JP2001338448A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 消去磁場及び再生磁場を共に低減できる光磁
気記録媒体。 【解決手段】 光磁気ディスク１は基板１１上に下地誘
電体層１２、希土類遷移金属合金の再生層１３、中間層
１４、記録層１５及び補助記録層１６、中間誘電体層１
７、希土類遷移金属合金の磁場発生層１８、ＳｉＮの保
護層１９及びＡｌＣｒの熱伝導層２０を順に積層して構
成されている。光磁気ディスク１に情報を記録する以前
に、レーザ光を照射しつつ記録方向と同方向の磁場を印
加して磁場発生層１８の初期消去を行なう。これによ
り、再生時に磁場発生層１８から記録方向の漏洩磁場が
発生する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
関し、特に磁気超解像（Magnetically Indused Super R
esolution,ＭＳＲ）再生が可能な光磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクのマーク記録の方法とし
て光変調記録方式と磁界変調記録方式とが知られてい
る。光変調記録方式では、記録前に磁化の方向を例えば
下向きに揃えた（消去）後、記録すべき情報に応じたパ
ルス状にレーザ光を照射しつつ上向きに外部磁場を加え
ることにより記録が行なわれる。レーザ光照射により温
度上昇した領域に上向きの外部磁場を印加することによ
り、この領域のみの磁化を上向きにすることができ、記
録すべき情報に対応する記録マークがこの領域に形成さ
れる。一方、磁界変調記録方式では、レーザ光を連続的
に照射してディスクの温度を保磁力が低下する程度まで
上昇させておき、保磁力以上の外部磁場を上向き及び下
向きに変調しつつ加えることにより記録が行なわれる。
外部磁場を記録すべき情報に応じて変調することによっ
て、その領域の磁化を上向き又は下向きにすることがで
き、記録すべき情報に対応する記録マークが形成され
る。

【０００３】光磁気ディスクの情報記録の高密度化に伴
い記録周波数は高くなる。上述した磁界変調記録方式で
は記録周波数が高くなるに従い磁気ヘッドは高周波損失
による実効電流の低下を伴い、大きな磁場を発生できな
くなる。その結果、低い記録磁場で記録可能な媒体が磁
界変調記録方式では要求される。また、記録されたマー
クは同程度の磁場で消去されなければならないので同様
に低い消去磁場で消去が可能な媒体が要求される。ま
た、光変調記録方式においても記録磁場及び消去磁場が
大きいときは消費電力が増大し、磁場発生回路も大型に
なる等の問題が生じるため、記録磁場及び消去磁場は可
及的に小さいことが望まれている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで本願出願人は
特開平７−244877号公報，特開平11−297381号公報など
において、少なくとも３層の積層構造を有する磁気超解
像再生可能な媒体（ＭＳＲ媒体）及び磁気超解像再生方
法を提案している。磁気超解像再生はビームスポットよ
りも小さな記録マークの読出しが可能な再生方式であ
り、本願出願人によるＭＳＲ媒体を用いて数百Ｏｅとい
う低い再生磁場の印加でＭＳＲ再生が可能となる。この
ＭＳＲ媒体は希土類−遷移金属合金からなる再生層，中
間層及び記録層を積層してなる。再生層は遷移金属磁化
優勢（以下、ＴＭリッチという）であり、垂直方向即ち
積層方向に磁化容易軸を有している。中間層は希土類磁
化優勢（以下、ＲＥリッチという）であり、室温（１０
℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸を有し、室温よ
り高い所定温度以上になると磁化容易軸が面内から垂直
方向に変化する。記録層はＴＭリッチであり、垂直方向
に磁化容易軸を有している。また、再生層，中間層及び
記録層のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３
とした場合、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を
満たしている。また再生層及び記録層の室温における保
磁力を夫々Ｈｃ１及びＨｃ３とした場合、Ｈｃ３＞Ｈｃ
１の関係を満たしている。

【０００５】このような構成の光磁気ディスクに記録さ
れた記録マークを再生する際は、光磁気ディスクに相対
移動を伴って再生用レーザ光を照射し、光磁気ディスク
に温度分布を生ぜしめ、同時に上向き（記録方向と同方
向）の再生磁場を印加する。温度分布により光磁気ディ
スクには低温領域，中温度領域及び高温領域が形成され
る。低温領域では中間層と記録層との間に作用する交換
結合力よりも再生磁場の方が大きいときに、中間層の磁
化方向が再生磁場と同方向に揃う。その結果、低温領域
の再生層の磁化方向は記録マークと無関係に再生磁場と
逆方向に揃い、これによりフロントマスクが形成され
る。高温領域では、再生層と中間層との間に作用する交
換結合力が切断され、再生層の磁化方向が記録マークと
無関係に再生磁場と同方向に揃うことによりリアマスク
が形成される。中間温度領域では、再生層，中間層及び
記録層間に再生磁場よりも大きな交換結合力が働いてお
り、記録層の磁化方向が再生層に転写される。

【０００６】光磁気ディスクの磁気光学出力を検出した
とき、レーザスポット内において低温領域にはフロント
マスクが、高温領域にはリアマスクが形成されているの
でこれらの領域から光磁気信号を読出すことはなく中間
温度領域のみから光磁気信号を読出すことができる。以
上の如く、再生時の数百Ｏｅの磁場の印加で、実質的に
ビームスポットよりも小さい領域から記録マークを高分
解能で読出すことができる。また、本願出願人は特開平
11−297381号公報において、上述したようなＭＳＲ媒体
の磁性層を所定の飽和磁化，所定のキュリー温度で構成
することにより、さらに微細な寸法の記録マークのＭＳ
Ｒ再生を可能とする光磁気記録媒体を提案している。

【０００７】本願発明者らは以上の如き構成のＭＳＲ媒
体について、記録層側に種々の磁性膜を補助層として積
層した媒体を作成し、記録磁場感度，必要消去磁場及び
必要再生磁場の大きさを調べ、補助層がない媒体と比較
した。

【０００８】まず、補助層としてＴＭリッチでキュリー
温度が350 ℃の GdFeCo 面内磁化層を形成した媒体につ
いて光変調方式の記録磁場依存性を調べた。その結果、
補助層がない媒体と比べて記録磁場感度に差は見られ
ず、100 Ｏｅ程度の記録磁場で記録が可能であった。図
１７はその記録消去磁場依存性を示すグラフである。縦
軸はＣＮＲを示している。横軸は磁場の大きさを示し、
正側は記録方向の磁場を示し、負側は消去方向の磁場を
示している。グラフから判るように、記録方向の磁場10
0 ＯｅでＣＮＲが記録可能な値を示しているが、零磁
場、即ち磁場を印加せずにレーザ光を照射した場合には
略40ｄＢのＣＮＲ値が検出されている。これは、レーザ
光照射領域の回りの磁化領域から記録方向の漏洩磁場が
生じていることを示し、消去時には記録磁場よりも大き
な消去磁場が必要となることが判る。例えば図１７に示
す場合は、ＣＮＲが零に近くなる400 Ｏｅの消去方向の
磁場を印加しなければ、100 Ｏｅで記録方向に向いた磁
化を消去方向に揃えられない。このように３層構成のＭ
ＳＲ媒体は、ＴＭリッチの補助層を加えることにより記
録磁場感度は変わらないが、必要消去磁場が増大するこ
とが判った。

【０００９】次に、補助層としてＲＥリッチでキュリー
温度が300 ℃の GdFeCo 面内磁化層を形成した媒体につ
いて光変調方式の記録磁場依存性を調べた。その結果、
補助層がない媒体と比べて記録磁場感度は大差なく、必
要消去磁場は低減されたが、必要再生磁場が増大した。
図１８は再生磁場と消去磁場との関係を示したグラフで
ある。縦軸は必要再生磁場の大きさを示し、横軸は必要
消去磁場の大きさを示している。グラフ中、実線は補助
層を加えた媒体で、補助層の組成をＲＥリッチからＴＭ
リッチまで異ならせた場合を示し、破線は補助層を加え
ない媒体で、記録層の組成をＲＥリッチからＴＭリッチ
まで異ならせた場合を示している。図１８の破線で示す
ように、記録層の希土類金属の割合が増えた場合に必要
再生磁場は増大し、必要消去磁場は減少していることが
判る。これは、記録層がＲＥリッチで補償組成である場
合は室温での飽和磁化の値が小さくなるためである。ま
た記録層がＴＭリッチである場合は、逆に必要再生磁場
が減少し、必要消去磁場は増大する。また図１８の実線
から、補助層を加えた媒体でも同様の現象が生じている
ことが判る。

【００１０】すなわち、補助層として記録層側に、ＲＥ
リッチでキュリー温度が300 ℃と比較的高い面内磁化層
を積層した場合は必要消去磁場を低く抑えることができ
るが必要再生磁場が増大し、ＴＭリッチの面内磁化層を
積層した場合は必要再生磁場を低く抑えることができる
が必要消去磁場が増大する。なお、ＲＥリッチの面内磁
化層であってもキュリー温度が200 ℃程度で比較的低い
場合は、この面内磁化層がない媒体と比べて必要記録磁
場及び必要消去磁場ともに変わりがない。従って、必要
消去磁場を低減するためにはキュリー温度を記録層より
も高くする必要があることが判った。これは消去磁場が
漏洩磁場の影響のみでなく、高温での記録層との交換磁
場にも関与しているためである。

【００１１】以上の如く、上述したようなＭＳＲ媒体で
は消去時に必要な消去磁場と、再生時に必要な再生磁場
はその両方を低減することができないという問題があっ
た。

【００１２】また、上述した磁気超解像再生はフロント
マスク及びリアマスクが形成されるダブルマスク形式で
あり、フロントマスクとリアマスクとの間にある中間温
度領域から記録マークが検出されるが、再生レーザパワ
ーを大きくした場合に、再生すべきトラックを挟む両側
のトラックから生じるクロストークが大きくなるという
問題があった。

【００１３】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、第１の目的は、消去磁場及び再生磁場の両方
を低減できる磁気超解像再生が可能な光磁気記録媒体を
提供することにあり、第２の目的は、高パワーの光ビー
ムを用いて再生した場合でもクロストークを低減できる
磁気超解像再生が可能な光磁気記録媒体を提供すること
にある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、少なくとも記録層及び再生層を含む積層磁性
膜の再生層よりも記録層に近い側に、磁性体からなる磁
場発生層を備えることを特徴とする。

【００１５】第１発明にあっては、記録層及び再生層を
含む積層磁性膜に積層された磁場発生層に磁場を印加す
ることにより所定の方向に磁化が揃い、再生時に媒体内
温度分布により漏洩磁場を生じる。磁場発生層への磁場
の印加は初期時に一回のみでよく、例えば漏洩磁場が再
生磁場と略同方向になる向きの磁場を印加した場合は、
外部から印加する再生磁場に加えて同方向の漏洩磁場が
積層磁性膜に作用するので、外部から印加する再生磁場
を低減できる。

【００１６】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明において、前記磁場発生層と前記記録層との間に非磁
性層を介在せしめてあることを特徴とする。

【００１７】第２発明にあっては、非磁性層の介在によ
り前記磁場発生層と前記記録層との間で互いに及ぼす磁
化の影響をなくすことができる。即ち、情報が記録され
た記録層の磁化の向きが磁場発生層の磁化の向きに影響
しない。

【００１８】第３発明に係る光磁気記録媒体は、第１又
は第２発明において、前記記録層は補償組成を有してお
り、前記磁場発生層は積層方向の磁化容易特性を有し、
前記記録層よりも高いキュリー温度と大きな保磁力とを
有することを特徴とする。

【００１９】第３発明にあっては、補償組成を有する記
録層は消去磁場を低減し、再生磁場を増大させるが、磁
場発生層が漏洩磁場を積層磁性膜に作用させるので外部
から印加する再生磁場を低減できる。磁場発生層は記録
層よりもキュリー温度が高く、保磁力も高いので、記録
時及び消去時に光ビームが照射されても磁場発生層の磁
化の向きは変わらず、また再生時には低温領域で漏洩磁
場が大きくなる。

【００２０】第４発明に係る光磁気記録媒体は、第２発
明において、前記記録層と非磁性層との間に補助記録層
を介在せしめてあることを特徴とする。

【００２１】第４発明にあっては、補助記録層により消
去磁場が低減され再生磁場が増大するが、磁場発生層が
漏洩磁場を積層磁性膜に作用させるので、外部から印加
する再生磁場を低減できる。

【００２２】第５発明に係る光磁気記録媒体は、第４発
明において、前記磁場発生層は積層方向の磁化容易特性
を有し、前記補助記録層よりも高いキュリー温度と前記
記録層よりも大きな保磁力とを有することを特徴とす
る。

【００２３】第５発明にあっては、磁場発生層が漏洩磁
場を発生し、外部から印加する再生磁場を低減できる。
また磁場発生層は補助記録層よりもキュリー温度が高
く、記録層よりも保磁力が高いので、記録時及び消去時
に光ビームが照射されても磁場発生層の磁化の向きは変
わらず、また再生時には低温領域で漏洩磁場が大きくな
る。

【００２４】第６発明に係る光磁気記録媒体は、少なく
とも記録層及び再生層を含む積層磁性膜の夫々が、再生
時に温度分布の低温領域又は高温領域のいずれかに積層
膜間の界面磁壁を生ぜしめる組成を有することを特徴と
する。

【００２５】第６発明にあっては、媒体内温度分布の低
温領域か又は高温領域のいずれか一方に界面磁壁が生じ
る。例えば低温領域のみにマスクが形成された場合は、
記録層の磁化方向が隠されることにより、再生すべきト
ラックの両側トラックに形成されたマスク領域の媒体径
方向の広がりが抑えられる。その結果、クロストークが
低減される。

【００２６】第７発明に係る光磁気記録媒体は、第６発
明において、前記記録層及び再生層間にある中間層と、
前記再生層よりも記録層に近い側の補助記録層と、磁場
発生層とを備えることを特徴とする。

【００２７】第７発明にあっては、クロストークの低減
効果に加えて、補助記録層による消去磁場の低減、及び
磁場発生層による再生磁場の低減が実現する。

【００２８】第８発明に係る光磁気記録媒体は、少なく
とも記録層及び再生層を含む積層磁性膜の前記記録層に
接触して熱伝導層を備えることを特徴とする。

【００２９】第８発明にあっては、熱伝導層を記録層に
接触して形成してあるので、再生時のレーザ光照射によ
る熱を熱伝導層がレーザスポットの外側にすばやく逃が
し、その結果レーザスポット内の温度分布がディスク径
方向に急峻になるので、再生時に高パワーの光ビームを
使用してもクロストークが増大しない。

【００３０】第９発明に係る光磁気記録媒体は、第８発
明において、前記熱伝導層上に形成された非磁性層と、
該非磁性層上に形成された磁場発生層とを備えることを
特徴とする。

【００３１】第９発明にあっては、磁場発生層による再
生磁場を低減することができると共に、熱伝導層によ
り、再生時に高パワーの光ビームを使用してもクロスト
ークが増大することはない。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１の光磁気
ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディスク
１は、ポリカーボネート製の基板１１上に、ＳｉＮから
なる90nmの厚みの下地誘電体層１２、ＧｄＦｅＣｏから
なる40nmの厚みの再生層１３、ＧｄＦｅＣｏＳｉからな
る40nmの厚みの中間層１４、ＴｂＦｅＣｏからなる50nm
の厚みの記録層１５、ＧｄＦｅＣｏからなる15nmの厚み
の補助記録層１６、ＳｉＮからなる5nm の厚みの中間誘
電体層１７、ＴｂＣｏからなる50nmの厚みの磁場発生層
１８、ＳｉＮからなる60nmの厚みの保護層１９及びＡｌ
Ｃｒからなる15nmの厚みの熱伝導層１８を順に積層して
構成されている。

【００３３】再生層１３はＴＭリッチのＧｄＦｅＣｏ膜
で、垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸を有している。
室温（１０℃〜３５℃）での飽和磁化の値は100 emu/cc
より低く、170 ℃付近まで温度とともに上昇する。また
キュリー温度は略270 ℃であり、室温での保磁力の値は
1.5 ｋＯｅ以内である。中間層１４はキュリー温度まで
補償温度が見られないＲＥリッチのＧｄＦｅＣｏＳｉ膜
で、室温（１０℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸
を有しており、室温より高い所定温度以上になると磁化
容易軸が面内方向から垂直方向に変化する。室温での飽
和磁化の値は250 emu/cc以内であり、略180 ℃のキュリ
ー温度まで単調に減少する。キュリー温度を低く設定す
るために中間層１４には非磁性元素であるＳｉが添加さ
れている。Ｓｉの替わりにＡｌ又はＣｒ等の元素を添加
してあっても良い。記録層１５はＴＭリッチのＴｂＦｅ
Ｃｏ膜であり、垂直方向に磁化容易軸を有している。室
温での飽和磁化の値は150 emu/cc以内であり、150 ℃程
度まで温度とともに上昇する。キュリー温度は略270 ℃
であり、室温での保磁力の値は１０ｋＯｅ以上である。

【００３４】補助記録層１６はＲＥリッチのＧｄＦｅＣ
ｏ膜であり、キュリー温度は320 ℃である。磁場発生層
１８はＲＥリッチのＴｂ₃₀Ｃｏ₇₀膜であり、キュリー温
度が400 ℃で補助記録層１６よりも高く、保磁力は記録
層１５より大きい。これらの再生層１３，中間層１４，
記録層１５，補助記録層１６及び磁場発生層１８のキュ
リー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４及びＴ
ｃ５とした場合に、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３＜
Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係を満たしている。キュリー温度Ｔ
ｃ３＜Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係により、記録時及び消去時
にレーザ光を照射した際に達する温度までの範囲内で磁
場発生層１８の磁化が反転することがない。また、再生
層１３，記録層１５及び磁場発生層１８の室温における
保磁力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ３及びＨｃ５とした場合に、
Ｈｃ３＞Ｈｃ１，Ｈｃ３＜Ｈｃ５の関係を満たしてい
る。

【００３５】これらの積層膜はＤＣスパッタ法により順
次形成してある。スパッタ条件はＳｉＮからなる層を形
成する際はガス圧0.8 Pa, 投入電力0.8kW で行い、磁性
層及び熱伝導層を形成する際はガス圧0.5 Pa〜0.8 Pa,
投入電力0.5 kW〜0.8 kWで行い、到達真空度５×10^-5Pa
以下の真空槽内で形成した。なお、再生層１３，中間層
１４，記録層１５，補助記録層１６及び磁場発生層１８
は上述した飽和磁化の値を有するように予め成膜装置及
び成膜条件を設定してある。また、ターゲットの磁化寿
命についても予めテストしておき、上述した飽和磁化の
値を有する磁性膜が確実に成膜されるように設定されて
いる。

【００３６】以上のような膜構成の光磁気ディスク１に
情報を記録及び再生する場合について説明する。光磁気
ディスク１に情報を記録する以前に、例えばディスク出
荷時に、レーザ光を照射しつつ記録方向（上向き）と同
方向の磁場を印加して磁場発生層１８の初期消去を行な
う。これにより、再生時に磁場発生層１８から記録方向
の漏洩磁場が発生する。そのときのレーザ光のパワーは
通常の消去パワーよりも高いパワーであり、これにより
通常の消去時に磁場発生層１８が磁化反転を生じること
はない。この作業はディスク出荷時に一度だけ行なう操
作であり、出荷後は行なう必要はない。

【００３７】情報を記録する際には、回転している光磁
気ディスク１にまずレーザ光を消去用パワーで照射しつ
つ記録方向と逆方向（下向き）の外部磁場を印加して記
録層１５を消去する。この消去動作は光磁気ディスク１
のデータを書き換えるときに毎回行なう操作である。そ
の後、記録方向（上向き）の外部磁場を印加しつつ、記
録すべき情報に応じて記録用パワーのレーザ光の照射を
オン又はオフする。なお記録手順は光変調記録方式の場
合を説明しているが、磁界変調記録方式であっても良
く、その場合は記録層１５の消去操作は行なわない。

【００３８】情報を再生する際には、回転している光磁
気ディスク１に記録方向（上向き）の外部磁場を印加し
つつ、記録時よりも低い再生用パワーでレーザ光を照射
する。図２は光磁気ディスクの再生時の磁化状態を示す
説明図である。光磁気ディスク１にはレーザ光の照射に
よりレーザスポットＳ内において温度分布が生じ、低温
領域、中間温度領域及び高温領域が形成されている。低
温領域では中間層１４と記録層１５との間に作用する交
換結合力よりも再生磁場の方が大きいので、中間層１４
の磁化方向が再生磁場と同方向に揃う。中間層１４と交
換結合した再生層１３の磁化方向は記録層１５の磁化方
向とは無関係に再生磁場と逆方向に揃い、これによりフ
ロントマスクが形成される。

【００３９】このとき、低温領域には中間層１４と記録
層１５との間に界面磁壁が形成されている。界面磁壁は
磁性原子の磁気モーメントが磁性層間で平行逆向きにな
った状態を言い、図２では低温領域で２箇所の界面磁壁
を示している。なお、希土類原子及び遷移金属原子の磁
気モーメントは互いに逆向きであり、図２の各磁性層の
矢符は、希土類原子及び遷移金属原子の優勢な磁気モー
メントの方向で示している。従って、ＲＥリッチな中間
層１４とＴＭリッチな記録層１５とは、磁化方向が同方
向であるときに界面磁壁が形成されている。

【００４０】高温領域では、再生層１３と中間層１４と
の間に作用する交換結合力が切断され、再生層１３の磁
化方向が再生磁場と同方向に揃うことによりリアマスク
が形成される。このとき、高温領域には中間層１４と再
生層１３との間に界面磁壁が形成されている。中間温度
領域では、再生層１３，中間層１４及び記録層１５間に
再生磁場よりも大きな交換結合力が働いており、記録層
１５及び補助記録層１６の磁化方向が再生層１３に転写
される。

【００４１】また、上述した如く初期消去された磁場発
生層１８は、再生時の光磁気ディスク１の温度分布によ
り磁場発生層１８の低温領域の磁化の値が大きくなって
漏洩磁場を発生する。この漏洩磁場は再生磁場と同方向
であるので再生磁場を助ける方向に働く。即ち、外部か
ら印加する再生磁場に磁場発生層１８からの漏洩磁場を
加えた磁場が記録層１５，中間層１４及び再生層１３に
作用する。

【００４２】光磁気ディスクの磁気光学出力を検出した
とき、レーザスポットＳ内において低温領域及び高温領
域には夫々マスクが形成されるのでこれらの領域から光
磁気信号を読出すことはなく、中間温度領域のみから光
磁気信号が読出される。

【００４３】図３は実施の形態１の光磁気ディスクの記
録消去磁場依存性を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲを
示している。横軸は磁場の大きさを示し、正側は記録方
向の磁場を、負側は消去方向の磁場を示している。グラ
フ中、実線は実施の形態１の光磁気ディスクの結果を示
し、破線は補助記録層１６及び磁場発生層１８が無い従
来の光磁気ディスクの結果を示している。グラフから、
実施の形態１の光磁気ディスクは200 Ｏｅの磁場で消去
が可能であり、一方、従来例は400 Ｏｅの消去磁場が必
要であることが判る。このことから、本実施の形態の光
磁気ディスク１は補助記録層１６により必要消去磁場が
低減されたと言える。

【００４４】図４は実施の形態１の光磁気ディスクの再
生磁場依存性を示すグラフである。縦軸はＣＮＲを示
し、横軸は再生時に印加した外部磁場を示している。グ
ラフからＣＮＲが飽和する再生磁場は300 Ｏｅであり、
従来と同程度であることが判る。前述したように補助記
録層１６の形成により必要再生磁場は増大するが、再生
磁場と同方向の漏洩磁場が磁場発生層１８から発生され
るので、外部から加える再生磁場は漏洩磁場分を低減す
ることができ、従って光磁気ディスク１の再生磁場が増
大することはない。

【００４５】以上の如く実施の形態１の光磁気ディスク
１は、再生時の数百Ｏｅの磁場の印加で、実質的にビー
ムスポットよりも小さい領域から記録マークを高分解能
で読出すことができ、消去消去磁場及び印加すべき再生
磁場の両方を低減できた。

【００４６】実施の形態２．図５は実施の形態２の光磁
気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディス
ク２は、再生層１３から熱伝導層２０までの積層膜につ
いては実施の形態１と同様であり、対応する部分に対応
する符号を付してその説明を省略する。これらの積層膜
の最外層として、熱伝導層２０の側にポリカーボネート
製の基板１１が積層され、再生層１３の側にＳｉＮから
なる90nmの厚みの上地誘電体層２２が形成されている。
なお、保護層１９の厚みは25ｎｍである。

【００４７】このような構成の光磁気ディスク２は、記
録時及び再生時にはレーザ光を上地誘電体層２２側から
照射する。光磁気ディスク２について、実施の形態１と
同様、補助記録層１６により必要消去磁場が低減され、
磁場発生層１８により印加すべき再生磁場が低減される
効果が確認できた。

【００４８】なお、このような光磁気ディスク２の構成
では保護層１９は必ずしも必要ではなく、熱伝導層２０
上に直接に磁場発生層１８が形成されても良い。この場
合、熱伝導層２０は記録再生時のパワー感度が最適にな
るように薄く調整する。さらに光磁気ディスク２の熱伝
導層２０はＡｌＣｒに限らず、熱伝導率が高い銀系合金
などの金属を用いても良い。

【００４９】実施の形態３．図６は実施の形態３の光磁
気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディス
ク３は、記録層１５の中間層１４と反対の側に中間誘電
体層１７が直接形成されており、実施の形態１に示した
補助記録層は形成されていない。また記録層１５はＴｂ
ＦｅＣｏで形成されたＲＥリッチの磁性膜であり、50nm
の厚みを有している。これらの再生層１３，中間層１
４，記録層１５及び磁場発生層１８のキュリー温度を夫
々Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３及びＴｃ５とした場合に、Ｔ
ｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３＜Ｔｃ５の関係を満たし
ている。キュリー温度Ｔｃ３＜Ｔｃ５の関係により、記
録時及び消去時にレーザ光を照射した際に達する温度ま
での範囲内で磁場発生層１８の磁化が反転することがな
い。また、再生層１３，記録層１５及び磁場発生層１８
の室温における保磁力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ３及びＨｃ５
とした場合に、Ｈｃ３＞Ｈｃ１，Ｈｃ３＜Ｈｃ５の関係
を満たしている。その他の構成は実施の形態１と同様で
あり、対応する部分に対応する符号を付して説明を省略
する。

【００５０】以上の構成の光磁気ディスク３の必要消去
磁場及び必要再生磁場を測定したところ、必要消去磁場
は200 Ｏｅであり、必要再生磁場は300 Ｏｅであった。
記録層１５をＲＥリッチ組成とすることにより、即ち補
償組成を有することにより必要消去磁場を低減でき、磁
場発生層１８を形成することにより印加すべき再生磁場
を低減できた。

【００５１】実施の形態４．図７は実施の形態４の光磁
気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディス
ク４は、再生層１３から熱伝導層２０までの積層膜につ
いては実施の形態３と同様であり、対応する部分に対応
する符号を付してその説明を省略する。これらの積層膜
の最外層として、熱伝導層２０の側にポリカーボネート
製の基板１１が積層され、再生層１３の側にＳｉＮから
なる90nmの厚みの上地誘電体層２２が形成されている。
なお、保護層１９の厚みは25ｎｍである。

【００５２】このような構成の光磁気ディスク４は、記
録時及び再生時にはレーザ光を上地誘電体層２２側から
照射する。光磁気ディスク４について、実施の形態３と
同様、記録層１５がＲＥリッチであることにより必要消
去磁場が低減され、磁場発生層１８により印加すべき再
生磁場が低減される効果が確認できた。

【００５３】実施の形態５．実施の形態１（図１参照）
と同様の膜構成で、磁場発生層をＴｂＦｅＣｏで形成し
た媒体を作成した。磁場発生層はＴＭリッチのＴｂ₂₂Ｆ
ｅ₅₃Ｃｏ₂₅膜であり、キュリー温度が390 ℃で補助記録
層よりも高く、保磁力は記録層より大きい。その他の膜
構成は実施の形態１と同様であり、図面及びその説明を
省略する。

【００５４】再生層，中間層，記録層，補助記録層及び
磁場発生層のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ
３，Ｔｃ４及びＴｃ５とした場合に、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，
Ｔｃ２＜Ｔｃ３＜Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係を満たしてい
る。また、再生層，記録層及び磁場発生層の室温におけ
る保磁力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ３及びＨｃ５とした場合
に、Ｈｃ３＞Ｈｃ１，Ｈｃ３＜Ｈｃ５の関係を満たして
いる。磁場発生層の初期消去は通常パワーよりも高いレ
ーザパワーを照射しつつ記録方向の磁場を印加して行っ
た。キュリー温度Ｔｃ３＜Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係によ
り、記録時及び消去時にレーザ光を照射した際に達する
温度までの範囲内で磁場発生層の磁化が反転することは
ない。

【００５５】以上の構成の光磁気ディスクの必要消去磁
場及び必要再生磁場を測定したところ、必要消去磁場は
200 Ｏｅであり、必要再生磁場は300 Ｏｅであった。実
施の形態１と同様、補助記録層により必要消去磁場が低
減され、磁場発生層により印加すべき再生磁場が低減さ
れる効果が確認できた。

【００５６】なお、実施の形態５の光磁気ディスクは、
基板が実施の形態２（図５参照）に示す如く熱伝導層側
に積層してあっても実施の形態５と同様の効果を得るこ
とができる。

【００５７】実施の形態６．実施の形態３（図６参照）
と同様の膜構成で、磁場発生層をＴｂＦｅＣｏで形成し
た媒体を作成した。磁場発生層はＴＭリッチのＴｂ₂₂Ｆ
ｅ₅₃Ｃｏ₂₅膜であり、キュリー温度が390 ℃で記録層よ
りも高く、保磁力は記録層より大きい。その他の膜構成
は実施の形態３と同様であり、図面及びその説明を省略
する。

【００５８】以上の構成の光磁気ディスクの必要消去磁
場及び必要再生磁場を測定したところ、必要消去磁場は
200 Ｏｅであり、必要再生磁場は300 Ｏｅであった。実
施の形態３と同様、ＲＥリッチの記録層により必要消去
磁場が低減され、磁場発生層により印加すべき再生磁場
が低減される効果が確認できた。

【００５９】なお、実施の形態６の光磁気ディスクは、
基板が実施の形態４（図７参照）に示す如く熱伝導層側
に積層してあっても実施の形態６と同様の効果を得るこ
とができる。

【００６０】実施の形態７．図８は実施の形態７の光磁
気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディス
ク５はトラックピッチが0.6 μｍのランドグルーブ基板
上に磁性膜を積層した媒体であり、中間層２４をキュリ
ー温度が略260 ℃のＧｄ₃₀Ｆｅ₅₈Ｃｏ₁₂で形成してい
る。本実施の形態７の記録層１５はＴｂ₂₂Ｆｅ₆₀Ｃｏ₁₈
で、再生層１３はＧｄ₂₆Ｆｅ₆₁Ｃｏ₁₃で実施の形態１の
再生層よりもＧｄ量を略１％多くしている。中間層２４
のキュリー温度は記録層１５のキュリー温度とほぼ同じ
高さである。これにより再生時に生じる光磁気ディスク
５の温度分布の高温領域では、記録層１５−中間層２４
−再生層１３間に交換結合力が働き、リアマスクが形成
されない。

【００６１】これらの再生層１３，中間層２４，記録層
１５，補助記録層１６及び磁場発生層１８のキュリー温
度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２，Ｔｃ３，Ｔｃ４及びＴｃ５と
した場合、Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２≒Ｔｃ３，Ｔｃ３＜
Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係を満たしている。キュリー温度Ｔ
ｃ３＜Ｔｃ４＜Ｔｃ５の関係により、記録時及び消去時
にレーザ光を照射した際に達する温度までの範囲内で磁
場発生層１８の磁化が反転することがない。また、再生
層１３，記録層１５及び磁場発生層１８の室温における
保磁力を夫々Ｈｃ１，Ｈｃ３及びＨｃ５とした場合に、
Ｈｃ３＞Ｈｃ１，Ｈｃ３＜Ｈｃ５の関係を満たしてい
る。その他の膜構成は実施の形態１と同様であり、対応
する部分を対応する符号で示し、その説明を省略する。
なお、光磁気ディスク５の出荷時の磁場発生層１８の初
期消去、情報の記録操作及び再生操作は実施の形態１と
同様に行なう。

【００６２】図９はレーザスポットＳ内のマスクの形成
状態を示す説明図であり、図９（ａ）は本実施の形態７
の光磁気ディスク７を示し、図９（ｂ）は従来の光磁気
ディスクを示している。図中Ｔは再生すべきトラックで
あり、ｔ₁ 及びｔ₂ はその両側のトラックを示す。図９
（ｂ）に示すように、従来の光磁気ディスクではレーザ
スポットＳ内にフロントマスクＦとリアマスクＲが形成
された所謂ダブルマスク形式であり、その間の開口領域
Ｏから情報が読出されるようになっているが、図９
（ａ）の本実施の形態７ではフロントマスクＦのみが形
成されており、開口領域Ｏの両側トラックｔ₁ ，ｔ₂ へ
の広がりはダブルマスク形式よりも小さいことが判る。
即ち、実施の形態７の光磁気ディスク５は、低温領域で
は中間層２４と記録層との間の界面磁壁は生じるが、高
温領域では記録層１３と中間層２４との間の界面磁壁が
生じないためにリアマスクが形成されず、フロントマス
クＦのみが生じている。リアマスクが生じないために、
フロントマスクＦはレーザスポットＳのリア側に広が
り、従って開口部Ｏの領域が光磁気ディスク５の径方向
に狭くなっている。

【００６３】図１０は実施の形態７の光磁気ディスクの
温度に対するマスク形成磁場の関係を示すグラフであ
る。縦軸はマスク形成に必要な磁場の大きさを示し、横
軸は温度を示している。グラフ中、実線は実施の形態７
の光磁気ディスクについて、破線は従来のＭＳＲ媒体に
ついて示し、‘○’はフロントマスクを、‘◇ ’はリ
アマスクを夫々示している。グラフから、リアマスクを
形成するために必要な磁場が実施の形態７は従来例より
も高温側にシフトしていることが判る。これは従来例と
同程度の再生磁場の印加ではリアマスクが形成されない
ことを示している。

【００６４】本実施の形態７の光磁気ディスク５につい
て、消去磁場特性及び再生磁場特性を調べた。結果を図
１１及び図１２に示す。図１１は実施の形態７の光磁気
ディスクの記録消去磁場依存性を示すグラフである。縦
軸はＣＮＲを示している。横軸は記録（消去）磁場の大
きさを示し、正側は記録磁場を、負側は消去磁場を示し
ている。また図１２は実施の形態７の光磁気ディスクの
再生磁場依存性を示すグラフである。縦軸はＣＮＲを横
軸は再生磁場を示している。図１１及び図１２から、光
磁気ディスク５に必要な消去磁場は２００Ｏｅ以下であ
り、再生時に印加する外部磁場は３００Ｏｅ以下で良い
ことが判る。

【００６５】また、本実施の形態７の光磁気ディスクの
クロストークの大きさについて調べた。光磁気ディスク
５はトラックＴの両側のトラックｔ₁ ，ｔ₂ のみにクロ
ストーク測定用の信号が記録されており、レーザビーム
をトラックＴに照射してクロストーク値を測定した。そ
の結果を図１３に示す。図１３は、実施の形態７の光磁
気ディスクの再生パワーに対するクロストークの大きさ
を示すグラフである。縦軸はクロストークを示し、横軸
はレーザ光の再生パワーを示している。グラフ中、
‘○’はグルーブからの漏れ込みを示し、‘△’はラン
ドからの漏れ込みを示している。グラフから判るよう
に、再生パワーが高くなっても光磁気ディスク５のクロ
ストークは許容値である−２０ｄＢよりも小さい値を示
しており、クロストークが低減されていると言える。

【００６６】以上の如く、本実施の形態７の光磁気ディ
スク５は、磁場発生層１８により再生時に印加する外部
磁場の大きさを増大させずに必要消去磁場を低減するこ
とができるという実施の形態１と同様の効果を示し、さ
らに加えて、再生時にリアマスクＲを形成せずにフロン
トマスクＦのみを形成してＭＳＲ再生を行なうことによ
り、クロストークを低減できる効果を得る。

【００６７】なお、実施の形態７では、中間層２４のキ
ュリー温度を記録層１５とほぼ同程度まで上げることに
よりフロントマスクＦのみを形成する記録層１５−中間
層２４−再生層１３の積層磁性膜構成に磁場発生層１８
を加えた媒体を例に挙げて説明しているが、磁場発生層
１８を形成していない膜構成であっても、クロストーク
の低減の効果は得ることができる。

【００６８】また実施の形態７の光磁気ディスクは、補
助記録層１６により消去磁場を低減する構成としている
が、補助記録層１６を形成する替わりに記録層１５を補
償組成を有する磁性膜とすることにより同様の効果を得
ることができる。即ち、記録層１５により消去磁場を低
減し、且つ、磁場発生層により再生磁場を低減し、さら
にクロストークを低減できる。

【００６９】さらに、実施の形態７の光磁気ディスク
は、基板が実施の形態２（図５参照）に示す如く熱伝導
層側に積層してあっても実施の形態５と同様の効果を得
ることができる。

【００７０】実施の形態８．図１４は実施の形態８の光
磁気ディスクの膜構成を示す断面図である。光磁気ディ
スク６はトラックピッチが0.6 μｍ、溝深さが４０ｎｍ
のランドグルーブ基板上に磁性膜を積層した媒体であ
り、記録層１５上にＡｇＰｄＣｕからなる１０ｎｍの厚
みの中間熱伝導層２０ａを積層し、該中間熱伝導層２０
ａ上に中間誘電体層１７、磁場発生層１８、保護層１９
及び熱伝導層２０ｂを順次積層している。中間熱伝導層
２０ａの他の積層膜の組成及び膜厚は実施の形態３と同
様であり、対応する部分に対応する符号を付して説明を
省略する。

【００７１】このような構造の光磁気ディスク６につい
て消去磁場と再生時に印加すべき外部磁場とを測定した
結果、消去磁場は200 Ｏｅであり、再生時に印加する外
部磁場は300 Ｏｅであった。これは実施の形態３と同様
の結果であり、再生時に印加すべき磁場を増大すること
なく必要消去磁場を低減できたことが判る。

【００７２】次に上述した光磁気ディスク６を中間熱伝
導層２０ａの膜厚を１ｎｍ，３ｎｍ，５ｎｍの３種類に
異ならせて作成した。これらについて再生パワーに対す
るクロストークの値を測定した結果、記録パワー感度は
若干低下したものの、いずれの膜厚の中間熱伝導層２０
ａを有する光磁気ディスクも高い再生パワーを使用して
もクロストークが低減されることが判った。結果を図１
５及び図１６に示す。光磁気ディスク６はランドの両側
のグルーブのみにクロストーク測定用の８Ｔ信号を記録
しており、ランドに漏れ込んでくる信号を測定した。図
１５は実施の形態８の光磁気ディスクの再生パワーに対
するクロストークの大きさを示すグラフである。縦軸は
クロストークを示し、横軸はレーザ光の再生パワーを示
している。グラフ中、‘○’は実施の形態８の光磁気デ
ィスク６を示し、‘●’は中間熱伝導層２０ａが形成さ
れていない従来の光磁気ディスクを示している。グラフ
から、従来例は再生パワーが４ｍＷ未満でクロストーク
が許容値の２０ｄＢを超えていることが判る。これに対
して本実施の形態８では再生パワーが５ｍＷを超えても
許容値の２０ｄＢ以下であり、高い再生パワーでもクロ
ストークが低減されることが判る。

【００７３】また、図１６は実施の形態８の光磁気ディ
スクの再生磁場に対するクロストークの大きさを示すグ
ラフである。縦軸はクロストークを示し、横軸は再生時
に印加する外部磁場を示している。グラフ中、‘○’は
実施の形態８の光磁気ディスク６を示し、‘●’は中間
熱伝導層２０ａが形成されていない従来の光磁気ディス
クを示している。グラフから、従来例は再生磁場が350
Ｏｅを超えると許容値の２０ｄＢを超えるが、本実施の
形態８では再生磁場が500 Ｏｅでも許容値を大きく下回
っており、クロストークが許容値以下を示す再生磁場の
範囲が広くなっていることが判る。

【００７４】以上の如く、本実施の形態８の光磁気ディ
スク６は再生時に消去磁場及び再生磁場を共に低減でき
るという実施の形態１と同様の効果を示し、さらに加え
て、再生時に高レーザパワーを使用してもクロストーク
を低減できるという効果を得る。クロストークの低減
は、再生時のレーザ光照射による熱を中間熱伝導層２０
ａがレーザスポットの外側にすばやく逃がすので、レー
ザスポット内の温度分布がディスク径方向に急峻になる
ためと考えられる。

【００７５】なお、本実施の形態８の光磁気ディスク６
の最外層の熱伝導層２０ｂが形成されていない媒体につ
いても同様に、再生磁場且つ消去磁場の低減、及びクロ
ストークの改善効果が得られ、記録パワー感度も向上で
きることが判った。

【００７６】また、上述した中間熱伝導層２０ａはＡｇ
ＰｄＣｕ合金を例に挙げて説明しているが、これに限る
ものではなく、ＡｌＣｒ，ＡｌＴｉなどのＡｌ合金，Ａ
ｌ単体など、再生層１３，中間層１４及び記録層１５よ
りも熱伝導率が高い材料であれば同様の効果を得ること
ができる。また最外層の熱伝導層２０ｂについても同様
のことが言える。

【００７７】さらに実施の形態８では、記録層１５−中
間層１４−再生層１５の積層磁性膜構成の記録層１５上
に直接中間熱伝導層２０ａを積層し、さらに中間熱伝導
層２０ａ上に中間誘電体層１７を介して磁場発生層１８
を加えた媒体を例に挙げて説明しているが、磁場発生層
１８を形成しない膜構成であっても、クロストークの低
減の効果を得ることができる。

【００７８】さらにまた、実施の形態８の光磁気ディス
クは、基板が実施の形態４（図７参照）に示す如く熱伝
導層側に積層してあっても実施の形態６と同様の効果を
得ることができる。

【００７９】さらにまた、実施の形態８の光磁気ディス
クは、記録層１５と中間熱伝導層２０ａとの間に補助記
録層を形成してあっても同様の効果を得る。即ち、クロ
ストークを低減でき、補助記録層により消去磁場を低減
でき、且つ、磁場発生層により再生磁場も低減できる。
補助記録層は希土類遷移金属合金で形成され、キュリー
温度まで補償温度を有さず、記録層よりも高いキュリー
温度のＲＥリッチ組成を有する。

【００８０】以上の如く、実施の形態１〜実施の形態８
では、ＭＳＲ再生のために記録層，中間層及び再生層の
３層構成の媒体を例に挙げて説明しているが、これに限
るものではなく、他の磁性膜を加えて構成してあっても
良く、ＭＳＲ再生が可能な他の膜構成であれば良い。

【００８１】（付記１）少なくとも記録層及び再生層を
含む積層磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光ビ
ームを照射して前記記録層に情報を記録し、再生時に磁
場を印加しつつ光ビームを照射してビームスポット径よ
り小さい領域からの前記情報の読出しが可能な光磁気記
録媒体において、前記積層磁性膜の再生層よりも記録層
に近い側に、磁性体からなる磁場発生層を備えることを
特徴とする光磁気記録媒体。

【００８２】（付記２）少なくとも記録層、中間層及び
再生層を含む積層磁性膜を有し、記録時に磁場を印加し
つつ光ビームを照射して前記記録層に情報が記録され、
再生時に磁場を印加しつつ光ビームを照射して生じた媒
体内温度分布の低温領域の積層膜間及び高温領域の積層
膜間に界面磁壁を生ぜしめ、中間温度領域から前記情報
の読出しが可能な光磁気記録媒体において、前記積層磁
性膜の再生層よりも記録層に近い側に、磁性体からなる
磁場発生層を備えることを特徴とする光磁気記録媒体。

【００８３】（付記３）前記磁場発生層と前記記録層と
の間に非磁性層を介在せしめてある付記１又は２記載の
光磁気記録媒体。

【００８４】（付記４）前記記録層は補償組成を有して
おり、前記磁場発生層は積層方向の磁化容易特性を有
し、前記記録層よりも高いキュリー温度と大きな保磁力
とを有する付記１，２又は３記載の光磁気記録媒体。

【００８５】（付記５）前記記録層と前記非磁性層との
間に、希土類遷移金属からなり、キュリー温度まで補償
温度を有さず、前記記録層よりも高いキュリー温度を有
する希土類金属磁化優勢の補助記録層を介在せしめてあ
る付記３記載の光磁気記録媒体。

【００８６】（付記６）前記磁場発生層は積層方向の磁
化容易特性を有し、前記補助記録層よりも高いキュリー
温度と前記記録層よりも大きな保磁力とを有する希土類
遷移金属である付記５記載の光磁気記録媒体。

【００８７】（付記７）少なくとも記録層及び再生層を
含む積層磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光ビ
ームを照射して前記記録層に情報を記録し、再生時に磁
場を印加しつつ光ビームを照射して生じた媒体内温度分
布により特定される領域からの前記情報の読出しが可能
な光磁気記録媒体において、前記積層磁性膜の夫々は、
再生時に前記温度分布の低温領域又は高温領域のいずれ
かに積層膜間の界面磁壁を生ぜしめる組成を有すること
を特徴とする光磁気記録媒体。

【００８８】（付記８）前記記録層は補償組成で積層方
向の磁化容易特性を有し、前記再生層は積層方向の磁化
容易特性を有しており、さらに、前記記録層及び再生層
間にあり、室温で面内方向の磁化容易特性を有し、前記
記録層と略同等のキュリー温度を有する中間層と、該記
録層上に形成された非磁性層と、該非磁性層上に形成さ
れ、積層方向の磁化容易特性を有し、前記記録層よりも
高いキュリー温度と大きな保磁力とを有する磁性体から
なる磁場発生層とを備える付記７記載の光磁気記録媒
体。

【００８９】（付記９）前記記録層及び前記再生層は積
層方向の磁化容易特性を有しており、さらに、前記記録
層及び再生層間にあり、室温で面内方向の磁化容易特性
を有し、前記記録層と略同等のキュリー温度を有する中
間層と、前記積層磁性膜の再生層よりも記録層に近い側
に形成され、キュリー温度まで補償温度を有さず、前記
記録層よりも高いキュリー温度を有する希土類金属磁化
優勢の希土類遷移金属からなる補助記録層と、該補助記
録層上に形成された非磁性層と、該非磁性層上に形成さ
れ、積層方向の磁化容易特性を有し、前記補助記録層よ
りも高いキュリー温度と前記記録層よりも大きな保磁力
とを有する磁性体からなる磁場発生層とを備える付記７
記載の光磁気記録媒体。

【００９０】（付記１０）少なくとも記録層及び再生層
を含む積層磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光
ビームを照射して前記記録層に情報を記録し、再生時に
磁場を印加しつつ光ビームを照射して生じた媒体内温度
分布により特定される領域からの前記情報の読出しが可
能な光磁気記録媒体において、前記記録層に接触して熱
伝導層を備えることを特徴とする光磁気記録媒体。

【００９１】（付記１１）前記記録層は補償組成で積層
方向の磁化容易特性を有し、前記再生層は積層方向の磁
化容易特性を有しており、さらに、前記記録層及び再生
層間にあり、室温で面内方向の磁化容易特性を有し、前
記記録層と略同等のキュリー温度を有する中間層と、前
記熱伝導層上に形成された非磁性層と、該非磁性層上に
形成され、積層方向の磁化容易特性を有し、前記記録層
よりも高いキュリー温度と大きな保磁力とを有する磁性
体からなる磁場発生層とを備える付記１０記載の光磁気
記録媒体。

【００９２】（付記１２）前記記録層及び前記再生層は
積層方向の磁化容易特性を有しており、さらに、前記記
録層及び再生層間にあり、室温で面内方向の磁化容易特
性を有し、前記記録層と略同等のキュリー温度を有する
中間層と、前記積層磁性膜の再生層よりも記録層に近い
側に形成され、キュリー温度まで補償温度を有さず、前
記記録層よりも高いキュリー温度を有する希土類金属磁
化優勢の希土類遷移金属からなる補助記録層と、該補助
記録層上に形成された非磁性層と、該非磁性層上に形成
され、積層方向の磁化容易特性を有し、前記補助記録層
よりも高いキュリー温度と前記記録層よりも大きな保磁
力とを有する磁性体からなる磁場発生層とを備える付記
１０記載の光磁気記録媒体。

【００９３】（付記１３）前記熱伝導層は、前記磁性膜
よりも高い熱伝導率を有し、１０ｎｍ以下の厚みを有す
る付記１０，１１又は１２記載の光磁気記録媒体。

【００９４】

【発明の効果】以上のように本発明においては、少なく
とも記録層及び再生層を含む積層磁性膜に付加した磁場
発生層が再生時に磁場を生じ、磁性積層膜に作用するの
で、外部から印加する再生磁場をその分低減できる。ま
た、補償組成の記録層又は補助記録層は消去磁場を低減
すると共に再生磁場を増大させるが、磁場発生層により
再生磁場を低減することができる。さらに、低温領域又
は高温領域のいずれか一方にのみ界面磁壁を形成するこ
とにより、マスク領域の媒体径方向の広がりを抑えてク
ロストークを低減でき、さらに磁場発生層を付加するこ
とにより再生磁場も低減できる。さらにまた、記録層上
に熱伝導層を直接形成することによりビームスポット内
の温度分布が急峻になり、クロストークを低減でき、さ
らに磁場発生層を付加することにより再生磁場も低減で
きる等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１の光磁気ディスクの膜構
成を示す断面図である。

【図２】実施の形態１の光磁気ディスクの再生時の磁化
状態を示す説明図である。

【図３】実施の形態１の光磁気ディスクの記録消去磁場
依存性を示すグラフである。

【図４】実施の形態１の光磁気ディスクの再生磁場依存
性を示すグラフである。

【図５】実施の形態２の光磁気ディスクの膜構成を示す
断面図である。

【図６】実施の形態３の光磁気ディスクの膜構成を示す
断面図である。

【図７】実施の形態４の光磁気ディスクの膜構成を示す
断面図である。

【図８】実施の形態７の光磁気ディスクの膜構成を示す
断面図である。

【図９】実施の形態７の光磁気ディスクのマスク形成の
状態を従来例と共に示した説明図である。

【図１０】実施の形態７の光磁気ディスクの温度に対す
るマスク形成磁場の関係を示すグラフである。

【図１１】実施の形態７の光磁気ディスクの記録消去磁
場依存性を示すグラフである。

【図１２】実施の形態７の光磁気ディスクの再生磁場依
存性を示すグラフである。

【図１３】実施の形態７の光磁気ディスクの再生パワー
に対するクロストークの大きさを示すグラフである。

【図１４】実施の形態８の光磁気ディスクの膜構成を示
す断面図である。

【図１５】実施の形態８の光磁気ディスクの再生パワー
に対するクロストークの大きさを示すグラフである。

【図１６】実施の形態８の光磁気ディスクの再生磁場に
対するクロストークの大きさを示すグラフである。

【図１７】従来の光磁気ディスクの記録消去磁場依存性
を示すグラフである。

【図１８】従来の光磁気ディスクの消去磁場と再生磁場
との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１，２，３，４，５，６ 光磁気ディスク １１ 基板 １３ 再生層 １４，２４ 中間層 １５ 記録層 １６ 補助記録層 １７ 中間誘電体層 １８ 磁場発生層 ２０，２０ｂ 熱伝導層 ２０ａ 中間熱伝導層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５６３ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５６３Ｇ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも記録層及び再生層を含む積層
   磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光ビームを照
   射して前記記録層に情報を記録し、再生時に磁場を印加
   しつつ光ビームを照射してビームスポット径より小さい
   領域からの前記情報の読出しが可能な光磁気記録媒体に
   おいて、 前記積層磁性膜の再生層よりも記録層に近い側に、磁性
   体からなる磁場発生層を備えることを特徴とする光磁気
   記録媒体。
2. 【請求項２】 前記磁場発生層と前記記録層との間に非
   磁性層を介在せしめてある請求項１記載の光磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 前記記録層は補償組成を有しており、前
   記磁場発生層は積層方向の磁化容易特性を有し、前記記
   録層よりも高いキュリー温度と大きな保磁力とを有する
   請求項１又は２記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記記録層と前記非磁性層との間に、希
   土類遷移金属からなり、キュリー温度まで補償温度を有
   さず、前記記録層よりも高いキュリー温度を有する希土
   類金属磁化優勢の補助記録層を介在せしめてある請求項
   ２記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記磁場発生層は積層方向の磁化容易特
   性を有し、前記補助記録層よりも高いキュリー温度と前
   記記録層よりも大きな保磁力とを有する希土類遷移金属
   である請求項４記載の光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 少なくとも記録層及び再生層を含む積層
   磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光ビームを照
   射して前記記録層に情報を記録し、再生時に磁場を印加
   しつつ光ビームを照射して生じた媒体内温度分布により
   特定される領域からの前記情報の読出しが可能な光磁気
   記録媒体において、 前記積層磁性膜の夫々は、再生時に前記温度分布の低温
   領域又は高温領域のいずれかに積層膜間の界面磁壁を生
   ぜしめる組成を有することを特徴とする光磁気記録媒
   体。
7. 【請求項７】 前記記録層及び前記再生層は積層方向の
   磁化容易特性を有しており、さらに、 前記記録層及び再生層間にあり、室温で面内方向の磁化
   容易特性を有し、前記記録層と略同等のキュリー温度を
   有する中間層と、 前記積層磁性膜の再生層よりも記録層に近い側に形成さ
   れ、キュリー温度まで補償温度を有さず、前記記録層よ
   りも高いキュリー温度を有する希土類金属磁化優勢の希
   土類遷移金属からなる補助記録層と、 該補助記録層上に形成された非磁性層と、 該非磁性層上に形成され、積層方向の磁化容易特性を有
   し、前記補助記録層よりも高いキュリー温度と前記記録
   層よりも大きな保磁力とを有する磁性体からなる磁場発
   生層とを備える請求項６記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 少なくとも記録層及び再生層を含む積層
   磁性膜を有し、記録時に磁場を印加しつつ光ビームを照
   射して前記記録層に情報を記録し、再生時に磁場を印加
   しつつ光ビームを照射して生じた媒体内温度分布により
   特定される領域からの前記情報の読出しが可能な光磁気
   記録媒体において、 前記記録層に接触して熱伝導層を備えることを特徴とす
   る光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 前記記録層は補償組成で積層方向の磁化
   容易特性を有し、前記再生層は積層方向の磁化容易特性
   を有しており、さらに、 前記記録層及び再生層間にあり、室温で面内方向の磁化
   容易特性を有し、前記記録層と略同等のキュリー温度を
   有する中間層と、 前記熱伝導層上に形成された非磁性層と、 該非磁性層上に形成され、積層方向の磁化容易特性を有
   し、前記記録層よりも高いキュリー温度と大きな保磁力
   とを有する磁性体からなる磁場発生層とを備える請求項
   ８記載の光磁気記録媒体。