JPS61242356A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS61242356A JPS61242356A JP8364285A JP8364285A JPS61242356A JP S61242356 A JPS61242356 A JP S61242356A JP 8364285 A JP8364285 A JP 8364285A JP 8364285 A JP8364285 A JP 8364285A JP S61242356 A JPS61242356 A JP S61242356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dielectric
- vapor deposition
- substrate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、書き込み、再生、消去できるメモリー媒体で
ある光磁気ディスクに関する。
ある光磁気ディスクに関する。
光学的に透明で、均一な厚み金有する基板に、誘電体か
ら成る反射増加膜を形成し、さらに前記反射増加膜の上
に、希土類金属と遷移金属とから成り、前記基板に垂直
な方向に磁気異方性を有するアモルファス薄膜を形成す
るものであり、これによって反射光量が増大するため、
フォーカスエラー信号、トラックエラー信号の電流揖幅
を犬きくでき、エラー感度全向上させることができる。
ら成る反射増加膜を形成し、さらに前記反射増加膜の上
に、希土類金属と遷移金属とから成り、前記基板に垂直
な方向に磁気異方性を有するアモルファス薄膜を形成す
るものであり、これによって反射光量が増大するため、
フォーカスエラー信号、トラックエラー信号の電流揖幅
を犬きくでき、エラー感度全向上させることができる。
したがって、安定なサーボ特性が得られることになる。
さらに、メイン信号(磁区反転)を検出するPin P
hoto Diode のショットノイズの影響を小
さくすることができ、高いO/N比を得ることができる
。
hoto Diode のショットノイズの影響を小
さくすることができ、高いO/N比を得ることができる
。
〔従来の技術]
従来は、第2図に示すように、基板1にエンノ1ンスメ
ント効果をねらった誘電体透過増加膜、あるいは保護膜
としての誘電体層5を形成し、その上に、希土類金属と
遷移金属からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性金有す
るアモルファス薄膜3を形成し、さらに、保護層4を形
成した膜構造を有する光磁気ディスクが知られていた。
ント効果をねらった誘電体透過増加膜、あるいは保護膜
としての誘電体層5を形成し、その上に、希土類金属と
遷移金属からなる膜面に垂直な方向に磁気異方性金有す
るアモルファス薄膜3を形成し、さらに、保護層4を形
成した膜構造を有する光磁気ディスクが知られていた。
しかし、従来の光磁気ディスクでは、見かけのに6rr
回転角を大きくするエンハンスメント効果全ねらった
透過増加膜2′f:形成した場合、反射光量が非常に減
少するため、光磁気ディスクの性能全表わす性能指数/
Tθk (θに:Kerr回転角R:反射率)が大きく
なり得たとしても特に、Pin Photo Diod
e で信号検出するにはショットノイズの影響を受け
やすいことになる。さらに、反射光量が少ないことから
、フォーカスエラー信号、トラックエラー信号の感度が
低くなりサーボが不安定になるなどの問題点があった。
回転角を大きくするエンハンスメント効果全ねらった
透過増加膜2′f:形成した場合、反射光量が非常に減
少するため、光磁気ディスクの性能全表わす性能指数/
Tθk (θに:Kerr回転角R:反射率)が大きく
なり得たとしても特に、Pin Photo Diod
e で信号検出するにはショットノイズの影響を受け
やすいことになる。さらに、反射光量が少ないことから
、フォーカスエラー信号、トラックエラー信号の感度が
低くなりサーボが不安定になるなどの問題点があった。
そこで、本発明は、従来の上述のような欠点を解決する
ため、フォーカスエラー信号、トランクエラー信号の感
度を向上させ、さらに、ショットノイズの影響を小さく
することによって、高いc/N比を得ることを目的とし
ている。
ため、フォーカスエラー信号、トランクエラー信号の感
度を向上させ、さらに、ショットノイズの影響を小さく
することによって、高いc/N比を得ることを目的とし
ている。
〔問題点を解決するための手段j
上記問題点を解決するために、本発明は、基板上に、誘
電体透過増加膜の代りに誘電体反射増加膜を形成するこ
とによって、反射光量を増大させた。
電体透過増加膜の代りに誘電体反射増加膜を形成するこ
とによって、反射光量を増大させた。
上記のように構成された光磁気ディスクでは、誘電体反
射増加膜によって、反射光量が増大するため、フォーカ
スエラー信号、トランクエラー信号の電流振@を大きく
でき、エラー感度全向上させることができる。したがっ
て、安定なサーボ特性が得られることになる。さらに、
メイン信号(磁区反転)t−検出するPin Phot
o Diode のショットノイズの影響を小さくする
ことができ、高いO/N比を得ることができる。
射増加膜によって、反射光量が増大するため、フォーカ
スエラー信号、トランクエラー信号の電流振@を大きく
でき、エラー感度全向上させることができる。したがっ
て、安定なサーボ特性が得られることになる。さらに、
メイン信号(磁区反転)t−検出するPin Phot
o Diode のショットノイズの影響を小さくする
ことができ、高いO/N比を得ることができる。
〔実施例J
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
1図において、基板1に、S10.あるいλ はZnS 等のm’s体を用いてi(λ:レーザ波長
)厚に蒸着あるいは、スパッタリングによって反射増加
膜2を形成する。さらに、希土類金属と遷移金鳴とから
成り、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有するアモルフ
ァス薄膜3t−同様に、蒸着あるいはスパッタリングに
よって形成し、さらに、誘電体である保護層4を同様に
蒸着あるいはスノくツλ タリングによって形成する。このように、−厚の誘電体
反射増加膜2を形成することで干渉効果によって反射光
量が増大する。したがって、再生装置で本発明の光磁気
ディスクを再生した場合、フォーカスエラー信号および
トランクエラー信号の感度が高くなり、安定なサーボ特
性を得ることが可能になる。
1図において、基板1に、S10.あるいλ はZnS 等のm’s体を用いてi(λ:レーザ波長
)厚に蒸着あるいは、スパッタリングによって反射増加
膜2を形成する。さらに、希土類金属と遷移金鳴とから
成り、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有するアモルフ
ァス薄膜3t−同様に、蒸着あるいはスパッタリングに
よって形成し、さらに、誘電体である保護層4を同様に
蒸着あるいはスノくツλ タリングによって形成する。このように、−厚の誘電体
反射増加膜2を形成することで干渉効果によって反射光
量が増大する。したがって、再生装置で本発明の光磁気
ディスクを再生した場合、フォーカスエラー信号および
トランクエラー信号の感度が高くなり、安定なサーボ特
性を得ることが可能になる。
ただし、反射増加膜2による干渉効果は光磁気効果であ
るKerr 回転角全見かけ上小さくする作用を持つこ
とになる。しかし、実際上の信号強度(反射光の信号電
気ベクトルの大きさ)にはほとんど変化はない。次に、
この信号電気ベクトルがPin Phot Diode
に入射し、光束流を流す際にショットノイズを有してい
るわけであるが、実際の信号電気ベクトルは直流成分を
有しており、この直流成分が大きい場合1、Pin P
hodeのショットノイズが小さくなる。したがって、
反射増加膜2によって反射光量を増大させ、再生装置に
おいて、安定なサーボ特性が得られ、さらに、Pin
Phot。
るKerr 回転角全見かけ上小さくする作用を持つこ
とになる。しかし、実際上の信号強度(反射光の信号電
気ベクトルの大きさ)にはほとんど変化はない。次に、
この信号電気ベクトルがPin Phot Diode
に入射し、光束流を流す際にショットノイズを有してい
るわけであるが、実際の信号電気ベクトルは直流成分を
有しており、この直流成分が大きい場合1、Pin P
hodeのショットノイズが小さくなる。したがって、
反射増加膜2によって反射光量を増大させ、再生装置に
おいて、安定なサーボ特性が得られ、さらに、Pin
Phot。
Diodeのショットノイズによる信号劣化全抑制し、
高いO/N 比を実現することができるのである。
高いO/N 比を実現することができるのである。
〔発明の効果J
本発明は以上説明したように、反射増加膜を基板に形成
し、その上に希土類−遷移金Fl−らなるアモルファス
薄膜を形成するという簡単な膜構造で再生装置における
安定なサーボ特性と高いc/N比を実現できる効果があ
る。
し、その上に希土類−遷移金Fl−らなるアモルファス
薄膜を形成するという簡単な膜構造で再生装置における
安定なサーボ特性と高いc/N比を実現できる効果があ
る。
第1図は本発明にかかる光磁気ディスクの膜構造を示し
た断面図、 第2図は従来の光磁気ディスクの膜構造を示した断面図
である。 1・・・基板 2・・・反射増加膜3・・・
アモルファス薄膜 以 上
た断面図、 第2図は従来の光磁気ディスクの膜構造を示した断面図
である。 1・・・基板 2・・・反射増加膜3・・・
アモルファス薄膜 以 上
Claims (1)
- 光学的に透明で、均一な厚みを有する基板に、誘電体か
ら成る反射増加膜を形成し、さらに前記反射増加膜の上
に、希土類金属と遷移金属とから成り、前記基板に垂直
な方向に磁気異方性を有するアモルファス薄膜を形成し
たことを特徴とする光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8364285A JPS61242356A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8364285A JPS61242356A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61242356A true JPS61242356A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13808100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8364285A Pending JPS61242356A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61242356A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5449590A (en) * | 1991-06-04 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Multiple data surface optical data storage system |
US5666344A (en) * | 1991-06-04 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Multiple data surface optical data storage system |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8364285A patent/JPS61242356A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5449590A (en) * | 1991-06-04 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Multiple data surface optical data storage system |
US5666344A (en) * | 1991-06-04 | 1997-09-09 | International Business Machines Corporation | Multiple data surface optical data storage system |
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