JP2002352484A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2002352484A JP2002352484A JP2001157148A JP2001157148A JP2002352484A JP 2002352484 A JP2002352484 A JP 2002352484A JP 2001157148 A JP2001157148 A JP 2001157148A JP 2001157148 A JP2001157148 A JP 2001157148A JP 2002352484 A JP2002352484 A JP 2002352484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic layer
- layer
- temperature
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 56
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 197
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- -1 Si and Al Chemical class 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005303 antiferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、光磁気記録媒体に関し、従来よ
りも狭トラックピッチのランドグルーブ基板を用いて
も、実用上問題とならない程度に隣接トラックからのク
ロストークの発生を抑えることのできる光磁気記録媒体
を提供すること。 【解決手段】 少なくとも３層からなる磁性層を備え、
光ビームの集中照射によって第３磁性層に記録された記
録マークを、その上層の第２磁性層を介してさらにその
上層の第１磁性層に転写して再生する光磁気記録媒体で
あって、第１磁性層が、所定温度以上となった領域に、
自発磁化の存在しない高温マスクを備えてなることを特
徴とする。
りも狭トラックピッチのランドグルーブ基板を用いて
も、実用上問題とならない程度に隣接トラックからのク
ロストークの発生を抑えることのできる光磁気記録媒体
を提供すること。 【解決手段】 少なくとも３層からなる磁性層を備え、
光ビームの集中照射によって第３磁性層に記録された記
録マークを、その上層の第２磁性層を介してさらにその
上層の第１磁性層に転写して再生する光磁気記録媒体で
あって、第１磁性層が、所定温度以上となった領域に、
自発磁化の存在しない高温マスクを備えてなることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光磁気記録媒体
に関し、特に、磁気超解像（Magnetically Induced Sup
er Resolution）再生が可能な光磁気記録媒体に関す
る。
に関し、特に、磁気超解像（Magnetically Induced Sup
er Resolution）再生が可能な光磁気記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、記録密度を増大させ
るために、レーザビームのスポット径よりも短いマーク
長を持ち、スポット径よりも短い周期で形成された記録
マークを備えたものが開発されている。特に、ビームの
スポット径よりも小さな記録マークを再生する方法とし
て、磁気超解像（ＭＳＲ）再生方法が提案されている。
この方法は、記録層と再生層とを含む複数の磁性層を積
層した光磁気ディスクを回転しつつ再生レーザ光を照射
することにより光磁気ディスクの周方向に温度分布を生
ぜしめ、この温度分布を利用して小さな記録マークを読
出すようにしている。これにより、実質的に再生レーザ
光のスポット径よりも小さな光スポットで再生した場合
と同等の分解能が得られる。
るために、レーザビームのスポット径よりも短いマーク
長を持ち、スポット径よりも短い周期で形成された記録
マークを備えたものが開発されている。特に、ビームの
スポット径よりも小さな記録マークを再生する方法とし
て、磁気超解像（ＭＳＲ）再生方法が提案されている。
この方法は、記録層と再生層とを含む複数の磁性層を積
層した光磁気ディスクを回転しつつ再生レーザ光を照射
することにより光磁気ディスクの周方向に温度分布を生
ぜしめ、この温度分布を利用して小さな記録マークを読
出すようにしている。これにより、実質的に再生レーザ
光のスポット径よりも小さな光スポットで再生した場合
と同等の分解能が得られる。
【０００３】また、磁気超解像を利用して、ビームスポ
ットより短い周期で記録された記録マークを再生するこ
とのできる媒体として、所定の特性を有する３層の磁性
層から構成される磁気超解像媒体が、特開２０００−２
００４４８号公報に記載されている。この媒体は、再生
層、中間層及び記録層の３つの磁性層からなり、ビーム
スポット内に形成される温度分布の低温領域に低温マス
ク（フロントマスクという）を形成すると共に、高温領
域に高温マスク（リアマスクともいう）を形成したダブ
ルマスクの磁気超解像媒体（Double mask Rear Apertur
e Detection:D-RAD媒体）である。この媒体によれば、
トラックピッチが０．９μｍのランド基板上に形成され
た長さ０．３８μｍの記録マークが、３００Ｏｅ以下の
再生磁界で再生することができる。
ットより短い周期で記録された記録マークを再生するこ
とのできる媒体として、所定の特性を有する３層の磁性
層から構成される磁気超解像媒体が、特開２０００−２
００４４８号公報に記載されている。この媒体は、再生
層、中間層及び記録層の３つの磁性層からなり、ビーム
スポット内に形成される温度分布の低温領域に低温マス
ク（フロントマスクという）を形成すると共に、高温領
域に高温マスク（リアマスクともいう）を形成したダブ
ルマスクの磁気超解像媒体（Double mask Rear Apertur
e Detection:D-RAD媒体）である。この媒体によれば、
トラックピッチが０．９μｍのランド基板上に形成され
た長さ０．３８μｍの記録マークが、３００Ｏｅ以下の
再生磁界で再生することができる。
【０００４】また、さらに記録媒体の高密度化をするた
めには、媒体の半径方向のトラックピッチを詰めて、記
録マークのマーク長を短くする必要がある。トラックピ
ッチを詰めて高密度化する一つの方法として、ランドグ
ルーブ基板を用い、ランドとグルーブの両方に、記録マ
ークを形成する方法がある。前記したＤ−ＲＡＤ媒体
に、ランドグルーブ基板を適用したとしても２．３ＧＢ
／３．５インチ程度の高密度媒体であれば、隣接トラッ
クからのクロストークがほとんど生じない媒体を形成す
ることが可能である。
めには、媒体の半径方向のトラックピッチを詰めて、記
録マークのマーク長を短くする必要がある。トラックピ
ッチを詰めて高密度化する一つの方法として、ランドグ
ルーブ基板を用い、ランドとグルーブの両方に、記録マ
ークを形成する方法がある。前記したＤ−ＲＡＤ媒体
に、ランドグルーブ基板を適用したとしても２．３ＧＢ
／３．５インチ程度の高密度媒体であれば、隣接トラッ
クからのクロストークがほとんど生じない媒体を形成す
ることが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、さらなる媒体
の大容量化を目指してランドグルーブ基板のトラックピ
ッチを詰めていった場合には、隣接トラックからのクロ
ストークが無視できなくなり、再生パワーマージンが計
設値よりも狭くなるという問題が生じる。たとえば、ト
ラックピッチが０．５０μｍ程度の高密度のＤ−ＲＡＤ
媒体に対してＬＤ波長６６０ｎｍ，ＮＡ＝０．５５の光
学系で再生する場合には、隣接トラックからのクロスト
ークが無視できない程度発生し、データの記録再生の実
用レベルでは問題となる。
の大容量化を目指してランドグルーブ基板のトラックピ
ッチを詰めていった場合には、隣接トラックからのクロ
ストークが無視できなくなり、再生パワーマージンが計
設値よりも狭くなるという問題が生じる。たとえば、ト
ラックピッチが０．５０μｍ程度の高密度のＤ−ＲＡＤ
媒体に対してＬＤ波長６６０ｎｍ，ＮＡ＝０．５５の光
学系で再生する場合には、隣接トラックからのクロスト
ークが無視できない程度発生し、データの記録再生の実
用レベルでは問題となる。
【０００６】図１２及び図１３に、従来のＤ−ＲＡＤ媒
体のクロストークの再生パワー（Ｐｒ）依存性を説明す
るグラフを示す。縦軸はクロストークの発生量に相当す
るデシベル値ＣＮＲ（ｄＢ）であり、横軸は再生パワー
（ｍＷ）を示している。また、図１２は、トラックピッ
チが０．６５μｍのランドグルーブ基板であり、図１３
はトラックピッチが０．５０μｍのランドグルーブ基板
である。このグラフは、ランドに隣接するグルーブに、
最短マーク長が０．３００μｍの８Ｔマークを記憶した
場合に、クロストークによりランドに漏れこむ信号のデ
シベル値を測定したものである。
体のクロストークの再生パワー（Ｐｒ）依存性を説明す
るグラフを示す。縦軸はクロストークの発生量に相当す
るデシベル値ＣＮＲ（ｄＢ）であり、横軸は再生パワー
（ｍＷ）を示している。また、図１２は、トラックピッ
チが０．６５μｍのランドグルーブ基板であり、図１３
はトラックピッチが０．５０μｍのランドグルーブ基板
である。このグラフは、ランドに隣接するグルーブに、
最短マーク長が０．３００μｍの８Ｔマークを記憶した
場合に、クロストークによりランドに漏れこむ信号のデ
シベル値を測定したものである。
【０００７】図１２によれば、再生パワーＰｒが３．６
ｍＷから５．５ｍＷ程度まで上昇しても、クロストーク
は再生の実用上問題とならない２０ｄＢ以下である。ま
た、再生が可能なＣＮＲの立ち上がり（Ｐｒｔｈ）であ
るＰｒ＝３．８ｍＷから、クロストークが２０ｄＢ以下
の領域（Ｐｒ＝５．５ｍＷまで）を再生パワーマージン
と考えると、図１２の場合は、±１８．３％の再生パワ
ーマージンがある。一方、図１３に示したトラックピッ
チが０．５０μｍのランドグルーブ基板では、再生パワ
ーＰｒが４．５ｍＷ付近でクロストークが２０ｄＢを越
える。すなわち、高Ｐｒ側で大きくクロストークが観測
されており、より低い再生パワーの領域でもクロストー
クの影響が大きくなる。図１３では、再生パワーマージ
ンは、±９．０％程度まで減少している。
ｍＷから５．５ｍＷ程度まで上昇しても、クロストーク
は再生の実用上問題とならない２０ｄＢ以下である。ま
た、再生が可能なＣＮＲの立ち上がり（Ｐｒｔｈ）であ
るＰｒ＝３．８ｍＷから、クロストークが２０ｄＢ以下
の領域（Ｐｒ＝５．５ｍＷまで）を再生パワーマージン
と考えると、図１２の場合は、±１８．３％の再生パワ
ーマージンがある。一方、図１３に示したトラックピッ
チが０．５０μｍのランドグルーブ基板では、再生パワ
ーＰｒが４．５ｍＷ付近でクロストークが２０ｄＢを越
える。すなわち、高Ｐｒ側で大きくクロストークが観測
されており、より低い再生パワーの領域でもクロストー
クの影響が大きくなる。図１３では、再生パワーマージ
ンは、±９．０％程度まで減少している。
【０００８】このように、高Ｐｒ側で大きなクロストー
クが観測されるのは、次のようなメカニズムによるもの
と考えられる。図１４に、従来のＤ−ＲＡＤ媒体の再生
時の各層の磁化状態の説明図を示す。図１４において、
Ｄ−ＲＡＤ媒体の３つの磁性層である再生層５１，中間
層５２，及び記録層５３の磁化の向きを示している。こ
の磁性層に対して、下方から再生磁場６１が印加された
状態で、上方から光ビームが照射される。図１４はこの
光ビームが照射されたビームスポットＢＳ近傍の磁化状
態を示しているが、この媒体が図面上右方向に移動した
場合、ビームスポット内の温度分布は３つの領域（低温
領域Ａ，中間温度領域Ｂ，高温領域Ｃ）に分けられる。
磁化の向きは、上方向が記録方向Ｌ１を示し、下方向が
消去方向Ｌ２を示している。
クが観測されるのは、次のようなメカニズムによるもの
と考えられる。図１４に、従来のＤ−ＲＡＤ媒体の再生
時の各層の磁化状態の説明図を示す。図１４において、
Ｄ−ＲＡＤ媒体の３つの磁性層である再生層５１，中間
層５２，及び記録層５３の磁化の向きを示している。こ
の磁性層に対して、下方から再生磁場６１が印加された
状態で、上方から光ビームが照射される。図１４はこの
光ビームが照射されたビームスポットＢＳ近傍の磁化状
態を示しているが、この媒体が図面上右方向に移動した
場合、ビームスポット内の温度分布は３つの領域（低温
領域Ａ，中間温度領域Ｂ，高温領域Ｃ）に分けられる。
磁化の向きは、上方向が記録方向Ｌ１を示し、下方向が
消去方向Ｌ２を示している。
【０００９】図１４に示すように、再生磁場６１を記録
方向Ｌ１に加えると、ビームスポット内の低温領域Ａで
は、中間層５２の磁化がすべて、外部磁場方向Ｌ１に向
き、中間層５２と交換結合した再生層５１の磁化が消去
方向Ｌ２に向けられて、再生層５１内において低温マス
クＡ１が形成される。このとき、低温領域の記録層５３
の磁化の向きとは関係なく中間層５２の磁化の向きがそ
ろえられ、記録方向Ｌ１の記録層５３の磁化と中間層５
２との間に界面磁壁６２が生じている。
方向Ｌ１に加えると、ビームスポット内の低温領域Ａで
は、中間層５２の磁化がすべて、外部磁場方向Ｌ１に向
き、中間層５２と交換結合した再生層５１の磁化が消去
方向Ｌ２に向けられて、再生層５１内において低温マス
クＡ１が形成される。このとき、低温領域の記録層５３
の磁化の向きとは関係なく中間層５２の磁化の向きがそ
ろえられ、記録方向Ｌ１の記録層５３の磁化と中間層５
２との間に界面磁壁６２が生じている。
【００１０】一方、ビームスポット内の高温領域Ｃで
は、中間層５２の磁化がキュリー温度に達しているの
で、自発磁化を消失し（空白部で表示）、再生層５１と
の交換結合力が切断される。したがってこの高温領域Ｃ
では再生層５１の磁化はすべて外部磁化方向Ｌ１に揃え
られ、すなわち再生層５１内において、自発磁化がすべ
て記録方向Ｌ１に向いて高温マスクＣ１が形成される。
は、中間層５２の磁化がキュリー温度に達しているの
で、自発磁化を消失し（空白部で表示）、再生層５１と
の交換結合力が切断される。したがってこの高温領域Ｃ
では再生層５１の磁化はすべて外部磁化方向Ｌ１に揃え
られ、すなわち再生層５１内において、自発磁化がすべ
て記録方向Ｌ１に向いて高温マスクＣ１が形成される。
【００１１】また、中間温度領域Ｂでは、記録層５３に
記録された記録マークが中間層５２を介した交換結合に
より再生層５１に転写される。ここで、再生層５１に転
写された記録マークの磁化方向は、記録方向Ｌ１であ
る。すなわち、この場合は、中間温度領域Ｂの磁化方向
は、高温マスクＣ１と同じ方向を向いている。
記録された記録マークが中間層５２を介した交換結合に
より再生層５１に転写される。ここで、再生層５１に転
写された記録マークの磁化方向は、記録方向Ｌ１であ
る。すなわち、この場合は、中間温度領域Ｂの磁化方向
は、高温マスクＣ１と同じ方向を向いている。
【００１２】図１５に、Ｄ−ＲＡＤ媒体を上方向から見
た場合に、クロストークの発生する様子を説明する図を
示す。図１５（ｂ）は、トラックピッチＴＰが比較的広
い場合を示しており、ビームスポットＢＳの中の高温マ
スクＣ１は、隣接する記録マークＭ１にはかからないた
め、クロストークは発生していない。
た場合に、クロストークの発生する様子を説明する図を
示す。図１５（ｂ）は、トラックピッチＴＰが比較的広
い場合を示しており、ビームスポットＢＳの中の高温マ
スクＣ１は、隣接する記録マークＭ１にはかからないた
め、クロストークは発生していない。
【００１３】一方、図１５（ａ）に示すように、トラッ
クピッチＴＰが図１５（ｂ）よりも狭い場合には、記録
方向Ｌ１に向いた自発磁化からなる高温マスクＣ１が隣
接する記録マークＭ１にかかってくる場合もある。この
とき、本来マスクしなければならない記録マークＭ１ど
うしがつながって高温マスクＣ１と同じ磁化方向Ｌ１に
揃おうとして転写され、これがクロストーク信号として
隣接トラックの記録マークの再生に影響を及ぼすことが
考えられる。
クピッチＴＰが図１５（ｂ）よりも狭い場合には、記録
方向Ｌ１に向いた自発磁化からなる高温マスクＣ１が隣
接する記録マークＭ１にかかってくる場合もある。この
とき、本来マスクしなければならない記録マークＭ１ど
うしがつながって高温マスクＣ１と同じ磁化方向Ｌ１に
揃おうとして転写され、これがクロストーク信号として
隣接トラックの記録マークの再生に影響を及ぼすことが
考えられる。
【００１４】一方、高温領域のマスクが隣接トラックの
マークまでかかってこない場合でも、次のような原理で
隣接トラックのマークが転写されると考えられる。図１
６に示すように、再生磁場６１によって記録方向Ｌ１に
向けられた高温領域Ｃの再生層５１の磁化からは、図中
斜線矢印で示した方向に漏洩磁場６３が発生する。これ
は、中間温度領域Ｂにおける転写状態のときの中間層５
２の磁化方向と同じであり、転写を助ける方向に働く。
この漏洩磁場６３は、再生層５１の磁化の大きさに比例
して強く発生し、距離の二乗に反比例して弱くなる。
マークまでかかってこない場合でも、次のような原理で
隣接トラックのマークが転写されると考えられる。図１
６に示すように、再生磁場６１によって記録方向Ｌ１に
向けられた高温領域Ｃの再生層５１の磁化からは、図中
斜線矢印で示した方向に漏洩磁場６３が発生する。これ
は、中間温度領域Ｂにおける転写状態のときの中間層５
２の磁化方向と同じであり、転写を助ける方向に働く。
この漏洩磁場６３は、再生層５１の磁化の大きさに比例
して強く発生し、距離の二乗に反比例して弱くなる。
【００１５】一般に、Ｄ−ＲＡＤ媒体の再生層５１は、
２００℃程度まで温度とともに飽和磁化の値が増大する
材料を用いているため、高温領域Ｃのマスクが形成され
隣接トラックの記録マークＭ１に近づくほど高温領域Ｃ
の再生層５１のマスクからの漏洩磁場６３が転写を助け
る方向に強く働き、図１７に示すように隣接トラックへ
のクロストークとして影響することが考えられる。
２００℃程度まで温度とともに飽和磁化の値が増大する
材料を用いているため、高温領域Ｃのマスクが形成され
隣接トラックの記録マークＭ１に近づくほど高温領域Ｃ
の再生層５１のマスクからの漏洩磁場６３が転写を助け
る方向に強く働き、図１７に示すように隣接トラックへ
のクロストークとして影響することが考えられる。
【００１６】このように、従来のＤ−ＲＡＤ媒体におい
ては、トラックピッチを狭めていくと、再生層内の自発
磁化を有する高温マスクに起因したクロストークが発生
するので、トラックピッチを狭めることによる高密度化
には限界がある。
ては、トラックピッチを狭めていくと、再生層内の自発
磁化を有する高温マスクに起因したクロストークが発生
するので、トラックピッチを狭めることによる高密度化
には限界がある。
【００１７】この発明は、以上のような事情を考慮して
なされたものであり、従来用いられているＤ−ＲＡＤ媒
体よりもトラックピッチを狭めた場合でも、隣接トラッ
クに対するクロストークを低減でき、高温で自発磁化が
ないため高温マスク形成に伴う磁気的ノイズの発生を抑
えた光磁気記録媒体を提供することを課題とする。
なされたものであり、従来用いられているＤ−ＲＡＤ媒
体よりもトラックピッチを狭めた場合でも、隣接トラッ
クに対するクロストークを低減でき、高温で自発磁化が
ないため高温マスク形成に伴う磁気的ノイズの発生を抑
えた光磁気記録媒体を提供することを課題とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明は、少なくとも
３層からなる磁性層を備え、光ビームの照射によって第
３磁性層に記録された記録マークを、その上層の第２磁
性層を介してさらにその上層の第１磁性層に転写して再
生する光磁気記録媒体であって、第１磁性層が、所定温
度以上となった領域に、自発磁化の存在しない高温マス
クを備えてなることを特徴とする光磁気記録媒体を提供
するものである。これによれば、隣接トラックからのク
ロストークを低減させることができ、トラックピッチを
従来の媒体よりも狭くしても記録ノイズ及び消去ノイズ
の低減を図ることができる。
３層からなる磁性層を備え、光ビームの照射によって第
３磁性層に記録された記録マークを、その上層の第２磁
性層を介してさらにその上層の第１磁性層に転写して再
生する光磁気記録媒体であって、第１磁性層が、所定温
度以上となった領域に、自発磁化の存在しない高温マス
クを備えてなることを特徴とする光磁気記録媒体を提供
するものである。これによれば、隣接トラックからのク
ロストークを低減させることができ、トラックピッチを
従来の媒体よりも狭くしても記録ノイズ及び消去ノイズ
の低減を図ることができる。
【００１９】ここで、前記第１磁性層のキュリー温度と
前記第２磁性層のキュリー温度とがほぼ一致するよう
に、所定の金属を第１磁性層に添加すれば、自発磁化の
存在しない高温マスクが形成される。また、添加する金
属は、前記第１磁性層のキュリー温度と補償温度とを調
整することのできる磁性材料を用いる。さらに、前記金
属は、Ｃｒ，Ｍｎ，ＭｎＣｒまたはＮｂのうちいずれか
を用いることができる。
前記第２磁性層のキュリー温度とがほぼ一致するよう
に、所定の金属を第１磁性層に添加すれば、自発磁化の
存在しない高温マスクが形成される。また、添加する金
属は、前記第１磁性層のキュリー温度と補償温度とを調
整することのできる磁性材料を用いる。さらに、前記金
属は、Ｃｒ，Ｍｎ，ＭｎＣｒまたはＮｂのうちいずれか
を用いることができる。
【００２０】この発明において、基板はガラス，ポリカ
ーボネート（ＰＣ）樹脂などの材料を用いることができ
る。下地層は、カー回転角のエンハンスという性質を備
えた材料からなる誘電体層であるが、特にＳｉＮやＡｌ
Ｎなどの材料を用いることができる。第１磁性層は、Ｇ
ｄＦｅＣｏを主体とし、これに前記したＣｒ，Ｍｎなど
の金属材料を添加したものを用いることができる。第２
磁性層は、ＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅを主体とし、これに
Ｓｉ，ＡｌまたはＴｉなどの金属材料を添加したものを
用いることができる。第３磁性層は、ＴｂＦｅＣｏやＤ
ｙＦｅＣｏを用いることができる。
ーボネート（ＰＣ）樹脂などの材料を用いることができ
る。下地層は、カー回転角のエンハンスという性質を備
えた材料からなる誘電体層であるが、特にＳｉＮやＡｌ
Ｎなどの材料を用いることができる。第１磁性層は、Ｇ
ｄＦｅＣｏを主体とし、これに前記したＣｒ，Ｍｎなど
の金属材料を添加したものを用いることができる。第２
磁性層は、ＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅを主体とし、これに
Ｓｉ，ＡｌまたはＴｉなどの金属材料を添加したものを
用いることができる。第３磁性層は、ＴｂＦｅＣｏやＤ
ｙＦｅＣｏを用いることができる。
【００２１】この発明において、第１磁性層とは、いわ
ゆる再生層を意味するが、第１磁性層の所定の温度以上
となった領域とは、記録マークの再生時に情報の読み出
しを禁止するマスクが形成される領域である「高温領
域」を意味し、所定の温度とは、一定値として規定する
ことはできないが、たとえば、２００℃程度の温度をい
う。この第１磁性層の高温領域に形成されるマスクを、
高温マスクという。
ゆる再生層を意味するが、第１磁性層の所定の温度以上
となった領域とは、記録マークの再生時に情報の読み出
しを禁止するマスクが形成される領域である「高温領
域」を意味し、所定の温度とは、一定値として規定する
ことはできないが、たとえば、２００℃程度の温度をい
う。この第１磁性層の高温領域に形成されるマスクを、
高温マスクという。
【００２２】この発明の光磁気記録媒体は、基板の上
に、高反射率層、前記第１磁性層、第２磁性層および第
３磁性層を、この順に積層して構成することができる。
また、基板と高反射率層との間に、下地層を介在させて
もよい。また、基板の上に、第４磁性層、第１磁性層、
第２磁性層および第３磁性層を、この順に積層し、第４
磁性層は、第２磁性層と同じ材料を用いて構成してもよ
い。基板と第４磁性層との間に、下地層を介在させても
よい。さらに、基板の上に、高反射率層、前記第４磁性
層、第１磁性層、第２磁性層および第３磁性層を、この
順に積層して構成してもよい。この場合も、基板と高反
射率層との間に、下地層を介在させてもよい。
に、高反射率層、前記第１磁性層、第２磁性層および第
３磁性層を、この順に積層して構成することができる。
また、基板と高反射率層との間に、下地層を介在させて
もよい。また、基板の上に、第４磁性層、第１磁性層、
第２磁性層および第３磁性層を、この順に積層し、第４
磁性層は、第２磁性層と同じ材料を用いて構成してもよ
い。基板と第４磁性層との間に、下地層を介在させても
よい。さらに、基板の上に、高反射率層、前記第４磁性
層、第１磁性層、第２磁性層および第３磁性層を、この
順に積層して構成してもよい。この場合も、基板と高反
射率層との間に、下地層を介在させてもよい。
【００２３】ここで、前記高反射率層は、反射光量の増
加という性質をもつ材料を用いることができるが、たと
えばＡｇＰｄＣｕ，Ａｌ，ＡｌＣｒまたはＡｌＴｉのい
ずれかを用いることができる。また、前記基板は、ラン
ドのみに記録マークを有するランド基板またはランド及
びグルーブの両方に記録マークを有するランドグルーブ
基板を用いることができる。
加という性質をもつ材料を用いることができるが、たと
えばＡｇＰｄＣｕ，Ａｌ，ＡｌＣｒまたはＡｌＴｉのい
ずれかを用いることができる。また、前記基板は、ラン
ドのみに記録マークを有するランド基板またはランド及
びグルーブの両方に記録マークを有するランドグルーブ
基板を用いることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施の形態に基
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。図１に、この発明の光磁
気記録媒体（以下、単にディスクともいう）の一実施例
の断面構成図を示す。ここで、基板１は、トラックピッ
チ０．５μｍのランドグルーブ基板とする。
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。図１に、この発明の光磁
気記録媒体（以下、単にディスクともいう）の一実施例
の断面構成図を示す。ここで、基板１は、トラックピッ
チ０．５μｍのランドグルーブ基板とする。
【００２５】この発明のディスクは、基板１上に、下地
層２、第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層５、保
護層６、及び熱伝導層７を、ＤＣスパッタ法により順次
形成することにより作ることができる。このディスクに
対して、光ビームが基板１の上方から照射され、熱伝導
層７側から再生磁場６１が加えられる。
層２、第１磁性層３、第２磁性層４、第３磁性層５、保
護層６、及び熱伝導層７を、ＤＣスパッタ法により順次
形成することにより作ることができる。このディスクに
対して、光ビームが基板１の上方から照射され、熱伝導
層７側から再生磁場６１が加えられる。
【００２６】ここでは、基板１は、ガラス材料を用いる
ものとし、下地層２及び保護層６は、ＳｉＮを用いるも
のとするが、これに限定されるものではない。第１磁性
層３は前記した従来の再生層５１、第２磁性層４は前記
した従来の中間層５２、第３磁性層５は前記した従来の
記録層５３にそれぞれ相当する。第１磁性層３の材料
は、Ｇｄ２１．０Ｆｅ５５．９Ｃｏ１４．４Ｃｒ８．７
であり、第２磁性層の材料は、Ｇｄ２８．５Ｆｅ６５．
１Ｃｏ４．３Ｓｉ２．２であり、第３磁性層の材料は、
Ｔｂ２２．３Ｆｅ６１．４Ｃｏ１６．３とする。熱伝導
層７はＡｌＣｒを用いるものとする。
ものとし、下地層２及び保護層６は、ＳｉＮを用いるも
のとするが、これに限定されるものではない。第１磁性
層３は前記した従来の再生層５１、第２磁性層４は前記
した従来の中間層５２、第３磁性層５は前記した従来の
記録層５３にそれぞれ相当する。第１磁性層３の材料
は、Ｇｄ２１．０Ｆｅ５５．９Ｃｏ１４．４Ｃｒ８．７
であり、第２磁性層の材料は、Ｇｄ２８．５Ｆｅ６５．
１Ｃｏ４．３Ｓｉ２．２であり、第３磁性層の材料は、
Ｔｂ２２．３Ｆｅ６１．４Ｃｏ１６．３とする。熱伝導
層７はＡｌＣｒを用いるものとする。
【００２７】ＳｉＮ層２および６を形成するためのスパ
ッタ条件は、ＡｒとＮ2ガス圧０．８Ｐａ、投入電力
０．８ｋＷであり、磁性層３，４，５及び熱伝導層７を
形成するためのスパッタ条件は、Ａｒガス圧０．５〜
１．０Ｐａ、投入電力０．５〜０．８ｋＷとする。な
お、到達真空度は５×１０-5Ｐａ以下の真空とした。各
層の膜厚は、基板１側から順に、下地層９０ｎｍ，第１
磁性層４０ｎｍ，第２磁性層４０ｎｍ，第３磁性層５０
ｎｍ，保護層６０ｎｍ，熱伝導層１５ｎｍとする。
ッタ条件は、ＡｒとＮ2ガス圧０．８Ｐａ、投入電力
０．８ｋＷであり、磁性層３，４，５及び熱伝導層７を
形成するためのスパッタ条件は、Ａｒガス圧０．５〜
１．０Ｐａ、投入電力０．５〜０．８ｋＷとする。な
お、到達真空度は５×１０-5Ｐａ以下の真空とした。各
層の膜厚は、基板１側から順に、下地層９０ｎｍ，第１
磁性層４０ｎｍ，第２磁性層４０ｎｍ，第３磁性層５０
ｎｍ，保護層６０ｎｍ，熱伝導層１５ｎｍとする。
【００２８】第１磁性層３は、室温からキュリー温度ま
で垂直磁化を示すＧｄＦｅＣｏＣｒ膜（膜厚４０ｎｍ）
であるが、その補償温度Ｔcompは９０℃、キュリー温度
Ｔc1は２１０℃程度である。ここで、添加したＣｒは、
反強磁性金属であり、第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ
と補償温度Ｔcompとを調整するために入れたものであ
る。
で垂直磁化を示すＧｄＦｅＣｏＣｒ膜（膜厚４０ｎｍ）
であるが、その補償温度Ｔcompは９０℃、キュリー温度
Ｔc1は２１０℃程度である。ここで、添加したＣｒは、
反強磁性金属であり、第１磁性層３のキュリー温度Ｔｃ
と補償温度Ｔcompとを調整するために入れたものであ
る。
【００２９】この発明においては、このＣｒを所定量添
加することにより、第１磁性層（再生層）３と第２磁性
層（中間層）４のキュリー温度Ｔｃとをほぼ一致させる
ようにすることを特徴とする。この第１磁性層３に添加
する材料としては、補償温度Ｔcompとキュリー温度Ｔｃ
を近づける方向に調整できるものであればよいが、Ｃｒ
の他に、Ｍｎ，ＭｎＣｒ，Ｎｂなど、反強磁性あるいは
酸化抑制という性質を持つ金属を用いることができる。
ただし、ＳｉやＡｌなどの非磁性金属は、補償温度Ｔ
compとキュリー温度Ｔｃとを調整できないので採用でき
ない。また、添加するＣｒの量は、中間層のキュリー温
度と同程度になる範囲とするのが好ましい。
加することにより、第１磁性層（再生層）３と第２磁性
層（中間層）４のキュリー温度Ｔｃとをほぼ一致させる
ようにすることを特徴とする。この第１磁性層３に添加
する材料としては、補償温度Ｔcompとキュリー温度Ｔｃ
を近づける方向に調整できるものであればよいが、Ｃｒ
の他に、Ｍｎ，ＭｎＣｒ，Ｎｂなど、反強磁性あるいは
酸化抑制という性質を持つ金属を用いることができる。
ただし、ＳｉやＡｌなどの非磁性金属は、補償温度Ｔ
compとキュリー温度Ｔｃとを調整できないので採用でき
ない。また、添加するＣｒの量は、中間層のキュリー温
度と同程度になる範囲とするのが好ましい。
【００３０】第２磁性層４は、単層ではキュリー温度Ｔ
ｃまで補償温度Ｔcompが見られない希土類磁化優勢（以
下、ＲＥリッチという）組成の面内磁化膜（ＧｄＦｅＣ
ｏＳｉ膜：膜厚５０ｎｍ）であり、そのキュリー温度は
２１０℃である。この第２磁性層は積層膜では記録層の
情報を再生層に転写するため所定温度以上で垂直磁化と
なる。ここで、Ｓｉは、キュリー温度Ｔｃを低く設定す
るために添加したものであり、Ｓｉ以外にも、非磁性金
属であるＡｌ，Ｔｉ等を添加してもよい。添加するＳｉ
の量は、２００℃程度に高温のマスクを形成できるよう
にする程度の範囲とするのが好ましい。
ｃまで補償温度Ｔcompが見られない希土類磁化優勢（以
下、ＲＥリッチという）組成の面内磁化膜（ＧｄＦｅＣ
ｏＳｉ膜：膜厚５０ｎｍ）であり、そのキュリー温度は
２１０℃である。この第２磁性層は積層膜では記録層の
情報を再生層に転写するため所定温度以上で垂直磁化と
なる。ここで、Ｓｉは、キュリー温度Ｔｃを低く設定す
るために添加したものであり、Ｓｉ以外にも、非磁性金
属であるＡｌ，Ｔｉ等を添加してもよい。添加するＳｉ
の量は、２００℃程度に高温のマスクを形成できるよう
にする程度の範囲とするのが好ましい。
【００３１】第３磁性層５は、室温（１０℃から３５℃
程度）付近に補償温度Ｔcompがあり、キュリー温度まで
垂直磁化を示す遷移金属磁化優勢（以下、ＴＭリッチと
いう）組成のＴｂＦｅＣｏ膜（膜厚６０ｎｍ）である。
図２に、各磁性層の組成、キュリー温度Ｔｃ、補償温度
Ｔcompを示す。
程度）付近に補償温度Ｔcompがあり、キュリー温度まで
垂直磁化を示す遷移金属磁化優勢（以下、ＴＭリッチと
いう）組成のＴｂＦｅＣｏ膜（膜厚６０ｎｍ）である。
図２に、各磁性層の組成、キュリー温度Ｔｃ、補償温度
Ｔcompを示す。
【００３２】図３に、再生層３及び中間層４の飽和磁化
Ｍｓと温度との関係グラフを示す。ここで、横軸は温度
（℃）、縦軸は飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を示してい
る。この発明の再生層３の特性曲線Ｇ１によれば、その
キュリー温度Ｔｃは２１０℃、補償温度Ｔcompは９０℃
であることがわかる。図３において、Ｃｒを含まない従
来の再生層（ＧｄＦｅＣｏ）の特性曲線Ｇ３によれば、
その補償温度Ｔcompは２０℃、キュリー温度Ｔｃは３２
０℃であり、この発明の再生層（ＧｄＦｅＣｏＣｒ）の
特性曲線Ｇ１と比べて、補償温度Ｔco mpは低く、キュリ
ー温度は高いが、飽和磁化Ｍｓの大きさは全体的に大き
い。
Ｍｓと温度との関係グラフを示す。ここで、横軸は温度
（℃）、縦軸は飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を示してい
る。この発明の再生層３の特性曲線Ｇ１によれば、その
キュリー温度Ｔｃは２１０℃、補償温度Ｔcompは９０℃
であることがわかる。図３において、Ｃｒを含まない従
来の再生層（ＧｄＦｅＣｏ）の特性曲線Ｇ３によれば、
その補償温度Ｔcompは２０℃、キュリー温度Ｔｃは３２
０℃であり、この発明の再生層（ＧｄＦｅＣｏＣｒ）の
特性曲線Ｇ１と比べて、補償温度Ｔco mpは低く、キュリ
ー温度は高いが、飽和磁化Ｍｓの大きさは全体的に大き
い。
【００３３】また、この発明の再生層の特性曲線Ｇ１と
中間層の特性曲線Ｇ２のキュリー温度Ｔｃはどちらも２
１０℃程度であり、ほぼ一致している。また、この発明
の再生層３の特性曲線Ｇ１の飽和磁化Ｍｓの大きさは従
来の再生層の特性曲線Ｇ３に比べて小さいので、再生層
からの漏洩磁場が小さいという効果がある。
中間層の特性曲線Ｇ２のキュリー温度Ｔｃはどちらも２
１０℃程度であり、ほぼ一致している。また、この発明
の再生層３の特性曲線Ｇ１の飽和磁化Ｍｓの大きさは従
来の再生層の特性曲線Ｇ３に比べて小さいので、再生層
からの漏洩磁場が小さいという効果がある。
【００３４】図３には、比較のために、Ｓｉを添加した
再生層であるＧｄＦｅＣｏＳｉ層の特性曲線Ｇ４も示し
たが、Ｃｒの替わりにＳｉを用いているため、補償温度
Ｔco mpは約２０℃と低い。Ｓｉ添加量を増やしてキュリ
ー温度をもっと下げることはできるが、Ｔcompを上げる
ことはできない。この特性曲線Ｇ４によれば、従来の再
生層の特性曲線Ｇ３と同じように変化しているので、Ｓ
ｉを添加しても、キュリー温度Ｔｃとを下げ補償温度Ｔ
compを上げる調整ができないことを示している。
再生層であるＧｄＦｅＣｏＳｉ層の特性曲線Ｇ４も示し
たが、Ｃｒの替わりにＳｉを用いているため、補償温度
Ｔco mpは約２０℃と低い。Ｓｉ添加量を増やしてキュリ
ー温度をもっと下げることはできるが、Ｔcompを上げる
ことはできない。この特性曲線Ｇ４によれば、従来の再
生層の特性曲線Ｇ３と同じように変化しているので、Ｓ
ｉを添加しても、キュリー温度Ｔｃとを下げ補償温度Ｔ
compを上げる調整ができないことを示している。
【００３５】次に、図１に示したこの発明のディスクの
クロストークの評価について説明する。図４に、この発
明の光磁気記録媒体のクロストークの再生パワー依存性
のグラフを示す。これは、ＬＤ波長６６０ｎｍ、ＮＡ＝
０．５５のテスタを用いてランドに隣接するグルーブに
８Ｔマークを記録した場合に、ランドに漏れ込むＣＮＲ
を測定したものである。
クロストークの評価について説明する。図４に、この発
明の光磁気記録媒体のクロストークの再生パワー依存性
のグラフを示す。これは、ＬＤ波長６６０ｎｍ、ＮＡ＝
０．５５のテスタを用いてランドに隣接するグルーブに
８Ｔマークを記録した場合に、ランドに漏れ込むＣＮＲ
を測定したものである。
【００３６】図４によれば、再生パワーＰｒが５．７ｍ
ｗ程度で２０ｄＢのクロストークが発生している。すな
わち、トラックピッチが従来用いられていたものよりも
小さい０．５μｍのランドグルーブ基板を用いたにもか
かわらず、再生パワーマージンは±２７．３％程度とな
り、隣接マークに対するクロストークの影響を、図１３
に示した従来のＤ−ＲＡＤ媒体の特性よりもはるかに抑
えることができることがわかる。
ｗ程度で２０ｄＢのクロストークが発生している。すな
わち、トラックピッチが従来用いられていたものよりも
小さい０．５μｍのランドグルーブ基板を用いたにもか
かわらず、再生パワーマージンは±２７．３％程度とな
り、隣接マークに対するクロストークの影響を、図１３
に示した従来のＤ−ＲＡＤ媒体の特性よりもはるかに抑
えることができることがわかる。
【００３７】以上のように、この発明の光磁気記録媒体
は、クロストークの低減を達成するために、再生層３と
中間層４とのキュリー温度をほぼ一致させるように再生
層を構成する組成材料としてＣｒを添加したものである
が、クロストークが低減すること、言いかえれば再生パ
ワーマージンが増加するのは、再生層３の高温領域Ｃに
形成される高温マスクに、自発磁化が存在していないこ
とが原因と考えられる。
は、クロストークの低減を達成するために、再生層３と
中間層４とのキュリー温度をほぼ一致させるように再生
層を構成する組成材料としてＣｒを添加したものである
が、クロストークが低減すること、言いかえれば再生パ
ワーマージンが増加するのは、再生層３の高温領域Ｃに
形成される高温マスクに、自発磁化が存在していないこ
とが原因と考えられる。
【００３８】図５に、この発明の光磁気記録媒体の再生
時の磁化状態の説明図を示す。図１４に示した従来のＤ
−ＲＡＤ媒体と比べると、低温領域Ａは従来と同様に再
生磁場６１により、再生層に低温マスクができ、中間温
度領域Ｂで記録層の磁化が再生層に転写されるが、この
発明の図５の磁化状態では、高温領域Ｃの再生層３と中
間層４に、自発磁化が存在していない（空白部で表示）
点で異なる。したがって、高温領域Ｃに形成された高温
マスクは、自発磁化の存在しないマスクであると言うこ
とができる。
時の磁化状態の説明図を示す。図１４に示した従来のＤ
−ＲＡＤ媒体と比べると、低温領域Ａは従来と同様に再
生磁場６１により、再生層に低温マスクができ、中間温
度領域Ｂで記録層の磁化が再生層に転写されるが、この
発明の図５の磁化状態では、高温領域Ｃの再生層３と中
間層４に、自発磁化が存在していない（空白部で表示）
点で異なる。したがって、高温領域Ｃに形成された高温
マスクは、自発磁化の存在しないマスクであると言うこ
とができる。
【００３９】この高温マスクは、自発磁化のないマスク
であるので、図１６、図１７で説明したような漏洩磁場
６３を生じることがなく、隣接トラックの記録マークの
転写を誘発することがない。すなわち、隣接トラックへ
のクロストークが発生しないと言える。また、図５の再
生層３の高温領域Ｃには自発磁化がないので何も記入し
ていないが、ここには情報の読み出しを禁止する高温マ
スクが形成されている。これは、次のような再生波形に
より確認できる。
であるので、図１６、図１７で説明したような漏洩磁場
６３を生じることがなく、隣接トラックの記録マークの
転写を誘発することがない。すなわち、隣接トラックへ
のクロストークが発生しないと言える。また、図５の再
生層３の高温領域Ｃには自発磁化がないので何も記入し
ていないが、ここには情報の読み出しを禁止する高温マ
スクが形成されている。これは、次のような再生波形に
より確認できる。
【００４０】図６に、光変調記録で２Ｔ及び８Ｔの記録
マークが連続したパターンを、この発明の光磁気記録媒
体に記録した場合の再生波形を観測した結果を示す。ま
た、図７に、従来のディスクで、低温マスクのみ存在
し、高温領域に高温マスクが形成されていない媒体の２
Ｔ８Ｔ連続マークの再生波形を観測した結果を示す。横
方向は時間軸であり、縦方向は上がマークを再生したこ
と、下がスペースを再生したことを示す。
マークが連続したパターンを、この発明の光磁気記録媒
体に記録した場合の再生波形を観測した結果を示す。ま
た、図７に、従来のディスクで、低温マスクのみ存在
し、高温領域に高温マスクが形成されていない媒体の２
Ｔ８Ｔ連続マークの再生波形を観測した結果を示す。横
方向は時間軸であり、縦方向は上がマークを再生したこ
と、下がスペースを再生したことを示す。
【００４１】図７では、８Ｔスペースを再生した後の２
Ｔマークの再生信号の振幅が小さくなっているのに対し
て、図６によれば、８Ｔスペースを再生した後でも、２
Ｔマークの振幅が劣化していないことがわかる。図７の
従来のディスクでは、円周方向のクロストークのために
２Ｔマーク再生時に波形干渉が生じているので振幅が小
さくなっていると考えられる。一方、図６に示したこの
発明のディスクでは、再生信号の波形干渉はほとんどな
く、分解能が高いと言えるので、この振幅の劣化のない
波形が得られ、高温領域Ｃには、いわゆるマスクが形成
されているということがわかる。
Ｔマークの再生信号の振幅が小さくなっているのに対し
て、図６によれば、８Ｔスペースを再生した後でも、２
Ｔマークの振幅が劣化していないことがわかる。図７の
従来のディスクでは、円周方向のクロストークのために
２Ｔマーク再生時に波形干渉が生じているので振幅が小
さくなっていると考えられる。一方、図６に示したこの
発明のディスクでは、再生信号の波形干渉はほとんどな
く、分解能が高いと言えるので、この振幅の劣化のない
波形が得られ、高温領域Ｃには、いわゆるマスクが形成
されているということがわかる。
【００４２】すなわち、以上の結果から、図１に示した
この発明のディスクでは、再生層３の高温領域Ｃにおい
て自発磁化のない高温マスクが形成されているので、再
生パワーマージンの十分な再生信号が得られクロストー
クの低減を図ることができる。
この発明のディスクでは、再生層３の高温領域Ｃにおい
て自発磁化のない高温マスクが形成されているので、再
生パワーマージンの十分な再生信号が得られクロストー
クの低減を図ることができる。
【００４３】次に、高温マスクの形成に伴うノイズにつ
いて説明する。一般に、高温マスクを形成すると、その
自発磁化のゆらぎのために、ノイズ成分が発生する。こ
のノイズ成分が大きいと、信号品質（ＳＮＲ）に影響を
及ぼすので、できるだけ小さいことが望ましい。
いて説明する。一般に、高温マスクを形成すると、その
自発磁化のゆらぎのために、ノイズ成分が発生する。こ
のノイズ成分が大きいと、信号品質（ＳＮＲ）に影響を
及ぼすので、できるだけ小さいことが望ましい。
【００４４】光磁気記録再生装置（ＭＯテスタ）を用い
て、０．３００μｍの記録マークを記録層５に記録した
場合のノイズ成分を測定すると、図１のこの発明のディ
スクでは、記録ノイズが５．６４ｍＶ、消去ノイズが
５．０８ｍＶであった。一方、従来のＤ−ＲＡＤ媒体で
は、記録ノイズが９．０４ｍＶ、消去ノイズが６．３５
ｍＶであった。
て、０．３００μｍの記録マークを記録層５に記録した
場合のノイズ成分を測定すると、図１のこの発明のディ
スクでは、記録ノイズが５．６４ｍＶ、消去ノイズが
５．０８ｍＶであった。一方、従来のＤ−ＲＡＤ媒体で
は、記録ノイズが９．０４ｍＶ、消去ノイズが６．３５
ｍＶであった。
【００４５】すなわち、この発明の媒体では、従来に比
べて、記録ノイズが１／２．６倍（８．４ｄＢ）に低減
している。したがって、記録ノイズ、消去ノイズとも従
来の媒体に比べて大幅に低減ができたと言える。これ
は、再生層３の高温領域に、自発磁化のない高温マスク
が形成されているので、再生層３の磁化が外部磁場方向
に向けられたときに発生する磁化回転に伴うマスクノイ
ズが発生しないことに起因するものと考えられる。
べて、記録ノイズが１／２．６倍（８．４ｄＢ）に低減
している。したがって、記録ノイズ、消去ノイズとも従
来の媒体に比べて大幅に低減ができたと言える。これ
は、再生層３の高温領域に、自発磁化のない高温マスク
が形成されているので、再生層３の磁化が外部磁場方向
に向けられたときに発生する磁化回転に伴うマスクノイ
ズが発生しないことに起因するものと考えられる。
【００４６】以上、第１実施例として、第１磁性層（再
生層３）にＣｒを添加した層を形成して、自発磁化の存
在しない高温マスクを再生層の高温領域Ｃに形成してク
ロストークの低減を図る実施例を示したが、Ｃｒに代え
て、前記したようなＭｎ，ＭｎＣｒ，Ｎｂのいずれかの
金属を含むようなディスクでも、同じような効果を得る
ことができた。また、第１実施例では、Ｃｒの添加量に
ついては、８．７％としたがこれに限るものではなく、
中間層のキュリー温度に近くなる程度の組成範囲であれ
ば、同じようなクロストーク低減の効果が得られた。
生層３）にＣｒを添加した層を形成して、自発磁化の存
在しない高温マスクを再生層の高温領域Ｃに形成してク
ロストークの低減を図る実施例を示したが、Ｃｒに代え
て、前記したようなＭｎ，ＭｎＣｒ，Ｎｂのいずれかの
金属を含むようなディスクでも、同じような効果を得る
ことができた。また、第１実施例では、Ｃｒの添加量に
ついては、８．７％としたがこれに限るものではなく、
中間層のキュリー温度に近くなる程度の組成範囲であれ
ば、同じようなクロストーク低減の効果が得られた。
【００４７】（第２実施例）図８に、第１実施例で作成
したディスクに対して、下地層２と、第１磁性層３との
間に高反射率層１１を設けたディスクの構成図を示す。
この高反射率層１１を付加すれば、キャリア（信号品質
ＳＮＲのＳ）に影響を与えるＭＯ振幅を増大させること
ができる。
したディスクに対して、下地層２と、第１磁性層３との
間に高反射率層１１を設けたディスクの構成図を示す。
この高反射率層１１を付加すれば、キャリア（信号品質
ＳＮＲのＳ）に影響を与えるＭＯ振幅を増大させること
ができる。
【００４８】高反射率層１１としては、ＡｇＰｄＣｕを
用いることができる。高反射率層１１以外の膜の膜厚構
成及び製膜条件は第１実施例と同じでよいが、ＡｇＰｄ
Ｃｕ層も第１実施例の熱伝導層と同じ条件により形成し
た。また、高反射率層１１は、ＡｇＰｄＣｕの他に、反
射率の高いＡｌ，ＡｌＣｒ，ＡｌＴｉ等を用いてもよ
い。
用いることができる。高反射率層１１以外の膜の膜厚構
成及び製膜条件は第１実施例と同じでよいが、ＡｇＰｄ
Ｃｕ層も第１実施例の熱伝導層と同じ条件により形成し
た。また、高反射率層１１は、ＡｇＰｄＣｕの他に、反
射率の高いＡｌ，ＡｌＣｒ，ＡｌＴｉ等を用いてもよ
い。
【００４９】また、高反射率層１１は、あまり厚すぎる
と第１磁性層３の磁化情報を再生できなくなるので、光
ビームが所定量透過できる程度の厚さにする必要があ
る。ここでは、ＡｇＰｄＣｕ層を２ｎｍ程度形成するも
のとする。
と第１磁性層３の磁化情報を再生できなくなるので、光
ビームが所定量透過できる程度の厚さにする必要があ
る。ここでは、ＡｇＰｄＣｕ層を２ｎｍ程度形成するも
のとする。
【００５０】第１実施例のディスクでは、第１磁性層の
キュリー温度を従来のものよりも低く設定しているの
で、多少カー回転角θｋが低下している。そこでＡｇＰ
ｄＣｕ層１１のような反射率Ｒの高い層を付加すれば、
Ｒ×θｋに比例した量として観測されるＭＯ振幅を回復
させることができ、その結果カー回転角も上昇させるこ
とができる。
キュリー温度を従来のものよりも低く設定しているの
で、多少カー回転角θｋが低下している。そこでＡｇＰ
ｄＣｕ層１１のような反射率Ｒの高い層を付加すれば、
Ｒ×θｋに比例した量として観測されるＭＯ振幅を回復
させることができ、その結果カー回転角も上昇させるこ
とができる。
【００５１】図９に、各光磁気記録媒体のＭＯ振幅と再
生パワーとの関係のグラフを示す。ここで、グラフａ１
は、図１に示したこの発明の第１実施例の光磁気記録媒
体のものであり、グラフａ２は、図８に示したこの発明
の第２実施例の光磁気記録媒体のものであり、グラフｂ
１は、図１４に示した従来のＤ−ＲＡＤ媒体のものであ
り、グラフｂ２は、従来のＤ−ＲＡＤ媒体に、高反射率
層を付加した媒体のものである。
生パワーとの関係のグラフを示す。ここで、グラフａ１
は、図１に示したこの発明の第１実施例の光磁気記録媒
体のものであり、グラフａ２は、図８に示したこの発明
の第２実施例の光磁気記録媒体のものであり、グラフｂ
１は、図１４に示した従来のＤ−ＲＡＤ媒体のものであ
り、グラフｂ２は、従来のＤ−ＲＡＤ媒体に、高反射率
層を付加した媒体のものである。
【００５２】横軸が、再生パワーＰｒであり、縦軸がＭ
Ｏ振幅である。このグラフによれば、グラフａ１に対し
てグラフａ２ディスクが、グラフｂ１に対してグラフｂ
２のディスクが、いずれも高反射率層を付加しているの
で、ＭＯ振幅が増加していることがわかる。すなわち、
高反射率層１１を付加することで、従来のＤ−ＲＡＤ媒
体も、この発明の第２実施例のディスクもＭＯ振幅が増
大している。
Ｏ振幅である。このグラフによれば、グラフａ１に対し
てグラフａ２ディスクが、グラフｂ１に対してグラフｂ
２のディスクが、いずれも高反射率層を付加しているの
で、ＭＯ振幅が増加していることがわかる。すなわち、
高反射率層１１を付加することで、従来のＤ−ＲＡＤ媒
体も、この発明の第２実施例のディスクもＭＯ振幅が増
大している。
【００５３】さらにグラフａ２とグラフｂ２とを比較す
れば、第２実施例のディスクでは、従来のディスクとほ
ぼ同程度にまでＭＯ振幅を回復させることができるとい
える。また、第２実施例のディスクでは、クロストーク
に対する再生パワーマージンは±２８．２％程度とな
り、第１実施例と同程度のクロストークの低減を図るこ
とができる。
れば、第２実施例のディスクでは、従来のディスクとほ
ぼ同程度にまでＭＯ振幅を回復させることができるとい
える。また、第２実施例のディスクでは、クロストーク
に対する再生パワーマージンは±２８．２％程度とな
り、第１実施例と同程度のクロストークの低減を図るこ
とができる。
【００５４】（第３実施例）図１０に、この発明の第３
実施例の光磁気記録媒体の構成図を示す。これは、図１
に示した第１実施例のディスクに対して、下地層２と第
１磁性層３との間に、第２磁性層４と同じ組成の第４磁
性層１２を付加したものである。ここで第４磁性層１２
は、第２磁性層と同じ条件でＧｄＦｅＣｏＳｉを膜厚３
０ｎｍ程度形成したものとする。その他の膜の膜厚構成
及び製膜条件は第１実施例と同じとする。
実施例の光磁気記録媒体の構成図を示す。これは、図１
に示した第１実施例のディスクに対して、下地層２と第
１磁性層３との間に、第２磁性層４と同じ組成の第４磁
性層１２を付加したものである。ここで第４磁性層１２
は、第２磁性層と同じ条件でＧｄＦｅＣｏＳｉを膜厚３
０ｎｍ程度形成したものとする。その他の膜の膜厚構成
及び製膜条件は第１実施例と同じとする。
【００５５】ここで第４磁性層１２は、第１磁性層３よ
りも、高温（１５０℃から２００℃程度）において、カ
ー回転角θｋが約０．０５°大きい。このために、ディ
スクのＭＯ振幅を増大させることができる。ＭＯテスタ
を用いた観測によれば、第１実施例よりも、約１割程度
ＭＯ振幅が増大していた。また、クロストークに対する
再生パワーマージンは、第２実施例とほぼ同じ±２８．
０％程度であった。したがって、この第３実施例の媒体
においても、同様に、クロストークの低減、再生パワー
マージンの確保、ＭＯ振幅の増大という効果を得ること
ができる。
りも、高温（１５０℃から２００℃程度）において、カ
ー回転角θｋが約０．０５°大きい。このために、ディ
スクのＭＯ振幅を増大させることができる。ＭＯテスタ
を用いた観測によれば、第１実施例よりも、約１割程度
ＭＯ振幅が増大していた。また、クロストークに対する
再生パワーマージンは、第２実施例とほぼ同じ±２８．
０％程度であった。したがって、この第３実施例の媒体
においても、同様に、クロストークの低減、再生パワー
マージンの確保、ＭＯ振幅の増大という効果を得ること
ができる。
【００５６】（第４実施例）図１１に、この発明の光磁
気記録媒体の第４実施例の構成図を示す。この媒体は、
第３実施例の光磁気記録媒体に対して、さらに、下地層
２と第４磁性層１２との間に、高反射率層１３を付加し
たものである。ここで、高反射率層１３は、第２実施例
で示したものと同じＡｇＰｄＣｕ層等を用いることがで
きる。各層の膜厚及び製膜条件は前記した実施例と同じ
ものとする。
気記録媒体の第４実施例の構成図を示す。この媒体は、
第３実施例の光磁気記録媒体に対して、さらに、下地層
２と第４磁性層１２との間に、高反射率層１３を付加し
たものである。ここで、高反射率層１３は、第２実施例
で示したものと同じＡｇＰｄＣｕ層等を用いることがで
きる。各層の膜厚及び製膜条件は前記した実施例と同じ
ものとする。
【００５７】ここで、高反射率層１３としてＡｇＰｄＣ
ｕ層を２ｎｍ程度形成した場合、ＭＯ振幅は第３実施例
よりもさらに２割程度増加した。またクロストークに対
する再生パワーマージンは、±２８．５％であった。し
たがって、この第４実施例の媒体でも、トラックピッチ
の狭い高密度基板に対しクロストークの低減、十分な再
生パワーマージンの確保、ＭＯ振幅の改善を図ることが
できることがわかる。また、第１実施例に示したのと同
様に、この第４実施例でもマスクノイズに起因していた
ノイズが低減できた。なお、本実施例では基板を第１磁
性層側に設けたが、フロントイルミネーションできるよ
う基板を熱伝導層側に設けてもよい。
ｕ層を２ｎｍ程度形成した場合、ＭＯ振幅は第３実施例
よりもさらに２割程度増加した。またクロストークに対
する再生パワーマージンは、±２８．５％であった。し
たがって、この第４実施例の媒体でも、トラックピッチ
の狭い高密度基板に対しクロストークの低減、十分な再
生パワーマージンの確保、ＭＯ振幅の改善を図ることが
できることがわかる。また、第１実施例に示したのと同
様に、この第４実施例でもマスクノイズに起因していた
ノイズが低減できた。なお、本実施例では基板を第１磁
性層側に設けたが、フロントイルミネーションできるよ
う基板を熱伝導層側に設けてもよい。
【００５８】
【発明の効果】この発明によれば、記録マークの再生の
ための情報を保持する第１磁性層（再生層）の高温領域
に、自発磁化の存在しない高温マスクを形成しているの
で、従来よりも狭トラックピッチのランドグルーブ基板
を用いた光磁気記録媒体でも、隣接トラックからのクロ
ストークの発生の低減、記録ノイズ及び消去ノイズの低
減を図ることができる。
ための情報を保持する第１磁性層（再生層）の高温領域
に、自発磁化の存在しない高温マスクを形成しているの
で、従来よりも狭トラックピッチのランドグルーブ基板
を用いた光磁気記録媒体でも、隣接トラックからのクロ
ストークの発生の低減、記録ノイズ及び消去ノイズの低
減を図ることができる。
【００５９】また、記録マークの再生を行う第１磁性層
と記録マークの交換結合を行う第２磁性層（中間層）の
キュリー温度をほぼ一致するようにしているので、従来
よりも狭トラックピッチのランドグルーブ基板を用いた
光磁気記録媒体でも、隣接トラックからのクロストーク
の発生の低減、記録ノイズ及び消去ノイズの低減を図る
ことができる。
と記録マークの交換結合を行う第２磁性層（中間層）の
キュリー温度をほぼ一致するようにしているので、従来
よりも狭トラックピッチのランドグルーブ基板を用いた
光磁気記録媒体でも、隣接トラックからのクロストーク
の発生の低減、記録ノイズ及び消去ノイズの低減を図る
ことができる。
【００６０】さらに、第１磁性層にＣｒを含んだ磁性材
料を用いているので、従来よりも狭トラックピッチのラ
ンドグルーブ基板を用いた光磁気記録媒体でも、隣接ト
ラックからのクロストークの発生の低減、記録ノイズ及
び消去ノイズの低減を図ることができる。
料を用いているので、従来よりも狭トラックピッチのラ
ンドグルーブ基板を用いた光磁気記録媒体でも、隣接ト
ラックからのクロストークの発生の低減、記録ノイズ及
び消去ノイズの低減を図ることができる。
【００６１】また、基板に密接配置された下地層に密接
させて、高反射率層を備えた場合には、狭トラックピッ
チのランドグルーブ基板において、クロストークの発生
の低減に加えて、ＭＯ振幅の改善を図ることができる。
させて、高反射率層を備えた場合には、狭トラックピッ
チのランドグルーブ基板において、クロストークの発生
の低減に加えて、ＭＯ振幅の改善を図ることができる。
【図１】この発明の第１実施例の光磁気記録媒体の構成
図である。
図である。
【図２】この発明の各磁性層の組成，キュリー温度，補
償温度を示した図である。
償温度を示した図である。
【図３】再生層及び中間層の飽和磁化と温度との関係グ
ラフである。
ラフである。
【図４】この発明のディスクのクロストークの再生パワ
ー依存性（トラックピッチ０．５０μｍ基板）のグラフ
である。
ー依存性（トラックピッチ０．５０μｍ基板）のグラフ
である。
【図５】この発明のディスクの再生時の磁化状態の説明
図である。
図である。
【図６】この発明のディスクにおいて、２Ｔ８Ｔパター
ンの信号の再生波形を示した図である。
ンの信号の再生波形を示した図である。
【図７】高温領域にマスクがない従来のディスクの２Ｔ
８Ｔパターンの信号の再生波形を示した図である。
８Ｔパターンの信号の再生波形を示した図である。
【図８】この発明の第２実施例の光磁気記録媒体の構成
図である。
図である。
【図９】各光磁気記録媒体のＭＯ振幅と再生パワーとの
関係グラフである。
関係グラフである。
【図１０】この発明の第３実施例の光磁気記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図１１】この発明の第４実施例の光磁気記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図１２】従来のＤ−ＲＡＤ媒体のクロストークの再生
パワー依存性（トラックピッチ０．６５μｍ基板）のグ
ラフである。
パワー依存性（トラックピッチ０．６５μｍ基板）のグ
ラフである。
【図１３】従来のＤ−ＲＡＤ媒体のクロストークの再生
パワー依存性（トラックピッチ０．５０μｍ基板）のグ
ラフである。
パワー依存性（トラックピッチ０．５０μｍ基板）のグ
ラフである。
【図１４】従来のＤ−ＲＡＤ媒体の再生時の磁化状態の
説明図である。
説明図である。
【図１５】従来のＤ−ＲＡＤ媒体において、クロストー
クの発生する様子の説明図である。
クの発生する様子の説明図である。
【図１６】従来のＤ−ＲＡＤ媒体において、再生時に発
生する漏洩磁場の説明図である。
生する漏洩磁場の説明図である。
【図１７】従来のＤ−ＲＡＤ媒体において、隣接トラッ
クへの漏洩磁場の影響を説明した図である。
クへの漏洩磁場の影響を説明した図である。
１ 基板 ２ 下地層 ３ 第１磁性層 ４ 第２磁性層 ５ 第３磁性層 ６ 保護層 ７ 熱伝導層 １１ 高反射率層 １２ 第２磁性層 １３ 高反射率層 Ａ 低温領域 Ｂ 中間温度領域 Ｃ 高温領域
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも３層からなる磁性層を備え、
光ビームの照射によって第３磁性層に記録された記録マ
ークを、その上層の第２磁性層を介してさらにその上層
の第１磁性層に転写して再生する光磁気記録媒体であっ
て、第１磁性層が、所定温度以上となった領域に、自発
磁化の存在しない高温マスクを備えてなることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第１磁性層が、前記第１磁性層のキ
ュリー温度と前記第２磁性層のキュリー温度とがほぼ一
致するように、所定の金属が添加された磁性材料からな
ることを特徴とする請求項１の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記金属が、前記第１磁性層のキュリー
温度と補償温度とを調整することのできる磁性材料であ
ることを特徴とする請求項２の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記金属が、Ｃｒ，Ｍｎ，ＭｎＣｒまた
はＮｂのうちいずれかであることを特徴とする請求項２
の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 高反射率層、前記第１磁性層、第２磁性
層および第３磁性層が、この順に積層されたことを特徴
とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 第４磁性層、前記第１磁性層、第２磁性
層および第３磁性層が、この順に積層され、第４磁性層
が第２磁性層と同じ材料からなることを特徴とする請求
項１乃至４のいずれかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 高反射率層、第４磁性層、前記第１磁性
層、第２磁性層および第３磁性層が、この順に積層さ
れ、第４磁性層が第２磁性層と同じ材料からなることを
特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項８】 前記高反射率層が、ＡｇＰｄＣｕ，Ａ
ｌ，ＡｌＣｒまたはＡｌＴｉのいずれかであることを特
徴とする請求項５または７の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 前記基板が、ランドのみに記録マークを
有するランド基板またはランド及びグルーブの両方に記
録マークを有するランドグルーブ基板であることを特徴
とする請求項５乃至８のいずれかに記載の光磁気記録媒
体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001157148A JP2002352484A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 光磁気記録媒体 |
| EP01122802A EP1260976A3 (en) | 2001-05-25 | 2001-09-21 | Magneto-optical recording medium |
| US09/963,004 US6821642B2 (en) | 2001-05-25 | 2001-09-25 | Magneto-optical recording medium with first and second magnetic layers with almost equal Curie temperatures |
| TW090123616A TWI227013B (en) | 2001-05-25 | 2001-09-25 | Magneto-optical recording medium |
| CN01130502.9A CN1388528A (zh) | 2001-05-25 | 2001-11-15 | 磁－光记录介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001157148A JP2002352484A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002352484A true JP2002352484A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19001056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001157148A Withdrawn JP2002352484A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6821642B2 (ja) |
| EP (1) | EP1260976A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002352484A (ja) |
| CN (1) | CN1388528A (ja) |
| TW (1) | TWI227013B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1286346A4 (en) * | 2000-04-19 | 2007-04-18 | Sanyo Electric Co | MAGNETO-OPTICAL PLATE DEVICE WITH THE ABILITY TO PERFORM A MAGNETIC RANGE EXPANSION PLAYBACK THROUGH A DC MAGNETIC FIELD AND PLAYING METHOD |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
| DE69331924T2 (de) * | 1992-08-28 | 2002-10-10 | Canon Kk | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Informationsaufzeichungs- und Wiedergabeverfahren damit |
| EP0596716B1 (en) * | 1992-11-06 | 2002-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| DE69430883T2 (de) * | 1993-04-02 | 2003-01-23 | Canon Kk | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium auf dem es moglich ist, Informationen hoher Zeichendichte aufzuzeichnen und Verfahren zur Wiedergabe der aufgezeichneten Informationen |
| JP2809991B2 (ja) * | 1994-01-14 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JP3426034B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2003-07-14 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および記録再生方法並びに光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3400251B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-04-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3763930B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-04-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
| US6118736A (en) * | 1997-09-25 | 2000-09-12 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium having a reading layer in which transferred recording marks are extended |
| JP3492525B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US6349076B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Magneto-optical recording medium having a protective carbon layer |
| EP0974962B1 (de) * | 1998-06-27 | 2004-09-08 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Magneto-optisches Speichermedium mit Doppelmaskierung |
| JP2000200448A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-25 JP JP2001157148A patent/JP2002352484A/ja not_active Withdrawn
- 2001-09-21 EP EP01122802A patent/EP1260976A3/en not_active Withdrawn
- 2001-09-25 TW TW090123616A patent/TWI227013B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-25 US US09/963,004 patent/US6821642B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-15 CN CN01130502.9A patent/CN1388528A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020177010A1 (en) | 2002-11-28 |
| TWI227013B (en) | 2005-01-21 |
| EP1260976A3 (en) | 2004-01-28 |
| EP1260976A2 (en) | 2002-11-27 |
| CN1388528A (zh) | 2003-01-01 |
| US6821642B2 (en) | 2004-11-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5723227A (en) | Magneto-optical recording medium and reproducing method for information recorded on the medium | |
| US6272077B1 (en) | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in plane magnetization | |
| JP3111479B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3477384B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0393056A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2809991B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 | |
| JP2000011475A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| KR100634103B1 (ko) | 광자기 기록 매체 및 광자기 기록 매체의 제조 방법 | |
| JP2000163815A (ja) | 光磁気記録媒体及び再生装置並びに再生方法 | |
| JP3492233B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3585671B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3626050B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
| KR100442070B1 (ko) | 자벽 이동형 광자기 기록 매체, 광자기 기록 매체의 재생 방법 및 재생 장치 | |
| JP2000155926A (ja) | 磁気記録媒体および磁気再生方法 | |
| KR100201450B1 (ko) | 광자기기록매체 | |
| KR100691196B1 (ko) | 광자기 기록 매체 | |
| JP2002352484A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3093340B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3476698B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US7173884B2 (en) | Magnetooptic recording medium and its manufacturing method | |
| KR20030040466A (ko) | 광자기 기록 매체 및 그 재생 방법 | |
| JP3999978B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3538718B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2001338448A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07254176A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080805 |