TWI227013B - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording medium Download PDFInfo
- Publication number
- TWI227013B TWI227013B TW090123616A TW90123616A TWI227013B TW I227013 B TWI227013 B TW I227013B TW 090123616 A TW090123616 A TW 090123616A TW 90123616 A TW90123616 A TW 90123616A TW I227013 B TWI227013 B TW I227013B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- magnetic
- temperature
- recording medium
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 168
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 7
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 205
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 26
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 6
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 101100004031 Mus musculus Aven gene Proteins 0.000 description 1
- 238000003339 best practice Methods 0.000 description 1
- -1 composed of GdFeCo Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005411 photomagnetism Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31—Surface property or characteristic of web, sheet or block
Description
1227013 Α7
五、發明說明（1 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
發明所屬領域 本發明係有關於一種光磁性記錄媒體，特別係有關於一種可進行磁性超解析（Magnetically Induced Super Resolution)之光磁性記錄媒體。習知技術 為增大記錄密度，而開發出具有較雷射束之點徑更短 之標記長，且具有以較點徑短之週期形成之記錄標記之光 磁性記錄媒體。 其中，乃特別提出有一種磁性超解析（MSR)再生方 法，其係作為用以再生較束之點徑小之記錄標記者。 該方法係使層積有包含記錄層與再生層之多數磁性層 之磁性光碟一面旋轉一面藉照射再生雷射光使磁性光碟之 周方向上產生溫度分布，再利用該溫度分布讀出微小之記 錄標記。藉此，可得與實質上以較再生雷射光之點徑更小 之光點再生時同等之分解能。 又，特開2000-200448號公報中載有一種具有預定特性 之由3層磁性層構成之磁性超解像媒體，其係利用磁性超解 析而可使以較束點更短之週期記錄之記錄標記再生者。 該媒體係由再生層、中間層及記錄層等3種磁性層所構 成，除將於形成在束點内之溫度分布中之低溫領域上形成 低溫罩（稱為前罩）外，並於高溫領域上形成有高溫罩（亦稱 為後罩），為一雙罩磁性超解析媒體（D〇ubk mwkAperture Detection : D-RAD媒體）。 若依該媒體，則形成於脊面基板上之磁軌節距為 丨丨^---^------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J---r---訂 if
ϋ ϋ I
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G χ 297公每 線丨*丨j——如——r_____________ -4- 1227013 A7 ' ---— B7 —____ 五、發明說明（2 ) 〇·9μηι且長度為〇·38μιη之記錄標記將可於別斷以下之再 生磁場中再生。 又，為更使記錄媒體高密度化，必須緊縮媒體之半徑 方向之磁執節距，並使記錄標記之標記長度縮短。 緊縮磁執節距使其高密度化之方法之一乃有使用脊面 凹槽基板而於脊面與凹槽兩者上形成記錄標記者。 刚述之D-RAD媒體若使用脊面凹槽基板且為2 35〇3/ 3.5英吋程度之高密度媒體，則可形成幾乎不產生來自鄰接 磁執之串擾者。 發明欲解_之課題 但，目標朝向媒體之更大容量化而緊縮脊面凹槽基板 之磁軌節距時，無法忽視來自鄰接磁軌之串擾，而產生再 生功率極限（power margin)將變得較設計值更狹窄之問題。 舉例言之，對於磁軌節距為〇·50μιη程度之高密度 D-RAD媒體以LD波長660nm，ΝΑ=0·55之光學系統進行再 生時，將發生無法忽視程度之來自相鄰磁軌之串擾，就資 料記錄再生之實用等級上將成為問題。 第12圖及第13圖係圖表，用以說明習知D-RAD媒體之 串擾之再生功率（Pr)依賴性。 縱軸係與串擾發生量相當之分貝值CNR(dB)，橫軸係 表示再生功率（mW)。 又，第12圖係磁執節距為〇·65μηι之脊面凹槽基板，而 第13圖係磁軌節距為〇.5〇μηι之脊面凹槽基板。 該圖係用以測定將最短標記長為0·300μιη之8Τ標記記 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _f ____!____1· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1227013 五、發明說明（3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 憶於與脊面相鄰之凹槽中時，因串擾而漏出至脊面之信號 之分貝值者。 若依第12圖，則即使再生功率pr由3.6mW上升至 5.5mW程度，串擾亦係於20dB以下，不致成為再生之實用 上之問題。 又，若由係可再生之CNR之增高（Prth)之Pr=3.8mW推 想串擾於20dB以下之領域（pr=5.5mW為止）係再生功率極 限，則第12圖之情形具有土18.3%之再生功率極限。 另一方面，第13圖所示磁執節距為0·50μηι之脊面凹槽 基板中，再生功率極限Pr於4.5mW附近時串擾超越20dB。 即’於高PH則觀測到較大之串擾，即使於較低再生功 率之領域中串擾之影響亦增大。第13圖中再生功率極限減 少士 9.0%程度。 如前述般，可推想於高Pr側觀測到較大之串擾係因如 下之機制所導致。 第14圖係一說明圖，用以顯示習知D-RAD媒體再生時 各層之磁化狀態。 第14圖中顯示係D-RAD媒體之三種磁性層之再生層 51、中間層52及記錄層53之磁化方向。 於由下方施加再生磁場61之狀態下對該磁性層由上方 照射光束。第14圖雖顯示有已照射該光束之束點BS附近之 磁化狀態，但該媒體移動至圖面上右方向時，束點内之溫 度分布可分為3個領域（低溫領域A、中間領域B及高溫領域 C) 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-6- 1227013 五、發明說明（4) 磁化方向中，上方向係表示記錄方向L1，而下方向係 表示消去方向L2。 如第14圖所示般，若將再生磁場61加至記錄方向li 上，則束點内之低溫領域A中所有中間層52之磁化均朝向 外部磁場方向L1 ,與中間層52交換結合之再生層51之磁化 則朝向消去方向L2，再生層51内形成低溫罩a卜此時，與 低溫領域之記錄層53之磁化方向無關，中間層52之磁化方 白被迫對斤，且5己錄方向Li之記錄層53之磁化與中間層52 間發生界面磁壁62。 另一方面，束點内之高溫領域c則因中間層52之磁化 已達居里溫度，而使自發磁化消失（以空白部分表示），與 再生層51之交換結合力遭切斷。因此，該高溫領域c中再 生層51之磁化均被迫與外部磁化方向以對齊，即，再生層 51内自發磁化均朝向記錄方向L1而形成高溫罩ci。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又’中間溫度領域B中，記錄於記錄層53之記錄標記 藉透過中間層52之交換結合而轉錄至再生層51。於此，轉 錄至再生層之5己錄標5己之磁化方向為記錄方向L1。即， 此時中間溫度領域B之磁化方向係朝向與高溫罩c丨相同之 方向。 第15圖係用以顯示由上方向觀察D-RAD媒體時，發生 串擾之樣態者。 第15(b)圖係顯示磁軌節距TP相對較寬之情形，束點 BS中之高溫罩C1因與相鄰之記錄標記Ml無關，故未發生 串擾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -7- 1227013 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------— B7 五、發明說明（5) 另一方面，如第15(a)圖所示，磁軌節距Tp較第15(b) 圖更窄時，朝向記錄方向L1之由自發磁化所構成之高溫罩 C1亦有影響相鄰記錄標記Ml之情形。 此時’原本必須遮蔽之記錄標記M丨彼此連接，轉錄呈 與尚溫罩C1相同之磁化方向l 1對齊，而此係作為串擾信號 而影響鄰接磁執之記錄標記再生。 另一方面，即使高溫領域之罩未影響至相鄰磁軌之標 記時，亦將因以下原理使相鄰磁執之標記遭轉錄。 如第16圖所示，漏洩磁場63由因再生磁場61而朝記錄 方向L1之高溫領域C之再生層51之磁化而於圖中斜線箭號 方向發生漏洩磁場。此係因其與中間溫度領域轉錄狀 態時中間層52之磁化方向相同而對有助於轉錄之方向發生 作用。該漏洩磁場63之發生係與再生層5丨之磁化大小成比 例而增強，並與距離平方成反比地減弱。 一般D-RAD媒體之再生層51係使用至2〇〇t程度為止 溫度與飽和磁化之值均增大之材料，故越接近形成有高溫 領域C之罩的相鄰磁軌之記錄標記mi，則來自高溫領域c 之再生層51之罩的漏洩磁場63將對有助於轉錄之方向發生 強烈作用’而如第17圖所示般成為對相鄰磁軌之串擾而發 生影響。 如前述般，於習知之D-RAD媒體中若磁軌節距變窄， 將發生起因於具有再生層内自發磁化之高溫罩之喘擾，故 藉緊縮磁軌以臻高密度化乃有其界限。 本發明係考慮以上事態而成者，目的再於提供一種光 本紙張尺度適心關規格（210 x 297公楚） I------··.!1 訂-1，-------線！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -I n n I n ϋ n I I I - -8- 1227013
磁性記錄媒體，其係即使節距較f知所用之媒體更 窄亦可減低對於相鄰磁執之串擾，且因高溫下並無自發磁 化而可伴局溫罩之形成並進一步抑制磁性上噪音之發 生。 解決課題之方法 本發明提供一種光磁性紀錄媒體，其係形成有由至少3 層構成之磁性層，且藉光束之照射而將紀錄於第3磁性層之 記錄標記經由其上層之第2磁性層進而轉錄至其上層之第^ 磁性層後進一步使之再生者，·而，前述第丨磁性層係以於形 成預定溫度以上之領域設置不存有自發磁化之高溫罩而成 者。 藉此’可減低來自鄰接磁執之串擾，即使磁執節距較 習知之媒體窄亦可減低記錄噪音及消去噪音。 於此，若添加預定之金屬於第1磁性層，以使前述第i 磁性層之居里溫度與前述第2磁性層之居里溫度約略一 致，則可形成不存有自發磁化之高溫罩。 又’所添加之金屬係使用可調整前述第1磁性層之居里 溫度與補償溫度之磁性材料。更進而言之，前述金屬可使 用Cr、Mn、MnCr及Nb中之一者。 底層係由具有克爾旋轉角之提高（enhance)性質之材 料所構成之介電體層，但特別可使用SiN及A1N等材料。 第1磁性層可使用以GdFeCo為主體並於其中添加有前 述之Cr及Μη等金屬材料者。 第2磁性層可使用以GdFeCo及GdFe為主體，並於其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
n n I I I n^OJ 1· I I I n I I I I ^^^^1 I J I I 1^1 I ^ u— I I I ϋ I ϋ 1« I I I I -9_ 1227013 A7 --------B7__ 五、發明說明（7 ) 添加有Si、A1或Ti等金屬材料者。 第3磁性層則可使用TbFeCo及DyFeCo。 本發明中，所謂第1磁性層即意指再生層，但第丨磁性 層之呈預定溫度以上之領域則意指係形成有於記錄標記再 生時禁止讀出資訊之罩的領域之「高溫領域」，而所謂預 定溫度雖無法定為一固定值，但可舉例言之如2〇(rc程度之 溫度。 形成於該第1磁性層之高溫領域之罩即稱為高溫罩。 本發明之光磁性記錄媒體可依高反射率層、前述第1 磁性層、第2磁性層及第3磁性層之順序層積而成。又，基 板與高反射層間亦可挾有底層。 又’基板上亦可依第4磁性層、第1磁性層、第2磁性脣 及第3磁性層之順序層積而成，且前述第4磁性層與第2磁性 層可由相同之材料所構成。又，基板與高反射層間亦可挾 有底層。 基板上更可依高反射率層、第4磁性層、前述第丨磁性 層、第2磁性層及第3磁性層之順序層積而成。此時，基板 與高反射層間亦可挾有底層。 於此，前述高反射層可使用具有增加反射光量之性質 之材料’如AuPdCu、Al、AlCr或AlTi中之一者。 又，前述基板可使用一僅於脊面上具有記錄標記之脊 面基板，或為一於脊面與凹槽兩者上具有記錄標記之脊面 凹槽基板。 本發明之最佳實施型態 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' * I--L--I l· ^ · u--I----線 — · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1227013 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8) 以下，就圖式所示之實施型態將本發明詳述於後。又， 本發明並不侷限於該等實施型態。 第1圖係一截面結構圖，用以顯示本發明之光磁性記錄 媒體（以下亦僅稱為磁片）之一實施例。於此，令基板1為磁 軌節距0·5μιη之脊面凹槽基板。 本發明之磁片可藉DC濺鍍法於基板1上依次形成底層 2、第1磁性層3、第2磁性層4、第3磁性層5、保護層6及熱 傳導層7而製得。對該基板係可使光束由基板1之上方照 射，並由熱傳導層7側施加再生磁場61。 於此，.令基板1為使用玻璃材料者，且底層2及保護層6 係使用SiN者，但不侷限於此。 第1磁性層3、第2磁性層4及第3磁性層5各自相當於習 知之再生層51、習知之中間層52及習知之記錄層53。 第1磁性層3之材料為〇(121.(^655.9(：〇14.408.7，第2 磁性層之材料為Gd28.5Fe65.1Co4.3Si2.2，第3磁性層之材 料為 Tb22.3Fe61.4Col6.3。 熱傳導層7則令其使用AlCr。 用以形成SiN層2及6之濺鍍條件為：Ar與N2氣壓為 0.8Pa且投入電力為0.8kW ;形成磁性層3、4、5及熱傳導層 7之濺鍍條件為：Ar氣壓0.5〜l.OPa且投入電力為 0.5〜0.8kW。又，令到達真空度為5x l(T5Pa以下之真空。 令各層之膜厚由基板1侧起依序為：底層9 Onm、第1磁 性層40nm、第2磁性層40nm、第3磁性層50nm、保護層 60nm、熱傳導層15nm。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — —-ΓΙΙ·ί-ιιιιιι·^ιιι^·ιιι-^ιι-4.^^·1<τιιιι1ι·^^ — ^^ιι_^ΙΙΙΪΙΙΓ — — — — — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11- 1227013 A7 ~ -------------— — 五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1磁性層3係由室溫起至居里溫度為止均顯示垂直磁 化之GdFeCoCr(膜厚4〇nm)，但其補償溫度凡。卿為9〇χ：且居 里溫度1^為210。(：程度。於此，所添加之Cr係反強磁性金 屬，且係用以調整第i磁性層3之居里溫度Tc與補償溫度 Tcomp而添加者0 本發明係以添加預定量之該Cr而使第1磁性層（再生 層）3與第2磁性層（中間層）4之居里溫度約略一致為特徵。 添加於該第1磁性層3之材料僅需為可將補償溫度 Tcomp與居里溫度Tc調整至相近之方向即可，但除Cr外亦可 使用Mn、MnCl及Nb等具有反強磁性或氧化抑制性質之金 屬。但Si及A1等非磁性金屬因無法調整補償溫度丁⑶叫與居 里溫度Tc而無法採用。又，添加之心量宜令為使其等與中 間層之居里溫度相同程度之範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2磁化層4係一至居里溫度Tc為止於單層下無法發 現補償溫度Te()mp之稀土類磁化優勢（以下稱為re優勢）結 構之面内磁化膜（GdFeCoSi膜：膜厚50nm)，其居里溫度為 210°C。因層積膜中將轉錄記錄層之資訊至再生層，該第2 磁性層將於預定溫度以上呈垂直磁化。於此，以係用以將 居里溫度設定成較低而添加者，Si以外亦可添加非磁性金 屬之A1及Ti等。添加之Si量宜令為可於200°C程度下形成高 溫罩程度之範圍。 第3磁性層5係於室溫（l〇°C至35°C程度）附近具有補償 溫度Te()mp者，且其至居里溫度為止係顯示有垂直磁化之遷 移金屬磁化優勢（以下稱為TM優勢）結構之TbFeCo膜（膜厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 1227013 A7 B7 五、發明說明（1G) 60nm) 〇 第2圖係顯示有各磁性層之組成、居里溫度Tc及補償 溫度Te()mp者。 第3圖係用以顯示再生層3及中間層4之飽和磁化Ms與 溫度間之關係表。於此，橫軸係表示溫度fC )，而縱軸係 表示飽和磁化（emu/cc)。 若依本發明之再生層3之特性曲線G1，可知其居里溫 度Tc為21(TC，而補償溫度Tcomp為90。(： 0
第3圖中，若依不含Cr之習知再生層（CdFeCo)之特性曲 線G3，則可知其補償溫度丁。。1111)為20。(：，居里溫度Tc為320 °C ;與本發明再生層（GdFeCoCr)之特性曲線G1相較下，雖 補償溫度T comp 較低而居里溫度較高，但飽和磁化Ms之則全 體均較大。 又，本發明之再生層之特性曲線G1與中間層之特性曲 線G 2之居里溫度Tc均為210C程度而約略一致。 又，本發明再生層3之特性曲線G1之飽和磁化Ms之大 小與習知再生層之特性曲線G3相較下較小，故而來自再生 層之漏洩磁場較小。 第3圖中，為便於對照而亦顯示有係已添加以之再生層 之GdFeCoSi層之特性曲線G4，但因使用Si代替Cr，補償溫 度TcomP甚低，約為20°C。雖可增加Si添加量以使居里溫度 更為下降，但無法提高TC()mp。若依該特性曲線G4，則因與 習知再生層之特性曲線G3變化相同，故表示即使添加si亦 無法進行使居里溫度Tc下降並提高補償溫度丁⑶叫之調整。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •丨丨I l·丨丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 •線丨----1. -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227013
第4圖係用以顯示本發明光磁性記錄媒體之串擾之再 生功率依賴性之表。此係使用LD波長為66Qnm且na=〇55 :試驗器(tester)而於鄰接脊面之凹槽中記錄饤標記時測 定漏出至脊面之CNR者。 右依第4圖，則再生功率卜於”讀程度時乃發生2議 之串擾。即’可知即使使用磁執較習知使用者D、之〇.5哗 之脊面凹槽基板，再生功率極限仍為±27·3%程度，對鄰接 ‘ e己之串擾之影響與第13圖所示之習知d_rad媒體特性 相較下已大為壓制。 如以上所示，本發明之光磁性記錄媒體為達成減低串 擾之目的，而於用以構成再生層之組成材料中加入Cr，以 使再生層3與中間層4之居里溫度約略一致，但串擾減低， 換言之即再生功率極限增加乃係因形成於再生層3之高溫 tS域上之南溫罩不存有自發磁化故也。 第5圖係顯示本發明之光磁性記錄媒體再生時之磁化 狀態之說明圖。 與第14圖所示習知之D-RAD媒體相較下，低溫領域a 與習知者相同均因再生磁場61而於再生層上形成低溫罩， 且於中間溫度領域B上記錄層之磁化將轉錄至再生層，但 於本發明之第5圖之磁化狀態下，乃於高溫領域C之再生層 3與中間層4中不存有自發磁化（以空白部分表示）之點上相 異。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
五、發明說明（12) 因此，形成於高溫領域c之高溫罩乃可稱為不存有自 發磁化之罩。 該咼溫罩因係無自發磁化之罩，故不致如第16圖與第 1 7圖所說明般發生漏洩磁場63，而不會引起鄰接磁執之記 錄標記之轉錄。即，可謂將不發生往鄰接磁執之串擾。又， 第5圖中再生層3之高溫領域c上無自發磁化因而未記入， 但於此形成有禁止資訊讀出之高溫罩。可藉以下之再生波 型將之加以破認。 第6圖係用以顯示以光變調記錄將2丁及8τ之記錄標記 呈連續之圖樣記錄於本發明光磁性記錄媒體時觀測再生波 形之結果。 2 ’第7圖係顯示觀測習知之磁片，即僅存有低溫罩I 未於局溫領域上形成高溫罩之媒體之2τ8τ連續標記的^ 生波形之結果。橫方向為時間軸，轉方㈣其上表示名 再生払δ己再生，其下表示使空隙再生。 振再… 之振幅亦未劣化 可知即使8T空隙再生後2職 第7圖之習知磁片中，因圓周方 、。另-方：::本 中形成有所謂之罩。 了4，皿領域c 即，由以上之結果可知，第1圖所示之本發明之磁片 1227013 A7 —____________B7 五、發明說明（13 ) "~1 ' 中再生層3之阿溫領域⑶形成有不具自發磁化之高溫 罩❿可侍再生功率極限充足之再生信號，進而可求串擾 之減低。 2次’就伴隨高溫罩之形成而生之噪音加以說明。一 般而β若形成π溫罩則因其自發磁化之動搖而將發生噪 曰成刀右該噪音成分甚大則將影響信號品質（SNR)，故 宜使其儘可能地縮小。 若使用光磁性記錄再生裝置（MO試驗器）測定將 0·300μιη2 5己錄標記記錄於記錄層5時之噪音成分，則第工 圖之本發明磁片中，記錄噪音為5 64mV，消去噪音為 5.08mV。另一方面，習知之D RAD媒體中，記錄噪音為 9.04mV，消去噪音為6.35mV。 即本發明之媒體與習知者相較下，記錄噪音減低為 1/2.6倍（8.4dB)。因此可謂記錄噪音與消去噪音與習知之媒 體相較均可大幅減低。 其原因可推想為，再生層3之高溫領域因形成有不具自 發磁化之南溫罩’故伴隨再生層之磁化於朝向外部磁場方 向時所發生之磁化旋轉之罩噪音（mask noise)將不致發生。 以上，作為第1實施例，已顯示於第1磁性層（再生層3) 中形成有添加Cr之層並於再生層之高溫領域C上形成不存 有自發磁化之高溫罩以減低串擾之實施例，但即使係含前 述之Mn、MnCr及Nb中任一金屬以取代Cr之磁片，亦可得 相同之效果。 又，第1實施例中Cr之添加量為8·7%，但本發明不侷 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "- i!---t------馥—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. 線丨--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 1227013 A7 ' '~ ----—----- 五、發明說明（14) 限於此，若為可使中間層之居里溫度更相近程度之組成範 圍，即可得相同之串擾減低效果。 (第2實施例） 第8圖係一結構圖，用以顯示已對第1實施例中作成之 磁片設置有高反射率層11於底層2及第1磁性層3間而成之 磁片。 若附加該高反射層1 1，則可使賦予載子（信號品質SNR 之S)影響之MO振幅增大。 高反射率層11可使用AgPdCu。而高反射率層11以外之 膜之膜厚結構及製膜條件雖可與第1實施例相同，但 AgPdCu層亦可以與第1實施例之熱傳導層相同之條件形 成。又’高反射層11除AuPdCu外，亦可使用反射率高之 A卜 AlCr及 AlTi 等。 又，高反射層11若過厚則無法使第1磁性層3之磁化資 訊再生，故厚度必須為可使光束透過預定量之程度。於此， 亦可令AgPdCu層為形成2nm程度者。 因第1實施例之碟片中，係將第1磁性層之居里溫度設 定較習知者低，故克爾旋轉角Ok將降低若干。於此，若添 加AuPdCii層11般之反射率R較高之層，則可使觀測之M〇 振幅恢復與Rx 0k成比例之量，結果亦可使克爾旋轉角上 升。 第9圖係顯示有各光磁性記錄媒體之MO振幅與再生功 率間之關係之表。於此，表al係屬於第1圖所示之本發明之 第1實施例之光磁性記錄媒體者，表a2係屬於第8圖所示之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _!!t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n I I 1 ϋ n 一-°JI ϋ I I ϋ n I ϋ ϋ I .^1 I —^ϋ I I I I l I I n ϋ I I n - -17- 1227013
五、發明說明（15)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發月之第2實施例之光磁性記錄媒體者，而表⑹系屬於第 14圖所tf I知之D_RAD媒體者，表b2係屬於附加高反射率 層於習知之D-RAD媒體中之媒體者。 橫軸為再生功率Pr，縱軸為M〇振幅。若依該表，則可 知相對於表al及表bl，表a2及表㈣因附加有高反射率層 ，使M0振幅增加。即，無論習知之d_rad媒體或本發明 第2實施例之碟片，附加高反射層u均可使m〇振幅增大。 右更進一步比較表a2與表b2，則第2實施例之磁片中可 谓將使M0振幅恢復至與習知之碟片約略相等之程度。又第 2實施例之碟片中，相對串擾之再生功率極限為±28·2%程 度，而可圖與第1實施例同程度之串擾減低。 (第3實施例） 第1〇圖中係顯示本發明第3實施例之光磁性記錄媒體 之結構圖。其係對第1圖所示第1實施例之磁片於底層2與第 1磁性層3間附加一與第2磁性層相同組成之第4磁性層12。 於此’令第4磁性層12係於與第2磁性層相同之條件下，形 成GdFeCoSi膜厚達30nm程度者。令其他膜之膜厚結構及製 膜條件等均與第1實施例相同。 於此，第2磁性層12於高溫（150°C至200。〇下之克爾旋 轉角較第1磁性層3大出約0.05°C。因此亦可使碟片之M0振 幅增大。若依使用MO試驗器所作之觀測，則較第1實施例 增大1成程度之M0振幅。又，對串擾之再生功率極限約略 與第2實施例相同，為±28%程度。 因此，該第3實施例之媒體亦相同地可得減低串擾、確 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 χ 297公釐） ---》---V------Φ----l· 1 -1 訂1· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線丨---1. -I H ϋ I ϋ H ϋ ϋ I ^ -I - -18- 1227013 A7 B7 五、發明說明（16) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 保再生功率界限以及增大MO振幅之效果。 (第4實施例） 第11圖係一結構圖，用以顯示本發明之光磁性記錄媒 體之第4實施例。 該媒體係對第3實施例之光磁性記錄媒體更於底層2及 第4磁性層12間附加高反射率層13者。於此，高反射率層13 可與第2實施例所示者相同，使用AgPdCu層等。並令各層 之膜厚及製膜條件與前述實施例相同。 於此，形成2nm程度之AgPdCu層以作為高反射率層13 時，MO振幅更較第3實施例增加約2成程度。又，對串擾之 再生功率極限為士28.5%。 因此，可知即使係該第4實施例之媒體亦可減低對磁軌 節距狹窄之高密度基板之串擾、確保充分之再生功率極限 及改善MO振幅。 又，與第1實施例所示相同，該第4實施例亦可減低起 因於罩噪音而起之噪音。 另’本實施例中基板係設於第1磁性層側，但亦可將基 板設於熱傳導層侧而使前照明（front iUuminati〇n)可行。 若依本發明，則因將不存有自發磁化之高溫罩形成於 用以保持記錄標記再生之第丨磁性層（再生層）之高溫領 域，故即使係使用較習知者磁軌節距更窄之脊面凹槽基板 之光磁性記錄媒體，亦可減低來自鄰接磁軌之串擾、記錄 噪音以及消去噪音。 又，因使進行記錄標記再生之第丨磁性層與進行記錄標
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
•T έ n I ϋ l· n I l· 幻i· — ϋ 1 n ϋ 丨-線-#! n 1 n n - •19- 1227013
記交換結合之第2磁性層（中間層）間之居里溫度約略一 致，而即使係使用較習知者磁軌節距更窄之脊面凹槽基板 之光磁性記錄媒體，亦可減低來自相鄰磁軌之串擾、記錄 噪音以及消去噪音。 更因於第1磁性層中使用含Cr之磁性材料，故即使係使 用較習知者磁軌節距更窄之脊面凹槽基板之光磁性記錄媒 體，亦可減低來自相鄰磁軌之串擾、記錄噪音以及消去噪 音。 又’設置高反射層，使其與密接於基板而配置之底層 後接時’於磁軌節距狹窄之脊面凹槽基板中，除可減低串 擾發生外並可改善M0振幅。 [圖式之簡單說明] 第1圖係本發明第1實施例之光磁性記錄媒體之結構圖。 第2圖係顯示有本發明各磁性成之組成、居里溫度以及 補償溫度者。 第3圖係再生層及中間層之飽和磁化與溫度之關係圖。 第4圖係本發明磁片之串擾之再生功率依賴性（磁軌節 距0·50μηι基板）之表。 第5圖係本發明之磁片再生時，磁化狀態之說明圖。 第6圖係顯示有本發明磁片中2Τ8Τ圖樣信號之再生波形者。 第7圖係顯示有於高溫領域中不具罩之習知碟片之 2Τ8Τ圖樣信號之再生波形者。 第8圖係本發明第2實施例之光磁性記錄媒體之結構圖。 第9圖係各光磁性記錄媒體之Μ0振幅與再生功率之關 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） .II^---^-------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ n ϋ ϋ ϋ 丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^eJ· ABM Μ·· MB W W 菌 W an· W W W W W MB Ml· MB W Μ· - -20- 1227013 Α7 Β7 18 五、發明說明（ 係表。 第10圖係本發明第3實施例之光磁性記錄媒體之結構圖。 第11圖係本發明第4實施例之光磁性記錄媒體之結構圖。 第12圖係習知D-RAD媒體之串擾之再生功率依賴性 (磁軌節距〇·65μιη基板）之表。 第13圖係習知D-RAD媒體之串擾之再生功率依賴性 (磁軌節距0.50μιη基板）之表。 第14圖係習知D-RAD媒體再生時磁化狀態之說明圖。 第15圖係一說明圖，用以說明習知D-RAD媒體中發生 串擾之樣態。 第16圖係習知D-RAD媒體中，於再生時發生之漏线磁 場之說明圖。 第17圖係一說明圖，用以說明習知D-RAD媒體中朝相 鄰磁軌之漏洩磁場之影響。 --τ 11 ^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
mm mm IBM -線丨-·!· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21- 1227013 A7 B7 五、發明說明（19) 元件標號對照表 1...基板 L1...記錄方向 2...底層 L2…消去方向 3···第1磁性層 Ml…標記 4···第2磁性層 TP…磁執節距 5...第3磁性層 6...保護層 7...熱傳導層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11…高反射率層 12.··第4磁性層 13.. .高反射率層 51.. .再生層 52.. .中間層 5 3…記錄層 61…再生磁場 62.. .界面磁壁 63.. .漏洩磁場 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A. ..低溫領域 A1···低溫罩 B. ..中間溫度領域 BS…束點 C…高溫領域 C1…局溫罩
Gl、G2、G3···特性曲線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22-
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第090123616號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：93年2月 1 · 一種光磁性記錄媒體，係形成有由至少3層構成之磁性 層，且藉光束之照射而將記錄於第3磁性層之記錄標記 經由其上層之第2磁性層進而轉錄至其上層之第1磁性 層後進一步使之再生者；而，前述第1磁性層係於呈預 定溫度以上之領域設有不存在自發磁化之高溫罩者。 2·如申請專利範圍第1項之光磁性記錄媒體，其中前述第1 磁性層係由添加有預定金屬之磁性材料所構成，以使前 述第1磁性層之居里溫度與前述第2磁性層之居里溫度 呈約略一致之狀態。 3·如申請專利範圍第2項之光磁性記錄媒體，其中前述金 屬係一種可調整前述第1磁性層之居里溫度與補償溫度 之磁性材料。 4·如申請專利範圍第2項之光磁性記錄媒體，其中前述金 屬係Cr、Mn、MnCr及Nb中之一者。 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項之光磁性記錄媒 體，其係依兩反射率層、前述第1磁性層、第2磁性層及 第3磁性層之順序層積者。 6·如申明專利範圍第1至4項中任一項之光磁性記錄媒 體，其係依第4磁性層、前述第丨磁性層、第2磁性層及 第3磁性層之順序層積者，且前述第4磁性層與第2磁性 層係由相同材料所構成。 7·如申明專利範圍第1至4項中任一項之光磁性記錄媒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格_ (210 X 297公爱· {清先閲讀背面之生意事項再填寫本頁) 裝·-------訂------ -MM I aw 羼 線 -23- 22 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 體，其係依高反射率層、第4磁性層、前述第丨磁性層、 第2磁性層及第3磁性層之順序層積者，且前述第4磁性 層與第2磁性層係由相同材料所構成。 8·如申5青專利範圍第5項之光磁性記錄媒體，其中前述高 反射層係AuPdCu、Al、AlCr及AlTi中之一者。 9.如申請專利範圍第5項之光磁性記錄媒體，其中前述層 積之各層係形成於基板上所形成之底層上者，且前述基 板係一僅於脊面上具有記錄標記之脊面基板，或為_於 脊面與凹槽兩者上具有記錄標記之脊面凹槽基板。 (諳先閲讀背面之庄意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -24-
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001157148A JP2002352484A (ja) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI227013B true TWI227013B (en) | 2005-01-21 |
Family
ID=19001056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW090123616A TWI227013B (en) | 2001-05-25 | 2001-09-25 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6821642B2 (zh) |
| EP (1) | EP1260976A3 (zh) |
| JP (1) | JP2002352484A (zh) |
| CN (1) | CN1388528A (zh) |
| TW (1) | TWI227013B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001080230A1 (fr) * | 2000-04-19 | 2001-10-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Unite de disque magneto-optique capable de reproduction par expansion du domaine magnetique sous champ magnetique continu et procede de reproduction |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0568706B1 (en) * | 1991-11-22 | 1999-08-11 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
| DE69331924T2 (de) * | 1992-08-28 | 2002-10-10 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und Informationsaufzeichungs- und Wiedergabeverfahren damit |
| DE69332846T2 (de) * | 1992-11-06 | 2003-12-24 | Sharp K.K., Osaka | Magnetooptischer Aufzeichnungsträger und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und für den magnetooptischen Aufzeichnungsträger ausgebildetes optische Kopf |
| EP1020854A3 (en) * | 1993-04-02 | 2000-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical reproducing apparatus |
| JP2809991B2 (ja) * | 1994-01-14 | 1998-10-15 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JP3426034B2 (ja) * | 1994-07-20 | 2003-07-14 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および記録再生方法並びに光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3545133B2 (ja) * | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3400251B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-04-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP3763930B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-04-05 | Ｔｄｋ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
| US6118736A (en) * | 1997-09-25 | 2000-09-12 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium having a reading layer in which transferred recording marks are extended |
| JP3492525B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US6349076B1 (en) * | 1998-06-24 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Magneto-optical recording medium having a protective carbon layer |
| DE59910434D1 (de) * | 1998-06-27 | 2004-10-14 | Philips Intellectual Property | Magneto-optisches Speichermedium mit Doppelmaskierung |
| JP2000200448A (ja) | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-25 JP JP2001157148A patent/JP2002352484A/ja not_active Withdrawn
- 2001-09-21 EP EP01122802A patent/EP1260976A3/en not_active Withdrawn
- 2001-09-25 US US09/963,004 patent/US6821642B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-25 TW TW090123616A patent/TWI227013B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-15 CN CN01130502.9A patent/CN1388528A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1388528A (zh) | 2003-01-01 |
| JP2002352484A (ja) | 2002-12-06 |
| US6821642B2 (en) | 2004-11-23 |
| US20020177010A1 (en) | 2002-11-28 |
| EP1260976A2 (en) | 2002-11-27 |
| EP1260976A3 (en) | 2004-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5168482A (en) | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer | |
| US6272077B1 (en) | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in plane magnetization | |
| JP3111479B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3477384B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0361970A2 (en) | Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium | |
| JP3492525B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0393056A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3568787B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び再生装置 | |
| US6671233B1 (en) | Magneto-optical recording medium and reproduction method therefor | |
| US6226234B1 (en) | Magneto-optic recording medium and reproducing method for reproducing magnetic domain in enlarged form on a reproducing layer | |
| JP3519293B2 (ja) | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 | |
| JP2000163815A (ja) | 光磁気記録媒体及び再生装置並びに再生方法 | |
| TWI227013B (en) | Magneto-optical recording medium | |
| US6687197B1 (en) | High density information recording medium and slider having rare earth metals | |
| JP4097814B2 (ja) | 磁気記録媒体および磁気再生方法 | |
| JP3626050B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
| JP2886199B2 (ja) | 光磁気記録方法及び光磁気記録媒体 | |
| JP3792366B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3446297B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2000339788A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JPH0453047A (ja) | 光学記憶素子 | |
| JP2001176140A (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 | |
| JPH07262629A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| Kim et al. | Effects of magnetic properties and layer thickness on the readout performance of magnetic amplifying magneto-optical system disks | |
| JPH08315439A (ja) | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |