JPH0237614B2 - - Google Patents
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- JPH0237614B2 JPH0237614B2 JP57168123A JP16812382A JPH0237614B2 JP H0237614 B2 JPH0237614 B2 JP H0237614B2 JP 57168123 A JP57168123 A JP 57168123A JP 16812382 A JP16812382 A JP 16812382A JP H0237614 B2 JPH0237614 B2 JP H0237614B2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気光学効果を利用して高密度磁気
記録の再生が可能な光磁気記録読取系に関する。
記録の再生が可能な光磁気記録読取系に関する。
近年、情報の高密度記録の分野において、光デ
イスク等の情報固定の記録に代り、磁気光学効果
を用いた書き換え可能な光磁気記録が有望視され
ている。
イスク等の情報固定の記録に代り、磁気光学効果
を用いた書き換え可能な光磁気記録が有望視され
ている。
従来、上記の如き光磁気記録の読取りには、第
１図Ａに示すような読取系が使用されている。第
１図Ａにおいて、１は光束、２は偏光板、３は偏
光ビームスプリツタ、４は対物レンズ、５は磁性
膜、６は検光子、７は集光レンス、８は光検出
器、９は基板である。ここで磁性膜５はガラス、
樹脂等の基板９上にスパツタリング等の手段で形
成され、情報信号に応じて変調されたレーザ光を
照射する等の方法で磁化方向の変化（例えば上向
き、或いは下向き）として情報が記録されてい
る。光束１は、偏光板２により直線偏光化された
光束となり、偏光ビームスプリツタ３、対物レン
ズ４を経て磁性膜５に入射する。ここで光束１は
前述した磁性膜５の磁化方向に対応し、光束の偏
光面が磁気光学カー効果により互いに反対方向の
回転を受けて反射される。例えば、下向き方向磁
化部により反射される光束の偏光面がθKの回転を
受けたとすると、上向き磁化部より反射される光
束偏光面は−θKの回転を受ける。
１図Ａに示すような読取系が使用されている。第
１図Ａにおいて、１は光束、２は偏光板、３は偏
光ビームスプリツタ、４は対物レンズ、５は磁性
膜、６は検光子、７は集光レンス、８は光検出
器、９は基板である。ここで磁性膜５はガラス、
樹脂等の基板９上にスパツタリング等の手段で形
成され、情報信号に応じて変調されたレーザ光を
照射する等の方法で磁化方向の変化（例えば上向
き、或いは下向き）として情報が記録されてい
る。光束１は、偏光板２により直線偏光化された
光束となり、偏光ビームスプリツタ３、対物レン
ズ４を経て磁性膜５に入射する。ここで光束１は
前述した磁性膜５の磁化方向に対応し、光束の偏
光面が磁気光学カー効果により互いに反対方向の
回転を受けて反射される。例えば、下向き方向磁
化部により反射される光束の偏光面がθKの回転を
受けたとすると、上向き磁化部より反射される光
束偏光面は−θKの回転を受ける。
第１図Ｂに示す如く入射光束をＰ偏光とした場
合、検光子６の偏光透過方向を上記偏光方向−θK
と垂直方向（Ｑ方向）に配置すると、上向きの磁
化方向部からの反射光は、検光子６により遮断さ
れ、下向き磁化方向からの反射光の、検光子６の
透過成分Δが検光子６を通過する。この透過成分
を光検出器８で検出し、記録情報を読取るもので
ある。
合、検光子６の偏光透過方向を上記偏光方向−θK
と垂直方向（Ｑ方向）に配置すると、上向きの磁
化方向部からの反射光は、検光子６により遮断さ
れ、下向き磁化方向からの反射光の、検光子６の
透過成分Δが検光子６を通過する。この透過成分
を光検出器８で検出し、記録情報を読取るもので
ある。
ところが、前述の如き磁気光学カー効果による
カー回転角θKは0.1゜のオーダーである為、前記透
過成分は非常に微小であり、光検出器で検出され
る再生信号のSN比は小さく、特に高周波信号の
読取りにおいて十分ではないという問題があつ
た。
カー回転角θKは0.1゜のオーダーである為、前記透
過成分は非常に微小であり、光検出器で検出され
る再生信号のSN比は小さく、特に高周波信号の
読取りにおいて十分ではないという問題があつ
た。
そこで、従来、磁性膜上に高屈折率薄膜層を装
荷し、該磁性膜の反射率を低くして、この時見か
け上カー回転角θKが増大されるカー強調（Kerr
enhancement）効果によりSN比を向上させる方
法が特開昭56−156943号等で提案されている。
荷し、該磁性膜の反射率を低くして、この時見か
け上カー回転角θKが増大されるカー強調（Kerr
enhancement）効果によりSN比を向上させる方
法が特開昭56−156943号等で提案されている。
しかしながら、読取系全体を考えると、光検出
器の雑音の影響で、上記の如く単に反射率を下げ
ることによつて、必ずしも最大の再生SN比が得
られるとは限らなかつた。
器の雑音の影響で、上記の如く単に反射率を下げ
ることによつて、必ずしも最大の再生SN比が得
られるとは限らなかつた。
本発明の目的は、増倍作用を有する光検出器を
用いて、最大のSN比で情報信号を検出すること
の出来る光磁気記録読取系を提供することにあ
る。
用いて、最大のSN比で情報信号を検出すること
の出来る光磁気記録読取系を提供することにあ
る。
本発明の上記目的は、所定の向に偏光した入射
光束を磁性膜を有する記録媒体に入射し、該磁性
膜に記録された情報に応じて変調された該記録媒
体からの反射光束を検出手段により検出し、前記
記録情報を読取る光磁気記録読取系において、前
記検出手段を増倍作用の有る光検出器をとし、且
つ、前記磁性膜上に誘電体層を設け、前記記録媒
体の前記所定方向の偏光成分に対する反射率が10
％以下となるように構成することによつて達成さ
れる。
光束を磁性膜を有する記録媒体に入射し、該磁性
膜に記録された情報に応じて変調された該記録媒
体からの反射光束を検出手段により検出し、前記
記録情報を読取る光磁気記録読取系において、前
記検出手段を増倍作用の有る光検出器をとし、且
つ、前記磁性膜上に誘電体層を設け、前記記録媒
体の前記所定方向の偏光成分に対する反射率が10
％以下となるように構成することによつて達成さ
れる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
第２図Ａは本発明の第１の実施例を示す概略図
である。図中、１１は光束、１２は偏光板、１３
は偏光ビームスプリツタ、１４は対物レンズ、１
５は磁性膜、１６は検光子、１７は集光レンズ、
１８は光検出器、１９は基板、２０は誘電体調整
層、２１は誘電体多層膜、２２は記録媒体を示
す。本実施例も第１図Ａの従来例と同様に偏光板
１２によつて直線偏光化された光束１１を記録媒
体２２に照射し、この反射光束を検光子１６を介
して光検出器１８で受け信号検出を行なうもので
ある。ここで誘電体調整層２０及び誘電体多層膜
２１は、光検出器１８の特性に応じて、磁性膜１
５の反射率を調整し、再生SN比を最大とするも
のである。
である。図中、１１は光束、１２は偏光板、１３
は偏光ビームスプリツタ、１４は対物レンズ、１
５は磁性膜、１６は検光子、１７は集光レンズ、
１８は光検出器、１９は基板、２０は誘電体調整
層、２１は誘電体多層膜、２２は記録媒体を示
す。本実施例も第１図Ａの従来例と同様に偏光板
１２によつて直線偏光化された光束１１を記録媒
体２２に照射し、この反射光束を検光子１６を介
して光検出器１８で受け信号検出を行なうもので
ある。ここで誘電体調整層２０及び誘電体多層膜
２１は、光検出器１８の特性に応じて、磁性膜１
５の反射率を調整し、再生SN比を最大とするも
のである。
第２図Ｂで第２図Ａに示した記録媒体２２の構
成を更に詳しく説明する。まずガラス或いは樹脂
等から成る基板１９上に、GdTbFe、TbFe等の
非晶質希土類遷移金属、或いはMnBi、MnBiCu
等の結晶より成る磁性膜１５を形成する。その上
にSiO、ZrO、ZnS、TiO2、Sb2O3、CeO2等の高
屈折率誘電体をスパツタリング、真空蒸着等の方
法より形成し誘電体調整層２０とする。更にその
上にMgF2、SiO2等の低屈折率誘電体やZrO2、
ZnS等の高屈折率誘電体を積層し、誘電体多層膜
２１として記録媒体を構成する。このように形成
される誘電体調整層２０及び誘電体多層膜２１の
屈折率、膜厚、或いは誘電体多層膜の層数は本実
施例の光検出器１８の特性を考慮して磁性膜の反
射率を再生SN比が最大となる値とするように決
定される。
成を更に詳しく説明する。まずガラス或いは樹脂
等から成る基板１９上に、GdTbFe、TbFe等の
非晶質希土類遷移金属、或いはMnBi、MnBiCu
等の結晶より成る磁性膜１５を形成する。その上
にSiO、ZrO、ZnS、TiO2、Sb2O3、CeO2等の高
屈折率誘電体をスパツタリング、真空蒸着等の方
法より形成し誘電体調整層２０とする。更にその
上にMgF2、SiO2等の低屈折率誘電体やZrO2、
ZnS等の高屈折率誘電体を積層し、誘電体多層膜
２１として記録媒体を構成する。このように形成
される誘電体調整層２０及び誘電体多層膜２１の
屈折率、膜厚、或いは誘電体多層膜の層数は本実
施例の光検出器１８の特性を考慮して磁性膜の反
射率を再生SN比が最大となる値とするように決
定される。
次に、上記の如く再生NS比を最大とする磁性
膜の最適反射率の導出方法を簡単に説明する。記
録媒体２２に入射する光束１１の偏光方向をＸ軸
に、それに直交する方向をＹ軸にとる。垂直入射
の時に、磁性膜１５が磁化容易軸が基板１９の面
に垂直であるような垂直磁化薄膜とすると、右ま
わり円偏光（＋）と左まわり円偏光（−）に対し
て屈折率がｎ＝n0±Δと近似出来ることは公知で
ある（例えば、Journal of Applied Physics
Vol，38，pl482，1967，by P.S.Pershan）。ここ
で、n0は磁性膜１５の磁化されていない時の屈折
率、Δは磁化の大さに比例する量である。従つ
て、Ｘ方向に直線偏光した光が記録媒体２２に垂
直入射する時のフレネル（Fresnel）反射系数rx
と磁気光学カー効果よるカー反射系数ryは、右ま
わり円偏光及び左まわり円偏光に対するフレネル
反射係数を夫々r(+)，r(-)とすると、 rx＝１／２〔r(+)＋r(-)〕 (1) ry＝１／2i〔r(+)＋r(-)〕 (2) と表わせ、さらに実際には｜n0｜≫｜Δ｜なので
上式のΔに対する１次近似から rxｒ｜ｎ＝n0 (3) ryiΔdr／dn｜ｎ＝n0 (4) となる。ここで、ｒは磁性膜１５の屈折率をｎと
した時の記録媒体２２の垂直入射時のフレネル反
射係数である。従つて(3)、(4)式からカー回転角θK
は θK＝｜ry｜／｜rx｜cosδ (5) となる。ここで、δはryとrxの位相差である。
膜の最適反射率の導出方法を簡単に説明する。記
録媒体２２に入射する光束１１の偏光方向をＸ軸
に、それに直交する方向をＹ軸にとる。垂直入射
の時に、磁性膜１５が磁化容易軸が基板１９の面
に垂直であるような垂直磁化薄膜とすると、右ま
わり円偏光（＋）と左まわり円偏光（−）に対し
て屈折率がｎ＝n0±Δと近似出来ることは公知で
ある（例えば、Journal of Applied Physics
Vol，38，pl482，1967，by P.S.Pershan）。ここ
で、n0は磁性膜１５の磁化されていない時の屈折
率、Δは磁化の大さに比例する量である。従つ
て、Ｘ方向に直線偏光した光が記録媒体２２に垂
直入射する時のフレネル（Fresnel）反射系数rx
と磁気光学カー効果よるカー反射系数ryは、右ま
わり円偏光及び左まわり円偏光に対するフレネル
反射係数を夫々r(+)，r(-)とすると、 rx＝１／２〔r(+)＋r(-)〕 (1) ry＝１／2i〔r(+)＋r(-)〕 (2) と表わせ、さらに実際には｜n0｜≫｜Δ｜なので
上式のΔに対する１次近似から rxｒ｜ｎ＝n0 (3) ryiΔdr／dn｜ｎ＝n0 (4) となる。ここで、ｒは磁性膜１５の屈折率をｎと
した時の記録媒体２２の垂直入射時のフレネル反
射係数である。従つて(3)、(4)式からカー回転角θK
は θK＝｜ry｜／｜rx｜cosδ (5) となる。ここで、δはryとrxの位相差である。
一方、第２図Ｂに示す誘電体多層膜２１が2N
層（Ｎ＝０、１……）から成るλ／４多層膜であ
る場合には、前述の(3)式および(4)式を適用するこ
とによつて、ryおよびrxは、以下のように表わさ
れる。
層（Ｎ＝０、１……）から成るλ／４多層膜であ
る場合には、前述の(3)式および(4)式を適用するこ
とによつて、ryおよびrxは、以下のように表わさ
れる。
rx＝Ur1＋r0／Ｕ＋r0r1 (6)
ry＝（１−r1 2）Ｕ／（Ｕ＋r0r1）2 (7)
ここで、
Ｕ＝exp（ｉ4π／λndｄ） (8)
r1＝Na−nd／Na＋nd (9)
r0＝Vr′＋r″／Ｖ＋r′r″ (10)
Ｖ＝exp（ｉ4π／λn0h） (11)
である。また、Naは誘電体多層膜２１の実効屈
折率、r0は磁性膜１９が単独で存在する場合の調
整層２０側からのフレネル反射率、r1は調整層２
０の多層膜２１側からのフレネル反射率、r′は磁
性膜１９の調整層側からのフレネル反射率、r″は
基板の磁性膜１９側からのフレネル反射率、ｈは
磁性膜１９の厚さを示す。
折率、r0は磁性膜１９が単独で存在する場合の調
整層２０側からのフレネル反射率、r1は調整層２
０の多層膜２１側からのフレネル反射率、r′は磁
性膜１９の調整層側からのフレネル反射率、r″は
基板の磁性膜１９側からのフレネル反射率、ｈは
磁性膜１９の厚さを示す。
従つて、
Ｒ＝｜rx｜2：フレネル反射光の強度反射率
Ｒ＝｜ry｜2：カー反射光の強度反射率
とすると、Ｒ≠１のとき、(6)、(7)式の関係から、
Ｋ＝α2（１−Ｒ）2 (12)
と表わされる。そして、（12）式を(5)式に代入し
て、Ｒとカー回転角θKとは次の関係で示される。
て、Ｒとカー回転角θKとは次の関係で示される。
ここで、αは、誘電体調整層２０の屈折率及び
磁性膜１９以下の膜構成に依存する量である。
尚、αは磁性膜１９を極薄膜化（λ／4πκ程度、こ こでλは再生光の波長、κは磁性膜１９の消衰係
数）し、磁性膜１９以下の膜構成を高反射率化す
る様にすれば極大化出来る。
磁性膜１９以下の膜構成に依存する量である。
尚、αは磁性膜１９を極薄膜化（λ／4πκ程度、こ こでλは再生光の波長、κは磁性膜１９の消衰係
数）し、磁性膜１９以下の膜構成を高反射率化す
る様にすれば極大化出来る。
ここで再生SN比（Ｓ／Ｎ）は光検出器１８が
PINフオトダイオードの様な増倍作用の無い場合
には、検出系の熱雑音が支配的となるために
（Ｓ／Ｎ）∝Ｒ・θKとなり、増倍作用の有る検出
器の場合にはシヨツト・ノイズが支配的となり
（Ｓ／Ｎ）∝√・θKとなるのでθKに(6)式を代入
すると、それぞれ （Ｓ／Ｎ）∝√Ｒ（１−Ｒ）α cosδ：熱雑音
リミツト （Ｓ／Ｎ）∝（１−Ｒ）α cosδ：シヨツトノ
イズリミツト となる。
PINフオトダイオードの様な増倍作用の無い場合
には、検出系の熱雑音が支配的となるために
（Ｓ／Ｎ）∝Ｒ・θKとなり、増倍作用の有る検出
器の場合にはシヨツト・ノイズが支配的となり
（Ｓ／Ｎ）∝√・θKとなるのでθKに(6)式を代入
すると、それぞれ （Ｓ／Ｎ）∝√Ｒ（１−Ｒ）α cosδ：熱雑音
リミツト （Ｓ／Ｎ）∝（１−Ｒ）α cosδ：シヨツトノ
イズリミツト となる。
上記、磁気光学的読み出しにおける記録媒体の
反射率と再生SN比との関係から、SN比を最大に
する最適反射率が存在することがわかる。従つ
て、第２図Ａに示す光磁気記録読取系において
は、光検出器１８の種類に応じてその最適反射率
を実現するように設計を行なえば良い。尚、SN
比はcosδの依存性もあり、反射率の変化と共に
cosδも変化するが、この影響は再生光の光路中に
λ／４板等の位相差補償素子を挿入することによ
り解消出来る。
反射率と再生SN比との関係から、SN比を最大に
する最適反射率が存在することがわかる。従つ
て、第２図Ａに示す光磁気記録読取系において
は、光検出器１８の種類に応じてその最適反射率
を実現するように設計を行なえば良い。尚、SN
比はcosδの依存性もあり、反射率の変化と共に
cosδも変化するが、この影響は再生光の光路中に
λ／４板等の位相差補償素子を挿入することによ
り解消出来る。
第３図に、上記位相補償によりcosδ→１とした
時の、再生SN比（Ｓ／Ｎ）のフレネルパワー反
射率依存性を示す。図中、ａで示すPINフオトダ
イオードのような増倍作用の無い検出器を用いる
場合には最適反射率は約33％である。
時の、再生SN比（Ｓ／Ｎ）のフレネルパワー反
射率依存性を示す。図中、ａで示すPINフオトダ
イオードのような増倍作用の無い検出器を用いる
場合には最適反射率は約33％である。
一方、本発明のように、アバランシフオトダイ
オード（APD）等の増倍作用の有る検出器を用
いる場合には反射率を下げることにより再生SN
比の向上が計れることがわかる。最大SN比に対
する許容SN比巾を−1dBとするPINフオトダイ
オード検出では反射率20％〜50％であるのに対し
て、本発明のAPD検出では反射率10％以下が反
射率許容基準となる。しかし増倍作用のない光検
出器を用いる場合でも、再生光束の強度が強くな
るとシヨツトノイズの影響が強くなり、最適反射
率は再生光束の強度が強くなるほど小さくなり、
増倍作用のある光検出器を用いた場合に近ずく。
オード（APD）等の増倍作用の有る検出器を用
いる場合には反射率を下げることにより再生SN
比の向上が計れることがわかる。最大SN比に対
する許容SN比巾を−1dBとするPINフオトダイ
オード検出では反射率20％〜50％であるのに対し
て、本発明のAPD検出では反射率10％以下が反
射率許容基準となる。しかし増倍作用のない光検
出器を用いる場合でも、再生光束の強度が強くな
るとシヨツトノイズの影響が強くなり、最適反射
率は再生光束の強度が強くなるほど小さくなり、
増倍作用のある光検出器を用いた場合に近ずく。
上記の如く調整された反射率、磁性膜自身の反
射率より小さいために、該磁性膜での吸収エネル
ギーが大きくなり、記録媒体への書込みエネルギ
ーを小さく出来、高周波信号の記録を容易にする
利点もある。
射率より小さいために、該磁性膜での吸収エネル
ギーが大きくなり、記録媒体への書込みエネルギ
ーを小さく出来、高周波信号の記録を容易にする
利点もある。
第４図に本発明用いる記録媒体の構成例を示
す。ここで第２図Ｂと同一の部分には共の符号を
付した。本例は磁性膜１５の膜厚がλ／4πκ程度
に薄い場合を示す。この場合には磁性膜１５内で
の多重干渉の際に生ずるフアラデー（Faraday）
効果も利用できる為に更に高いSN比での検出が
可能である。この効果を増す為に、本例では基板
１９上に誘電体多層膜２１′を形成し、基板の反
射率を高めている。この上に磁性膜１５をカー回
転角が最大となるような膜厚で形成し、更に誘電
体調整層２０、誘電体多層膜を第１実施例と同様
に前述の最適反射率を実現するように形成する。
本例で形成された誘電体多層膜２１′は、レーザ
光による記録の書込み時に断熱効果を果たし、書
込み特性を向上させる利点もある。
す。ここで第２図Ｂと同一の部分には共の符号を
付した。本例は磁性膜１５の膜厚がλ／4πκ程度
に薄い場合を示す。この場合には磁性膜１５内で
の多重干渉の際に生ずるフアラデー（Faraday）
効果も利用できる為に更に高いSN比での検出が
可能である。この効果を増す為に、本例では基板
１９上に誘電体多層膜２１′を形成し、基板の反
射率を高めている。この上に磁性膜１５をカー回
転角が最大となるような膜厚で形成し、更に誘電
体調整層２０、誘電体多層膜を第１実施例と同様
に前述の最適反射率を実現するように形成する。
本例で形成された誘電体多層膜２１′は、レーザ
光による記録の書込み時に断熱効果を果たし、書
込み特性を向上させる利点もある。
第５図Ａ，Ｂは夫々第２図Ａ、第４図に示した
記録媒体上に透明保護層２３を設けたものであ
る。本発明はこのような構成の記録媒体を用いる
ことができる。この時に誘電体層は該透明保護層
を考慮した膜設計を行なえば良い。
記録媒体上に透明保護層２３を設けたものであ
る。本発明はこのような構成の記録媒体を用いる
ことができる。この時に誘電体層は該透明保護層
を考慮した膜設計を行なえば良い。
また第４図或いは第５図Ｂにおいて、磁性膜１
５下面の誘電体多層膜２１′の代りにAl、Au、
Ag、Cu等の金属膜を基板１９上に形成し、さら
にSiO2やMgF2等の無機膜あるいはメタクリル樹
脂やポリカーボネート樹脂等の有機膜を基板１９
の反射率が高くなる膜厚で形成したものでも良
い。
５下面の誘電体多層膜２１′の代りにAl、Au、
Ag、Cu等の金属膜を基板１９上に形成し、さら
にSiO2やMgF2等の無機膜あるいはメタクリル樹
脂やポリカーボネート樹脂等の有機膜を基板１９
の反射率が高くなる膜厚で形成したものでも良
い。
さらには、前記第２図、第４図、第５図Ａ，Ｂ
において、レーザ光による書き込み特性をさらに
向上させる意味で新たな断熱層を基板１９と磁性
膜１５の間に追加しても良い。ただし、この時の
断熱層の膜厚は最適反射率条件を乱すことの無い
ように、λ／２膜となるように形成する必要があ
る。
において、レーザ光による書き込み特性をさらに
向上させる意味で新たな断熱層を基板１９と磁性
膜１５の間に追加しても良い。ただし、この時の
断熱層の膜厚は最適反射率条件を乱すことの無い
ように、λ／２膜となるように形成する必要があ
る。
尚、前述の実施例では磁性膜上に誘電体調整層
及び誘電体多層膜を形成することによつて反射率
を調整したが、誘電体調整層のみで最適反射率を
実現出来る場合には誘電体多層膜は必ずしも形成
する必要はない。
及び誘電体多層膜を形成することによつて反射率
を調整したが、誘電体調整層のみで最適反射率を
実現出来る場合には誘電体多層膜は必ずしも形成
する必要はない。
以上説明したように、本発明は従来の光磁気記
録読取系において、光検出器を増倍作用の有るも
のとし、且つ、前記磁性膜上に誘電体層を設け、
前記記録媒体の前記所定方向の偏光成分に対する
反射率が10％以下となるように構成したので、情
報信号の読み取りを行う際の再生SN比を向上さ
せる効果が得られた。
録読取系において、光検出器を増倍作用の有るも
のとし、且つ、前記磁性膜上に誘電体層を設け、
前記記録媒体の前記所定方向の偏光成分に対する
反射率が10％以下となるように構成したので、情
報信号の読み取りを行う際の再生SN比を向上さ
せる効果が得られた。
第１図Ａは従来の光磁気記録読取系を示す概略
図、第１図Ｂは磁気光学効果による記録読取りの
原理を説明する図、第２図Ａは本発明の第１実施
例を示す概略図、第２図Ｂは第１実施例に用いる
記録媒体の構成を示す概略図、第３図は本発明で
得られる再生SN比のフレネルパワー反射率依存
性を示す図、第４図、第５図Ａ，Ｂは夫々本発明
に用いることのできる記録媒体の他の構成例を示
す概略図である。 １１……光束、１２……偏光板、１３……偏光
ビームスプリツタ、１４……対物レンズ、１５…
…磁性膜、１６……検光子、１７……集光レン
ズ、１８……光検出器、１９……基板、２０……
誘電体調整層、２１……誘電体多層膜、２２……
記録媒体。
図、第１図Ｂは磁気光学効果による記録読取りの
原理を説明する図、第２図Ａは本発明の第１実施
例を示す概略図、第２図Ｂは第１実施例に用いる
記録媒体の構成を示す概略図、第３図は本発明で
得られる再生SN比のフレネルパワー反射率依存
性を示す図、第４図、第５図Ａ，Ｂは夫々本発明
に用いることのできる記録媒体の他の構成例を示
す概略図である。 １１……光束、１２……偏光板、１３……偏光
ビームスプリツタ、１４……対物レンズ、１５…
…磁性膜、１６……検光子、１７……集光レン
ズ、１８……光検出器、１９……基板、２０……
誘電体調整層、２１……誘電体多層膜、２２……
記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の方向に偏光した入射光束を磁性膜を有
する記録媒体に入射し、該磁性膜に記録された情
報に応じて変調された該記録媒体からの反射光束
を検出手段により検出し、前記記録情報を読取る
光磁気記録読取系において、 前記検出手段は増倍作用の有る光検出器を有
し、且つ、前記磁性膜上に誘電体層を設けること
によつて、前記記録媒体の前記所定方向の偏光成
分に対する反射率が10％以下となるように構成さ
れたことを特徴とする光磁気記録読取系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16812382A JPS5956242A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光磁気記録読取系 |
| US06/535,698 US4639816A (en) | 1982-09-27 | 1983-09-26 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16812382A JPS5956242A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光磁気記録読取系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956242A JPS5956242A (ja) | 1984-03-31 |
| JPH0237614B2 true JPH0237614B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=15862271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16812382A Granted JPS5956242A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 光磁気記録読取系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956242A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6124041A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16812382A patent/JPS5956242A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF APPLIED PHYSICS KERP-EFFECT ENHANCEMENT AND IMPROVEMENT OF READOUT CHARACTERISTICS IN MNBIFILM MEMORY=1974 * |
| JOURNAL OF APPLIED PHYSICS KERR-EFFECT ENHANCEMENT AND IMPROVEMENT OF READOUT CHARACTERISTICS IN MNBIFILM MEMORY=1974 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956242A (ja) | 1984-03-31 |
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