JPH04268226A - 磁気光学的データ記憶媒体構造及びその製造方法 - Google Patents
磁気光学的データ記憶媒体構造及びその製造方法Info
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- JPH04268226A JPH04268226A JP3328176A JP32817691A JPH04268226A JP H04268226 A JPH04268226 A JP H04268226A JP 3328176 A JP3328176 A JP 3328176A JP 32817691 A JP32817691 A JP 32817691A JP H04268226 A JPH04268226 A JP H04268226A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱磁気式記憶原理に基
づきデジタル情報を記憶し得る磁気光学的記憶媒体構造
及びその製造方法に関する。
づきデジタル情報を記憶し得る磁気光学的記憶媒体構造
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気光学的データ記憶媒体を製造するた
めに様々な構造が用いられている。最も単純な構造の１
つとしては、図１に示されるような、基板１２と、磁気
光学層１１と、（第１の）絶縁層１０とを含むものがあ
る。以下に言及する他の構造の場合と同様に、磁気光学
層は、通常ＭｎＢｉ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢｉまたはＭ
ｎＴｉＢｉ等の多結晶薄膜、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、
ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＤｙＦｅまたはＴ
ｂＤｙＦｅなどのようなアモルファス希土類元素金属合
金、Ｐｔ及びＣｏの互いに交互する薄膜からなる多層被
膜等からなるのが一般的である。図１に示されるように
、磁気光学層１１は、基板１２と絶縁層１０との間にサ
ンドイッチされることにより、磁気光学層の異なる領域
に於ける磁化の方向に基づきデータを記憶する作用を行
なう。
めに様々な構造が用いられている。最も単純な構造の１
つとしては、図１に示されるような、基板１２と、磁気
光学層１１と、（第１の）絶縁層１０とを含むものがあ
る。以下に言及する他の構造の場合と同様に、磁気光学
層は、通常ＭｎＢｉ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢｉまたはＭ
ｎＴｉＢｉ等の多結晶薄膜、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、
ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ、ＤｙＦｅまたはＴ
ｂＤｙＦｅなどのようなアモルファス希土類元素金属合
金、Ｐｔ及びＣｏの互いに交互する薄膜からなる多層被
膜等からなるのが一般的である。図１に示されるように
、磁気光学層１１は、基板１２と絶縁層１０との間にサ
ンドイッチされることにより、磁気光学層の異なる領域
に於ける磁化の方向に基づきデータを記憶する作用を行
なう。
【０００３】磁気光学層１１に記憶されたデジタル情報
は、偏光されたレーザビーム２が、絶縁層１０を介して
磁気光学層１１に向けて投射され、それによって一部反
射されることにより読み出される。外部に設けられた図
示されないレンズが、レーザビーム２を磁気光学層１１
に集束させる。レーザビーム２を反射する磁気光学層１
１の部分の磁化方向に応じて、レーザビーム２の反射さ
れた部分に於ける偏光方向が、カー効果（Ｋｅｒｒ
ｅｆｆｅｃｔ）により正または負の方向に回転させられ
る。図示されない外部検出装置により、反射されたレー
ザビーム２の回転方向を検出することにより、磁気光学
層１１に記録された情報を読み出すことができる。
は、偏光されたレーザビーム２が、絶縁層１０を介して
磁気光学層１１に向けて投射され、それによって一部反
射されることにより読み出される。外部に設けられた図
示されないレンズが、レーザビーム２を磁気光学層１１
に集束させる。レーザビーム２を反射する磁気光学層１
１の部分の磁化方向に応じて、レーザビーム２の反射さ
れた部分に於ける偏光方向が、カー効果（Ｋｅｒｒ
ｅｆｆｅｃｔ）により正または負の方向に回転させられ
る。図示されない外部検出装置により、反射されたレー
ザビーム２の回転方向を検出することにより、磁気光学
層１１に記録された情報を読み出すことができる。
【０００４】磁気光学的記憶媒体の性能を評価する上で
幾つかの特性が重要である。そのような特性としては、
反射された光ビームのＳＮ比、媒体に対する書込みの容
易さ、データを記憶する際に於ける媒体の信頼性、磁気
光学層の腐蝕に対する耐久度、媒体の表面の埃による干
渉を防止する能力及びトラッキングのために重要な特性
としての媒体の反射率等がある。
幾つかの特性が重要である。そのような特性としては、
反射された光ビームのＳＮ比、媒体に対する書込みの容
易さ、データを記憶する際に於ける媒体の信頼性、磁気
光学層の腐蝕に対する耐久度、媒体の表面の埃による干
渉を防止する能力及びトラッキングのために重要な特性
としての媒体の反射率等がある。
【０００５】図１に示された構造は、比較的製造容易で
あるが、絶縁層１０の表面の埃からの影響を受けやすく
、ＳＮ比も必ずしも満足できるものではない。図２に示
された４層体構造によりＳＮ比を改善することができる
。この４層体構造は、磁気光学層１１と基板１２との間
にサンドイッチされた第２の絶縁層１３及び金属反射層
１４を備えている。反射層１４は、通常Ａｌ、Ｃｕ、Ａ
ｇまたはＡｕ等の薄膜からなる。この構造に於ては、磁
気光学層１１及び第２の絶縁層１３を透過したレーザ光
の部分は、反射層１４の表面により反射される。第２の
絶縁層１３の厚さが適切に定められていれば、磁気光学
層１１と第２の絶縁層１３との間の境界面により反射さ
れた光と、第２の絶縁層１３と金属反射層１４との間の
境界面により反射された光とが互いに有意義に干渉する
ことにより、反射された光のカー回転を増大させ、ＳＮ
比を向上させることができる。
あるが、絶縁層１０の表面の埃からの影響を受けやすく
、ＳＮ比も必ずしも満足できるものではない。図２に示
された４層体構造によりＳＮ比を改善することができる
。この４層体構造は、磁気光学層１１と基板１２との間
にサンドイッチされた第２の絶縁層１３及び金属反射層
１４を備えている。反射層１４は、通常Ａｌ、Ｃｕ、Ａ
ｇまたはＡｕ等の薄膜からなる。この構造に於ては、磁
気光学層１１及び第２の絶縁層１３を透過したレーザ光
の部分は、反射層１４の表面により反射される。第２の
絶縁層１３の厚さが適切に定められていれば、磁気光学
層１１と第２の絶縁層１３との間の境界面により反射さ
れた光と、第２の絶縁層１３と金属反射層１４との間の
境界面により反射された光とが互いに有意義に干渉する
ことにより、反射された光のカー回転を増大させ、ＳＮ
比を向上させることができる。
【０００６】図３に示された構造は、埃の汚染による干
渉に対して影響を受けないという利点を有する別の構造
を示している。図３に示された構造は、基板１２が、レ
ーザビームが投射される４層体構造の側に配置されてい
る点を除いて図２に示されている構造と同様である。層
１０、１１、１３及び１４は、図２に示された構造に於
ける場合と同様の機能を果す。基板１２の上面の埃は、
磁気光学層１１上に結ばれたレーザビーム２の焦点より
もずっと上方に位置している。従って、粒子が極めて大
きい場合を除いて、埃はディスクの性能に対して影響を
与えない。しかも、基板１２と第１の絶縁層１０とが、
それぞれ約１．５及び２の屈折率を有する材料からなる
場合には、基板１２の直下に位置する第１の絶縁層１０
の位置が、磁気光学層１１に到達する前に反射される図
示されないレーザビーム２の部分を制限する働きを果す
。これにより、反射された信号を強化することができる
。また、第１の絶縁層１０は、基板１２からの水分その
他の汚染物質による腐蝕に対して磁気光学層１１を保護
するバリヤとしても機能する。このような４層体構造は
、図２に示された構造の場合と略同様のＳＮ比向上効果
を達成することができる。
渉に対して影響を受けないという利点を有する別の構造
を示している。図３に示された構造は、基板１２が、レ
ーザビームが投射される４層体構造の側に配置されてい
る点を除いて図２に示されている構造と同様である。層
１０、１１、１３及び１４は、図２に示された構造に於
ける場合と同様の機能を果す。基板１２の上面の埃は、
磁気光学層１１上に結ばれたレーザビーム２の焦点より
もずっと上方に位置している。従って、粒子が極めて大
きい場合を除いて、埃はディスクの性能に対して影響を
与えない。しかも、基板１２と第１の絶縁層１０とが、
それぞれ約１．５及び２の屈折率を有する材料からなる
場合には、基板１２の直下に位置する第１の絶縁層１０
の位置が、磁気光学層１１に到達する前に反射される図
示されないレーザビーム２の部分を制限する働きを果す
。これにより、反射された信号を強化することができる
。また、第１の絶縁層１０は、基板１２からの水分その
他の汚染物質による腐蝕に対して磁気光学層１１を保護
するバリヤとしても機能する。このような４層体構造は
、図２に示された構造の場合と略同様のＳＮ比向上効果
を達成することができる。
【０００７】図２及び３に示された４層体構造によりか
なりの改善効果が達成されるものの、このようにＳＮ比
を最大化しようとして設計されたこの種の構造体は、し
ばしば４〜６％程度の低い反射率及び、磁気光学的に回
転された反射光に於いて許容できない大きな位相ずれを
引起すものであった。現在、レーザビームを自動的にフ
ォーカシング及びトラッキングするためにディスクドラ
イブに於て用いられているサーボ機構は、１５〜２５％
の範囲の反射率、好ましくは約２０％の反射率を必要と
する。
なりの改善効果が達成されるものの、このようにＳＮ比
を最大化しようとして設計されたこの種の構造体は、し
ばしば４〜６％程度の低い反射率及び、磁気光学的に回
転された反射光に於いて許容できない大きな位相ずれを
引起すものであった。現在、レーザビームを自動的にフ
ォーカシング及びトラッキングするためにディスクドラ
イブに於て用いられているサーボ機構は、１５〜２５％
の範囲の反射率、好ましくは約２０％の反射率を必要と
する。
【０００８】反射光の位相ずれは、入射ビームの偏光方
向に対してそれぞれ平行及び直交する反射光成分が同位
相でないために、楕円偏光が引起される場合に発生する
。このような反射信号の位相ずれ即ち楕円偏光は信号検
出に際して種々の問題を引起こす。反射光の位相ずれ、
即ち磁気光学的に反射された光の成分と通常どうりに反
射された光の成分との間の位相差をφで表した場合、情
報読取り過程の性能がｃｏｓ φに比例して変化する。 従って、位相ずれの値φが０に等しいのが理想的である
が、φが−１２〜＋１２度の範囲にあれば概ね許容され
る。
向に対してそれぞれ平行及び直交する反射光成分が同位
相でないために、楕円偏光が引起される場合に発生する
。このような反射信号の位相ずれ即ち楕円偏光は信号検
出に際して種々の問題を引起こす。反射光の位相ずれ、
即ち磁気光学的に反射された光の成分と通常どうりに反
射された光の成分との間の位相差をφで表した場合、情
報読取り過程の性能がｃｏｓ φに比例して変化する。 従って、位相ずれの値φが０に等しいのが理想的である
が、φが−１２〜＋１２度の範囲にあれば概ね許容され
る。
【０００９】このような楕円偏光を緩和したり解消する
ために光学的な位相遅れ板が入手可能であるが、個々の
板は特定のφの値に対して用い得るのみである。従って
、記憶媒体の種類によってφの値が極めて広範に変化し
得ることから、このような位相遅れ板は問題の現実的な
解決策とは言えない。従って、媒体及びドライブ装置間
の互換性を確保するためには、位相ずれφが概ね０とな
るように多層体構造を製造しなければならない。
ために光学的な位相遅れ板が入手可能であるが、個々の
板は特定のφの値に対して用い得るのみである。従って
、記憶媒体の種類によってφの値が極めて広範に変化し
得ることから、このような位相遅れ板は問題の現実的な
解決策とは言えない。従って、媒体及びドライブ装置間
の互換性を確保するためには、位相ずれφが概ね０とな
るように多層体構造を製造しなければならない。
【００１０】各層の組成及び厚さに対して４層体構造を
最適化しようとする研究が種々なされている。例えば、
Ｔａｍａｄａ らによる、”ＤｅｓｉｇｎＣｏｎｃｅｐ
ｔ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｉｓｋ
”， Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ， １９８９年 ９月２
６−２８日、神戸、８３頁、Ｏｈｔａらによる、”Ｍａ
ｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｉｓｋ ｗｉｔｈ Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒｓ”， ＳＰＩＥ，
Ｖｏｌ．３８２， ２５２頁、１９８３年、Ｔａｋａｈ
ａｓｈｉらによる、”Ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｍａ
ｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ”， ＳＰＩＥ
， Ｖｏｌ．６９５， ６５頁、１９８６年、等の論文
を参照されたい。
最適化しようとする研究が種々なされている。例えば、
Ｔａｍａｄａ らによる、”ＤｅｓｉｇｎＣｏｎｃｅｐ
ｔ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｉｓｋ
”， Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ
Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍｏｒｙ， １９８９年 ９月２
６−２８日、神戸、８３頁、Ｏｈｔａらによる、”Ｍａ
ｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｉｓｋ ｗｉｔｈ Ｒ
ｅｆｌｅｃｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒｓ”， ＳＰＩＥ，
Ｖｏｌ．３８２， ２５２頁、１９８３年、Ｔａｋａｈ
ａｓｈｉらによる、”Ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ ｍａ
ｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ”， ＳＰＩＥ
， Ｖｏｌ．６９５， ６５頁、１９８６年、等の論文
を参照されたい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術の
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、改良された４層体
構造を有する磁気光学的記憶媒体構造を提供することに
ある。
問題点に鑑み、本発明の主な目的は、改良された４層体
構造を有する磁気光学的記憶媒体構造を提供することに
ある。
【００１２】本発明の第２の目的は、反射光の楕円偏光
の度合が極小化され、構造体の反射率が１５〜２５％の
好ましい範囲にあり、ＳＮ比が極大化され、パルス幅が
５０ｎｓの場合にレーザのパワーが１６ｍＷ以下である
ような書込みに対するパワー感度が適切な範囲であって
、長時間に亘って連続的に読み出された後であったり、
厳しい磁界中に置かれた場合でも、媒体に記憶された情
報の安定性を高く保つことのできるような磁気光学的記
憶媒体構造を提供することにある。
の度合が極小化され、構造体の反射率が１５〜２５％の
好ましい範囲にあり、ＳＮ比が極大化され、パルス幅が
５０ｎｓの場合にレーザのパワーが１６ｍＷ以下である
ような書込みに対するパワー感度が適切な範囲であって
、長時間に亘って連続的に読み出された後であったり、
厳しい磁界中に置かれた場合でも、媒体に記憶された情
報の安定性を高く保つことのできるような磁気光学的記
憶媒体構造を提供することにある。
【００１３】本発明の第３の目的は、上記した利点に加
えて、情報を媒体中に高い密度をもって記録し得るよう
な４層体構造を有する磁気光学的媒体を提供すことにあ
る。
えて、情報を媒体中に高い密度をもって記録し得るよう
な４層体構造を有する磁気光学的媒体を提供すことにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的は、本発
明によれば、偏光された光ビームに暴露されることによ
りデータを記憶及び再生するための磁気光学的記憶媒体
構造であって、１．９以上の屈折率を有する材料からな
り、かつ２５０〜１，１５０オングストロームの厚さを
有する第１の絶縁層と、１５０〜３５０オングストロー
ムの厚さを有する磁気光学層と、１．４以上の屈折率を
有する材料からなり、かつ５０〜４００オングストロー
ムの厚さを有する第２の絶縁層と、１５０〜５００オン
グストロームの厚さを有する金属反射層とをこの順で備
え、かつ透明な基板に接着された４層体構造からなり、
前記記憶媒体が、前記偏光光ビームに対して１５〜２５
％の反射率及び−１２〜＋１２度の位相ずれを呈するも
のであることを特徴とする記憶媒体構造を提供すること
により達成される。
明によれば、偏光された光ビームに暴露されることによ
りデータを記憶及び再生するための磁気光学的記憶媒体
構造であって、１．９以上の屈折率を有する材料からな
り、かつ２５０〜１，１５０オングストロームの厚さを
有する第１の絶縁層と、１５０〜３５０オングストロー
ムの厚さを有する磁気光学層と、１．４以上の屈折率を
有する材料からなり、かつ５０〜４００オングストロー
ムの厚さを有する第２の絶縁層と、１５０〜５００オン
グストロームの厚さを有する金属反射層とをこの順で備
え、かつ透明な基板に接着された４層体構造からなり、
前記記憶媒体が、前記偏光光ビームに対して１５〜２５
％の反射率及び−１２〜＋１２度の位相ずれを呈するも
のであることを特徴とする記憶媒体構造を提供すること
により達成される。
【００１５】本発明に基づく４層体構造によれば、上記
したように、反射率が好ましい範囲にあり、ＳＮ比が極
大化され、レーザによる書込みに対するパワー感度が適
切な範囲であって、長時間に亘って連続的に読み出され
た後であったり、厳しい磁界中に置かれた場合でも、媒
体に記憶された情報の安定性を高く保つことのできるよ
うに、各層の組成及び厚さが設定される。特に、金属反
射層に隣接する絶縁層が低い熱伝導率を有する材料から
なる、４００オングストローム以下の厚さの薄膜からな
るのが好ましい。金属反射層の厚さは、十分な反射率を
確保し、しかも書き込み時の熱拡散を最小化し得るよう
に定められる。
したように、反射率が好ましい範囲にあり、ＳＮ比が極
大化され、レーザによる書込みに対するパワー感度が適
切な範囲であって、長時間に亘って連続的に読み出され
た後であったり、厳しい磁界中に置かれた場合でも、媒
体に記憶された情報の安定性を高く保つことのできるよ
うに、各層の組成及び厚さが設定される。特に、金属反
射層に隣接する絶縁層が低い熱伝導率を有する材料から
なる、４００オングストローム以下の厚さの薄膜からな
るのが好ましい。金属反射層の厚さは、十分な反射率を
確保し、しかも書き込み時の熱拡散を最小化し得るよう
に定められる。
【００１６】
【実施例】発明者の知見によれば、金属反射層に隣接す
る絶縁層の厚さが、（Ａ）５０〜４００オングストロー
ムまたは（Ｂ）５０〜４００オングストローム＋入射光
の波長の４分の１であるような４層体構造が、好ましい
反射率及び位相ずれのレベルを有することが見いだされ
た。これは、金属反射層が、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡ
ｕからなり、金属反射層に隣接する絶縁層の屈折率が１
．４以上である場合に成立することが見出された。
る絶縁層の厚さが、（Ａ）５０〜４００オングストロー
ムまたは（Ｂ）５０〜４００オングストローム＋入射光
の波長の４分の１であるような４層体構造が、好ましい
反射率及び位相ずれのレベルを有することが見いだされ
た。これは、金属反射層が、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡ
ｕからなり、金属反射層に隣接する絶縁層の屈折率が１
．４以上である場合に成立することが見出された。
【００１７】実用上は、上記した条件（Ｂ）の範囲の厚
さの絶縁層を用いることは現実的でない。入射光の波長
が、通常真空中に於て８，０００オングストロームのオ
ーダであるため、条件（Ｂ）は、第２の絶縁層１３が２
，０００〜４，０００オングストロームの厚さを有する
ことを必要とする。このような厚さの皮膜を得るために
は多大な被着時間を必要とし、そのためのスパッタリン
グ処理に際して記憶媒体ディスクに於て多大な温度上昇
を引起こすことから、このような厚さの層を形成するこ
とは実用的ではない。また、このような層を形成するた
めには極めて多大なコストが必要となる。
さの絶縁層を用いることは現実的でない。入射光の波長
が、通常真空中に於て８，０００オングストロームのオ
ーダであるため、条件（Ｂ）は、第２の絶縁層１３が２
，０００〜４，０００オングストロームの厚さを有する
ことを必要とする。このような厚さの皮膜を得るために
は多大な被着時間を必要とし、そのためのスパッタリン
グ処理に際して記憶媒体ディスクに於て多大な温度上昇
を引起こすことから、このような厚さの層を形成するこ
とは実用的ではない。また、このような層を形成するた
めには極めて多大なコストが必要となる。
【００１８】上記した条件（Ａ）のように、僅か５０〜
４００オングストロームの厚さを有する第２の絶縁層を
用いることに伴ない別の問題が発生する。このように薄
い第２の絶縁層を用いることによりデータの書込みに際
して、磁気光学層から金属反射層に向けて過大な熱伝達
が行なわれることが考えられる。高い伝熱性を有する金
属反射層により吸収された熱は急速に広い領域に拡散す
る。そのために、第２の絶縁層の厚さが過度に小さい場
合には、記録されるビット領域が拡大し、高密度の記録
が阻害され、書込みのために大きなレーザのパワーが必
要となる。
４００オングストロームの厚さを有する第２の絶縁層を
用いることに伴ない別の問題が発生する。このように薄
い第２の絶縁層を用いることによりデータの書込みに際
して、磁気光学層から金属反射層に向けて過大な熱伝達
が行なわれることが考えられる。高い伝熱性を有する金
属反射層により吸収された熱は急速に広い領域に拡散す
る。そのために、第２の絶縁層の厚さが過度に小さい場
合には、記録されるビット領域が拡大し、高密度の記録
が阻害され、書込みのために大きなレーザのパワーが必
要となる。
【００１９】この問題は当業者に良く知られており、例
えばＴａｍａｄａらによる上記した論文に於ても、反射
光の楕円偏光の度合が、第２のＳｉＮ絶縁層の厚さが小
さくなるに従って小さくなるが、書込まれたピット間の
干渉により、積層構造が高密度の記録に適さないものと
なり、Ｔａｍａｄａらの場合には、第２の絶縁層の厚さ
を５００オングストロームとすることにより問題を避け
るようにしている。上記したＴａｋａｈａｓｈｉらは、
２５０オングストロームの厚さを有する第２の絶縁層の
実験を行なったが、この媒体の反射率は僅か１０％の程
度であって、効果的なトラッキングを行なうためにはあ
まりにも低すぎる結果となっている。
えばＴａｍａｄａらによる上記した論文に於ても、反射
光の楕円偏光の度合が、第２のＳｉＮ絶縁層の厚さが小
さくなるに従って小さくなるが、書込まれたピット間の
干渉により、積層構造が高密度の記録に適さないものと
なり、Ｔａｍａｄａらの場合には、第２の絶縁層の厚さ
を５００オングストロームとすることにより問題を避け
るようにしている。上記したＴａｋａｈａｓｈｉらは、
２５０オングストロームの厚さを有する第２の絶縁層の
実験を行なったが、この媒体の反射率は僅か１０％の程
度であって、効果的なトラッキングを行なうためにはあ
まりにも低すぎる結果となっている。
【００２０】このような許容できない結果は、次のよう
な対策をとることにより解消し得ることが本発明者らに
より見いだされた。第１に、第２の絶縁層が、０．０６
ジュール／秒ｃ°Ｋ以下の低い熱伝導率を有するアモル
ファスその他の材料からなるものとしている。このよう
な材料の例としては、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ５
混合体、ＳｉＯ２ 及びＺｎＳ等がある。第２に、金
属反射層の厚さが、横方向の熱拡散を極小化し、かつ十
分な反射特性を有する上で可能な限り小さな値にされて
いる。金属反射層は、例えば、純粋なまたは他の金属と
の合金としてのＡｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｕからなるも
のであって、特に１〜６％のＴｉまたはＴａを含むＡｌ
合金は、純粋なＡｌに比較してかなり低い熱伝導率を有
し、しかも概ね同等な反射率を有する点に於て特に好適
である（図４参照）。これにより、金属反射層内に於け
る横方向の熱伝導が更に低減される。
な対策をとることにより解消し得ることが本発明者らに
より見いだされた。第１に、第２の絶縁層が、０．０６
ジュール／秒ｃ°Ｋ以下の低い熱伝導率を有するアモル
ファスその他の材料からなるものとしている。このよう
な材料の例としては、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ５
混合体、ＳｉＯ２ 及びＺｎＳ等がある。第２に、金
属反射層の厚さが、横方向の熱拡散を極小化し、かつ十
分な反射特性を有する上で可能な限り小さな値にされて
いる。金属反射層は、例えば、純粋なまたは他の金属と
の合金としてのＡｌ、Ｃｕ、ＡｇまたはＡｕからなるも
のであって、特に１〜６％のＴｉまたはＴａを含むＡｌ
合金は、純粋なＡｌに比較してかなり低い熱伝導率を有
し、しかも概ね同等な反射率を有する点に於て特に好適
である（図４参照）。これにより、金属反射層内に於け
る横方向の熱伝導が更に低減される。
【００２１】金属反射層が露出している場合には、図３
に示されるように、金属反射層を保護するために絶縁層
１５を追加することができる。絶縁層１５は、ＺｒＯ２
−Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ５ 混合体、ＳｉＯ２ 及びＺｎ
Ｓ等のアモルファスまたは他の材料からなるのが好まし
い。絶縁層のいずれについても、ＲＦマグネトロンまた
はＲＦダイオードスパッタリング、反応性スパッタリン
グまたはイオンビームプレーティングにより被着された
ものであって良い。
に示されるように、金属反射層を保護するために絶縁層
１５を追加することができる。絶縁層１５は、ＺｒＯ２
−Ｙ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ５ 混合体、ＳｉＯ２ 及びＺｎ
Ｓ等のアモルファスまたは他の材料からなるのが好まし
い。絶縁層のいずれについても、ＲＦマグネトロンまた
はＲＦダイオードスパッタリング、反応性スパッタリン
グまたはイオンビームプレーティングにより被着された
ものであって良い。
【００２２】本発明に基づき構成された４層式の記憶媒
体の特性は、各層の組成及び厚さに依存する。本明細書
に於ける記載は主に第２の絶縁層及び金属層に向けられ
ているが、最適な４層体構造は、第１の絶縁層及び磁気
光学層が、それぞれ他の層に対して適切な関係を保つよ
うにそれぞれ同様に調節されることを必要とする。
体の特性は、各層の組成及び厚さに依存する。本明細書
に於ける記載は主に第２の絶縁層及び金属層に向けられ
ているが、最適な４層体構造は、第１の絶縁層及び磁気
光学層が、それぞれ他の層に対して適切な関係を保つよ
うにそれぞれ同様に調節されることを必要とする。
【００２３】本発明に基づく好適実施例が、米国特許出
願第０７／５８２，７１９号に於てＺＹＡと呼ばれる、
８５重量％のＺｒＯ２と、５重量％のＹ２Ｏ３と、１０
重量％のＡｌ２Ｏ５とからなる第１のターゲットと、２
１．５ａｔ％（原子数のパーセンテージを表す）のＴｂ
と、８３．５ａｔ％のＦｅと、５ａｔ％のＣｏとからな
る第２のターゲットと、Ａｌからなる第３のターゲット
とからなる３つの固定されたターゲットを用いるスパッ
タリングシステムにより製造される。ターゲットは通常
８インチの直径を有する。ガラス、プリカーボネイトそ
の他の適当な基板材料の円板が、適当な厚さのターゲッ
ト材料により被着されるように、１つのターゲットから
別のターゲットへと順次移送される。
願第０７／５８２，７１９号に於てＺＹＡと呼ばれる、
８５重量％のＺｒＯ２と、５重量％のＹ２Ｏ３と、１０
重量％のＡｌ２Ｏ５とからなる第１のターゲットと、２
１．５ａｔ％（原子数のパーセンテージを表す）のＴｂ
と、８３．５ａｔ％のＦｅと、５ａｔ％のＣｏとからな
る第２のターゲットと、Ａｌからなる第３のターゲット
とからなる３つの固定されたターゲットを用いるスパッ
タリングシステムにより製造される。ターゲットは通常
８インチの直径を有する。ガラス、プリカーボネイトそ
の他の適当な基板材料の円板が、適当な厚さのターゲッ
ト材料により被着されるように、１つのターゲットから
別のターゲットへと順次移送される。
【００２４】ＺＹＡターゲットはまず、４ｍＴｏｒｒの
アルゴン雰囲気内に於て、１．０ｋＷのＲＦマグネトロ
ン出力をもって７３秒間に亘ってスパッタリングされ、
約５５０オングストロームの厚さを有するＺＹＡからな
る第１の絶縁層を形成する。次に、アルゴンの圧力が約
５ｍＴｏｒｒに高められ、０．４ｋＷのＲＦダイオード
を用いて７５秒間に亘ってＴｂ２１．５Ｆｅ８３．５Ｃ
ｏ５ターゲットがスパッタリングされ、約３００オング
ストロームの厚さを有するＴｂＦｅＣｏからなる磁気光
学層が得られた。約１２０オングストロームの厚さを有
する第２の絶縁層が、４ｍＴｏｒｒの雰囲気に於て０．
４ｋＷのＲＦマグネトロン出力をもって３６秒間に亘っ
てＺＹＡターゲットを用いたスパッタリングを行なうこ
とにより得られた。金属層は、約３５０オングストロー
ムの厚さを有するように、５ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲
気に於て０．５ｋＷのＤＣマグネトロン出力をもって２
４秒間に亘ってＡｌターゲットを用いたスパッタリング
を行なうことにより得られた。最後に、約３７０オング
ストロームの厚さを有する保護層が得られるように、再
び４ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気に於て１．０ｋＷのＲ
Ｆマグネトロン出力をもって２４秒間に亘ってＺＹＡタ
ーゲットを用いたスパッタリングが行なわれた。このよ
うな過程の諸元及び結果が表１に示されている。
アルゴン雰囲気内に於て、１．０ｋＷのＲＦマグネトロ
ン出力をもって７３秒間に亘ってスパッタリングされ、
約５５０オングストロームの厚さを有するＺＹＡからな
る第１の絶縁層を形成する。次に、アルゴンの圧力が約
５ｍＴｏｒｒに高められ、０．４ｋＷのＲＦダイオード
を用いて７５秒間に亘ってＴｂ２１．５Ｆｅ８３．５Ｃ
ｏ５ターゲットがスパッタリングされ、約３００オング
ストロームの厚さを有するＴｂＦｅＣｏからなる磁気光
学層が得られた。約１２０オングストロームの厚さを有
する第２の絶縁層が、４ｍＴｏｒｒの雰囲気に於て０．
４ｋＷのＲＦマグネトロン出力をもって３６秒間に亘っ
てＺＹＡターゲットを用いたスパッタリングを行なうこ
とにより得られた。金属層は、約３５０オングストロー
ムの厚さを有するように、５ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲
気に於て０．５ｋＷのＤＣマグネトロン出力をもって２
４秒間に亘ってＡｌターゲットを用いたスパッタリング
を行なうことにより得られた。最後に、約３７０オング
ストロームの厚さを有する保護層が得られるように、再
び４ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気に於て１．０ｋＷのＲ
Ｆマグネトロン出力をもって２４秒間に亘ってＺＹＡタ
ーゲットを用いたスパッタリングが行なわれた。このよ
うな過程の諸元及び結果が表１に示されている。
【００２５】
【表１】
【００２６】このようにして製造された磁気光学的記憶
媒体が約２０％の反射率を有し、反射ビームが極めて低
い楕円偏光の度合及び高いＳＮ比を有することが実験的
に確認された。書込みに要するパワーは、５０ｎｓ〜８
０ｎｓのパルス幅を用いた場合に１０ｍＷ〜１３ｍＷで
あって、フォーカシングレンズの開口率は０．５３であ
って、書込みの磁界強度は３００Ｏｅであった。この媒
体の特性が表２に記載されている。
媒体が約２０％の反射率を有し、反射ビームが極めて低
い楕円偏光の度合及び高いＳＮ比を有することが実験的
に確認された。書込みに要するパワーは、５０ｎｓ〜８
０ｎｓのパルス幅を用いた場合に１０ｍＷ〜１３ｍＷで
あって、フォーカシングレンズの開口率は０．５３であ
って、書込みの磁界強度は３００Ｏｅであった。この媒
体の特性が表２に記載されている。
【００２７】
【表２】
【００２８】スパッタリング過程は、日本国のＵＬＶＡ
Ｃ社により製造されたＵＬＶＡＣモデルＮｏ．ＳＭ００
８ＣまたはＳＭ０１８Ｃ等の市販されているインライン
スパッタリングシステムにより行なうことができる。こ
の種のスパッタリングシステムに於ては、チャンバーが
、一連のスパッタリングターゲットを収容しており、基
板はこれらのターゲットの近傍を順次通過する。この過
程の諸元は上記したとうりである。
Ｃ社により製造されたＵＬＶＡＣモデルＮｏ．ＳＭ００
８ＣまたはＳＭ０１８Ｃ等の市販されているインライン
スパッタリングシステムにより行なうことができる。こ
の種のスパッタリングシステムに於ては、チャンバーが
、一連のスパッタリングターゲットを収容しており、基
板はこれらのターゲットの近傍を順次通過する。この過
程の諸元は上記したとうりである。
【００２９】上記したような実施例以外にも、高いＳＮ
比、小さい位相ずれ、適切な反射率及び書込みパワー感
度、高密度の記録を行なう能力等の好ましい特性を有す
る、幾つもの構造を見出した。このような好ましい特性
を有するような構造の範囲を特定するために、多層皮膜
構造に対して投射された円形偏光された光の相互作用に
関する知られている数学的関係に基づくコンピュータの
計算をガイドとして利用した。基本的な計算は、各層の
厚さ及び複素屈折率が与えられた時に、各境界面に於け
るフレネル反射及び透過係数を求めるものである。多層
構造のフレネル係数、反射率及び透過率から、各層に於
ける吸収率、全体的な構造の性能の尺度を与える値、及
び２つの偏光成分間の位相ずれを計算することができる
。上記したように、これらの関係はすでに知られている
もので、Ｍａｎｓｕｒｉｐｕｒらによる”Ｓｉｇｎａｌ
ａｎｄ ｎｏｉｓｅ ｉｎ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔ
ｉｃａｌ ｒｅａｄｏｕｔ”、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ ５３、 Ｎ
ｏ．６、１９８２年６月、Ｏｈｔａらによる”Ｍａｇｎ
ｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ ｗｉｔｈ ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ”、ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．
３８２、２５２頁、１９８３年、ＭｃＤａｎｉｅｌらに
よる”Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚ
ａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｑｕａｄｒｉｌａｙｅｒ Ｍａ
ｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｄｉｓｋ”、ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、Ｖ
ｏｌ．２４、Ｎｏ．６、１９８８年１１月等に於て言及
されている。これらの論文は、ここで言及されたことに
より本件出願の一部をなすものと了解されたい。
比、小さい位相ずれ、適切な反射率及び書込みパワー感
度、高密度の記録を行なう能力等の好ましい特性を有す
る、幾つもの構造を見出した。このような好ましい特性
を有するような構造の範囲を特定するために、多層皮膜
構造に対して投射された円形偏光された光の相互作用に
関する知られている数学的関係に基づくコンピュータの
計算をガイドとして利用した。基本的な計算は、各層の
厚さ及び複素屈折率が与えられた時に、各境界面に於け
るフレネル反射及び透過係数を求めるものである。多層
構造のフレネル係数、反射率及び透過率から、各層に於
ける吸収率、全体的な構造の性能の尺度を与える値、及
び２つの偏光成分間の位相ずれを計算することができる
。上記したように、これらの関係はすでに知られている
もので、Ｍａｎｓｕｒｉｐｕｒらによる”Ｓｉｇｎａｌ
ａｎｄ ｎｏｉｓｅ ｉｎ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔ
ｉｃａｌ ｒｅａｄｏｕｔ”、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｏｌ ５３、 Ｎ
ｏ．６、１９８２年６月、Ｏｈｔａらによる”Ｍａｇｎ
ｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｄｉｓｋ ｗｉｔｈ ｒｅｆ
ｌｅｃｔｉｎｇ ｌａｙｅｒｓ”、ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．
３８２、２５２頁、１９８３年、ＭｃＤａｎｉｅｌらに
よる”Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚ
ａｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｑｕａｄｒｉｌａｙｅｒ Ｍａ
ｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ Ｄｉｓｋ”、ＩＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、Ｖ
ｏｌ．２４、Ｎｏ．６、１９８８年１１月等に於て言及
されている。これらの論文は、ここで言及されたことに
より本件出願の一部をなすものと了解されたい。
【００３０】このような計算を行うために用いられたコ
ンピュータプログラムが実施例の説明の末部に於いて表
１６〜１８として示されている。
ンピュータプログラムが実施例の説明の末部に於いて表
１６〜１８として示されている。
【００３１】このＦＯＲＴＲＡＮにより記述されたプロ
グラムに於て、Ｎ１〜Ｎ６はそれぞれ次のような屈折率
を表す。 Ｎ１：大気（空気）、 Ｎ２：金属反射層、 Ｎ３：第２の絶縁層、 Ｎ４：磁気光学層、 Ｎ５：第１の絶縁層、 Ｎ６：基板。
グラムに於て、Ｎ１〜Ｎ６はそれぞれ次のような屈折率
を表す。 Ｎ１：大気（空気）、 Ｎ２：金属反射層、 Ｎ３：第２の絶縁層、 Ｎ４：磁気光学層、 Ｎ５：第１の絶縁層、 Ｎ６：基板。
【００３２】金属反射層の厚さ及び反射率が単一の値と
して入力される。プログラムは、磁気光学層、第１の絶
縁層及び第２の絶縁層の厚さの或る範囲に亘って、４層
体構造の特性を計算する。一般に、添字１は最小厚さを
表し、添字２は最大厚さを表し、添字３は各範囲内のイ
ンクリメントを表すものとする。
して入力される。プログラムは、磁気光学層、第１の絶
縁層及び第２の絶縁層の厚さの或る範囲に亘って、４層
体構造の特性を計算する。一般に、添字１は最小厚さを
表し、添字２は最大厚さを表し、添字３は各範囲内のイ
ンクリメントを表すものとする。
【００３３】Ｋ１〜Ｋ３は磁気光学層の厚さを表し、Ｌ
１〜Ｌ３は第２の絶縁層の厚さを表し、Ｍ１〜Ｍ３は第
１の絶縁層の厚さを表す。これらの層の適当な値がプロ
グラム中の示された部分に於て入力される。全ての厚さ
はオングストロームを単位として表される。ＬＡＭＤＡ
は、偏光された入射光の波長を表す。
１〜Ｌ３は第２の絶縁層の厚さを表し、Ｍ１〜Ｍ３は第
１の絶縁層の厚さを表す。これらの層の適当な値がプロ
グラム中の示された部分に於て入力される。全ての厚さ
はオングストロームを単位として表される。ＬＡＭＤＡ
は、偏光された入射光の波長を表す。
【００３４】計算されるべき特性はプログラム中に於て
次のように表記されている。 Ｒ ＝ 構造の反射率ＲＹ
＝ Ｋ（磁気光学的性能評価値）＝ΘＲ１／２、
但しΘは磁気光学的カー回
転角を表すＲＹＰ ＝ Ｖｓａｔ ＝ Ｒ
１／２・１００｜Ｋ｜・ｃｏｓ φＲＨＩＥ ＝
φ（位相ずれ）
次のように表記されている。 Ｒ ＝ 構造の反射率ＲＹ
＝ Ｋ（磁気光学的性能評価値）＝ΘＲ１／２、
但しΘは磁気光学的カー回
転角を表すＲＹＰ ＝ Ｖｓａｔ ＝ Ｒ
１／２・１００｜Ｋ｜・ｃｏｓ φＲＨＩＥ ＝
φ（位相ずれ）
【００３５】以下に与えられる表３〜１５は、このプロ
グラムにより実行された計算に基づき好ましい特性を有
すると判定された構造を表わしている。これらの表中に
於て、 ｘ（ｔ） ＝ 第１の絶縁層の厚さ（オングストロ
ーム）ＭＯ ＝ 磁気光学層の厚さ（オン
グストローム）ｘ（ｂ） ＝ 第２の絶縁層の厚さ
（オングストローム）ｍ ＝ 金属反
射層の厚さ（オングストローム）ｎ１ ＝
第１の絶縁層の屈折率ｎ２ ＝ 第
２の絶縁層の屈折率ｎｍｏ ＝ 磁気光学
層の屈折率Ｒ ＝ 構造体の反射率Ｋ
＝ 構造体の磁気光学的性能を表す
値Ｋ＝ΘＲ１／２、 但し
Θは磁気光学的カー回転角を表すφ ＝
位相ずれ（度）Ｖｓａｔ ＝ Ｒ１／２
・１００｜Ｋ｜・ｃｏｓ φ
グラムにより実行された計算に基づき好ましい特性を有
すると判定された構造を表わしている。これらの表中に
於て、 ｘ（ｔ） ＝ 第１の絶縁層の厚さ（オングストロ
ーム）ＭＯ ＝ 磁気光学層の厚さ（オン
グストローム）ｘ（ｂ） ＝ 第２の絶縁層の厚さ
（オングストローム）ｍ ＝ 金属反
射層の厚さ（オングストローム）ｎ１ ＝
第１の絶縁層の屈折率ｎ２ ＝ 第
２の絶縁層の屈折率ｎｍｏ ＝ 磁気光学
層の屈折率Ｒ ＝ 構造体の反射率Ｋ
＝ 構造体の磁気光学的性能を表す
値Ｋ＝ΘＲ１／２、 但し
Θは磁気光学的カー回転角を表すφ ＝
位相ずれ（度）Ｖｓａｔ ＝ Ｒ１／２
・１００｜Ｋ｜・ｃｏｓ φ
【００３６】
【表３】
【００３７】
【表４】
【００３８】
【表５】
【００３９】
【表６】
【００４０】
【表７】
【００４１】
【表８】
【００４２】
【表９】
【００４３】
【表１０】
【００４４】
【表１１】
【００４５】
【表１２】
【００４６】
【表１３】
【００４７】
【表１４】
【００４８】
【表１５】
【００４９】表３〜６に於て、金属反射層は４００オン
グストロームの厚さを有するＡｌ層からなり、第１及び
第２の絶縁層の屈折率は２．１であった。この絶縁層は
例えばＺＹＡからなるものであって良い。
グストロームの厚さを有するＡｌ層からなり、第１及び
第２の絶縁層の屈折率は２．１であった。この絶縁層は
例えばＺＹＡからなるものであって良い。
【００５０】表７、８に於ては、金属反射層が４００オ
ングストロームの厚さを有するＡｌ層からなり、第１の
絶縁層の屈折率は２．１であって、第２の絶縁層の屈折
率は１．５であった。
ングストロームの厚さを有するＡｌ層からなり、第１の
絶縁層の屈折率は２．１であって、第２の絶縁層の屈折
率は１．５であった。
【００５１】表９〜１２に於ては、金属反射層は４００
オングストロームの厚さを有するＣｕ層からなり、第１
及び第２の絶縁層の屈折率は２．１であった。
オングストロームの厚さを有するＣｕ層からなり、第１
及び第２の絶縁層の屈折率は２．１であった。
【００５２】表１３、１４に於ては、金属反射層は４０
０オングストロームの厚さを有するＣｕ層からなり、第
１の絶縁層の屈折率は２．１であって、第２の絶縁層の
屈折率は１．５であった。
０オングストロームの厚さを有するＣｕ層からなり、第
１の絶縁層の屈折率は２．１であって、第２の絶縁層の
屈折率は１．５であった。
【００５３】表１５に於ては、金属反射層はＡｌからな
り、両絶縁層の屈折率は２．０であった。この表は、構
造の全体的光学的特性は、金属反射層が極めて薄く形成
された場合でもそれ程劣化しないことを示している。
り、両絶縁層の屈折率は２．０であった。この表は、構
造の全体的光学的特性は、金属反射層が極めて薄く形成
された場合でもそれ程劣化しないことを示している。
【００５４】これらの表中に於て、磁気光学層は３．７
２＋ｉ３．８８及び３．６２＋ｉ３．８３の主屈折率を
有している。
２＋ｉ３．８８及び３．６２＋ｉ３．８３の主屈折率を
有している。
【００５５】これらの表の使用方法は当業者には明らか
であろう。例えば、４００オングストロームの厚さを有
するＡｌ金属反射層と、３００オングストロームの厚さ
を有しかつ上記した主屈折率を有する磁気光学層と、７
５０オングストロームの厚さを有しかつ２．１の屈折率
を有するＺＹＡからなる第１の絶縁層と、１００オング
ストロームの厚さを有するＺＹＡからなる第２の絶縁層
とを有する４層体構造の特性を判定したい場合には、表
４により、この構造が反射率Ｒ＝１９％、性能評価値Ｋ
＝６．９×１０−３、位相ずれφ＝−６度、矢印に示さ
れるようにＶｓａｔ＝０．３０２を有することが理解さ
れる。第１の絶縁層の厚さが７５０オングストロームか
ら８５０オングストロームに増大された場合、反射率及
び性能係数は変化しないが、位相ずれφが−１度に下が
り、Ｖｓａｔが０．３０４に増加する。
であろう。例えば、４００オングストロームの厚さを有
するＡｌ金属反射層と、３００オングストロームの厚さ
を有しかつ上記した主屈折率を有する磁気光学層と、７
５０オングストロームの厚さを有しかつ２．１の屈折率
を有するＺＹＡからなる第１の絶縁層と、１００オング
ストロームの厚さを有するＺＹＡからなる第２の絶縁層
とを有する４層体構造の特性を判定したい場合には、表
４により、この構造が反射率Ｒ＝１９％、性能評価値Ｋ
＝６．９×１０−３、位相ずれφ＝−６度、矢印に示さ
れるようにＶｓａｔ＝０．３０２を有することが理解さ
れる。第１の絶縁層の厚さが７５０オングストロームか
ら８５０オングストロームに増大された場合、反射率及
び性能係数は変化しないが、位相ずれφが−１度に下が
り、Ｖｓａｔが０．３０４に増加する。
【００５６】上記したコンピュータプログラムは次のと
うりである。
うりである。
【００５７】
【表１６】
【００５８】
【表１７】
【００５９】
【表１８】
【００６０】以上本発明を特定の実施例について説明し
たが、当業者であれば本発明の概念から逸脱することな
く様々な変更を加えて実施することができる。例えば、
磁気光学記憶媒体の各層を形成するために様々な被着技
術を用いることができる。更に、磁気光学層、第１及び
第２の絶縁層及び金属反射層のために上記した以外の材
料を用いることもできる。また、この構造内に於て種々
の部分の接着を促進する等の目的で、磁気光学媒体構造
内に他の層を組込むこともできる。言うまでもなく、こ
のような変更も本発明の概念に含まれる。
たが、当業者であれば本発明の概念から逸脱することな
く様々な変更を加えて実施することができる。例えば、
磁気光学記憶媒体の各層を形成するために様々な被着技
術を用いることができる。更に、磁気光学層、第１及び
第２の絶縁層及び金属反射層のために上記した以外の材
料を用いることもできる。また、この構造内に於て種々
の部分の接着を促進する等の目的で、磁気光学媒体構造
内に他の層を組込むこともできる。言うまでもなく、こ
のような変更も本発明の概念に含まれる。
【図１】２層式磁気光学記憶媒体の構造を示す断面図。
【図２】基板が、入射されるレーザビームとは相反する
側に位置するように製造された４層式磁気光学記憶媒体
の構造を示す断面図。
側に位置するように製造された４層式磁気光学記憶媒体
の構造を示す断面図。
【図３】基板が、入射されるレーザビームと同一の側に
位置するように製造された４層式磁気光学記憶媒体の構
造を示す断面図。
位置するように製造された４層式磁気光学記憶媒体の構
造を示す断面図。
【図４】純粋なＡｌに対するＡｌ−Ｔｉ及びＡｌ−Ｔａ
合金の反射率及び熱伝導率を示すグラフ。
合金の反射率及び熱伝導率を示すグラフ。
１０ 第１の絶縁層
１１ 磁気光学層
１２ 基板
１３ 第２の絶縁層
１４ 金属反射層
１５ 絶縁（保護）層
Claims (10)
- 【請求項１】 偏光された光ビームに暴露される
ことによりデータを記憶及び再生するための磁気光学的
記憶媒体構造であって、１．９以上の屈折率を有する材
料からなり、かつ２５０〜１，１５０オングストローム
の厚さを有する第１の絶縁層と、１５０〜３５０オング
ストロームの厚さを有する磁気光学層と、１．４以上の
屈折率を有する材料からなり、かつ５０〜４００オング
ストロームの厚さを有する第２の絶縁層と、１５０〜５
００オングストロームの厚さを有する金属反射層とをこ
の順で備え、かつ透明な基板に接着された４層体構造か
らなり、前記記憶媒体が、前記偏光光ビームに対して１
５〜２５％の反射率及び−１２〜＋１２度の位相ずれを
呈するものであることを特徴とする記憶媒体構造。 - 【請求項２】 前記第２の絶縁層が、ＺＹＡ及び
ＳｉＯ２からなるグループから選ばれた絶縁材料を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の記憶媒体構造。 - 【請求項３】 前記第２の絶縁層が、０．０６ジ
ュール／秒ｃｍ°Ｋ以下の熱伝導率を有する材料を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気光学的記憶媒体
構造。 - 【請求項４】 前記金属反射層が、Ａｌ、Ｃｕ、
Ａｇ及びＡｕからなるグループから選ばれた少なくとも
１つの金属を含む材料からなることを特徴とする請求項
１に記載の記憶媒体構造。 - 【請求項５】 前記金属反射層が、ＴｉまたはＴ
ａを含むＡｌ合金を含む材料からなることを特徴とする
請求項４に記載の記憶媒体構造。 - 【請求項６】 前記透明基板が、前記第１の絶縁
層に付着されていることを特徴とする請求項１に記載の
記憶媒体構造。 - 【請求項７】 前記透明基板とは相反する側の前
記４層体構造の表面に、保護層が接着されていることを
特徴とする請求項１に記載の記憶媒体構造。 - 【請求項８】 前記層の少なくともいずれか１つ
がスパッタリングにより被着されていることを特徴とす
る請求項１に記載の記憶媒体構造。 - 【請求項９】 磁気光学的記憶媒体を製造するた
めの方法であって、１．９以上の屈折率を有する第１の
絶縁層を、２５０〜１，１５０オングストロームの厚さ
をもって透明な基板上に被着する過程と、磁気光学層を
、１５０〜３５０オングストロームの厚さをもって前記
第１の絶縁層上に被着する過程と、１．４以上の屈折率
を有する第２の絶縁層を、５０〜４００オングストロー
ムの厚さをもって前記磁気光学層上に被着する過程と、
金属反射層を、１５０〜５００オングストロームの厚さ
をもって前記第２の絶縁層上に被着する過程とを有し、
前記記憶媒体が、投射されるべき偏光光ビームに対して
１５〜２５％の反射率及び−１２〜＋１２度の位相ずれ
を呈するものであることを特徴とする記憶媒体構造の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記層の少なくともいずれか１
つがスパッタリングにより被着されることを特徴とする
請求項９に記載の記憶媒体構造の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US61556090A | 1990-11-19 | 1990-11-19 | |
| US07/615,560 | 1990-11-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04268226A true JPH04268226A (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=24465923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3328176A Pending JPH04268226A (ja) | 1990-11-19 | 1991-11-15 | 磁気光学的データ記憶媒体構造及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0487275A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04268226A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2960824B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1999-10-12 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5948497A (en) * | 1992-10-19 | 1999-09-07 | Eastman Kodak Company | High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk |
| JPH10124948A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 光磁気記録媒体 |
| US6228482B1 (en) * | 1998-01-06 | 2001-05-08 | Imation Corp. | Magneto-optic recording medium with reduced demagnetizing field threshold |
| JP2001023259A (ja) * | 1999-07-09 | 2001-01-26 | Sony Corp | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1224270A (en) * | 1983-09-16 | 1987-07-14 | Junji Hirokane | Magneto-optic memory element |
| JPH02246034A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Fujitsu Ltd | 光磁気ディスク媒体 |
| JPH02254648A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Seiko Epson Corp | 光磁気ディスク |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP3328176A patent/JPH04268226A/ja active Pending
- 1991-11-18 EP EP19910310600 patent/EP0487275A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0487275A3 (en) | 1992-08-05 |
| EP0487275A2 (en) | 1992-05-27 |
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