伴い、再生パワーマー
ジンも増加していくことが分かる。また、図１１から、
光磁気ディスクのランドにおけるジッター特性において
も、Ｃｏの含有率ｘを、ｘ＝１５からｘ＝１７に増加さ
せていくのに伴い、再生パワーマージンも増加していく
ことが分かる。そのため、光磁気ディスクのランドおよ
びグルーブともに、再生パワーマージンを十分な大きさ
に確保するためには、Ｃｏの含有率は１５原子％以上に
するのが好ましく、Ｃｏの含有率は大きい方が望ましい
ことが分かる。
【００６４】他方、本発明者は、第３の磁性層６をＴｂ
22.5Ｆｅ77.5-xＣｏxから構成し、上述における評価と
同様にして、ｘ＝１５，ｘ＝１６，ｘ＝１７とした場合
において、光磁気ディスク１のランドにおけるジッター
の記録パワーＰｗ依存性を評価した。このジッターの記
録パワー依存性を評価した結果を図１２に示す。
【００６５】図１２から、Ｃｏの含有率ｘをｘ＝１５か
らｘ＝１７に増加させていくのに伴い、ジッターが最小
値となるときの記録パワーＰｗの値が増加していくこと
が分かる。すなわち、Ｃｏの含有率を１５原子％（ｘ＝
１５）とした場合に、ジッターが最小値をとるときの記
録パワーＰｗが８．３ｍＷであるのに対し、Ｃｏの含有
率を１６原子％（ｘ＝１６）とした場合にジッターが最
小値をとるときの記録パワーＰｗは８．６ｍＷとなり、
Ｃｏの含有率を１７原子％（ｘ＝１７）とした場合に
は、ジッターが最小値をとるときの記録パワーＰｗは
９．２ｍＷまで増加してしまう。これは、Ｃｏの含有率
を増加させていくことによって、キュリー温度が上昇し
てしまうことに起因する。このようにＣｏの含有率を大
きくしてしまうと、情報信号の記録に最適な記録パワー
Ｐｗが増加してしまう。そして、記録パワーＰｗを増加
させると、隣接トラックへの漏れ込みが大きくなり、ク
ロストークが発生する場合がある。したがって、高感度
化させるために、記録パワーＰｗを低下させる観点から
は、Ｃｏの含有量は小さい方が望ましいことが分かる。
【００６６】以上の、図１０〜図１２に示すことから、
Ｃｏの含有量は１５〜１７原子％の範囲、好ましくは１
５原子％より大きく１７原子％未満の範囲から選ぶこと
が望ましく、より好ましくは、Ｃｏの含有率を１６原子
％近傍にすることが望ましいことが分かる。
【００６７】以上説明したように、この一実施形態によ
る光磁気ディスクによれば、第２の磁性層５の飽和磁化
を８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2より大きく１．７６×１
０-1Ｗｂ／ｍ2未満としていることにより、良好な信号
特性を保持しつつ、記録マーク長が小さくされ、トラッ
クピッチが狭小化された光磁気ディスクにおいて、情報
信号の再生を行うことができ、光磁気ディスクの記録密
度の高密度化を図ることができる。また、第３の磁性層
６におけるＣｏの含有率を１５〜１７原子％の範囲内に
していることにより、記録パワーマージンおよび再生パ
ワーマージンを十分な大きさに確保することができるの
で、従来の光磁気ディスクや光ディスクの記録再生装置
を用いた情報信号の記録／再生を行うことができ、レー
ザ光の再生パワーや記録パワーのばらつきの許容範囲を
十分な大きさで確保することができる。したがって、高
密度記録化された情報信号を良好に再生することがで
き、より大容量化され、外周および内周の全面において
高い信頼性を有する光磁気ディスクを得ることができ
る。
【００６８】また、この一実施形態による光磁気ディス
クの製造方法によれば、第２の磁性層５の成膜時のガス
圧を０．６Ｐａより大きく３Ｐａ以下にしていることに
より、第２の磁性層５における飽和磁化Ｍｓ2を制御す
ることができるので、第１の磁性層４に記録された情報
信号を、第３の磁性層６に効率よく転写するのに適した
飽和磁化Ｍｓ2および飽和磁界Ｈｓを確保した光磁気デ
ィスクを製造することができる。したがって、信号検出
における磁気的分解能を向上させて、磁気超解像動作
（ＭＳＲ動作）を、高信頼性を有しつつ行うことができ
る光磁気ディスクを製造することが可能となる。
【００６９】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
【００７０】例えば、上述の一実施形態において挙げた
数値、材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれ
と異なる数値、材料を用いてもよい。
【００７１】また、例えば上述の一実施形態において
は、ディスク基板２上に成膜された各層の成膜方法とし
て、スパッタリング法を用いたが、スパッタリング法以
外のあらゆる薄膜形成方法を用いることが可能であり、
具体的には、真空蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ
法、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ−ＣＶＤ）法などの
方法を用いることが可能である。
【００７２】また、例えば上述の一実施形態において
は、この発明を、光磁気ディスク１に対してディスク基
板２側からレーザ光Ｌ1を照射することにより情報信号
の記録および／または再生を行うようにした光磁気ディ
スク１に適用した例について説明したが、光磁気ディス
ク１に対して、ディスク基板２が存在する側とは反対側
からレーザ光Ｌ1を照射することにより、情報信号の記
録および／または再生を行うようにした光磁気ディスク
に適用することも可能である。なお、このとき、多層磁
性膜１０は、ディスク基板２に近い側から第３の磁性
層、第２の磁性層および第１の磁性層が順次積層されて
構成された、いわゆる逆順成膜されて構成される。ま
た、このとき、ディスク基板２の代わりに、光透過層と
して、厚さが７０〜１７０μｍ程度の光透過性シートま
たは光硬化型樹脂などから層が用いられる。
【００７３】また、例えば上述の一実施形態において
は、多層磁性膜１０を記録層としての第１の磁性層４、
中間層または切断層としての第２の磁性層５、および再
生層としての第３の磁性層の３層から構成するようにし
たが、多層磁性膜１０を４層以上の磁性層から構成する
ことも可能である。
【００７４】また、例えば上述の一実施形態において
は、第２の磁性層５として、ＧｄＦｅＣｏＳｉ膜を用い
たが、その他の組成にすることも可能であり、具体的に
は、第２の磁性層５を、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＦｅＳｉなどの材料から構成することも可能である。
【００７５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、レーザ光のパワーマージンを、記録可能および／ま
たは再生可能な十分な範囲で確保することができ、これ
により、記録マーク長およびトラックピッチが狭小化さ
れた光磁気記録媒体に記録された情報信号を、良好な信
号特性を保ちつつ再生することができるので、記録密度
を高密度化することができ、大容量化が図られた高信頼
性を有する光磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による光磁気ディスクを
示す断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
外周部のランドにおけるジッターの記録パワーマージン
依存性を示すグラフである。
【図３】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
外周部のグルーブにおけるジッターの記録パワーマージ
ン依存性を示すグラフである。
【図４】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
内周部のランドにおけるジッターの記録パワーマージン
依存性を示すグラフである。
【図５】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
外周部のランドにおけるジッターの記録パワーマージン
依存性を示すグラフである。
【図６】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
内周部のグルーブにおけるジッターの記録パワーマージ
ン依存性を示すグラフである。
【図７】この発明の一実施形態による光磁気ディスクの
外周部のグルーブにおけるジッターの記録パワーマージ
ン依存性を示すグラフである。
【図８】この発明の一実施形態による第２の磁性層にお
ける飽和磁化Ｍｓ2の、第２の磁性層成膜時のガス圧依
存性を示すグラフである。
【図９】この発明の一実施形態による第２の磁性層にお
ける飽和磁界Ｈｓの、第２の磁性層成膜時のガス圧依存
性を示すグラフである。
【図１０】この発明の一実施形態による光磁気ディスク
の第３の磁性層におけるＣｏ組成を変えたときの、グル
ーブにおけるジッターの再生パワー依存性を示すグラフ
である。
【図１１】この発明の一実施形態による光磁気ディスク
の第３の磁性層におけるＣｏ組成を変えたときの、ラン
ドにおけるジッターの再生パワー依存性を示すグラフで
ある。
【図１２】この発明の一実施形態による光磁気ディスク
の第３の磁性層におけるＣｏ組成を変えたときの、ラン
ドにおけるジッターの記録パワー依存性を示すグラフで
ある。
【図１３】この発明の一実施形態による光磁気ディスク
の内周部および外周部における、ランドおよびグルーブ
のジッターの第２の磁性層成膜時のガス圧依存性を示す
グラフである。
【図１４】従来技術による磁気超解像動作を説明するた
めの略線図である。
【符号の説明】
１・・・光磁気ディスク、２・・・ディスク基板、３・
・・第１の誘電体層、４・・・第１の磁性層、５・・・
第２の磁性層、６・・・第３の磁性層、７・・・第２の
誘電体層、８・・・反射層、９・・・保護層、１０・・
・多層磁性膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年９月１２日（２００１．９．１
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】この第１の発明において、第２の磁性層の
膜厚は、典型的には、２５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であ
り、好適には、２８ｎｍ以上３５ｎｍ以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】また、第２の磁性層５の膜厚においては、
磁壁の厚さが２５ｎｍ程度であるため、具体的には、２
５ｎｍ以上にする必要があり、２８ｎｍ以上が好まし
い。また、本発明者の知見によれば、第２の磁性層５の
膜厚を大きくしすぎると、感度が低下したりジッターが
上昇したりして、再生信号品質が低下してしまう。その
ため、第２の磁性層５の膜厚は、典型的には、２５〜６
０ｎｍの範囲、好適には、２８〜３５ｎｍの範囲から選
ばれ、この一実施形態においては、例えば３２ｎｍに選
ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６０】図８および図９から、第２の磁性層５の成
膜時におけるガス圧を低下させ、より高真空化していく
のに伴い、それぞれ第２の磁性層５における飽和磁化Ｍ
ｓ2および飽和磁界Ｈｓが増加していることが分かる。
具体的には、図８から、第２の磁性層５の成膜時のガス
圧を４Ｐａとした場合に、第２の磁性層５の飽和磁化Ｍ
ｓ2が０．１１３Ｗｂ／ｍ2（９０ｅｍｕ／ｃｃ）程度で
あるのに対し、ガス圧を１Ｐａとした場合に、第２の磁
性層５の飽和磁化Ｍｓ2が０．１３４Ｗｂ／ｍ2（１０７
ｅｍｕ／ｃｃ）程度まで、約０．２１Ｗｂ／ｍ2（１７
ｅｍｕ／ｃｃ）増加することが分かる。また、図９か
ら、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を４Ｐａとした場
合に、飽和磁界Ｈｓが７．３２×１０4Ａ／ｍ（０．９
２ｋＯｅ）程度であるのに対し、ガス圧を１Ｐａとした
場合に、飽和磁界Ｈｓが１．２９×１０5Ａ／ｍ（１．
６２ｋＯｅ）程度まで、約５．６×１０4 Ａ／ｍ（０．
７ｋＯｅ）増加することが分かる。さらに、この第２の
磁性層５の成膜時におけるガス圧を種々変えた場合であ
っても、キュリー温度ＴC2は、１９０℃程度のままであ
ることが確認された。これらのことから、上述したよう
に、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を変化させること
によって、垂直磁気異方性の制御が可能となることが分
かる。したがって、上述したように、この一実施形態に
おいては、第２の磁性層５の成膜時のガス圧を、異常放
電を抑制するために０．６Ｐａより大きくし、所望の特
性を得るために３Ｐａ以下とし、１Ｐａ近傍にするのが
もっとも好ましいことが分かる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｅ ５２１Ｆ ５４６ ５４６Ｂ ５４６Ｄ Ｆターム(参考） 5D075 CC01 EE01 EE03 EE05 FF04 FF12 FG17 FG18 GG03 GG06 GG16

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、室温で垂直磁気異方性を有す
    る第１の磁性層と、 室温で面内磁気異方性を有する第２の磁性層と、 室温で垂直磁気異方性を有する第３の磁性層とが順次積
    層された多層磁性膜が設けられ、 上記多層磁性膜にレーザ光を照射することにより、情報
    信号を記録可能および／または再生可能に構成された光
    磁気記録媒体において、 上記第２の磁性層の飽和磁化が、８．８０×１０-2Ｗｂ
    ／ｍ2より大きく１．７６×１０-1Ｗｂ／ｍ2未満である
    ことを特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 上記第２の磁性層におけるキュリー温度
    が、上記第１の磁性層のキュリー温度および上記第３の
    磁性層のキュリー温度のいずれの温度より小さいことを
    特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 上記第２の磁性層の膜厚が、２５ｎｍ以
    上６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
    光磁気記録媒体。
  4. 【請求項４】 上記第１の磁性層の飽和磁化が、８．８
    ０×１０-2Ｗｂ／ｍ 2以下であることを特徴とする請求
    項１記載の光磁気記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記第１の磁性層の飽和磁化が、１．０
    ０×１０-2Ｗｂ／ｍ 2以上であることを特徴とする請求
    項４記載の光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 上記第３の磁性層におけるＣｏの含有率
    が、１５原子パーセント以上１７原子パーセント以下で
    あることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
  7. 【請求項７】 上記多層磁性膜が、上記基板の凹凸の溝
    トラックが形成された一主面上に設けられていることを
    特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】 上記基板が平面円環形状を有することを
    特徴とする請求項７記載の光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 上記基板の一主面における溝トラックの
    トラックピッチが、上記光磁気記録媒体に対して上記情
    報信号の記録／再生を行う光学系の開口数をＮＡ、上記
    レーザ光の波長をλとして、０．４７・λ／ＮＡμｍ以
    上０．８３・λ／ＮＡμｍ以下であることを特徴とする
    請求項７記載の光磁気記録媒体。
  10. 【請求項１０】 上記情報信号の記録がランド・グルー
    ブ記録方式であることを特徴とする請求項１記載の光磁
    気記録媒体。
  11. 【請求項１１】 基板の一主面上に、 室温で垂直磁気異方性を有する第１の磁性層と、 室温で面内磁気異方性を有する第２の磁性層と、 室温で垂直磁気異方性を有する第３の磁性層とを順次積
    層して多層磁性膜を形成し、 上記多層磁性膜にレーザ光を照射することにより、情報
    信号を記録可能および／または再生可能に構成された光
    磁気記録媒体の製造方法において、 上記第２の磁性層を形成するときの気体の圧力を、０．
    ６Ｐａより高く３．０Ｐａ以下とすることを特徴とする
    光磁気記録媒体の製造方法。
  12. 【請求項１２】 上記第２の磁性層におけるキュリー温
    度が、上記第１の磁性層のキュリー温度および上記第３
    の磁性層のキュリー温度のうちの小さい温度より小さい
    ことを特徴とする請求項１１記載の光磁気記録媒体の製
    造方法。
  13. 【請求項１３】 上記第２の磁性層を、膜厚が２５ｎｍ
    以上６０ｎｍ以下になるように成膜することを特徴とす
    る請求項１１記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  14. 【請求項１４】 上記第１の磁性層を、上記第１の磁性
    層の飽和磁化が８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2以下になる
    ように成膜するようにしたことを特徴とする請求項１１
    記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項１５】 上記第１の磁性層を、上記第１の磁性
    層の飽和磁化が１．００×１０-2Ｗｂ／ｍ2以上になる
    ように成膜するようにしたことを特徴とする請求項１４
    記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記第２の磁性層を、上記第２の磁性
    層の飽和磁化が８．８０×１０-2Ｗｂ／ｍ2より大きく
    １．７６×１０-1Ｗｂ／ｍ2未満になるように成膜する
    ようにしたことを特徴とする請求項１１記載の光磁気記
    録媒体の製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記第３の磁性層におけるＣｏの含有
    率を、１５原子パーセント以上１７原子パーセント以下
    にすることを特徴とする請求項１１記載の光磁気記録媒
    体の製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記多層磁性膜を、上記基板の凹凸の
    溝トラックが形成された一主面上に成膜するようにした
    ことを特徴とする請求項１１記載の光磁気記録媒体の製
    造方法。
  19. 【請求項１９】 上記基板が平面円環形状を有すること
    を特徴とする請求項１８記載の光磁気記録媒体の製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 上記基板の一主面における溝トラック
    のトラックピッチを、上記光磁気記録媒体に対して上記
    情報信号の記録／再生を行う光学系の開口数をＮＡ、上
    記レーザ光の波長をλとして、０．４７・λ／ＮＡμｍ
    以上０．８３・λ／ＮＡμｍ以下に形成することを特徴
    とする請求項１８記載の光磁気記録媒体の製造方法。
  21. 【請求項２１】 上記情報信号の記録がランド・グルー
    ブ記録方式であることを特徴とする請求項１１記載の光
    磁気記録媒体の製造方法。
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