JPH10310471A - 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットInfo
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- JPH10310471A JPH10310471A JP9119508A JP11950897A JPH10310471A JP H10310471 A JPH10310471 A JP H10310471A JP 9119508 A JP9119508 A JP 9119508A JP 11950897 A JP11950897 A JP 11950897A JP H10310471 A JPH10310471 A JP H10310471A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング時に割れが発生することのな
い高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物から
なる焼結体の表面を研削して得られた円板状ターゲット
において、円板状ターゲット表面に形成された研削傷の
内で、研削傷４と円板状ターゲット１の中心を通る半径
方向の線とのなす角が８０〜９０°の範囲内のｘ〜ｘの
研削傷の深さＲmax が１０μｍ以下であることを特徴と
する。
い高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物から
なる焼結体の表面を研削して得られた円板状ターゲット
において、円板状ターゲット表面に形成された研削傷の
内で、研削傷４と円板状ターゲット１の中心を通る半径
方向の線とのなす角が８０〜９０°の範囲内のｘ〜ｘの
研削傷の深さＲmax が１０μｍ以下であることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＤＲＡＭなどの
高誘電率ペロブスカイト構造酸化物薄膜をスパッタリン
グにより成膜する際に、ターゲットに割れが発生するこ
とのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに
関するものである。
高誘電率ペロブスカイト構造酸化物薄膜をスパッタリン
グにより成膜する際に、ターゲットに割れが発生するこ
とのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ペロブスカイト構造を有するＢ
ａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、ＢａＳｒＴｉ
複合酸化物という）の焼結体からなるスパッタリングタ
ーゲットは、ＤＲＡＭの記憶保持用キャパシタ用薄膜を
形成するためのターゲットとして用いることは知られて
おり、前記ターゲットをスパッタリングすることにより
得られたＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなる高誘電体膜も
ペロブスカイト構造を有し、高集積度ＤＲＡＭの記憶保
持用キャパシタ用薄膜として広く用いられていることも
知られている。
ａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、ＢａＳｒＴｉ
複合酸化物という）の焼結体からなるスパッタリングタ
ーゲットは、ＤＲＡＭの記憶保持用キャパシタ用薄膜を
形成するためのターゲットとして用いることは知られて
おり、前記ターゲットをスパッタリングすることにより
得られたＢａＳｒＴｉ複合酸化物からなる高誘電体膜も
ペロブスカイト構造を有し、高集積度ＤＲＡＭの記憶保
持用キャパシタ用薄膜として広く用いられていることも
知られている。
【０００３】前記ＢａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体からな
る高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを製造す
るには、まず原料粉末のＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉
末およびＴｉＯ2 粉末を用意し、これら原料粉末を所定
の割合に配合し、ボールミルに入れて混合し、得られた
混合粉末をＭｇＯルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：
１２００〜１３５０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成
し、得られた焼成体をボールミルで粉砕することにより
ＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を作製することができる。
しかし、水熱合成法でも製造することができ、これら複
合酸化物粉末は市販もされている。
る高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを製造す
るには、まず原料粉末のＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉
末およびＴｉＯ2 粉末を用意し、これら原料粉末を所定
の割合に配合し、ボールミルに入れて混合し、得られた
混合粉末をＭｇＯルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：
１２００〜１３５０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成
し、得られた焼成体をボールミルで粉砕することにより
ＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を作製することができる。
しかし、水熱合成法でも製造することができ、これら複
合酸化物粉末は市販もされている。
【０００４】このＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を真空
度：１×１０-4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２
００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、０．
５〜３時間保持の条件でホットプレスすることによりＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体を作製し、得られた複合酸
化物焼結体を研削加工して所定の寸法の円板状ターゲッ
トに仕上げられる。
度：１×１０-4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２
００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、０．
５〜３時間保持の条件でホットプレスすることによりＢ
ａＳｒＴｉ複合酸化物焼結体を作製し、得られた複合酸
化物焼結体を研削加工して所定の寸法の円板状ターゲッ
トに仕上げられる。
【０００５】得られた円板状ターゲット１は、図４の概
略断面図に示されるように、水冷銅板２にろう付けされ
てスパッタリングターゲット装置３にセットされ、ター
ゲット側の雰囲気を真空雰囲気にしてスパッタリングす
ることにより高誘電体膜を形成している。
略断面図に示されるように、水冷銅板２にろう付けされ
てスパッタリングターゲット装置３にセットされ、ター
ゲット側の雰囲気を真空雰囲気にしてスパッタリングす
ることにより高誘電体膜を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＤＲＡＭなどの
大量生産とコストダウンのために、大型化したターゲッ
トを使用して高真空雰囲気下で高出力スパッタすること
により高速成膜し、それにより短時間で高誘電体膜を形
成するようとしている。しかし、高真空雰囲気下で高出
力スパッタすると割れることがあり、ターゲットに割れ
が発生すると、得られた薄膜にパーティクルが発生する
ところから、ＤＲＡＭの歩留まりに深刻な影響を与える
ことになる。
大量生産とコストダウンのために、大型化したターゲッ
トを使用して高真空雰囲気下で高出力スパッタすること
により高速成膜し、それにより短時間で高誘電体膜を形
成するようとしている。しかし、高真空雰囲気下で高出
力スパッタすると割れることがあり、ターゲットに割れ
が発生すると、得られた薄膜にパーティクルが発生する
ところから、ＤＲＡＭの歩留まりに深刻な影響を与える
ことになる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
ターゲットを水冷銅板にろう付けしてスパッタリングタ
ーゲット装置にセットし、スパッタリングする際にター
ゲットに割れが生ずることのない高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットを開発すべく研究を行なっていた
ところ、円板状ターゲット表面に形成される研削傷がス
パッタリング時のターゲットの割れに大きな影響を及ぼ
すことが分かってきたのである。
ターゲットを水冷銅板にろう付けしてスパッタリングタ
ーゲット装置にセットし、スパッタリングする際にター
ゲットに割れが生ずることのない高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットを開発すべく研究を行なっていた
ところ、円板状ターゲット表面に形成される研削傷がス
パッタリング時のターゲットの割れに大きな影響を及ぼ
すことが分かってきたのである。
【０００８】すなわち、図４の概略断面図に示されるよ
うに、円板状ターゲット１を水冷銅板２にろう付けし、
スパッタリング装置６にセットして真空雰囲気中でスパ
ッタリングを行うと、円板状ターゲット１側は真空で減
圧されており、一方、水冷銅板２側は大気雰囲気となっ
ているところから、大気圧によって円板状ターゲット１
は図４の点線で示されるように弯曲変形し、かかる弯曲
変形が生じると円板状ターゲット１の表面にＡで示され
る半径方向の引張応力が生じ、図３の概略平面図（理解
しやすくするために研削傷４は１本だけ描いてあるが、
実際は研削傷は無数にある）に示されるように円板状タ
ーゲット１の表面に研削傷４が同心円状に形成されてい
ると、この同心円状の研削傷４は引張応力Ａに対して直
角に形成されているところから、研削傷４から亀裂が進
行て割れが発生することが分かってきたのである。
うに、円板状ターゲット１を水冷銅板２にろう付けし、
スパッタリング装置６にセットして真空雰囲気中でスパ
ッタリングを行うと、円板状ターゲット１側は真空で減
圧されており、一方、水冷銅板２側は大気雰囲気となっ
ているところから、大気圧によって円板状ターゲット１
は図４の点線で示されるように弯曲変形し、かかる弯曲
変形が生じると円板状ターゲット１の表面にＡで示され
る半径方向の引張応力が生じ、図３の概略平面図（理解
しやすくするために研削傷４は１本だけ描いてあるが、
実際は研削傷は無数にある）に示されるように円板状タ
ーゲット１の表面に研削傷４が同心円状に形成されてい
ると、この同心円状の研削傷４は引張応力Ａに対して直
角に形成されているところから、研削傷４から亀裂が進
行て割れが発生することが分かってきたのである。
【０００９】そのため、研削傷４の深さが小さいほど好
ましく、特に円板状ターゲットの中心を通る半径方向の
線（以下、中心線と云う）とのなす角が９０°である研
削傷の深さ（Ｒmax ）が小さいことが好ましく、中心線
とのなす角が８０°までは許容し得るところから、
（ａ）図１の平面説明図（理解しやすくするために研削
傷は１本だけ描いてあるが、実際は研削傷は無数にあ
る）に示される直線状研削傷４と円板状ターゲットの中
心線とのなす角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷
（すなわち、図１において、直線状研削傷Ｘ〜Ｘの内、
ｘ〜ｘの部分）の深さが小さいほど好ましく、その研削
傷の深さＲmax が１０μｍ以下のターゲットであれば、
スパッタリング時のターゲットの割れがなくなる、
（ｂ）図２の平面説明図（理解しやすくするために研削
傷は１本だけ描いてあるが、実際は研削傷は無数にあ
る）に示される曲線状研削傷と円板状ターゲットの中心
線との交点における曲線研削傷の接線と中心線とのなす
角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷（すなわち、図
２において、曲線状研削傷Ｙ〜Ｙの内、ｙ〜ｙの部分）
の深さが小さいほど好ましく、その研削傷の深さＲmax
が１０μｍ以下のターゲットであれば、スパッタリング
時のターゲットの割れがなくなる、などの知見を得たの
である。
ましく、特に円板状ターゲットの中心を通る半径方向の
線（以下、中心線と云う）とのなす角が９０°である研
削傷の深さ（Ｒmax ）が小さいことが好ましく、中心線
とのなす角が８０°までは許容し得るところから、
（ａ）図１の平面説明図（理解しやすくするために研削
傷は１本だけ描いてあるが、実際は研削傷は無数にあ
る）に示される直線状研削傷４と円板状ターゲットの中
心線とのなす角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷
（すなわち、図１において、直線状研削傷Ｘ〜Ｘの内、
ｘ〜ｘの部分）の深さが小さいほど好ましく、その研削
傷の深さＲmax が１０μｍ以下のターゲットであれば、
スパッタリング時のターゲットの割れがなくなる、
（ｂ）図２の平面説明図（理解しやすくするために研削
傷は１本だけ描いてあるが、実際は研削傷は無数にあ
る）に示される曲線状研削傷と円板状ターゲットの中心
線との交点における曲線研削傷の接線と中心線とのなす
角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷（すなわち、図
２において、曲線状研削傷Ｙ〜Ｙの内、ｙ〜ｙの部分）
の深さが小さいほど好ましく、その研削傷の深さＲmax
が１０μｍ以下のターゲットであれば、スパッタリング
時のターゲットの割れがなくなる、などの知見を得たの
である。
【００１０】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸
化物からなる焼結体の表面を研削して得られた円板状タ
ーゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された
研削傷と円板状ターゲットの中心線との交点における研
削傷が中心線とのなす角が８０〜９０°の範囲内の研削
傷の深さＲmax が１０μｍ以下である高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲット、（２）Ｂａ、ＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られ
た表面に直線状研削傷を有する円板状ターゲットにおい
て、円板状ターゲット表面に形成された直線状研削傷と
円板状ターゲットの中心線とのなす角が８０〜９０°の
範囲内にある直線状研削傷の深さ（Ｒmax ）が１０μｍ
以下である高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（３）Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物からなる
焼結体の表面を研削して得られた表面に曲線状研削傷を
有する円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表
面に形成された曲線状研削傷と円板状ターゲットの中心
線との交点における曲線状研削傷の接線が中心線となす
角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷の深さＲmax が
１０μｍ以下である高誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲット、に特徴を有するものである。
たものであって、（１）Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸
化物からなる焼結体の表面を研削して得られた円板状タ
ーゲットにおいて、円板状ターゲット表面に形成された
研削傷と円板状ターゲットの中心線との交点における研
削傷が中心線とのなす角が８０〜９０°の範囲内の研削
傷の深さＲmax が１０μｍ以下である高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲット、（２）Ｂａ、ＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物からなる焼結体の表面を研削して得られ
た表面に直線状研削傷を有する円板状ターゲットにおい
て、円板状ターゲット表面に形成された直線状研削傷と
円板状ターゲットの中心線とのなす角が８０〜９０°の
範囲内にある直線状研削傷の深さ（Ｒmax ）が１０μｍ
以下である高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、（３）Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物からなる
焼結体の表面を研削して得られた表面に曲線状研削傷を
有する円板状ターゲットにおいて、円板状ターゲット表
面に形成された曲線状研削傷と円板状ターゲットの中心
線との交点における曲線状研削傷の接線が中心線となす
角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷の深さＲmax が
１０μｍ以下である高誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲット、に特徴を有するものである。
【００１１】この発明の高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットを作製するためのＢａＳｒＴｉ複合酸化物
焼結体は、ＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を真空度：１×
１０ -4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００ｋｇ
／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、２〜５時間保
持の条件でホットプレスすることによりＢａＳｒＴｉ複
合酸化物焼結体を作製する。
グターゲットを作製するためのＢａＳｒＴｉ複合酸化物
焼結体は、ＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を真空度：１×
１０ -4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００ｋｇ
／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、２〜５時間保
持の条件でホットプレスすることによりＢａＳｒＴｉ複
合酸化物焼結体を作製する。
【００１２】この発明の高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットは、図１の平面図に示されるように、円板
状ターゲットの中心線と直線状研削傷とのなす角が８０
〜９０°の範囲内にある研削傷Ｘ〜Ｘの内ｘ〜ｘの部分
の深さＲmax が１０μｍ以下でなければならないが、ｘ
〜ｘの部分以外のｘ〜Ｘの部分の研削傷は、研削傷の深
さはＲmax が１０μｍを越えても良い。
グターゲットは、図１の平面図に示されるように、円板
状ターゲットの中心線と直線状研削傷とのなす角が８０
〜９０°の範囲内にある研削傷Ｘ〜Ｘの内ｘ〜ｘの部分
の深さＲmax が１０μｍ以下でなければならないが、ｘ
〜ｘの部分以外のｘ〜Ｘの部分の研削傷は、研削傷の深
さはＲmax が１０μｍを越えても良い。
【００１３】またこの発明の高誘電体膜形成用スパッタ
リングターゲットは、図２の平面図に示されるような円
板状ターゲットの中心線との交点における曲線状研削傷
Ｙ〜Ｙの内、その接線が中心線とのなす角が８０〜９０
°の範囲内にある研削傷ｙ〜ｙの部分の深さＲmax が１
０μｍを越えると、この研削傷から亀裂が発生し伝播す
るところから、曲線状研削傷の場合は、研削傷ｙ〜ｙの
部分の深さＲmax は常に１０μｍ以下でなければならな
い。しかしｙ〜ｙの部分以外のｙ〜Ｙの部分の研削傷
は、研削傷の深さはＲmax が１０μｍを越えても良い。
リングターゲットは、図２の平面図に示されるような円
板状ターゲットの中心線との交点における曲線状研削傷
Ｙ〜Ｙの内、その接線が中心線とのなす角が８０〜９０
°の範囲内にある研削傷ｙ〜ｙの部分の深さＲmax が１
０μｍを越えると、この研削傷から亀裂が発生し伝播す
るところから、曲線状研削傷の場合は、研削傷ｙ〜ｙの
部分の深さＲmax は常に１０μｍ以下でなければならな
い。しかしｙ〜ｙの部分以外のｙ〜Ｙの部分の研削傷
は、研削傷の深さはＲmax が１０μｍを越えても良い。
【００１４】従って、この発明の高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットの研削傷が図３の平面図に示され
るような円板状ターゲットの中心線との交点における研
削傷の接線が中心線とのなす角が常に９０°のリング状
研削傷４である場合は、その深さＲmax が１０μｍを越
えると、この研削傷から亀裂が発生し伝播するところか
ら、リング状研削傷の場合は、研削傷の深さＲmax はど
の部分も１０μｍ以下でなければならない。
ッタリングターゲットの研削傷が図３の平面図に示され
るような円板状ターゲットの中心線との交点における研
削傷の接線が中心線とのなす角が常に９０°のリング状
研削傷４である場合は、その深さＲmax が１０μｍを越
えると、この研削傷から亀裂が発生し伝播するところか
ら、リング状研削傷の場合は、研削傷の深さＲmax はど
の部分も１０μｍ以下でなければならない。
【００１５】
【発明の実施の形態】水熱合成法で製造された平均粒
径：０．３μｍを有する市販の（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）
ＴｉＯ3 粉末からなるＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を用
意し、この複合酸化物粉末を直径：１３０ｍｍの高純度
グラファイトモールドに充填し、加熱温度：１３００
℃、圧力：１５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、３時間保持の条件で
真空ホットプレスすることにより直径：１３０ｍｍ、厚
さ：６ｍｍを有し、密度比：９８％を有するホットプレ
ス焼結体を作製し、これらホットプレス焼結体を研削
し、直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円
板状ターゲットを作製した。この円板状ターゲットをさ
らに粗さの異なる砥石により研磨して表１〜表２に示さ
れる深さＲmax を有し、図１に示される直線状研削傷、
図２に示される曲線状研削傷および図３に示されるリン
グ状研削傷の３種類のタイプの研削傷を有する本発明ス
パッタリングターゲット（以下、本発明ターゲットとい
う）１〜１５を作製した。なお、図１〜図３の円板状タ
ーゲットの表面に砥石により形成される実際の研削傷は
無数にあるが、理解しやすくするために１本の研削傷で
代表して説明した。
径：０．３μｍを有する市販の（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）
ＴｉＯ3 粉末からなるＢａＳｒＴｉ複合酸化物粉末を用
意し、この複合酸化物粉末を直径：１３０ｍｍの高純度
グラファイトモールドに充填し、加熱温度：１３００
℃、圧力：１５０Ｋｇｆ／ｃｍ2 、３時間保持の条件で
真空ホットプレスすることにより直径：１３０ｍｍ、厚
さ：６ｍｍを有し、密度比：９８％を有するホットプレ
ス焼結体を作製し、これらホットプレス焼結体を研削
し、直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円
板状ターゲットを作製した。この円板状ターゲットをさ
らに粗さの異なる砥石により研磨して表１〜表２に示さ
れる深さＲmax を有し、図１に示される直線状研削傷、
図２に示される曲線状研削傷および図３に示されるリン
グ状研削傷の３種類のタイプの研削傷を有する本発明ス
パッタリングターゲット（以下、本発明ターゲットとい
う）１〜１５を作製した。なお、図１〜図３の円板状タ
ーゲットの表面に砥石により形成される実際の研削傷は
無数にあるが、理解しやすくするために１本の研削傷で
代表して説明した。
【００１６】さらに、図１〜図３に示される３種類のタ
イプの研削傷を有する本発明ターゲット１〜１５にさら
にダイヤペンにより深さＲmax が１０μｍを越える傷を
故意に付けることにより比較スパッタリングターゲット
（以下、比較ターゲットという）１〜５を作製し、その
研削傷の深さＲmax を測定し、その結果を表１〜表２に
示した。
イプの研削傷を有する本発明ターゲット１〜１５にさら
にダイヤペンにより深さＲmax が１０μｍを越える傷を
故意に付けることにより比較スパッタリングターゲット
（以下、比較ターゲットという）１〜５を作製し、その
研削傷の深さＲmax を測定し、その結果を表１〜表２に
示した。
【００１７】これら本発明ターゲット１〜１５および比
較ターゲット１〜５をＩｎ−Ｓｎはんだにより水冷銅板
にハンダ付けし、それぞれスパッタリング装置にセット
し、 真空度：７．５ｍＴｏｒｒ， スパッタガス組成：Ａｒ／０2 ＝４／１， 印加電力：直流６００Ｗ（４．９Ｗ／ｃｍ2 ）， 放電時間：５０時間， の条件でスパッタリングしたところ、成膜速度はいずれ
も約３５ｎｍ／分であり、かかる条件でスパッタリング
したのち、本発明ターゲット１〜１５および比較ターゲ
ット１〜５に割れが発生したか否かを目視にて調べ、そ
の結果を表１〜表２に示した。
較ターゲット１〜５をＩｎ−Ｓｎはんだにより水冷銅板
にハンダ付けし、それぞれスパッタリング装置にセット
し、 真空度：７．５ｍＴｏｒｒ， スパッタガス組成：Ａｒ／０2 ＝４／１， 印加電力：直流６００Ｗ（４．９Ｗ／ｃｍ2 ）， 放電時間：５０時間， の条件でスパッタリングしたところ、成膜速度はいずれ
も約３５ｎｍ／分であり、かかる条件でスパッタリング
したのち、本発明ターゲット１〜１５および比較ターゲ
ット１〜５に割れが発生したか否かを目視にて調べ、そ
の結果を表１〜表２に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】 （＊印は、この発明の範囲外の値を示す。）
【００２０】
【発明の効果】表１〜表２に示される結果から、円板状
ターゲット表面に形成された研削傷と中心線とのなす角
が８０〜９０°の範囲内にある研削傷の深さがＲmax が
１０μｍ以下のターゲットであれば、スパッタリング時
のターゲットの割れがなくなることが分かる。上述のよ
うに、この発明のスパッタリングターゲットは、スパッ
タリングの際にターゲットに割れが発生しないのでパー
ティクルの発生がなく、ＤＲＡＭなどの大量生産とコス
トダウンに大いに貢献しうるものである。
ターゲット表面に形成された研削傷と中心線とのなす角
が８０〜９０°の範囲内にある研削傷の深さがＲmax が
１０μｍ以下のターゲットであれば、スパッタリング時
のターゲットの割れがなくなることが分かる。上述のよ
うに、この発明のスパッタリングターゲットは、スパッ
タリングの際にターゲットに割れが発生しないのでパー
ティクルの発生がなく、ＤＲＡＭなどの大量生産とコス
トダウンに大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明のスパッタリングターゲットの研削傷
を説明するための平面説明図である。
を説明するための平面説明図である。
【図２】この発明のスパッタリングターゲットの研削傷
を説明するための平面説明図である。
を説明するための平面説明図である。
【図３】この発明のスパッタリングターゲットの研削傷
を説明するための平面説明図である。
を説明するための平面説明図である。
【図４】従来の課題を説明するためのパッタリング装置
の断面概略図である。
の断面概略図である。
１ ターゲット ２ 水冷銅板 ３ スパッタリング装置 ４ 研削傷
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｃ０４Ｂ 35/46 Ｅ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｃ 21/8242 27/10 ６５１ // Ｈ０１Ｌ 21/203 (72)発明者 三島 昭史 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物から
なる焼結体の表面を研削して得られた表面に研削傷を有
する円板状ターゲットにおいて、 円板状ターゲット表面に形成された研削傷と円板状ター
ゲットの中心を通る半径方向の線（以下、中心線と云
う）とのなす角が８０〜９０°の範囲内にある研削傷の
深さ（Ｒmax ）が１０μｍ以下であることを特徴とする
高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物から
なる焼結体の表面を研削して得られた表面に直線状研削
傷を有する円板状ターゲットにおいて、 円板状ターゲット表面に形成された直線状研削傷と円板
状ターゲットの中心線とのなす角が８０〜９０°の範囲
内にある直線状研削傷の深さ（Ｒmax ）が１０μｍ以下
であることを特徴とする高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲット。 - 【請求項３】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物から
なる焼結体の表面を研削して得られた表面に曲線研削傷
を有する円板状ターゲットにおいて、 円板状ターゲット表面に形成された曲線状研削傷と円板
状ターゲットの中心線との交点における曲線状研削傷の
接線が中心線となす角が８０〜９０°の範囲内にある研
削傷の深さＲmax が１０μｍ以下であることを特徴とす
る高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119508A JPH10310471A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119508A JPH10310471A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310471A true JPH10310471A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14763008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119508A Withdrawn JPH10310471A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10310471A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001026863A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| JP2001316808A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| CN1312077C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-04-25 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 钛酸锶钡介质靶的制备方法 |
| CN100341817C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-10-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 钛酸锶钡薄膜材料的制备方法 |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP9119508A patent/JPH10310471A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001026863A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-01-30 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| EP1116800A1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-07-18 | Nikko Materials Company, Limited | Sputtering target |
| EP1116800A4 (en) * | 1999-07-15 | 2004-09-08 | Nikko Materials Co Ltd | sputtering Target |
| JP2001316808A (ja) * | 2000-05-09 | 2001-11-16 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| CN1312077C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-04-25 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 钛酸锶钡介质靶的制备方法 |
| CN100341817C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-10-10 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 钛酸锶钡薄膜材料的制备方法 |
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