JPS61111512A - 薄膜ヘツド基板用Ｎｉ−Ｚｎフエライト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、薄膜ヘッド基板用Ｎ１−ｚｎフェライトに
関する。

従来の技術 一般に薄膜ヘッド用基板としては、磁気特性及び加工性
が優れ、かつ電気抵抗値が２Ｏ３４９６ΩＣ以上と高い
ことが要望され、この要望を満足するものとして従来よ
りＮｉ　−Ｚｎ系フェライト（例えば特開昭５２年９６
５１９号）が提案されている。

発明が解決しようとする問題点 しかし、従来より周知のＮｉ　−ｚｎ系フェライトは上
記のごとく要望されている特性は備えてはいるが、フェ
ライトの粒内、粒界に微細欠陥が存在する。そのため、
薄膜ヘッド基板としてフェライト表面を精密加工すると
、加工面に微細孔が露出し、この微細孔が原因して薄膜
パターンの断線を来す恐れがある。そのため、現在はガ
ラス、あるいはアルミナ系の非磁性材料が薄膜ヘッド用
基板として実用されている。

発明が解決しようとする問題点 上記のごとく、薄膜ヘッド用基板としてはＮｉ　−Ｚｎ
系フェライトが優れた性質を有するにかかわらず、精密
加工後の加工面に微細孔が露出する欠点があって使用さ
れていない現状にかんがみ、その微細孔の発生がみられ
ず薄膜ヘッド用基板として使用し得るＮｌ　−ＺＱフェ
ライトを提案するものである。

問題点を解決するための手段 この発明は、Ｆｅ２０１４９．５〜５０モル％、Ｚｎ０
２５〜３５モル％、残部ＮｉＯからなり、密度は理論密
度の９９．９％以上で、２μｍ以上の微細孔のないＮ１
−Ｚｆｉ７エライトを要旨とする。

すなわち、この発明のＮｉ　　Ｚｎフェライトは、Ｎｉ
Ｏ、ＺｎＯ、ＦｅｚＯ３等の原料粉末を所要量配合し混
合したのち、仮焼、粉砕してプレス成型し、前焼結とし
て空気中、あるいは酸素中で１２Ｏ３４９０〜１３００
’Ｃに加熱したのち、圧力５００〜２０００　ｋｇ／ｃ
ｒｌ、温度２Ｏ３４９００〜１４００″Ｃ１保持時間０
．５〜５時間の条件で、不活性がス中にて熱間静水圧プ
レス処理し、必要により焼なましなどの熱処理を施して
製造される。

このようにして製造され、組成がＦ＠ｆｆ０１　４９．
５〜５０モル％、Ｚｎ０２５〜３５モル％、残部Ｎ４０
からなるＮ１−ｚｎフェライトは、密度が理論密度の９
９，９％以上で、２μｍＱ上の微細孔が粒内、粒界に存
在しない特徴がある。

又、この発明のＮｉ　　Ｚｎフェライトにおいては、電
気抵抗値増大のためＭｎＯ０，１〜１．０モル％、Ｃ０
００，１〜１．０モル％の１種又は２種を含有すること
ができる。

この発明において組成を限定した理由について説明する
。

Ｆ　ｅ、０．は４９．５モル％未満では基板表面にＺｎ
Ｏが析出し、薄膜ヘッド用基板として表面をメカノケミ
カル研磨などの精密加工を施す際、研磨面に微細孔を形
成する恐れがあり、又５０モル％を超えると電気抵抗が
低下するので、４９．５〜５０モル％とした。

ＺｎＯは２５モル％未満では保磁力ＨＣが大きく、透磁
率μが低ドして磁気特性が劣化し、又３５モル％を超え
るとキュリ一点が常温以下に低下し磁気特性が消失する
ので、２５〜３５モル％とした。

又、密度は理論密度の９９．９％未満では精密加工後の
加工面に微細孔が露出し、磁気特性が劣化すると共に、
薄膜パターンの断線等を生ずるので望ましくない。

さらに、径が２μｍ以上の微細孔がフェライト中に存在
すると薄膜パターンの断線、磁気特性の劣化を招くので
望ましくない。

実　　　施　　　例 第１表に示す組成が得られるように、各原料粉末を配合
し、よく混合させたのち、９００℃に加熱して仮焼し、
これを粒度０．８μｍに粉砕して型枠に詰め加圧力２ｔ
ｏｎ／ｃｌＩでプレス成型し、さらＩζ空気中で１１５
０℃に３時間加熱して前焼結したのち、アルゴン雰囲気
中で圧力１５００ｋｔ／ｄ、温度１１２０”Ｃ１保持時
間３時間の条件で熱間静水圧プレス処理してＮ１−Ｚｎ
フェライトを得た。

そのＮ１−　Ｚｎフェライトについて密度、電気抵抗値
、磁気特性、微細孔の状況（研磨面での観察）を調べた
。その結果を比較例と共に示す。

第　　　１　　　表 （単位；モル％） 第　　　２　　　表 ただし、理論密度％は、密度の理論密度Ｇこ対する割合
を示す。

上記結果より、この発明の実施番こよるもの（ま、密度
、電気抵抗が高（、磁気特性も優れており、しかも２μ
ｍ以上の微細孔は皆無で薄膜へ・ラド用基板として優れ
ていることがわかる。これ番こ対し、比較例１は微細孔
の発生が多く、又比較例２（ま微細孔は皆無であるが電
気抵抗値力ｆ低く、し）ずれも薄膜ヘッド用基板として
は不適当であること力（わかる。

発明の効果 この発明は、上記のごとく、Ｆｅ、０．及びＺｎＯを特
定範囲含有する組成のＮ１−ｚｎフェライトであって、
この特定の組成によって、密度は理論密度の９９．９％
以上とし、かつ電気抵抗が高く、磁気特性に優れており
、精密研磨面に２μｍ以上の微細孔が出現することなく
、薄膜ヘッド用基板として優れた特性を有するＮｉ　　
Ｚｎフェライトを製造できる。

自発手続補正書 昭和６０年１月９日 昭和５９年　特　許　願　第２３３６８３号２、発明の
名称 薄膜ヘッド基板用Ｎ１−ｚｎフェフィト３　補正をする
者 事件との関係　　　出願人　　　刊た１ヨ守大阪市東区
北浜５丁目２２番地 ４、代理人 ５、　　　　　　　の日付　昭和　　年　　月　　日６
、補正により増加する発明の数 １、明細書第５頁２行の「型枠」を「ダイス」と補正す
る。

２、明則書第５頁２Ｏ３４９行の［その結果を比較例と
共に示す。」を「その結果を比較例と共に第２、　表に
示す。」と補正する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｆｅ＿２Ｏ＿３４９．５〜５０モル％、ＺｎＯ２５〜３
   ５モル％、残部ＮｉＯからなり、密度は理論密度の９９
   ．９％以上で、２μｍ以上の微細孔のないことを特徴と
   する薄膜ヘッド基板用Ｎｉ−Ｚｎフェライト。