JPS6025038A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
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- JPS6025038A JPS6025038A JP13256983A JP13256983A JPS6025038A JP S6025038 A JPS6025038 A JP S6025038A JP 13256983 A JP13256983 A JP 13256983A JP 13256983 A JP13256983 A JP 13256983A JP S6025038 A JPS6025038 A JP S6025038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wavelength
- recording medium
- thickness
- thetak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高精度の読み出しを可能とした光熱磁気記
録媒体に関するものである。
録媒体に関するものである。
的に加熱し、磁化反転を起こさせ、情報をｉした磁性メ
モリーで、情報の読み出しく再生）には磁気カー（Ｋｅ
ｒｒ）効果またはファラディ（Ｆａｒａｄａｙ ）効果
による反射光の偏光面の回転の有無を検出することで行
われる。読み出しに磁気カー効果を使うかファラディ効
果を使うかは媒体の種類が何であるかとどんなシステム
構成にするかできめられるが、現在考えられているシス
テムでは磁気カー効果を利んするものが多い。
モリーで、情報の読み出しく再生）には磁気カー（Ｋｅ
ｒｒ）効果またはファラディ（Ｆａｒａｄａｙ ）効果
による反射光の偏光面の回転の有無を検出することで行
われる。読み出しに磁気カー効果を使うかファラディ効
果を使うかは媒体の種類が何であるかとどんなシステム
構成にするかできめられるが、現在考えられているシス
テムでは磁気カー効果を利んするものが多い。
この種の光熱磁気記録媒体としては次のような特性が要
求される。（１）保磁力の大きな垂直磁化膜であること
、（２）磁気カー回転角（θＫ）マたは７ア之ディ回転
角（θＦ）が大きく、且つ反射率が高いこと、（３）キ
ュリ一温度または磁気補償温度が適当な値であること、
（４）記録ビット径が小さく、マージンが広く、安定で
あること、（５）化学的に安定であること、（６）組成
の均一な大面積の膜が作シ易いこと、（７）欠陥や結晶
粒界などによる媒体ノイズが少ないこと。
求される。（１）保磁力の大きな垂直磁化膜であること
、（２）磁気カー回転角（θＫ）マたは７ア之ディ回転
角（θＦ）が大きく、且つ反射率が高いこと、（３）キ
ュリ一温度または磁気補償温度が適当な値であること、
（４）記録ビット径が小さく、マージンが広く、安定で
あること、（５）化学的に安定であること、（６）組成
の均一な大面積の膜が作シ易いこと、（７）欠陥や結晶
粒界などによる媒体ノイズが少ないこと。
一方光熱磁気記録材料としては、現在までにＭｎＢ１
ｙ ＭｎＣｗＢｉ ｒ ＭｎＡｌＧｅ 、 ＭｎＧｉｚ
Ｇｇ ＋希土類磁性ガーネット系ＬＰＥ膜、希土類遷移
金属系非晶質合金膜などが研究されている。
ｙ ＭｎＣｗＢｉ ｒ ＭｎＡｌＧｅ 、 ＭｎＧｉｚ
Ｇｇ ＋希土類磁性ガーネット系ＬＰＥ膜、希土類遷移
金属系非晶質合金膜などが研究されている。
以上のような光熱磁気記録材料にはそれぞれ長所と短所
とがあるが、中でも共通している短所は磁気カー回転角
（θＫ）などの磁気光効果が小さいことである。
とがあるが、中でも共通している短所は磁気カー回転角
（θＫ）などの磁気光効果が小さいことである。
とシわけ、希土類遷移金属Ｒ−Ｔ系非晶質合金膜は前記
の記録媒体としての要件を可成り満しており、注目され
ているが、磁気カー回転角（θＫ）が小さいことが応用
への最も大きな障壁となっている。
の記録媒体としての要件を可成り満しており、注目され
ているが、磁気カー回転角（θＫ）が小さいことが応用
への最も大きな障壁となっている。
本来磁性体の極磁気力−回転角（θＩＯはその物質の電
子構造に由来するもので固有の物理量であり、そのため
波長によって変化する。また、この効果は光の反射に対
するものであるので、当然、酸化やよごれなどの表面状
態に著しく依存することが知らｎている。これらの事情
は、例えば、Ｊ、 Ｊ、 Ｅｒ５ｋｉｎｅ ｅ ｔ （
Ｌｌ ； Ｐｈｙｓ−Ｒｅｖ Ｂ−８（１９７３） １
２３９． Ｔ、Ｋａｔａｙａｍａ ｅｔ ａｔ ； ｐ
ｒｏ７Ｂ、 ４ｔｈ。
子構造に由来するもので固有の物理量であり、そのため
波長によって変化する。また、この効果は光の反射に対
するものであるので、当然、酸化やよごれなどの表面状
態に著しく依存することが知らｎている。これらの事情
は、例えば、Ｊ、 Ｊ、 Ｅｒ５ｋｉｎｅ ｅ ｔ （
Ｌｌ ； Ｐｈｙｓ−Ｒｅｖ Ｂ−８（１９７３） １
２３９． Ｔ、Ｋａｔａｙａｍａ ｅｔ ａｔ ； ｐ
ｒｏ７Ｂ、 ４ｔｈ。
Ｉｎｔ、 Ｃｏｎｆ、 Ｒａｐｉｄｌｙ Ｑｕｅｎｃｈ
ｅｄ Ｍｅｔａｌｓ Ｉｆ ｒ （１９８２）９１５に
述べられている。したがって、θえを増大させるには、
物質の電子構造を変えるかまたは光の干渉などを利用し
て増大させる等の方法しかない。前者の方法には新物質
を見つけることが必要があるが、後者の方法によってθ
えを増大させることは既にいくつかの提案がなされてい
る。
ｅｄ Ｍｅｔａｌｓ Ｉｆ ｒ （１９８２）９１５に
述べられている。したがって、θえを増大させるには、
物質の電子構造を変えるかまたは光の干渉などを利用し
て増大させる等の方法しかない。前者の方法には新物質
を見つけることが必要があるが、後者の方法によってθ
えを増大させることは既にいくつかの提案がなされてい
る。
その１つの方法として、ＳｊＯ’ｅ” ５ｉｆｔなどの
単層膜からなる透明な透電体を非晶質Ｒ−Ｔ合金膜など
の表面にλ／４ｎ（λ：光の波長、ｎ：屈折率）だけ被
覆する方法があり、これは入射光に対して多重干渉を起
こさせ、θえをその分だけ増大させるものである。この
方法では後述するように、θ、の大した増大が見られな
い。
単層膜からなる透明な透電体を非晶質Ｒ−Ｔ合金膜など
の表面にλ／４ｎ（λ：光の波長、ｎ：屈折率）だけ被
覆する方法があり、これは入射光に対して多重干渉を起
こさせ、θえをその分だけ増大させるものである。この
方法では後述するように、θ、の大した増大が見られな
い。
他の方法としては、例えばその媒体断面構造が第１図に
示されるように、ガラス基板α、非晶質Ｒ−Ｔ合金膜ｂ
１ＳｉＯ２膜Ｃと、その上にＡｕ等の金属反射膜ｄを設
けた構造のものが知られており、この場合非晶質Ｒ−Ｔ
合金膜すを通過した光は金属反射膜ｄで反射され、更に
５ｉｎ２膜（１９８３） １７３参照〕。
示されるように、ガラス基板α、非晶質Ｒ−Ｔ合金膜ｂ
１ＳｉＯ２膜Ｃと、その上にＡｕ等の金属反射膜ｄを設
けた構造のものが知られており、この場合非晶質Ｒ−Ｔ
合金膜すを通過した光は金属反射膜ｄで反射され、更に
５ｉｎ２膜（１９８３） １７３参照〕。
この構造ではθ７の増大は大概上記第１の方法と同じと
考えてよいが、この他にも複素屈折率の変化によるもの
もあるので、θ、は第１の方法と比較して可成り良い増
大効果がある。
考えてよいが、この他にも複素屈折率の変化によるもの
もあるので、θ、は第１の方法と比較して可成り良い増
大効果がある。
しかし、この方法では適用できる垂直磁化膜の厚みが約
２００〜２５０Ｘと薄く、媒体の化学的な安定性に問題
がある。
２００〜２５０Ｘと薄く、媒体の化学的な安定性に問題
がある。
この発明は、上記実情に鑑み化学的に安定で、しかもθ
。の増大効果良好な光熱磁気記録媒体を開発する目的で
鋭意研究の結果、垂直磁化膜上に屈折率の異なる透明な
誘電体膜を二層以上設けることによシ、目的とする光熱
磁気記録媒体が得られることを見出したものである。
。の増大効果良好な光熱磁気記録媒体を開発する目的で
鋭意研究の結果、垂直磁化膜上に屈折率の異なる透明な
誘電体膜を二層以上設けることによシ、目的とする光熱
磁気記録媒体が得られることを見出したものである。
即ち、この発明のように垂直磁化膜上に屈折率の異なる
透明な誘電体膜を二層以上設けることによって、特定波
長における光の干渉効果が高く、著しいθえの増大をも
たらすと同時に、表面層の厚みによって定まる波長λ。
透明な誘電体膜を二層以上設けることによって、特定波
長における光の干渉効果が高く、著しいθえの増大をも
たらすと同時に、表面層の厚みによって定まる波長λ。
でθえの符号が反転し、λ。前後にθえの極大がある所
謂共鳴型の波長依存性を示す。
謂共鳴型の波長依存性を示す。
この発明においてθえの波長依存性が共鳴型とてはほと
んど無反射条件となつぞいることが嬢験的に確かめられ
ている。
んど無反射条件となつぞいることが嬢験的に確かめられ
ている。
とのθ、の共鳴波長は第１、第２又はそれ以上の透明な
誘電体膜の厚みをコントロールすることによシ自由に選
択することができ、またこの構造を峙つ媒体では、θ、
が発散する波長λ。において反射がほとんど無反射とな
るため、この波長ではθえは見掛は上０を示すが、この
前後の波長に対してはθにはその符号が変わるものの著
しく増大する。詰まシ、前述した従来方式によシ単層膜
被覆による場合には反射率の極小となる波長域でθＫが
増大するのに対して、この発明では反射率が極少となる
波長の前後の光λ。±△λのところでθＫが増大してお
シ、その増大率が単層膜の場合よりも著しく大きくなる
ところに特徴がある。
誘電体膜の厚みをコントロールすることによシ自由に選
択することができ、またこの構造を峙つ媒体では、θ、
が発散する波長λ。において反射がほとんど無反射とな
るため、この波長ではθえは見掛は上０を示すが、この
前後の波長に対してはθにはその符号が変わるものの著
しく増大する。詰まシ、前述した従来方式によシ単層膜
被覆による場合には反射率の極小となる波長域でθＫが
増大するのに対して、この発明では反射率が極少となる
波長の前後の光λ。±△λのところでθＫが増大してお
シ、その増大率が単層膜の場合よりも著しく大きくなる
ところに特徴がある。
この発明の対象とする垂直磁化膜としては、非晶質Ｔｂ
−Ｆｅ膜膜外外、非晶質Ｇｄ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｆｅ。
−Ｆｅ膜膜外外、非晶質Ｇｄ−Ｃｏ 、 Ｇｄ−Ｆｅ。
膜、 Ｐｔ−Ｃｏ膜ｒ Ｍｎ ｋｌ Ｇｅ膜などの垂直
磁詑拳）・を挙げることができる。
磁詑拳）・を挙げることができる。
垂直磁化膜は、例えば通常用いられるガラスやＰＭＭＡ
などの基板上に１０００〜１ｏｏｏｏＸの厚みで設けら
れる。
などの基板上に１０００〜１ｏｏｏｏＸの厚みで設けら
れる。
一方透明々誘電体膜としては５ｉｏｘ（ｘ−ｏ〜２）
、 ＭｇＦ、（ｘ ＝ ０〜２） ＋ Ｃ（ＬＰ０１
ＬｊＦ＊、 ５ｎＯｚ ＋ＩＴＯＨＡｌｔｏｎ ｒ ’
ＺｎＳ ＋ ＴｉＯ２ｒ ＢｉｔＯｓ ｒ ＭｇＯなど
を使用して構成することができ、以上の透明な誘電体膜
は屈折率の異なるものを選んで、上記垂直磁化膜上に二
層以上設ける。
、 ＭｇＦ、（ｘ ＝ ０〜２） ＋ Ｃ（ＬＰ０１
ＬｊＦ＊、 ５ｎＯｚ ＋ＩＴＯＨＡｌｔｏｎ ｒ ’
ＺｎＳ ＋ ＴｉＯ２ｒ ＢｉｔＯｓ ｒ ＭｇＯなど
を使用して構成することができ、以上の透明な誘電体膜
は屈折率の異なるものを選んで、上記垂直磁化膜上に二
層以上設ける。
なお誘電体膜の厚みは、例えば第１層目は通常４００〜
２０００Ｘとし、また第２層又はそれ以上は５００〜２
０００ Ｘ程度とする。
２０００Ｘとし、また第２層又はそれ以上は５００〜２
０００ Ｘ程度とする。
以下、図示の実施例に基いてこの発明を説明すると、第
２図は、この発明の一実施例を示すものであって、通常
用いられているガラスや〜 ＰＭＭＡなとの基板／上に、１０００〜１００００Ａの
非晶質Ｒ−Ｔ合金膜などの垂直磁化膜から構成される光
熱記録媒体コを設け、更にその上に相β享；零；第１層
目の透明な誘電体膜３（通１ｉ％：Ｗ４００〜２０００
Ｘの厚み）、 ２ζ屓ｌの透明な誘電体膜ｌＩ（通常５
００〜ｚｏｏｏＸの厚み）を設ける。
２図は、この発明の一実施例を示すものであって、通常
用いられているガラスや〜 ＰＭＭＡなとの基板／上に、１０００〜１００００Ａの
非晶質Ｒ−Ｔ合金膜などの垂直磁化膜から構成される光
熱記録媒体コを設け、更にその上に相β享；零；第１層
目の透明な誘電体膜３（通１ｉ％：Ｗ４００〜２０００
Ｘの厚み）、 ２ζ屓ｌの透明な誘電体膜ｌＩ（通常５
００〜ｚｏｏｏＸの厚み）を設ける。
次に、以上のように構成されたこの発明の光熱磁気記録
媒体と、従来の非晶質Ｒ−Ｔ膜表面に透明な単層の誘電
体膜を設けた光熱磁気記録媒体とにおけるθえの増大効
果を比較する。
媒体と、従来の非晶質Ｒ−Ｔ膜表面に透明な単層の誘電
体膜を設けた光熱磁気記録媒体とにおけるθえの増大効
果を比較する。
第５図は、従来の非晶質Ｒ−Ｔ膜表面に透明な単層の誘
電体膜を設けて、多重干渉によるθにの増大効果を図る
場合のθにの波長依存性を示すもので、具体的にはガラ
ス（コーニング７０５９ ）基板面上に、非晶質Ｔｂｎ
Ｆｅｒ６ｅ金膜、更に５ｉＯｔ被覆（ｈ中４２０ Ｘ
）を行なった磁気記録媒体における非晶質膜表面、基
板面、Ｓｉｎ、被後面から測定した時のθにの波長依存
性を示すものである。
電体膜を設けて、多重干渉によるθにの増大効果を図る
場合のθにの波長依存性を示すもので、具体的にはガラ
ス（コーニング７０５９ ）基板面上に、非晶質Ｔｂｎ
Ｆｅｒ６ｅ金膜、更に５ｉＯｔ被覆（ｈ中４２０ Ｘ
）を行なった磁気記録媒体における非晶質膜表面、基
板面、Ｓｉｎ、被後面から測定した時のθにの波長依存
性を示すものである。
第３図において非晶質膜表面で測定した値が所謂本来の
極磁気力−回転角（θＫ）の波長依存性で、他の二つの
測定値は干渉効果などで増大した値を示しておシ、特に
Ｓｉｎ、被覆面におけるλ＝７００ｎｍ付近のθにの著
しい増大は、前述した従来の多重干渉によるθにの増大
を示すものである。
極磁気力−回転角（θＫ）の波長依存性で、他の二つの
測定値は干渉効果などで増大した値を示しておシ、特に
Ｓｉｎ、被覆面におけるλ＝７００ｎｍ付近のθにの著
しい増大は、前述した従来の多重干渉によるθにの増大
を示すものである。
なお、このθにの増大する波長は５ｉｆ２など透明膜の
厚みと屈折率によって変化する。
厚みと屈折率によって変化する。
以上のように、垂直磁化膜の表面に単層の適当な厚みの
透明誘電体膜を設けることによってもθＫを増大させる
ことができるが、この発明のように垂直磁化膜の表面に
屈折率の異なる透明な誘電体膜を２層以上設けることに
よシ、更にθＫを増大させることができるのである。
透明誘電体膜を設けることによってもθＫを増大させる
ことができるが、この発明のように垂直磁化膜の表面に
屈折率の異なる透明な誘電体膜を２層以上設けることに
よシ、更にθＫを増大させることができるのである。
第４図は、この発明の一実施例である磁気記録媒体にお
けるθにの波長依存性を示すものであり、具体的には非
晶質Ｔｂ２１１１Ｆｇ？５合金膜に真空蒸着によ’）
ＭｒｉＦｘを約８００Ｘの厚みで設け、更にＳｊＯ，を
約７００Ｘ の厚みで設けた場合のθにの波長依存性を
示すものである。
けるθにの波長依存性を示すものであり、具体的には非
晶質Ｔｂ２１１１Ｆｇ？５合金膜に真空蒸着によ’）
ＭｒｉＦｘを約８００Ｘの厚みで設け、更にＳｊＯ，を
約７００Ｘ の厚みで設けた場合のθにの波長依存性を
示すものである。
第４図によｎば、λ−５９Ｑ ｎｔｎ付近でθＫが共鳴
型になっている。その前後の波長域（λ０中６００〜５
９０ｎｍと３９０〜４８０ｎｍ）で、θにの符号は反対
であるが、急峻な増大を示す。
型になっている。その前後の波長域（λ０中６００〜５
９０ｎｍと３９０〜４８０ｎｍ）で、θにの符号は反対
であるが、急峻な増大を示す。
この波長域はＭｇＦｘ層とＳｉＯ工層の厚みの組み合せ
を変えることで長波長側にも移動させることができる。
を変えることで長波長側にも移動させることができる。
この場合のλ＝５８Ｏｎｍにおけるθにめ値は一４７分
である。
である。
一般に、非晶質Ｒ−Ｔ膜のθにの波長依存性はθＫが長
波長側になる程大きくなるので（第５図参照）、θＫｔ
−長波長側に移動させた場合、θにの極太値は第５図の
場合よシも遥かに太きくなる。
波長側になる程大きくなるので（第５図参照）、θＫｔ
−長波長側に移動させた場合、θにの極太値は第５図の
場合よシも遥かに太きくなる。
また第４図の実施例においてθにの共鳴型となる波長光
に対しては殆んど無反射条件となっていることが実験的
に確かめら九でいる。
に対しては殆んど無反射条件となっていることが実験的
に確かめら九でいる。
第５図は、この発明の他の実施例である磁気記録媒体に
おけるθにの波長依存性を示すものであシ、具体的には
非晶質Ｔｂ、。、ｇ −Ｆｅ８０．１合金膜に真空蒸着
によってＳｉＯ□を約１ｏｏｏＸ蒸着しｋのち、更に５
ｉＯｘｘ 、 ５ｉＯｘ３を各々約６００Ｘと約１５５
０Ｘで三層に蒸着した時のθにの波長依存性を示すもの
である（但し、Ｘ、 （ｘ２’ｉ Ｘｓ ）。この例で
もθには２ ＝ ４ｑＯｎｍで共鳴型となっておシ、そ
の前後で鋭いθにの増大が見られる。λ＝４Ｂ５ｎｒｎ
におけるθには４５分であシ、λ中４９０ ｎｍでは殆
んど無反射条件となっている。この場合も、各層の膜厚
の組合せを変えることにより共鳴型となる波長を短また
は長波長側に移すことが可能である。
おけるθにの波長依存性を示すものであシ、具体的には
非晶質Ｔｂ、。、ｇ −Ｆｅ８０．１合金膜に真空蒸着
によってＳｉＯ□を約１ｏｏｏＸ蒸着しｋのち、更に５
ｉＯｘｘ 、 ５ｉＯｘ３を各々約６００Ｘと約１５５
０Ｘで三層に蒸着した時のθにの波長依存性を示すもの
である（但し、Ｘ、 （ｘ２’ｉ Ｘｓ ）。この例で
もθには２ ＝ ４ｑＯｎｍで共鳴型となっておシ、そ
の前後で鋭いθにの増大が見られる。λ＝４Ｂ５ｎｒｎ
におけるθには４５分であシ、λ中４９０ ｎｍでは殆
んど無反射条件となっている。この場合も、各層の膜厚
の組合せを変えることにより共鳴型となる波長を短また
は長波長側に移すことが可能である。
以上要するに、この発明によればθにの波長依存性を分
散させ、その前後の波長でθ１．を鋭く増大させること
ができるため、光熱磁気記録媒体における高精度の読み
出しが可能となる。
散させ、その前後の波長でθ１．を鋭く増大させること
ができるため、光熱磁気記録媒体における高精度の読み
出しが可能となる。
なお、この発明においては垂直磁化膜上に屈折率の異な
る二以上の透明誘電体膜を設けることが基本的な条件で
、共鳴を起こす波長の設定は以上の誘電体膜の厚みによ
って設定する。
る二以上の透明誘電体膜を設けることが基本的な条件で
、共鳴を起こす波長の設定は以上の誘電体膜の厚みによ
って設定する。
また、この実施例では誘電体膜の二又は三層の例につい
て述べたが、これ以上の多層膜についても基本的には同
様である。
て述べたが、これ以上の多層膜についても基本的には同
様である。
第１図は、従来の光熱磁気記録媒体における極磁気力−
回転角（θＫ）の増大を行うための一例を示す断面図、
第２図は、本発明の一実施例を示す断面図、第３図は、
従来の′非晶質Ｒ−Ｔ膜表面に単層の５ｊＯ２膜を設け
た場合のθにの波長依存性を示す図、第４図は、本発明
の一実施例である二層の透明誘電体膜を設けた場合のθ
にの波長依存性を示す図、第５図は、本発明の他の実施
例である三層の透明誘電体膜を設けた場合のθにの波長
依存性を示す図である。
回転角（θＫ）の増大を行うための一例を示す断面図、
第２図は、本発明の一実施例を示す断面図、第３図は、
従来の′非晶質Ｒ−Ｔ膜表面に単層の５ｊＯ２膜を設け
た場合のθにの波長依存性を示す図、第４図は、本発明
の一実施例である二層の透明誘電体膜を設けた場合のθ
にの波長依存性を示す図、第５図は、本発明の他の実施
例である三層の透明誘電体膜を設けた場合のθにの波長
依存性を示す図である。
図中１．？、ｌＩは屈折率の異なる透明な誘電体膜。
指定代理人 工業技術院
Claims (2)
- （１） 記録媒体の表面に屈折率の異なる二種以上の透
明な誘電体膜を設けることを特徴とする光熱磁気記録媒
体。 - （２）二種以上の透明な誘電体膜の膜厚を指定する波長
で選択するようにした特許請求の範囲第１項記載の光熱
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13256983A JPS6025038A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13256983A JPS6025038A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6025038A true JPS6025038A (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15084371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13256983A Pending JPS6025038A (ja) | 1983-07-20 | 1983-07-20 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6129435A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-02-10 | Olympus Optical Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6231049A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-10 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956240A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPS5956241A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-03-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-07-20 JP JP13256983A patent/JPS6025038A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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