JP2001155460A - 磁気ディスク保持部材 - Google Patents
磁気ディスク保持部材Info
- Publication number
- JP2001155460A JP2001155460A JP33797899A JP33797899A JP2001155460A JP 2001155460 A JP2001155460 A JP 2001155460A JP 33797899 A JP33797899 A JP 33797899A JP 33797899 A JP33797899 A JP 33797899A JP 2001155460 A JP2001155460 A JP 2001155460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- crystal phase
- holding member
- glass
- ceramics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高精度でかつ静電気を除去することができ、し
かも熱膨張係数の制御が可能で高ヤング率を有する導電
性セラミックスおよびそれを用いた帯電防止部材を作製
する。 【解決手段】ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ
2Ｏ4の群から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を
１０〜８０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が
２．０μｍ以下で、かつ−５０〜８５℃における体積固
有抵抗が１０2〜１０10Ω・ｃｍであることを特徴とす
る導電性セラミックスを用いて磁気ディスク装置２０の
スペーサ１１、シム１０、クランプ１２等の帯電防止用
部材を作製する。
かも熱膨張係数の制御が可能で高ヤング率を有する導電
性セラミックスおよびそれを用いた帯電防止部材を作製
する。 【解決手段】ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ
2Ｏ4の群から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を
１０〜８０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が
２．０μｍ以下で、かつ−５０〜８５℃における体積固
有抵抗が１０2〜１０10Ω・ｃｍであることを特徴とす
る導電性セラミックスを用いて磁気ディスク装置２０の
スペーサ１１、シム１０、クランプ１２等の帯電防止用
部材を作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、帯電防止機能の
ある磁気ディスクを保持する保持部材に関する。
ある磁気ディスクを保持する保持部材に関する。
【０００２】
【従来技術】コンピュータの外部記録装置等として使用
される磁気ディスク装置は、図１に示すように、複数枚
の磁気ディスク基板１５をシム１０、スペーサ１１及び
クランプ１２で固定して、回転軸１３を回転させながら
磁気ヘッド１７にて磁気ディスク基板１５表面上に非接
触状態で情報の書き込みや読み取りを行うものである。
される磁気ディスク装置は、図１に示すように、複数枚
の磁気ディスク基板１５をシム１０、スペーサ１１及び
クランプ１２で固定して、回転軸１３を回転させながら
磁気ヘッド１７にて磁気ディスク基板１５表面上に非接
触状態で情報の書き込みや読み取りを行うものである。
【０００３】近年、このような磁気ディスク装置２０は
情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッド１７
と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気ディス
ク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求
されており、磁気ディスク基板１５を固定・保持するス
ペーサ１１、シム１０、及びクランプ１２等の保持部材
は熱膨張差に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止す
る為に、セラミックス、ガラスで形成することが検討さ
れている（特公平５−８０７４５号公報、特開昭６１−
１４８６６７号公報参照）。
情報が高密度で大容量化するに伴って、磁気ヘッド１７
と磁気ディスク基板１５との距離の極小化、磁気ディス
ク基板１５のより高度な平面化と表面の平滑化等が要求
されており、磁気ディスク基板１５を固定・保持するス
ペーサ１１、シム１０、及びクランプ１２等の保持部材
は熱膨張差に伴う磁気ディスク基板１５の歪みを防止す
る為に、セラミックス、ガラスで形成することが検討さ
れている（特公平５−８０７４５号公報、特開昭６１−
１４８６６７号公報参照）。
【０００４】しかしながら、上記保持部材を構成するセ
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料である為、こ
れらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持すると、
磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや書き
込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしま
うという問題があり、その対策として上記セラミックス
やガラス等の磁気ディスク基板１５との当接面にアルミ
ニウムや亜鉛などの金属膜を被覆して静電気を除去する
ことが考えられている。
ラミックスやガラスは一般的に絶縁性材料である為、こ
れらの保持部材で磁気ディスク基板１５を保持すると、
磁気ディスク基板１５が帯電し、情報の読み込みや書き
込みの際にノイズが発生して、記録内容を破壊してしま
うという問題があり、その対策として上記セラミックス
やガラス等の磁気ディスク基板１５との当接面にアルミ
ニウムや亜鉛などの金属膜を被覆して静電気を除去する
ことが考えられている。
【０００５】ところが、このような方法では、セラミッ
ク部材の表面の平坦度が低いために磁気ディスク基板１
５との当接面の平坦度が損なわれ、磁気ディスク基板１
５に歪みを生じたり、場合によっては、磁気ヘッド１７
が磁気ディスク基板１５と接触して傷付けてしまう恐れ
があり、また、セラミックスやガラスと金属被膜との熱
膨張差のために繰り返しの使用により金属被膜が剥がれ
るといった問題があった。
ク部材の表面の平坦度が低いために磁気ディスク基板１
５との当接面の平坦度が損なわれ、磁気ディスク基板１
５に歪みを生じたり、場合によっては、磁気ヘッド１７
が磁気ディスク基板１５と接触して傷付けてしまう恐れ
があり、また、セラミックスやガラスと金属被膜との熱
膨張差のために繰り返しの使用により金属被膜が剥がれ
るといった問題があった。
【０００６】そこで、前述したアルミナ等に導電性結晶
相を添加した導電性セラミックスで保持部材を形成する
ことが提案されている（特開平２−２２６５６６号公報
参照）。
相を添加した導電性セラミックスで保持部材を形成する
ことが提案されている（特開平２−２２６５６６号公報
参照）。
【０００７】また、他の導電性セラミックスとしては、
炭化珪素質セラミックスやランタンクロマイト等のペロ
ブスカイト系セラミックス等の導電性を有するセラミッ
クスが知られており、また、アルミナやジルコニア等の
絶縁性セラミック材料に、ＴｉＯ2、ＴｉＣ、ＮｉＯ、
ＣｏＯ等を添加して還元雰囲気下で焼成した導電性セラ
ミックスが知られている（特開平２−２９５００９号公
報、特開平１−２４３３８８号公報参照）。
炭化珪素質セラミックスやランタンクロマイト等のペロ
ブスカイト系セラミックス等の導電性を有するセラミッ
クスが知られており、また、アルミナやジルコニア等の
絶縁性セラミック材料に、ＴｉＯ2、ＴｉＣ、ＮｉＯ、
ＣｏＯ等を添加して還元雰囲気下で焼成した導電性セラ
ミックスが知られている（特開平２−２９５００９号公
報、特開平１−２４３３８８号公報参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た炭化珪素質セラミックスは難焼結体であるために非酸
化性雰囲気でかつ２０００℃以上の温度で焼成しなけれ
ばならず、また、ホットプレスや熱間静水圧プレス（Ｈ
ＩＰ）を行う必要があり生産性が悪くコストが高くな
る、また、ペロブスカイト系セラミックスについては原
料単価が高く、しかも、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ2未
満と低く、構造部品材料としての信頼性が低いという問
題があった。
た炭化珪素質セラミックスは難焼結体であるために非酸
化性雰囲気でかつ２０００℃以上の温度で焼成しなけれ
ばならず、また、ホットプレスや熱間静水圧プレス（Ｈ
ＩＰ）を行う必要があり生産性が悪くコストが高くな
る、また、ペロブスカイト系セラミックスについては原
料単価が高く、しかも、曲げ強度が１０ｋｇ／ｍｍ2未
満と低く、構造部品材料としての信頼性が低いという問
題があった。
【０００９】さらに、ＴｉＯ2、ＴｉＣ、ＮｉＯ、Ｃｏ
Ｏ等を添加したアルミナ質やジルコニア質の導電性セラ
ミックスでは通常の焼成によって充分に緻密化させるこ
とが難しく、緻密体を得るためには還元雰囲気下での焼
成や加圧下での焼成が必要であり、コストがかさみ量産
性に欠けるという問題があった。
Ｏ等を添加したアルミナ質やジルコニア質の導電性セラ
ミックスでは通常の焼成によって充分に緻密化させるこ
とが難しく、緻密体を得るためには還元雰囲気下での焼
成や加圧下での焼成が必要であり、コストがかさみ量産
性に欠けるという問題があった。
【００１０】また、上述した導電性セラミックスでは、
例えば、ガラス製の磁気ディスク基板との間に熱膨張差
があるため、ディスクの高速回転に伴う温度上昇のため
に磁気ディスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ディス
ク基板１５間の平行度が損なわれるといった課題があっ
た。そのため、磁気ディスク装置２０の高密度化および
大容量化には限界があった。
例えば、ガラス製の磁気ディスク基板との間に熱膨張差
があるため、ディスクの高速回転に伴う温度上昇のため
に磁気ディスク基板１５に歪みを生じたり、磁気ディス
ク基板１５間の平行度が損なわれるといった課題があっ
た。そのため、磁気ディスク装置２０の高密度化および
大容量化には限界があった。
【００１１】さらに、特開平９−７７５３１号公報に
は、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の酸化物成分を含有する
結晶化ガラスを用いたガラスセラミックスを磁気ディス
ク用の材料として使用することが提案されているが、上
述したＺｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の酸化物成分はセラミ
ックス中、絶縁性結晶相またはガラスとして存在し、セ
ラミックス自体に導電性を付与するものではなかった。
は、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の酸化物成分を含有する
結晶化ガラスを用いたガラスセラミックスを磁気ディス
ク用の材料として使用することが提案されているが、上
述したＺｎ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｍｇ等の酸化物成分はセラミ
ックス中、絶縁性結晶相またはガラスとして存在し、セ
ラミックス自体に導電性を付与するものではなかった。
【００１２】本発明は、上記課題に対してなされたもの
であり、その目的は表面の平滑性が高く、所定の導電性
を有するとともに、容易に製造可能な磁気ディスク保持
部材を提供することにある。
であり、その目的は表面の平滑性が高く、所定の導電性
を有するとともに、容易に製造可能な磁気ディスク保持
部材を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記用途
を満足する材料について検討したところ、ガラス中に、
ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4の群から選ばれる少な
くとも１種の導電性結晶相を特定の比率で含有し、表面
粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下で、かつ−５０〜８５℃
における体積固有抵抗が１０2〜１０10Ω・ｃｍのガラ
スセラミックスが、磁気ディスク保持部材として優れた
性能を有することを知見した。
を満足する材料について検討したところ、ガラス中に、
ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4の群から選ばれる少な
くとも１種の導電性結晶相を特定の比率で含有し、表面
粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下で、かつ−５０〜８５℃
における体積固有抵抗が１０2〜１０10Ω・ｃｍのガラ
スセラミックスが、磁気ディスク保持部材として優れた
性能を有することを知見した。
【００１４】すなわち、本発明の磁気ディスク保持部材
は、ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4の群
から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を１０〜８
０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が２．０μ
ｍ以下、−５０〜８５℃における体積固有抵抗が１０2
〜１０10Ω・ｃｍであることを特徴とするものである。
は、ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4の群
から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を１０〜８
０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が２．０μ
ｍ以下、−５０〜８５℃における体積固有抵抗が１０2
〜１０10Ω・ｃｍであることを特徴とするものである。
【００１５】さらに、上記磁気ディスク保持部材中にス
ピネル型結晶相、コージェライト結晶相、ムライト結晶
相、スラウソナイト型結晶相、アノーサイト型結晶相の
群から選ばれる少なくとも１種を含有することが望まし
い。
ピネル型結晶相、コージェライト結晶相、ムライト結晶
相、スラウソナイト型結晶相、アノーサイト型結晶相の
群から選ばれる少なくとも１種を含有することが望まし
い。
【００１６】また、比重が５．０ｇ／ｃｍ3以下である
こと、−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×１０-6
〜１×１０-5／℃、ヤング率が８０ＧＰａ以上であるこ
とが望ましい。
こと、−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×１０-6
〜１×１０-5／℃、ヤング率が８０ＧＰａ以上であるこ
とが望ましい。
【００１７】
【作用】ガラスセラミックスは、比較的低温での焼成に
より容易に緻密化でき、平滑な表面を有する耐磨耗性に
優れた材料であるとともに、各成分を調整することによ
りセラミックスの熱膨張係数を所定の範囲に制御可能な
ものであるが、通常、室温における体積固有抵抗値が１
０13Ω・ｃｍ以上の絶縁体である。
より容易に緻密化でき、平滑な表面を有する耐磨耗性に
優れた材料であるとともに、各成分を調整することによ
りセラミックスの熱膨張係数を所定の範囲に制御可能な
ものであるが、通常、室温における体積固有抵抗値が１
０13Ω・ｃｍ以上の絶縁体である。
【００１８】これに、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4
の群から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を所定
量分散せしめることによりセラミックスの体積固有抵抗
を所望の範囲内に制御でき、帯電防止部材である磁気デ
ィスク保持部材として優れた特性を有するものとなる。
の群から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を所定
量分散せしめることによりセラミックスの体積固有抵抗
を所望の範囲内に制御でき、帯電防止部材である磁気デ
ィスク保持部材として優れた特性を有するものとなる。
【００１９】なお、前記導電性結晶相のうち酸化亜鉛
（ＺｎＯ）は通常半導体材料であるが、焼成等により結
晶内に酸素欠損等の格子欠陥等を生成させることによ
り、その体積固有抵抗を低下せしめることができる、い
わゆる不定比化合物である。これが、導電性結晶相とし
ての機能を有するものであることから、上記絶縁体材料
に結晶相として所定量含有、分散させることによりセラ
ミックスの体積固有抵抗値を１０2〜１０10Ω・ｃｍに
調整することができる。
（ＺｎＯ）は通常半導体材料であるが、焼成等により結
晶内に酸素欠損等の格子欠陥等を生成させることによ
り、その体積固有抵抗を低下せしめることができる、い
わゆる不定比化合物である。これが、導電性結晶相とし
ての機能を有するものであることから、上記絶縁体材料
に結晶相として所定量含有、分散させることによりセラ
ミックスの体積固有抵抗値を１０2〜１０10Ω・ｃｍに
調整することができる。
【００２０】また、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ2Ｏ4では、金属
元素が価数変化を生じることによって、セラミックスに
導電性を付与することができる。
元素が価数変化を生じることによって、セラミックスに
導電性を付与することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の磁気ディスク保持部材
は、ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ 2Ｏ4の群
から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を１０〜８
０重量％の比率で含有するガラスセラミックスからなる
ものである。
は、ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ 2Ｏ4の群
から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を１０〜８
０重量％の比率で含有するガラスセラミックスからなる
ものである。
【００２２】前記導電性結晶相としては、特に体積固有
抵抗値の制御が容易であることおよび製造の容易性の点
で、ＺｎＯであることが望ましい。また、これら導電性
結晶相は平均粒径２μｍ以下で、セラミックス中、三次
元に連続的に存在することが望ましく、導電性結晶相を
通して導通するものである。
抵抗値の制御が容易であることおよび製造の容易性の点
で、ＺｎＯであることが望ましい。また、これら導電性
結晶相は平均粒径２μｍ以下で、セラミックス中、三次
元に連続的に存在することが望ましく、導電性結晶相を
通して導通するものである。
【００２３】また、前記導電性結晶相は、セラミックス
中、１０〜８０重量％、特に１０〜５０重量％、さらに
１５〜４０重量％であることが重要である。すなわち、
前記導電性結晶相が１０重量％より少ないと、セラミッ
クスの体積固有抵抗値を所望の範囲内に制御することが
難しく、帯電防止部材としての機能が低下するためであ
り、逆に、前記導電性結晶相が８０重量％を超えると、
通常の焼成でセラミックスを緻密化させることが難しく
なり、耐磨耗性が悪くなり磁気ディスク保持部材として
の信頼性が低下するためである。
中、１０〜８０重量％、特に１０〜５０重量％、さらに
１５〜４０重量％であることが重要である。すなわち、
前記導電性結晶相が１０重量％より少ないと、セラミッ
クスの体積固有抵抗値を所望の範囲内に制御することが
難しく、帯電防止部材としての機能が低下するためであ
り、逆に、前記導電性結晶相が８０重量％を超えると、
通常の焼成でセラミックスを緻密化させることが難しく
なり、耐磨耗性が悪くなり磁気ディスク保持部材として
の信頼性が低下するためである。
【００２４】一方、ガラス成分としては、ホウケイ酸亜
鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス等のホウケイ酸系ガラスや、リチウムケイ酸系ガラ
ス、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス等が挙
げられるが、中でも、焼成によって結晶相を析出する結
晶化ガラスが好適に用いられ、ガラスの結晶化により、
セラミックスの機械的強度を高めることができるととも
に、セラミックスのヤング率を高めることができる。
鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス等のホウケイ酸系ガラスや、リチウムケイ酸系ガラ
ス、シリカガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス等が挙
げられるが、中でも、焼成によって結晶相を析出する結
晶化ガラスが好適に用いられ、ガラスの結晶化により、
セラミックスの機械的強度を高めることができるととも
に、セラミックスのヤング率を高めることができる。
【００２５】また、ＳｉＯ2結晶相、スピネル型結晶
相、イルメナイト型結晶相、ウイレマイト型結晶相、Ｃ
ａＳｉＯ3結晶相、ＳｒＳｉＯ3結晶相、ＢａＳｉＯ3結
晶相、エンスタタイト型結晶相、アルミナ結晶相、ジル
コニア結晶相、ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、ＳｒＡｌ2Ｓｉ
2Ｏ8、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2、Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2
Ｏ3・６ＳｉＯ2、ＮａＡｌＳｉＯ4等、特にスピネル型
結晶相、コージェライト結晶相、ムライト結晶相、スラ
ウソナイト型結晶相、アノーサイト型結晶相の群から選
ばれる少なくとも１種の結晶相、さらにスピネル型結晶
相および／またはムライト結晶相の結晶相を上記ガラス
から析出、分散させるか、またはフィラーとして添加し
てセラミックス中に分散させることによって、構造部材
として必要な硬度および強度を有するとともに、所望の
ヤング率、熱膨張係数を得ることができる。
相、イルメナイト型結晶相、ウイレマイト型結晶相、Ｃ
ａＳｉＯ3結晶相、ＳｒＳｉＯ3結晶相、ＢａＳｉＯ3結
晶相、エンスタタイト型結晶相、アルミナ結晶相、ジル
コニア結晶相、ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、ＳｒＡｌ2Ｓｉ
2Ｏ8、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2、Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2、Ｎａ2Ｏ・Ａｌ2
Ｏ3・６ＳｉＯ2、ＮａＡｌＳｉＯ4等、特にスピネル型
結晶相、コージェライト結晶相、ムライト結晶相、スラ
ウソナイト型結晶相、アノーサイト型結晶相の群から選
ばれる少なくとも１種の結晶相、さらにスピネル型結晶
相および／またはムライト結晶相の結晶相を上記ガラス
から析出、分散させるか、またはフィラーとして添加し
てセラミックス中に分散させることによって、構造部材
として必要な硬度および強度を有するとともに、所望の
ヤング率、熱膨張係数を得ることができる。
【００２６】なお、上記結晶相のうち、ＳｉＯ2型結晶
相としては、クォーツ、トリジマイト、クリストバライ
ト等が使用可能であるが、中でも−５０〜８５℃におけ
る平均熱膨張係数が１６〜１８×１０-6／℃であり、安
定した熱膨張挙動を有するクォーツ結晶相であることが
望ましい。
相としては、クォーツ、トリジマイト、クリストバライ
ト等が使用可能であるが、中でも−５０〜８５℃におけ
る平均熱膨張係数が１６〜１８×１０-6／℃であり、安
定した熱膨張挙動を有するクォーツ結晶相であることが
望ましい。
【００２７】上記態様のセラミックスの体積固有抵抗値
を１０2〜１０10Ω・ｃｍ、特に１０4〜１０6Ω・ｃｍ
とすることによってセラミックスが帯電することなく耐
電防止部材として好適に使用できる。また、表面粗さ
（Ｒａ）を２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以下とする
ことによって、耐摩耗性が高く、寸法精度の高い部材を
作製できる。
を１０2〜１０10Ω・ｃｍ、特に１０4〜１０6Ω・ｃｍ
とすることによってセラミックスが帯電することなく耐
電防止部材として好適に使用できる。また、表面粗さ
（Ｒａ）を２．０μｍ以下、特に１．０μｍ以下とする
ことによって、耐摩耗性が高く、寸法精度の高い部材を
作製できる。
【００２８】さらに、比重を５．０ｇ／ｃｍ3以下、特
に４．０ｇ／ｃｍ3以下とすることによって、磁気ディ
スク上に配設しても磁気ディスクが重さによってたわむ
ことを防止できる。
に４．０ｇ／ｃｍ3以下とすることによって、磁気ディ
スク上に配設しても磁気ディスクが重さによってたわむ
ことを防止できる。
【００２９】また、構造体として均一な組成物にて形成
し被覆層等がないことから、使用時等の熱膨張差による
被覆層の剥離等の問題が生じず、また、−５０〜８５℃
における熱膨張係数が４×１０-6〜１×１０-5／℃、特
に５×１０-6〜９×１０-6／℃の範囲に制御できること
が望ましく、これによってガラスやセラミックスからな
る磁気ディスク基板との熱膨張差が小さく、温度上昇に
よっても精度よくディスクを保持することができる。
し被覆層等がないことから、使用時等の熱膨張差による
被覆層の剥離等の問題が生じず、また、−５０〜８５℃
における熱膨張係数が４×１０-6〜１×１０-5／℃、特
に５×１０-6〜９×１０-6／℃の範囲に制御できること
が望ましく、これによってガラスやセラミックスからな
る磁気ディスク基板との熱膨張差が小さく、温度上昇に
よっても精度よくディスクを保持することができる。
【００３０】さらに、ヤング率が８０ＧＰａ以上、特に
１００ＧＰａ以上であることが望ましく、これによって
ネジ止め等によってもかしめても変形することがなく、
寸法精度良くディスクを保持することができる。
１００ＧＰａ以上であることが望ましく、これによって
ネジ止め等によってもかしめても変形することがなく、
寸法精度良くディスクを保持することができる。
【００３１】次に、本発明の磁気ディスク保持部材を製
造する方法について説明する。まず、出発原料として、
平均粒径０．５〜１０μｍ、特に２〜３μｍの上述した
ようなガラス粉末と、ＺｎＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍ
ｇＦｅ2Ｏ4を形成可能な金属、または、例えば、Ｚｎ
Ｏ、Ｔｉ2Ｏ3、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＦｅ2
Ｏ4等の金属酸化物、さらには炭酸塩、窒化物、炭化物
等のいずれかの粉末と、所望により上述したフィラー成
分の酸化物、炭酸塩、窒化物、炭化物等を調合、混合す
る。
造する方法について説明する。まず、出発原料として、
平均粒径０．５〜１０μｍ、特に２〜３μｍの上述した
ようなガラス粉末と、ＺｎＯ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、Ｍ
ｇＦｅ2Ｏ4を形成可能な金属、または、例えば、Ｚｎ
Ｏ、Ｔｉ2Ｏ3、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｇＦｅ2
Ｏ4等の金属酸化物、さらには炭酸塩、窒化物、炭化物
等のいずれかの粉末と、所望により上述したフィラー成
分の酸化物、炭酸塩、窒化物、炭化物等を調合、混合す
る。
【００３２】なお、上記導電性結晶相を形成する成分の
添加量はガラスの組成によって異なり、導電性結晶相を
形成する成分の一部がガラスとして固溶することもでき
るが、例えばガラス原料中のＺｎＯの含有率が１０重量
％以下であるとき、ＺｎＯ粉末の添加量は金属酸化物換
算で４０〜８０重量％であることが望ましい。
添加量はガラスの組成によって異なり、導電性結晶相を
形成する成分の一部がガラスとして固溶することもでき
るが、例えばガラス原料中のＺｎＯの含有率が１０重量
％以下であるとき、ＺｎＯ粉末の添加量は金属酸化物換
算で４０〜８０重量％であることが望ましい。
【００３３】そして、この混合粉末を用いてプレス成形
法、冷間静水圧プレス法、ドクターブレード法、カレン
ダーロール法、圧延法法の周知の成形法により所定形状
に成形した後、酸化性雰囲気中、あるいは非酸化性雰囲
気にて１０００〜１２００℃の温度で１〜２時間程度の
焼成を行う。特に、セラミックスの体積固有抵抗値を制
御できる点で、焼成時の雰囲気は酸素濃度１×１０3〜
１×１０-16Ｐａ程度であることが望ましい。
法、冷間静水圧プレス法、ドクターブレード法、カレン
ダーロール法、圧延法法の周知の成形法により所定形状
に成形した後、酸化性雰囲気中、あるいは非酸化性雰囲
気にて１０００〜１２００℃の温度で１〜２時間程度の
焼成を行う。特に、セラミックスの体積固有抵抗値を制
御できる点で、焼成時の雰囲気は酸素濃度１×１０3〜
１×１０-16Ｐａ程度であることが望ましい。
【００３４】これにより相対密度９５％以上、特に９８
％以上、さらに９９．５％以上に緻密化した本発明の磁
気ディスク保持部材を得る。また、焼成後、表面に粗れ
がある場合には所望によりセラミックスの表面を研磨し
て表面粗さ（Ｒａ）を２．０μｍ以下とする。
％以上、さらに９９．５％以上に緻密化した本発明の磁
気ディスク保持部材を得る。また、焼成後、表面に粗れ
がある場合には所望によりセラミックスの表面を研磨し
て表面粗さ（Ｒａ）を２．０μｍ以下とする。
【００３５】本発明によれば、上述した所定の導電性を
有する磁気ディスク装置の保持部材導電性セラミックス
を用いることによって、帯電する静電気を速やかに除去
することができ、磁気ディスクに静電気が蓄積すること
なく、磁気ディスクを安定して保持できる。
有する磁気ディスク装置の保持部材導電性セラミックス
を用いることによって、帯電する静電気を速やかに除去
することができ、磁気ディスクに静電気が蓄積すること
なく、磁気ディスクを安定して保持できる。
【００３６】次に、図１に本発明の磁気ディスク保持部
材を用いた磁気ディスク装置の概略断面図を示す。磁気
ディスク装置２０は、回転軸１３に固定されたハブ１４
に、複数枚の磁気ディスク基板１５とスペーサ１１とを
交互に挿入し、最後にシム１０およびクランプ１２を配
設してネジ１６で固定するものである。そして、回転軸
１３の回転に伴い、磁気ディスク基板１５が回転すると
ともに、磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５の表面
上を非接触状態で移動しながらディスク基板の所定の位
置に情報の書き込みや読み取りを行うものである。
材を用いた磁気ディスク装置の概略断面図を示す。磁気
ディスク装置２０は、回転軸１３に固定されたハブ１４
に、複数枚の磁気ディスク基板１５とスペーサ１１とを
交互に挿入し、最後にシム１０およびクランプ１２を配
設してネジ１６で固定するものである。そして、回転軸
１３の回転に伴い、磁気ディスク基板１５が回転すると
ともに、磁気ヘッド１７が磁気ディスク基板１５の表面
上を非接触状態で移動しながらディスク基板の所定の位
置に情報の書き込みや読み取りを行うものである。
【００３７】磁気ディスク基板１５は、アルミニウム基
板、アルミナなどのセラミックスの表面にグレーズ層を
形成し、該グレーズ層上に磁性膜を備えたもの、あるい
は全体がガラスからなりその表面に磁性膜を備えたもの
等を用いてもよい。さらに、その他の材質として、チタ
ン、シリコン、ＹＡＧ、カーボン等を用いることもでき
るが、表面の平滑性、剛性の高さおよびコストの点でガ
ラスからなることが望ましい。
板、アルミナなどのセラミックスの表面にグレーズ層を
形成し、該グレーズ層上に磁性膜を備えたもの、あるい
は全体がガラスからなりその表面に磁性膜を備えたもの
等を用いてもよい。さらに、その他の材質として、チタ
ン、シリコン、ＹＡＧ、カーボン等を用いることもでき
るが、表面の平滑性、剛性の高さおよびコストの点でガ
ラスからなることが望ましい。
【００３８】本発明によれば、スペーサ１１、シム１０
およびクランプ１２を上述した導電性セラミックスによ
り形成することによって、磁気ディスク基板１５が帯電
するのを防止でき、情報の書き込みや読み込みの際のノ
イズを低減することができる。
およびクランプ１２を上述した導電性セラミックスによ
り形成することによって、磁気ディスク基板１５が帯電
するのを防止でき、情報の書き込みや読み込みの際のノ
イズを低減することができる。
【００３９】また、その表面は滑らかであり、特にスペ
ーサ１１については、磁気ディスク基板１５との接触面
１１ａの表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下、特に１．
０μｍ以下、また接触面１１ａの平行度が５μｍ以下で
あることが望ましく、これにより磁気ディスク基板１５
を極めて高精度に保持することができる。また、スペー
サ１１、シム１０およびクランプ１２の各エッジ部には
Ｃ面またはＲ面の面取りが施されている。
ーサ１１については、磁気ディスク基板１５との接触面
１１ａの表面粗さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下、特に１．
０μｍ以下、また接触面１１ａの平行度が５μｍ以下で
あることが望ましく、これにより磁気ディスク基板１５
を極めて高精度に保持することができる。また、スペー
サ１１、シム１０およびクランプ１２の各エッジ部には
Ｃ面またはＲ面の面取りが施されている。
【００４０】さらに、本発明によれば、スペーサ１１、
シム１０およびクランプ１２がヤング率８０ＧＰａ以上
の高剛性部材からなるため、締め付け時に変形すること
がなく、高精度に保持できる。
シム１０およびクランプ１２がヤング率８０ＧＰａ以上
の高剛性部材からなるため、締め付け時に変形すること
がなく、高精度に保持できる。
【００４１】また、熱膨張係数が４×１０-6〜１×１０
-5のガラスからなる磁気ディスク基板１５を用いた場
合、高速回転による温度上昇によっても磁気ディスク基
板１５とスペーサ１１、シム１０およびクランプ１２と
の熱膨張差が小さくできるため、磁気ディスク基板１５
を高精度に保持することができる。したがって、磁気ヘ
ッド１７の磁気ディスク基板１５に対する浮上量を極め
て小さくすることができ、情報記録密度を高めることが
できる。
-5のガラスからなる磁気ディスク基板１５を用いた場
合、高速回転による温度上昇によっても磁気ディスク基
板１５とスペーサ１１、シム１０およびクランプ１２と
の熱膨張差が小さくできるため、磁気ディスク基板１５
を高精度に保持することができる。したがって、磁気ヘ
ッド１７の磁気ディスク基板１５に対する浮上量を極め
て小さくすることができ、情報記録密度を高めることが
できる。
【００４２】
【実施例】（実施例１）以下に示す平均粒径３μｍ以下
の結晶化ガラス粉末 ガラスＡ：ＳｉＯ2４４％−Ａｌ2Ｏ3２９％−ＭｇＯ１
１％−ＺｎＯ７％−Ｂ2Ｏ3９％ ガラスＢ：ＳｉＯ2１２％−Ａｌ2Ｏ3２２．７％−Ｍｇ
Ｏ０．３％−ＣａＯ１３．２％−Ｂ2Ｏ3２２．６％−Ｌ
ｉ2Ｏ１２．５％−Ｎａ2Ｏ６．７％−Ｋ2Ｏ１．４％−
ＳｎＯ３．５％−ＺｒＯ2３．３％−ＴｉＯ2１．８％ に対して、表１，２に示す導電性付与材およびフィラー
粉末を混合し、これに所定量の水又は有機溶剤及び結合
材を添加して約１時間混合した。そして、該混合粉を１
００ＭＰａの成形圧で所定の形状にプレス成形した後、
大気雰囲気中にて表１、２に示す温度で２時間焼成を行
った。
の結晶化ガラス粉末 ガラスＡ：ＳｉＯ2４４％−Ａｌ2Ｏ3２９％−ＭｇＯ１
１％−ＺｎＯ７％−Ｂ2Ｏ3９％ ガラスＢ：ＳｉＯ2１２％−Ａｌ2Ｏ3２２．７％−Ｍｇ
Ｏ０．３％−ＣａＯ１３．２％−Ｂ2Ｏ3２２．６％−Ｌ
ｉ2Ｏ１２．５％−Ｎａ2Ｏ６．７％−Ｋ2Ｏ１．４％−
ＳｎＯ３．５％−ＺｒＯ2３．３％−ＴｉＯ2１．８％ に対して、表１，２に示す導電性付与材およびフィラー
粉末を混合し、これに所定量の水又は有機溶剤及び結合
材を添加して約１時間混合した。そして、該混合粉を１
００ＭＰａの成形圧で所定の形状にプレス成形した後、
大気雰囲気中にて表１、２に示す温度で２時間焼成を行
った。
【００４３】得られたセラミックスについて、アルキメ
デス法により比重を測定した。また、Ｘ線回折チャート
から析出結晶相の同定を行うとともに、ＣｅＯ2を内部
標準試料としてリートベルト法によりセラミックス中の
導電性結晶相の比率を定量した。さらに、セラミックス
表面を研削加工した後、表面粗さ計により表面粗さ（Ｒ
ａ）を測定した。
デス法により比重を測定した。また、Ｘ線回折チャート
から析出結晶相の同定を行うとともに、ＣｅＯ2を内部
標準試料としてリートベルト法によりセラミックス中の
導電性結晶相の比率を定量した。さらに、セラミックス
表面を研削加工した後、表面粗さ計により表面粗さ（Ｒ
ａ）を測定した。
【００４４】また、セラミックスを直径６０ｍｍ×厚さ
２ｍｍの寸法に研削加工して体積固有抵抗値を測定し
た。さらに、−５０〜８５℃における熱膨張係数とヤン
グ率の測定を行った。なお、各測定方法についてはＪＩ
Ｓ規定に基づいて測定した。結果は、表１、２に示し
た。
２ｍｍの寸法に研削加工して体積固有抵抗値を測定し
た。さらに、−５０〜８５℃における熱膨張係数とヤン
グ率の測定を行った。なお、各測定方法についてはＪＩ
Ｓ規定に基づいて測定した。結果は、表１、２に示し
た。
【００４５】（比較例）Ａｌ2Ｏ3粉末に対し、表１に示
す導電性付与材を３０重量％と、少量の公知の焼結助剤
成分を添加して成形後、非酸化性雰囲気中、１７００℃
にて焼成してＡｌ2Ｏ3質セラミックスを作製し、実施例
１と同様に評価した。結果は表２に示した（試料Ｎｏ．
２９、３０）。
す導電性付与材を３０重量％と、少量の公知の焼結助剤
成分を添加して成形後、非酸化性雰囲気中、１７００℃
にて焼成してＡｌ2Ｏ3質セラミックスを作製し、実施例
１と同様に評価した。結果は表２に示した（試料Ｎｏ．
２９、３０）。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】表１、２から明らかなように、導電性結晶
相の含有量が８０重量％より多い試料Ｎｏ．１、１９で
は磁器の体積固有抵抗値を１０2Ω・ｃｍより低く、導
電性結晶相の含有量が１０重量％より少ない試料Ｎｏ．
８、９、２２では磁器の体積固有抵抗値を１０10Ω・ｃ
ｍ以下にすることができなかった。
相の含有量が８０重量％より多い試料Ｎｏ．１、１９で
は磁器の体積固有抵抗値を１０2Ω・ｃｍより低く、導
電性結晶相の含有量が１０重量％より少ない試料Ｎｏ．
８、９、２２では磁器の体積固有抵抗値を１０10Ω・ｃ
ｍ以下にすることができなかった。
【００４９】また、アルミナと酸化亜鉛または窒化チタ
ンとからなる試料Ｎｏ．２９、３０では、磁器の体積固
有抵抗値を１０2Ω・ｃｍ以上にすることができず、表
面粗さ（Ｒａ）も２．０μｍを越えた。
ンとからなる試料Ｎｏ．２９、３０では、磁器の体積固
有抵抗値を１０2Ω・ｃｍ以上にすることができず、表
面粗さ（Ｒａ）も２．０μｍを越えた。
【００５０】これに対して、本発明に従う試料Ｎｏ．２
〜７、１０〜１８、２０、２１、２３〜２８では、いず
れも体積固有抵抗値が１０2〜１０10Ω・ｃｍ、表面粗
さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下の優れた特性を有するもの
であり、磁気ディスク保持部材として有用であることが
わかった。
〜７、１０〜１８、２０、２１、２３〜２８では、いず
れも体積固有抵抗値が１０2〜１０10Ω・ｃｍ、表面粗
さ（Ｒａ）が２．０μｍ以下の優れた特性を有するもの
であり、磁気ディスク保持部材として有用であることが
わかった。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ガラスセラミックスの体積固有抵抗値を所望の値に制御
でき、かつ容易に緻密化ができ平坦な表面を有すること
から、高い寸法精度および耐摩耗性に優れた磁気ディス
ク保持部材が作製でき、静電気による悪影響を防止する
ことができる。
ガラスセラミックスの体積固有抵抗値を所望の値に制御
でき、かつ容易に緻密化ができ平坦な表面を有すること
から、高い寸法精度および耐摩耗性に優れた磁気ディス
ク保持部材が作製でき、静電気による悪影響を防止する
ことができる。
【００５２】また、セラミックスの熱膨張係数を所望の
範囲に制御できるともに、高いヤング率を有するもので
あることから、構造部材、特に磁気ディスクの保持部材
として使用すれば、磁気ディスク基板の熱膨張係数と近
似させることが出来、高速回転時に高温になっても熱膨
張差に伴う不都合を生じることが無く、かつ磁気ディス
ク基板に帯電した静電気を効率良く逃すことができる。
範囲に制御できるともに、高いヤング率を有するもので
あることから、構造部材、特に磁気ディスクの保持部材
として使用すれば、磁気ディスク基板の熱膨張係数と近
似させることが出来、高速回転時に高温になっても熱膨
張差に伴う不都合を生じることが無く、かつ磁気ディス
ク基板に帯電した静電気を効率良く逃すことができる。
【図１】本発明の磁気ディスク保持部材を用いた磁気デ
ィスク装置を示す概略断面図である。
ィスク装置を示す概略断面図である。
１０：シム １１：スペーサ １２：クランプ １３：回転軸 １４：ハブ １５：磁気ディスク基板 １７：磁気ヘッド ２０：磁気ディスク装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｃ 10/04 Ｃ０３Ｃ 10/04 10/06 10/06 10/08 10/08 10/14 10/14 Ｇ１１Ｂ 17/038 Ｇ１１Ｂ 17/038 Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB06 DA04 DA05 DB04 DC03 DC04 DD01 DE03 DF01 EA04 EB03 EC03 ED02 EE04 EF01 EG01 FA01 FB03 FC03 FD01 FE03 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM29 NN24 NN29 NN33 NN40 QQ02 QQ05 QQ08 QQ16 QQ17
Claims (4)
- 【請求項１】ガラス中に、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＭｇＦｅ
2Ｏ4の群から選ばれる少なくとも１種の導電性結晶相を
１０〜８０重量％の割合で含有し、表面粗さ（Ｒａ）が
２．０μｍ以下、−５０〜８５℃における体積固有抵抗
が１０2〜１０1 0Ω・ｃｍであることを特徴とする磁気
ディスク保持部材。 - 【請求項２】さらに、スピネル型結晶相、コージェライ
ト結晶相、ムライト結晶相、スラウソナイト型結晶相、
アノーサイト型結晶相の群から選ばれる少なくとも１種
を含有することを特徴とする請求項１記載の磁気ディス
ク保持部材。 - 【請求項３】比重が５．０ｇ／ｃｍ3以下であることを
特徴とする請求項１または２記載の磁気ディスク保持部
材。 - 【請求項４】−５０〜８５℃における熱膨張係数が４×
１０-6〜１×１０-5／℃、ヤング率が８０ＧＰａ以上で
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の
磁気ディスク保持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33797899A JP3735500B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 磁気ディスク保持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33797899A JP3735500B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 磁気ディスク保持部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001155460A true JP2001155460A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3735500B2 JP3735500B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=18313801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33797899A Expired - Fee Related JP3735500B2 (ja) | 1999-11-29 | 1999-11-29 | 磁気ディスク保持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3735500B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001287930A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Ohara Inc | 磁性結晶化ガラス |
| WO2019151459A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | Hoya株式会社 | ガラススペーサ、ハードディスクドライブ装置、及びガラススペーサの製造方法 |
| CN112777936A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | Hoya株式会社 | 导电性结晶化玻璃 |
-
1999
- 1999-11-29 JP JP33797899A patent/JP3735500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001287930A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-16 | Ohara Inc | 磁性結晶化ガラス |
| JP4574792B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-11-04 | 株式会社オハラ | 磁性結晶化ガラス |
| WO2019151459A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | Hoya株式会社 | ガラススペーサ、ハードディスクドライブ装置、及びガラススペーサの製造方法 |
| JPWO2019151459A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2020-04-23 | Hoya株式会社 | ガラススペーサ、ハードディスクドライブ装置、及びガラススペーサの製造方法 |
| CN111095406A (zh) * | 2018-02-01 | 2020-05-01 | Hoya株式会社 | 玻璃间隔件、硬盘驱动器装置以及玻璃间隔件的制造方法 |
| US11031038B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-08 | Hoya Corporation | Glass spacer, hard disk drive apparatus, and method for manufacturing glass spacer |
| CN111095406B (zh) * | 2018-02-01 | 2022-09-09 | Hoya株式会社 | 玻璃间隔件、硬盘驱动器装置以及玻璃间隔件的制造方法 |
| US11682425B2 (en) | 2018-02-01 | 2023-06-20 | Hoya Corporation | Glass spacer, hard disk drive apparatus, and method for manufacturing glass spacer |
| CN112777936A (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-11 | Hoya株式会社 | 导电性结晶化玻璃 |
| CN112777936B (zh) * | 2019-11-07 | 2023-12-01 | Hoya株式会社 | 导电性结晶化玻璃 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3735500B2 (ja) | 2006-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1577275B1 (en) | Crystallized glass for information recording medium, crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass | |
| US4738885A (en) | Magnetic disk, substrate therefor and process for preparation thereof | |
| JPS60138730A (ja) | 磁気デイスク用基板 | |
| US4808455A (en) | Magnetic recording disc and process for producing the same | |
| KR100563376B1 (ko) | 박막자기헤드용기판및이를이용한박막자기헤드 | |
| JP2001155460A (ja) | 磁気ディスク保持部材 | |
| JP3825215B2 (ja) | 導電性セラミックスおよびこれを用いた帯電防止部材 | |
| JP3860681B2 (ja) | 導電性セラミックスおよびこれを用いた帯電防止部材並びに磁気ディスク装置 | |
| JP4485624B2 (ja) | 低抵抗セラミックス及びこれを用いた磁気ディスク基板用保持部材並びに磁気ディスク装置 | |
| JP3140276B2 (ja) | 磁気ディスク基板用保持部材およびこれを用いた磁気ディスク装置 | |
| JPH06168536A (ja) | 磁気ディスク基板用保持部材およびこれを用いた磁気ディスク装置 | |
| JP3215000B2 (ja) | 記録再生ヘッドスライダー用非磁性セラミックスおよびその製造方法 | |
| JP2984199B2 (ja) | 磁気ディスク基板用保持部材および磁気ディスク装置 | |
| JPH11189463A (ja) | 半導電性セラミックス及びこれを用いた治工具、磁気ディスク基板用保持部材並びに磁気ディスク装置 | |
| JP4090771B2 (ja) | 半導電性セラミックス、並びにこれを用いた磁気ディスク基板用保持部材及び治工具 | |
| JP3502683B2 (ja) | 記録媒体ディスク用基板 | |
| JP3819960B2 (ja) | 導電性セラミックスの製造方法及びこれを用いた磁気ディスク保持部材 | |
| JP2000311459A (ja) | ディスク保持用スペーサ | |
| JP5020210B2 (ja) | 磁気ヘッド用基板および磁気ヘッドならびに磁気記録装置 | |
| JPH05254938A (ja) | セラミックス焼結体 | |
| WO1990005363A1 (en) | Magnetic recording apparatus | |
| JP2000195212A (ja) | 磁気ディスク基板用保持部材及びこれを用いた磁気ディスク装置 | |
| JP2001135057A (ja) | セラミックスリング | |
| JP3825079B2 (ja) | 非磁性セラミックスの製造方法 | |
| JP2000260018A (ja) | 磁気ディスク基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20041109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050111 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050527 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050928 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051018 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20051024 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091028 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |