JPS60163406A - 金属酸化物磁性体及び磁性膜 - Google Patents
金属酸化物磁性体及び磁性膜Info
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- JPS60163406A JPS60163406A JP1923684A JP1923684A JPS60163406A JP S60163406 A JPS60163406 A JP S60163406A JP 1923684 A JP1923684 A JP 1923684A JP 1923684 A JP1923684 A JP 1923684A JP S60163406 A JPS60163406 A JP S60163406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
抜１北１
本発明は新規な金属酸化物磁性体及びそれよりなる磁性
膜に関する。
膜に関する。
負」１１籠
近年、半導体レーザー光により磁気記録を行なう光磁気
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体１例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半
導体レーザー光によって高速度（周波数ｌＭＨｚにおい
て）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁性
体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防＋ｈするため、非晶質磁性膜上に
ｓｉｏ、ｓｉｏ、等の保１ＷＩＩｌｉを設ける（形成法
は磁性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等に
よる）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形
成時、真空中に残存する０７、基板面に吸着されたＯＰ
、）ｌ、Ｃ）等及び合金磁性体のターゲット中に含まれ
るＯ、、）（、Ｏ等により経時と共に磁性膜が酸化腐食
される上、記録時の光及び熱により更にこの酸化腐食は
促進される。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化さ
れ易く、そのために磁気特性の劣化を来たし、易いとい
う欠点を有する。更に再生出力を向上するための再生方
式として磁性膜をできるだけ厚くし、その上にＣｕ ＋
Ａ Ｑ ＋ Ｐ ｔ 、Ａ ｕ等の反射膜を設け、レ
ーザー光を磁性膜に照射透過させた後、反射膜で反射さ
せ、この反射光を検出する反射型ファラデ一方式は高Ｓ
／Ｎの信号が得られるという点で有利であるが、従来の
非晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方式に用いる
ことができないものであった。
記録媒体が高密度記録用として研究開発されている。従
来、光磁気記録媒体に用いられる磁性体としては希土類
金属と遷移金属との非晶質合金からなるものが多い。こ
のような非晶質合金磁性体を用いて光磁気記録媒体を作
るには一般にガラス板のような基板上に前記磁性体１例
えばＴｂ−Ｆｅ合金を真空蒸着、スパッタリング等の方
法で厚さ０．１〜１μｍ程度に付着させて磁性膜を形成
している。こうして得られる光磁気記録媒体への記録、
再生は次のようにして行なわれる。即ち記録は磁性膜の
キュリ一温度又は補償温度近傍における温度変化に対応
した保磁力の急激な変化特性を利用して２値信号で変調
されたレーザー光を磁性膜に照射加熱して磁化の向きを
反転させることにより行なわれる。また再生はこうして
反転記録された磁性膜の磁気光学効果の差を利用して読
出すことにより行なわれる。前述のような非晶質合金磁
性体を用いた光磁気記録媒体は記録感度が高いため、半
導体レーザー光によって高速度（周波数ｌＭＨｚにおい
て）で記録できるという利点はあるが、非晶質合金磁性
体、特に希土類金属成分は酸化腐食を受け易いので、経
時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという大きな
欠点がある。これを防＋ｈするため、非晶質磁性膜上に
ｓｉｏ、ｓｉｏ、等の保１ＷＩＩｌｉを設ける（形成法
は磁性膜の場合と同様、真空蒸着、スパッタリング等に
よる）ことも知られているが、磁性膜或いは保護膜の形
成時、真空中に残存する０７、基板面に吸着されたＯＰ
、）ｌ、Ｃ）等及び合金磁性体のターゲット中に含まれ
るＯ、、）（、Ｏ等により経時と共に磁性膜が酸化腐食
される上、記録時の光及び熱により更にこの酸化腐食は
促進される。また非結晶質磁性体は熱によって結晶化さ
れ易く、そのために磁気特性の劣化を来たし、易いとい
う欠点を有する。更に再生出力を向上するための再生方
式として磁性膜をできるだけ厚くし、その上にＣｕ ＋
Ａ Ｑ ＋ Ｐ ｔ 、Ａ ｕ等の反射膜を設け、レ
ーザー光を磁性膜に照射透過させた後、反射膜で反射さ
せ、この反射光を検出する反射型ファラデ一方式は高Ｓ
／Ｎの信号が得られるという点で有利であるが、従来の
非晶質磁性膜は透光性に欠けるため、この方式に用いる
ことができないものであった。
目 的
本発明の目的は記録感度が高く、しかも耐酸化腐食性及
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
び透光性に優れた、光磁気記録媒体用材料として特に好
適な新規な金属酸化物磁性体及びこの金属酸化物磁性体
よりなる磁性膜を提供することである。
構 成
本発明の金属酸化物磁性体は一般式（Ｉ）ＭｅＯ−ｎ
（Ｃｒｘ−１ｎｙ Ｆｅ＋＋ 、−＋ Ｘ４ ｙ＋ Ｃ
’＊ ）（但しＭｅ ＝ Ｂａ又はＳｒ、’０＜ｘ≦０
．８゜０ ＜ ｙ≦０．６．５≦ｎ≦６） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
（Ｃｒｘ−１ｎｙ Ｆｅ＋＋ 、−＋ Ｘ４ ｙ＋ Ｃ
’＊ ）（但しＭｅ ＝ Ｂａ又はＳｒ、’０＜ｘ≦０
．８゜０ ＜ ｙ≦０．６．５≦ｎ≦６） で示されるものであり、また磁性膜は前記一般式の金属
酸化物磁性体よりなるものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にとのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｃについては３００〜６０００エルス
テツドと考えられる。これはＴｃが１００℃以下では記
録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安定に
なって再生特性の劣化原因となり、また、３５０℃以上
では半導体レーザー光による記録が困難であり、一方、
Ｈｃが３００エルステツド以下ではメモリーが不安定と
なって消失する可能性があり、また６０００工ルステツ
ド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力や外
部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
体レーザー光によって記録、再生可能な磁気光学特性（
適正なキュリ一温度、保磁力等）を備えていなければな
らないが、特に高い記録感度を得るためにキュリ一温度
Ｔｃが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Ｈｃが適度に高いことが必要である。一般
にとのＴｃ及びＨｅの適正範囲はＴｃについては１００
〜３５０℃、 Ｈｃについては３００〜６０００エルス
テツドと考えられる。これはＴｃが１００℃以下では記
録したメモリーが再生時のレーザー光によって不安定に
なって再生特性の劣化原因となり、また、３５０℃以上
では半導体レーザー光による記録が困難であり、一方、
Ｈｃが３００エルステツド以下ではメモリーが不安定と
なって消失する可能性があり、また６０００工ルステツ
ド以上では記録時の磁化反転に必要なレーザー出力や外
部磁界が大きくなり、好ましくないからである。
一方、従来より磁気バブル材料として金属酸化物磁性体
が研究されている。このうち六方晶系のものでは例えば 一般式（２） ％式％ （但しＭｅ＋ ｎは一般式（］）に同じ）で示されるシ
のが知られている。本発明者らはこの挿め磁性体がそれ
自体、酸化物であるため。
が研究されている。このうち六方晶系のものでは例えば 一般式（２） ％式％ （但しＭｅ＋ ｎは一般式（］）に同じ）で示されるシ
のが知られている。本発明者らはこの挿め磁性体がそれ
自体、酸化物であるため。
酸化劣化の恐れがなく、シかもｌか厚ＩＯμｍとしても
透光性を備えていることに注目した。しかしこれらはキ
ュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上と高いため、前述のよう
に半導体レーザーｙ６による記録は困難であり、そのま
までは光磁気記録媒体用材料として適用できない。そこ
で本発明者らは種々検討したところ、一般式（２）の中
のＦｅ原子の一部をＣｒ又はＩｎ原子で置換すると、Ｃ
ｒ置換、Ｉｎ［換のいずれの場合もＴｃが低下すること
を見出した。同時にＨｃについてはＣｒ置換の場合は増
大するが、Ｉｎ置換の場合は低下することを見出した。
透光性を備えていることに注目した。しかしこれらはキ
ュリ一温度Ｔｃが４５０℃以上と高いため、前述のよう
に半導体レーザーｙ６による記録は困難であり、そのま
までは光磁気記録媒体用材料として適用できない。そこ
で本発明者らは種々検討したところ、一般式（２）の中
のＦｅ原子の一部をＣｒ又はＩｎ原子で置換すると、Ｃ
ｒ置換、Ｉｎ［換のいずれの場合もＴｃが低下すること
を見出した。同時にＨｃについてはＣｒ置換の場合は増
大するが、Ｉｎ置換の場合は低下することを見出した。
例えばＣ「又はＩｎ置換体ＢａＦｅ、、−、ｚ Ｍ７０
．９（ＭはＣｒ又はＩｎ、ＺはＣｒ又はＩｎの置換数を
表わす。）はＴＣについては第１図のような傾向を示し
、またについては第２図のような傾向を示した。そこで
本発明者らはこのようなＣｒ及びＩｎの置換効果に着目
し、更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求さ
れるＴｃ及びＨｃの前記適正範囲を考慮して一般式（２
）のＦｅの一部をＣｒ及びＩｎの２種の金属で種々の割
合で置換した結果、一般式（１）の金属酸化物磁性体が
光磁気記録媒体として優れた特性を与えることを見出し
１本発明に到達した。
．９（ＭはＣｒ又はＩｎ、ＺはＣｒ又はＩｎの置換数を
表わす。）はＴＣについては第１図のような傾向を示し
、またについては第２図のような傾向を示した。そこで
本発明者らはこのようなＣｒ及びＩｎの置換効果に着目
し、更に光磁気記録媒体用の磁性体又は磁性膜に要求さ
れるＴｃ及びＨｃの前記適正範囲を考慮して一般式（２
）のＦｅの一部をＣｒ及びＩｎの２種の金属で種々の割
合で置換した結果、一般式（１）の金属酸化物磁性体が
光磁気記録媒体として優れた特性を与えることを見出し
１本発明に到達した。
このように本発明は、特にキュリ一温度が高いため、光
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＣｒ及びＩｎ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、こう
して光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした
ものである。
磁気記録媒体用材料として顧みられなかった一般式（２
）の金属酸化物中のＦｅ原子の一部をＣｒ及びＩｎ原子
で置換することによって、メモリーに要求される適度に
高い保磁力を維持しながら、キュリ一温度を低下せしめ
て半導体レーザー光による記録、再生を可能にし、こう
して光磁気記録媒体用材料として適用できるようにした
ものである。
以上の説明から判るように本発明の金属酸化物磁性体は
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一温
度範囲及び適市保磁力範囲を満足するものである。
光磁気記録媒体用材料として要求される適正キュリ一温
度範囲及び適市保磁力範囲を満足するものである。
例えばＢ ａＣｒｘ’ Ｉｎｙ’ Ｆｅ＋？−（ｘ’
ａ−ｖ’ ＋ Ｃ）ｑ（但しＸ′はＣｒ置換数、Ｙ′は
Ｉｎ［ｉ換数）ではＴｃは第３図に示すように、Ｃｒの
置換数Ｘ′が２．０５で、且つＩｎの置換数Ｙ′か２．
０の時２１８０℃であり、またＨｃは第４図に示すよう
に、Ｃｒの置換数Ｘ′が２．０５で、且つＩｎ０１［換
数Ｙ′が２．０の時、約２．９にエルステッドである。
ａ−ｖ’ ＋ Ｃ）ｑ（但しＸ′はＣｒ置換数、Ｙ′は
Ｉｎ［ｉ換数）ではＴｃは第３図に示すように、Ｃｒの
置換数Ｘ′が２．０５で、且つＩｎの置換数Ｙ′か２．
０の時２１８０℃であり、またＨｃは第４図に示すよう
に、Ｃｒの置換数Ｘ′が２．０５で、且つＩｎ０１［換
数Ｙ′が２．０の時、約２．９にエルステッドである。
これらのＴｃ及びＨｅ特性により本発明の金属酸化物磁
性体又は磁性膜は半導体レーザー九により記録、再生を
行なう光磁気記録媒体用材料として適用できることは勿
論、キュリ一温度か低いため、記録感度が高い、Ｌ−１
耐酸他席食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
性体又は磁性膜は半導体レーザー九により記録、再生を
行なう光磁気記録媒体用材料として適用できることは勿
論、キュリ一温度か低いため、記録感度が高い、Ｌ−１
耐酸他席食性及び透光性を備えている等の特長を持って
いる。
本発明の金属酸化物磁性体を作るには夫々所定量のＢａ
Ｃ０＊ ｌ又は５ｒＣＯ，とＦｅ、Ｃ）。
Ｃ０＊ ｌ又は５ｒＣＯ，とＦｅ、Ｃ）。
とＣｒ、Ｏ，とＩｎ、Ｏ，とを混合粉砕し、これを適当
な形状の金型に入れて成型後、１２００〜１４００℃の
温度で焼結すればよい。
な形状の金型に入れて成型後、１２００〜１４００℃の
温度で焼結すればよい。
以上のようにして得られる本発明の金属酸化物磁性体の
具体例としては Ｂ ａ０６．０ ［Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、、 Ｆｅ、、
Ｏ，］ 。
具体例としては Ｂ ａ０６．０ ［Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、、 Ｆｅ、、
Ｏ，］ 。
Ｂａ０６．０（Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、Ｆｅ、、Ｏ，）ＩＢ
ｎ ０５．６ ［Ｃｒ１１４ ｒ ”ｅ、Ｉｆ Ｆ
％＠、０．〕。
ｎ ０５．６ ［Ｃｒ１１４ ｒ ”ｅ、Ｉｆ Ｆ
％＠、０．〕。
Ｓ ｒ０６．０ （Ｃｒ、、’ Ｉ ｎ、、、Ｆ ｅ、
、 Ｏ＊ ） 。
、 Ｏ＊ ） 。
Ｓｒ ０５．６ （Ｃｒ、、Ｉ ｎＤ、、 Ｆ ｅ、、
、（Ｌ ］ １Ｂａ０５．８ ［Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、
Ｆｅ、、、 Ｏｌ） ＋Ｒａ Ｏ５＝ ７ （Ｃ’＃Ｊ
Ｉ ｎ １１．！ ｒ Ｃｔ、６０ ＊ ） 。
、（Ｌ ］ １Ｂａ０５．８ ［Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、
Ｆｅ、、、 Ｏｌ） ＋Ｒａ Ｏ５＝ ７ （Ｃ’＃Ｊ
Ｉ ｎ １１．！ ｒ Ｃｔ、６０ ＊ ） 。
Ｓ ｒ Ｏ５−８（Ｃ’１９ ］ ｒｌ ｏ７．Ｆ ％
Ｑｊ Ｃ’ １］ 。
Ｑｊ Ｃ’ １］ 。
Ｓ ｒ０６．ｏ （Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、 Ｂ ｉ、、、
Ｆｅ、、 ｏｌ） ＩＢ ａ Ｏ６−０（Ｃｒ、、Ｉ
ｎｅ、ｔ Ｃｎ、 （／ Ｆ ｅｔ＊ （）＊ ］
＋Ｓ ｒ０６．ｏ （Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、、 Ｓｍ、、
Ｆｅ、、、 ｏｔ ）等が挙げられる。
Ｆｅ、、 ｏｌ） ＩＢ ａ Ｏ６−０（Ｃｒ、、Ｉ
ｎｅ、ｔ Ｃｎ、 （／ Ｆ ｅｔ＊ （）＊ ］
＋Ｓ ｒ０６．ｏ （Ｃｒ、、Ｉ ｎ、、、 Ｓｍ、、
Ｆｅ、、、 ｏｔ ）等が挙げられる。
なお本発明の金属酸化物磁性体にはファラデー回転角を
更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ、Ｂ
ｉ、Ｖ、１．ａ、’／＋ Ｙｈ、Ｓｔｎ。
更に増大して磁気光学特性を改善するためにＣｏ、Ｂ
ｉ、Ｖ、１．ａ、’／＋ Ｙｈ、Ｓｔｎ。
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ等の金属を添加することができる。
本発明の金属酸化物磁性体を用いて磁性膜を作るには、
基板の種類にもよるが、一般にｔＩｔ板」二に二の磁性
体をターゲットとして基板温Ｊ「５００〜７００℃で真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方
法で１厚厚０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。
基板の種類にもよるが、一般にｔＩｔ板」二に二の磁性
体をターゲットとして基板温Ｊ「５００〜７００℃で真
空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方
法で１厚厚０．１〜１０μｍ程度に付着させればよい。
こうして第５図に示すように基板１」二に、垂直磁化さ
れた磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる９なお
場合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で
行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、こ
れに５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を印
加しながら、行なって垂直磁化させる必要がある。ここ
で基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐熱
性金属；石英ガラス： ＧＧＧ ；サファイヤ；リチウ
１１タンタレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガ
ラス：バイコールガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン；ΔＱ、０１゜ ＡＱ、Ｏ，・ＭｇＯ，Ｍｇ０＝ Ｉ、ｉ Ｆ、Ｙ、Ｏｌ
・Ｌ ｉ Ｆ、ＢｅＯ，ＺｒＯ，、’ Ｙ、、Ｏ，、Ｔ
ｈＯ，’ＣａＯ等の透明セラミック材；無機シリコン材
（例えば東芝シリコン社製トスガード、住友化学社製ス
ミセラムＰ）等が使用できる。
れた磁性膜２を有する光磁気記録媒体が得られる９なお
場合によっては磁性膜の形成は基板温度５００℃未満で
行なうこともできる。但しこの場合は磁性膜形成後、こ
れに５００〜８００℃の熱処理を、場合により磁界を印
加しながら、行なって垂直磁化させる必要がある。ここ
で基板の材料としては一般にアルミニウムのような耐熱
性金属；石英ガラス： ＧＧＧ ；サファイヤ；リチウ
１１タンタレート；結晶化透明ガラス；パイレックスガ
ラス：バイコールガラス；表面を酸化処理し又は処理し
ない単結晶シリコン；ΔＱ、０１゜ ＡＱ、Ｏ，・ＭｇＯ，Ｍｇ０＝ Ｉ、ｉ Ｆ、Ｙ、Ｏｌ
・Ｌ ｉ Ｆ、ＢｅＯ，ＺｒＯ，、’ Ｙ、、Ｏ，、Ｔ
ｈＯ，’ＣａＯ等の透明セラミック材；無機シリコン材
（例えば東芝シリコン社製トスガード、住友化学社製ス
ミセラムＰ）等が使用できる。
本発明の磁性膜は第５図のような単層型光磁気記録媒体
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５
はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８
は耐熱層である。ここでガイド１−ラック付き基板１′
は前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フォト
エツチング法等により加工して作られる。なお基板のガ
イドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するも
のである。反射膜３はＣｕ、ＡＱ、ＡＫ、ΔＵ、ハＱＮ
。
に限らず、従来公知のすべての多層型光磁気記録媒体に
適用できる。この種の多層型の例としては第６〜９図に
示すような構成のものが挙げられる。図中、１′はガイ
ドトラック付き基板、３は反射膜、４は透明誘電層、５
はガイドトラック層、６は保護膜、７は透明接着層、８
は耐熱層である。ここでガイド１−ラック付き基板１′
は前述のような有機材料を射出成型、押出成型、フォト
エツチング法等により加工して作られる。なお基板のガ
イドトラックは記録、再生時のレーザー光を案内するも
のである。反射膜３はＣｕ、ＡＱ、ＡＫ、ΔＵ、ハＱＮ
。
ＧａＮ、ＢＮ、ＺｒＮ、ＴｈＮ、Ｐｔ、ＴｅＯｘ、Ｔｅ
Ｃ。
Ｃ。
５ｅＡｓ、ＴｅＡｓ、ＴｉＮ、ＴａＮ＋ ＣｒＮ＋シア
ニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚
５００〜１００００人程度に付着させることにより形成
される。なおこの反射膜は。
ニン染料、フタロシアニン染料等を真空蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング等の方法で対象面に膜厚
５００〜１００００人程度に付着させることにより形成
される。なおこの反射膜は。
磁性膜を透過したレーザー光を反射し、再び磁性膜を透
過することによるファラデー効果を増大させる目的で設
けられる。透明誘電層４はＳｉｎ、、ＳｉＯ，Ｍ＜０．
ＺｒＯ，、Ｂｉ、Ｏ，。
過することによるファラデー効果を増大させる目的で設
けられる。透明誘電層４はＳｉｎ、、ＳｉＯ，Ｍ＜０．
ＺｒＯ，、Ｂｉ、Ｏ，。
ＴｉＯ＋ ＋ Ｔ ｉｏ、Ｃｅｎ２．ＨｆＯ７，ＲｅＯ
＋ＭＫＦ、Ｔｈｅ、、Ｓ ｉｔ Ｎａ等を前記と同様な
方法で対象面に膜厚約０．０５〜０．５μ信程度にイー
１着させることにより形成される。なおこの透明誘電層
はファラデー回転角を増大させて再生出力を向上する目
的で設けら九る。ガイドトラック層５は対象面に紫外線
硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着
しながら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させること
により形成される。保！！！膜６はアクリル樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、ポリカーボネ−１へ樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ
、Ｓ ｉ、Ｎ４．ＴａＮ＋ Ｓ ｉｏ、。
＋ＭＫＦ、Ｔｈｅ、、Ｓ ｉｔ Ｎａ等を前記と同様な
方法で対象面に膜厚約０．０５〜０．５μ信程度にイー
１着させることにより形成される。なおこの透明誘電層
はファラデー回転角を増大させて再生出力を向上する目
的で設けら九る。ガイドトラック層５は対象面に紫外線
硬化性樹脂を塗布した後、ガイド溝を有する金型を圧着
しながら、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させること
により形成される。保！！！膜６はアクリル樹脂、ポリ
ウレタン樹脂、ポリカーボネ−１へ樹脂、ポリエーテル
スルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、ＴｉＮ
、Ｓ ｉ、Ｎ４．ＴａＮ＋ Ｓ ｉｏ、。
ＳｉＯ等を樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で対象面に膜厚約０．１．−１ｏμｍ程度に付着させる
ことにより形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保
護する目的で設けられる。透明接着層７は１反射膜３を
設けたガイドトラック付き基板ビの反射膜と磁性膜２を
設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりなるので、
「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性１１１！２とを接合するための層である。なお耐熱
層８は前述のような無機材料よりなるので、基板ｌに相
当するが、ここでは磁性１ＩＳＩ２の耐熱性向上の目的
で設けられる。厚さは約１０〜５００μｍ程度が適当で
ある。
蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の方法
で対象面に膜厚約０．１．−１ｏμｍ程度に付着させる
ことにより形成される。なおこの保護膜は反射膜３を保
護する目的で設けられる。透明接着層７は１反射膜３を
設けたガイドトラック付き基板ビの反射膜と磁性膜２を
設けた耐熱層８（この層は前記無機材料よりなるので、
「磁性膜を設けた耐熱層」とは前記単層型光磁気記録材
料のことである。）の磁性膜とをエポキシ樹脂、ポリウ
レタン、ポリアミド等の樹脂で約２〜１００μｍ厚程度
に接着することにより形成される。即ちこの透明接着層
は単に基板１′上の反射膜３と単層型光磁気記録材料の
磁性１１１！２とを接合するための層である。なお耐熱
層８は前述のような無機材料よりなるので、基板ｌに相
当するが、ここでは磁性１ＩＳＩ２の耐熱性向上の目的
で設けられる。厚さは約１０〜５００μｍ程度が適当で
ある。
本発明の磁性膜を用いた以上のような光磁気記録媒体へ
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
の記録、再生は従来と同じく磁性膜又は基板側から変調
又は偏向されたレーザー光を照射して行なわれる。
効 果
本発明の金属酸化物磁性体又は磁性膜は光磁気記録媒体
用材料として適正なＴ ｃ及びＨｃを有し、記録感度が
高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及
び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化が
なく、月つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出
力の高いファラデー回転角を利用して再生することがで
きる。
用材料として適正なＴ ｃ及びＨｃを有し、記録感度が
高いにも拘わらず、従来品にはなかった耐酸化腐食性及
び透明性を備えているので、磁気光学特性の経時劣化が
なく、月つ再生時に透過光も利用でき、このため再生出
力の高いファラデー回転角を利用して再生することがで
きる。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１〜】】
下記表に示した組成のターゲットを各々用いて１石英基
板上に膜厚５００人のＡｇを蒸着し、。
板上に膜厚５００人のＡｇを蒸着し、。
更らにこの上に膜性１０００人のＳｉｎ、をスパッタリ
ング法で被覆したのち、Ａｒ分圧２ 、 ＯｎｔｎＴｏ
ｒｒ、０７分圧０．３ｎｗＩＩＴ ｏ ｒ ｒ、放電々
力０．３５ＫＷ、基板温度５２０〜７００℃の条件で２
時間スパッタリングして０，３μｍ厚の磁性膜を形成し
、これら磁性膜のキュリー塩素Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測
定した結果を下表に示す。
ング法で被覆したのち、Ａｒ分圧２ 、 ＯｎｔｎＴｏ
ｒｒ、０７分圧０．３ｎｗＩＩＴ ｏ ｒ ｒ、放電々
力０．３５ＫＷ、基板温度５２０〜７００℃の条件で２
時間スパッタリングして０，３μｍ厚の磁性膜を形成し
、これら磁性膜のキュリー塩素Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測
定した結果を下表に示す。
次に以上のようにして得られた各光磁気記録媒体を一方
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の０．５ＫＯｅの
磁界を印加しながら、出力２０ＩＩ１ｗの半導体レーザ
ー光を記録媒体表面での強度１０１及び周波数Ｉ Ｍ
Ｈｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したとこ
ろ、いずれもピッｌ−径約１．５μ−の記録ビットが形
成された。
向に磁化させ、この磁化の方向とは逆の０．５ＫＯｅの
磁界を印加しながら、出力２０ＩＩ１ｗの半導体レーザ
ー光を記録媒体表面での強度１０１及び周波数Ｉ Ｍ
Ｈｚのパルスで照射して磁気反転せしめ、記録したとこ
ろ、いずれもピッｌ−径約１．５μ−の記録ビットが形
成された。
第１図及び第２図は夫々、金属酸化物磁性体Ｂ ａ Ｆ
ｅ １７− Ｚ Ｍ ７．０１９ （ＭはＣｒ又はＩ
ｎ、ＺはＣｒ又はＩｎの置換数）におけるＣｒ又はＩｎ
の置換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅとの関
係図、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 Ｂ ａＣｒＸ’ Ｉｎｖ ’ Ｆｅ、、−ｆ ｘ ’
＋、ｖ ’ ＋ Ｏ＋ｑ （Ｘ’はＣｒの置換数、Ｙ′
はＩｎの置換数）におけるＩｎの置換数Ｙ′と、Ｔｃ及
びト［ｃとの関係図、第５〜９図は夫々本発明の磁性体
又は磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例の構成図であ
る。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・ガイドトラック層６・・・
保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐 熱 層 扇１図 筋２図 懲４図 鴨５図 千７（２） ち９回 兜６０ 第８図
ｅ １７− Ｚ Ｍ ７．０１９ （ＭはＣｒ又はＩ
ｎ、ＺはＣｒ又はＩｎの置換数）におけるＣｒ又はＩｎ
の置換数Ｚと、キュリ一温度Ｔｃ及び保磁力Ｈｅとの関
係図、第３図及び第４図は夫々、金属酸化物磁性体 Ｂ ａＣｒＸ’ Ｉｎｖ ’ Ｆｅ、、−ｆ ｘ ’
＋、ｖ ’ ＋ Ｏ＋ｑ （Ｘ’はＣｒの置換数、Ｙ′
はＩｎの置換数）におけるＩｎの置換数Ｙ′と、Ｔｃ及
びト［ｃとの関係図、第５〜９図は夫々本発明の磁性体
又は磁性膜を用いた光磁気記録媒体の一例の構成図であ
る。 ｌ・・・基 板 １′・・・ガイドトラック付き基板 ２・・・磁性膜 ３・・・反射膜 ４・・・透明誘電層 ５・・ガイドトラック層６・・・
保 護 膜 ７・・・透明接着層８・・・耐 熱 層 扇１図 筋２図 懲４図 鴨５図 千７（２） ち９回 兜６０ 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 一般式 ％式％） ） で示される金属酸化物磁性体。 ２、一般式 ％式％］ （但し阿ｅ＝Ｂａ又はＳｒ、 ０＜Ｘ≦０．８゜０＜Ｙ
≦０．６ ．５≦口≦６） で示される金属酸化物磁性体よりなる磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923684A JPS60163406A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1923684A JPS60163406A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163406A true JPS60163406A (ja) | 1985-08-26 |
Family
ID=11993750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1923684A Pending JPS60163406A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 金属酸化物磁性体及び磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538801A (en) * | 1989-11-13 | 1996-07-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetooptical recording medium |
-
1984
- 1984-02-03 JP JP1923684A patent/JPS60163406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538801A (en) * | 1989-11-13 | 1996-07-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetooptical recording medium |
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