JP2001003164A - 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2001003164A JP2001003164A JP11172203A JP17220399A JP2001003164A JP 2001003164 A JP2001003164 A JP 2001003164A JP 11172203 A JP11172203 A JP 11172203A JP 17220399 A JP17220399 A JP 17220399A JP 2001003164 A JP2001003164 A JP 2001003164A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sintered body
- thickness
- composite oxide
- oxide sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタリング時に割れが発生することの少
ない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供
する。 【解決手段】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物の焼
結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トにおいて、ターゲットの厚さを０．４〜３ｍｍの範囲
内に限定することを特徴とする。
ない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供
する。 【解決手段】 Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物の焼
結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トにおいて、ターゲットの厚さを０．４〜３ｍｍの範囲
内に限定することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣ等の半導体
素子におけるキャパシタ用膜をスパッタリングにより高
速成膜するに際して割れ発生がないＢａおよびＴｉの複
合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体ま
たはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる
高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに関するも
のである。
素子におけるキャパシタ用膜をスパッタリングにより高
速成膜するに際して割れ発生がないＢａおよびＴｉの複
合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体ま
たはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる
高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＣ等の半導体素子に用いるキ
ャパシタ用膜として、ペロブスカイト構造を有しＢａお
よびＴｉの複合酸化物、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物、
またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、これ
らをＢＳＴ複合酸化物と総称する）からなる高誘電体膜
を使用することが知られており、かかる高誘電体膜はＢ
ＳＴ複合酸化物焼結体からなるターゲットを用いてスパ
ッタリングすることにより形成されることも知られてい
る。
ャパシタ用膜として、ペロブスカイト構造を有しＢａお
よびＴｉの複合酸化物、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物、
またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物（以下、これ
らをＢＳＴ複合酸化物と総称する）からなる高誘電体膜
を使用することが知られており、かかる高誘電体膜はＢ
ＳＴ複合酸化物焼結体からなるターゲットを用いてスパ
ッタリングすることにより形成されることも知られてい
る。
【０００３】前記ＢＳＴ複合酸化物焼結体は、まず原料
粉末のＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3粉末およびＴｉＯ2
粉末を用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し、
ボールミルに入れて混合し、得られた混合粉末をＭｇＯ
ルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：１２００〜１３５
０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成し、得られた焼成
体をボールミルで粉砕することによりＢＳＴ複合酸化物
粉末を作製し、これらＢＳＴ複合酸化物粉末を真空度：
１×１０-4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００
ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、１〜５時
間保持の条件でホットプレスすることにより作製する。
粉末のＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3粉末およびＴｉＯ2
粉末を用意し、これら原料粉末を所定の割合に配合し、
ボールミルに入れて混合し、得られた混合粉末をＭｇＯ
ルツボに入れ、大気雰囲気中、温度：１２００〜１３５
０℃、３〜１０時間保持の条件で焼成し、得られた焼成
体をボールミルで粉砕することによりＢＳＴ複合酸化物
粉末を作製し、これらＢＳＴ複合酸化物粉末を真空度：
１×１０-4〜５×１０-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００
ｋｇ／ｃｍ2 、温度：１２５０〜１３５０℃、１〜５時
間保持の条件でホットプレスすることにより作製する。
【０００４】このようにして得られたＢＳＴ複合酸化物
焼結体は、通常、密度比：９５％以上（すなわち９５〜
１００％）を有しており、これを回転砥石により表面研
削することにより、直径：２５０〜４００ｍｍ、厚さ：
５〜１０ｍｍを有する寸法に仕上げ、スパッタリングタ
ーゲットとして使用していた。特に、近年、パッタリン
グの作業効率を上げて製造コストを削減するために、タ
ーゲットの厚さを大きくして作業中におけるターゲット
の交換回数を減らし、さらに一回のスパッタにより大量
の成膜を行うために、ターゲットはますます大型化する
傾向にあり、直径：５００ｍｍもの大きなターゲットの
試作が行われている。
焼結体は、通常、密度比：９５％以上（すなわち９５〜
１００％）を有しており、これを回転砥石により表面研
削することにより、直径：２５０〜４００ｍｍ、厚さ：
５〜１０ｍｍを有する寸法に仕上げ、スパッタリングタ
ーゲットとして使用していた。特に、近年、パッタリン
グの作業効率を上げて製造コストを削減するために、タ
ーゲットの厚さを大きくして作業中におけるターゲット
の交換回数を減らし、さらに一回のスパッタにより大量
の成膜を行うために、ターゲットはますます大型化する
傾向にあり、直径：５００ｍｍもの大きなターゲットの
試作が行われている。
【０００５】これらターゲットは、水冷銅板にＩｎ−Ｓ
ｎハンダでろう付けされ、スパッタリングターゲット装
置にセットされ、ターゲット側の雰囲気を真空雰囲気に
してスパッタリングすることによりペロブスカイト構造
を有するＢＳＴ複合酸化物からなる高誘電体膜を形成し
ている。
ｎハンダでろう付けされ、スパッタリングターゲット装
置にセットされ、ターゲット側の雰囲気を真空雰囲気に
してスパッタリングすることによりペロブスカイト構造
を有するＢＳＴ複合酸化物からなる高誘電体膜を形成し
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子のコ
ストダウンのためにＢＳＴ複合酸化物からなる高誘電体
膜を一層高速で成膜することが求められており、そのた
めに、一層高出力でスパッタリングする必要があるが、
従来の大型化したターゲットを用いて高速成膜すると、
スパッタリング中にターゲットに割れが発生するという
問題点があった。
ストダウンのためにＢＳＴ複合酸化物からなる高誘電体
膜を一層高速で成膜することが求められており、そのた
めに、一層高出力でスパッタリングする必要があるが、
従来の大型化したターゲットを用いて高速成膜すると、
スパッタリング中にターゲットに割れが発生するという
問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
高速成膜しても割れが発生することのないＢＳＴ複合酸
化物焼結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲットを開発すべく研究を行なっていたところ、ＢＳ
Ｔ複合酸化物焼結体からなるターゲットの厚さはスパッ
タリング時のターゲットの割れ発生に大きな影響を及ぼ
し、ＢＳＴ複合酸化物焼結体からなる高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲットの厚さを０．４〜３ｍｍの範
囲内にすると高速成膜してもターゲットの割れの発生は
ない、という知見を得たのである。
高速成膜しても割れが発生することのないＢＳＴ複合酸
化物焼結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲットを開発すべく研究を行なっていたところ、ＢＳ
Ｔ複合酸化物焼結体からなるターゲットの厚さはスパッ
タリング時のターゲットの割れ発生に大きな影響を及ぼ
し、ＢＳＴ複合酸化物焼結体からなる高誘電体膜形成用
スパッタリングターゲットの厚さを０．４〜３ｍｍの範
囲内にすると高速成膜してもターゲットの割れの発生は
ない、という知見を得たのである。
【０００８】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、（１）ＢａおよびＴｉの複合酸化物焼
結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体、またはＢ
ａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる円盤状
ターゲットにおいて、ターゲットの厚さが０．４〜３ｍ
ｍである高速成膜しても割れが発生することのない高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有す
るものである。
たものであって、（１）ＢａおよびＴｉの複合酸化物焼
結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体、またはＢ
ａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる円盤状
ターゲットにおいて、ターゲットの厚さが０．４〜３ｍ
ｍである高速成膜しても割れが発生することのない高誘
電体膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有す
るものである。
【０００９】この発明の高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットの直径は従来のスパッタリングターゲット
の直径と同じく２５０〜４００ｍｍであって良いが、直
径の一層大きい２７０〜５００ｍｍを有するスパッタリ
ングターゲットに対して有効であり、さらに直径が３０
０〜５００ｍｍを有するスパッタリングターゲットに対
して特に有効である。したがって、この発明は、（２）
いずれも直径：２５０〜５００ｍｍを有するＢａおよび
Ｔｉの複合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物
焼結体、またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結
体からなる円盤状ターゲットにおいて、ターゲットの厚
さが０．４〜３ｍｍである高速成膜しても割れが発生す
ることのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
グターゲットの直径は従来のスパッタリングターゲット
の直径と同じく２５０〜４００ｍｍであって良いが、直
径の一層大きい２７０〜５００ｍｍを有するスパッタリ
ングターゲットに対して有効であり、さらに直径が３０
０〜５００ｍｍを有するスパッタリングターゲットに対
して特に有効である。したがって、この発明は、（２）
いずれも直径：２５０〜５００ｍｍを有するＢａおよび
Ｔｉの複合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物
焼結体、またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結
体からなる円盤状ターゲットにおいて、ターゲットの厚
さが０．４〜３ｍｍである高速成膜しても割れが発生す
ることのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
【００１０】また、一般に、ターゲットの密度が大きい
ほど割れが発生しやすいが、この発明の高誘電体膜形成
用スパッタリングターゲットの密度比は９５％以上（す
なわち９５〜１００％）であっても割れが発生しない。
したがって、この発明は、（３）いずれも密度比が９５
％以上のＢａおよびＴｉの複合酸化物焼結体、Ｓｒおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体、またはＢａ、ＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物焼結体からなる円盤状ターゲットにおい
て、ターゲットの厚さが０．４〜３ｍｍである高速成膜
しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（４）いずれも密度比が９５％
以上を有し直径：２５０〜５００ｍｍを有するＢａおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化
物焼結体またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結
体からなる円盤状ターゲットにおいて、ターゲットの厚
さが０．４〜３ｍｍである高速成膜しても割れが発生す
ることのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
ほど割れが発生しやすいが、この発明の高誘電体膜形成
用スパッタリングターゲットの密度比は９５％以上（す
なわち９５〜１００％）であっても割れが発生しない。
したがって、この発明は、（３）いずれも密度比が９５
％以上のＢａおよびＴｉの複合酸化物焼結体、Ｓｒおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体、またはＢａ、ＳｒおよびＴ
ｉの複合酸化物焼結体からなる円盤状ターゲットにおい
て、ターゲットの厚さが０．４〜３ｍｍである高速成膜
しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲット、（４）いずれも密度比が９５％
以上を有し直径：２５０〜５００ｍｍを有するＢａおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉの複合酸化
物焼結体またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結
体からなる円盤状ターゲットにおいて、ターゲットの厚
さが０．４〜３ｍｍである高速成膜しても割れが発生す
ることのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
ト、に特徴を有するものである。
【００１１】この発明の高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットの厚さが３ｍｍを越えると高速スパッタ中
に割れが発生するので好ましくなく、一方、厚さが０．
４ｍｍ未満ではターゲットの機械加工中やハンドリング
中に破損する割合が増加するので好ましくない。したが
って、この発明の高誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットの厚さを０．４〜３ｍｍに定めた。一層好ましい
厚さは０．４〜２ｍｍである。
グターゲットの厚さが３ｍｍを越えると高速スパッタ中
に割れが発生するので好ましくなく、一方、厚さが０．
４ｍｍ未満ではターゲットの機械加工中やハンドリング
中に破損する割合が増加するので好ましくない。したが
って、この発明の高誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットの厚さを０．４〜３ｍｍに定めた。一層好ましい
厚さは０．４〜２ｍｍである。
【００１２】この発明の高誘電体膜形成用スパッタリン
グターゲットの製造方法は、平均粒径：１〜１０μｍの
ＢＳＴ複合酸化物粉末を真空度：１×１０-4〜５×１０
-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：
１２５０〜１３５０℃、１〜５時間保持の条件でホット
プレスすることにより、密度比：９５％以上（すなわち
９５〜１００％）のＢＳＴ複合酸化物からなる円盤状焼
結体を作製し、このＢＳＴ複合酸化物からなる円盤状焼
結体を通常の砥石で研削して直径：２５０〜５００ｍ
ｍ、厚さ：０．４〜３ｍｍの寸法としたのち、これを塩
酸と過酸化水素水を５〜３０％混合したダイヤモンドス
ラリーを用い、化学的機械研磨することにより製造する
ことができる。
グターゲットの製造方法は、平均粒径：１〜１０μｍの
ＢＳＴ複合酸化物粉末を真空度：１×１０-4〜５×１０
-2Ｔｏｒｒ、荷重：５０〜２００ｋｇ／ｃｍ2 、温度：
１２５０〜１３５０℃、１〜５時間保持の条件でホット
プレスすることにより、密度比：９５％以上（すなわち
９５〜１００％）のＢＳＴ複合酸化物からなる円盤状焼
結体を作製し、このＢＳＴ複合酸化物からなる円盤状焼
結体を通常の砥石で研削して直径：２５０〜５００ｍ
ｍ、厚さ：０．４〜３ｍｍの寸法としたのち、これを塩
酸と過酸化水素水を５〜３０％混合したダイヤモンドス
ラリーを用い、化学的機械研磨することにより製造する
ことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施例 水熱合成法で製造された平均粒径が０．３μｍを有する
市販のＢａＴｉＯ3 粉末、ＳｒＴｉＯ3 粉末および
（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末のＢＳＴ複合酸
化物粉末を用意し、これらＢＳＴ複合酸化物粉末を高純
度グラファイトモールドに充填し、圧力：１５０Ｋｇｆ
／ｃｍ2 の荷重を加え、昇温速度：５℃／ｍｉｎ．、温
度：１３００℃に加熱しながら１時間保持したのち、炉
冷の真空ホットプレスすることにより表１に示される密
度比を有するホットプレス焼結体を作製した。このホッ
トプレス焼結体を砥石により研削加工することにより表
１に示される直径および厚さを有する本発明ターゲット
１〜１２、比較ターゲット１〜３および従来ターゲット
１を作製した。
市販のＢａＴｉＯ3 粉末、ＳｒＴｉＯ3 粉末および
（Ｂａ0.5 ，Ｓｒ0.5 ）ＴｉＯ3 粉末のＢＳＴ複合酸
化物粉末を用意し、これらＢＳＴ複合酸化物粉末を高純
度グラファイトモールドに充填し、圧力：１５０Ｋｇｆ
／ｃｍ2 の荷重を加え、昇温速度：５℃／ｍｉｎ．、温
度：１３００℃に加熱しながら１時間保持したのち、炉
冷の真空ホットプレスすることにより表１に示される密
度比を有するホットプレス焼結体を作製した。このホッ
トプレス焼結体を砥石により研削加工することにより表
１に示される直径および厚さを有する本発明ターゲット
１〜１２、比較ターゲット１〜３および従来ターゲット
１を作製した。
【００１４】このようにして得られた本発明ターゲット
１〜１２、比較ターゲット１〜３および従来ターゲット
１をＩｎ−Ｓｎハンダで水冷用の銅製バッキングプレー
トに接合し、高周波マグネトロンスパッタ装置にセット
し、以下の条件でスパッタしたのち、ターゲットの割れ
発生の有無を目視にて確認し、その結果を表１に示し
た。 雰囲気圧力：１Ｐａ、 スパッタガス組成：Ａｒ／酸素 ＝１／１、 成膜速度：３０ｎｍ／分、 成膜時間：１０時間、
１〜１２、比較ターゲット１〜３および従来ターゲット
１をＩｎ−Ｓｎハンダで水冷用の銅製バッキングプレー
トに接合し、高周波マグネトロンスパッタ装置にセット
し、以下の条件でスパッタしたのち、ターゲットの割れ
発生の有無を目視にて確認し、その結果を表１に示し
た。 雰囲気圧力：１Ｐａ、 スパッタガス組成：Ａｒ／酸素 ＝１／１、 成膜速度：３０ｎｍ／分、 成膜時間：１０時間、
【００１５】
【表１】
【００１６】
【発明の効果】表１に示される結果から、厚さが０．４
〜３ｍｍの範囲内にある本発明ターゲット１〜１２はス
パッタリング中に割れが発生することがないが、厚さが
３ｍｍを越える比較ターゲット１〜３および従来ターゲ
ット１は割れが発生することが分かる。上述のように、
厚さが０．４〜３ｍｍの範囲内にあるこの発明のＢＳＴ
複合酸化物からなるスパッタリングターゲットは、高誘
電体膜を一層高速度で成膜してもスパッタリング中に割
れ発生がなく、半導体素子の多品種少量生産であっても
高速成膜が可能であるところから、異なった種類のＢＳ
Ｔ複合酸化物膜を効率良く成膜できるなど優れた効果を
奏するものである。
〜３ｍｍの範囲内にある本発明ターゲット１〜１２はス
パッタリング中に割れが発生することがないが、厚さが
３ｍｍを越える比較ターゲット１〜３および従来ターゲ
ット１は割れが発生することが分かる。上述のように、
厚さが０．４〜３ｍｍの範囲内にあるこの発明のＢＳＴ
複合酸化物からなるスパッタリングターゲットは、高誘
電体膜を一層高速度で成膜してもスパッタリング中に割
れ発生がなく、半導体素子の多品種少量生産であっても
高速成膜が可能であるところから、異なった種類のＢＳ
Ｔ複合酸化物膜を効率良く成膜できるなど優れた効果を
奏するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】ＢａおよびＴｉの複合酸化物焼結体、Ｓｒ
およびＴｉの複合酸化物焼結体、またはＢａ、Ｓｒおよ
びＴｉの複合酸化物焼結体からなる円盤状ターゲットに
おいて、 ターゲットの厚さが０．４〜３ｍｍであることを特徴と
する高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体
膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】いずれも直径：２５０〜５００ｍｍを有す
るＢａおよびＴｉの複合酸化物焼結体、ＳｒおよびＴｉ
の複合酸化物焼結体、またはＢａ、ＳｒおよびＴｉの複
合酸化物焼結体からなる円盤状ターゲットにおいて、 ターゲットの厚さが０．４〜３ｍｍであることを特徴と
する高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体
膜形成用スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】密度比：９５％以上を有することを特徴と
する請求項１または２記載の高速成膜しても割れが発生
することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲ
ット
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11172203A JP2001003164A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11172203A JP2001003164A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001003164A true JP2001003164A (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15937507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11172203A Pending JP2001003164A (ja) | 1999-06-18 | 1999-06-18 | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001003164A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104723186A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨硅合金的机械加工方法 |
| CN107471084A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-15 | 清华大学 | 抛光设备的抛光平面度控制方法、装置和抛光设备 |
| JP2020152953A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339468A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ハイドロキシアパタイト質ターゲット |
| JPH1030172A (ja) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Mitsubishi Materials Corp | 大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10176264A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10204627A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用高密度スパッタリングターゲット |
-
1999
- 1999-06-18 JP JP11172203A patent/JP2001003164A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0339468A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ハイドロキシアパタイト質ターゲット |
| JPH1030172A (ja) * | 1996-07-16 | 1998-02-03 | Mitsubishi Materials Corp | 大型で高密度の高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10182151A (ja) * | 1996-11-01 | 1998-07-07 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10176264A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
| JPH10204627A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Mitsubishi Materials Corp | 高誘電体膜形成用高密度スパッタリングターゲット |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104723186A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 钨硅合金的机械加工方法 |
| CN107471084A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-15 | 清华大学 | 抛光设备的抛光平面度控制方法、装置和抛光设备 |
| JP2020152953A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜 |
| JP7280075B2 (ja) | 2019-03-19 | 2023-05-23 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法並びに薄膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6744323B2 (ja) | リチウム含有遷移金属酸化物ターゲット | |
| JP3346167B2 (ja) | 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜 | |
| JPH10306367A (ja) | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法 | |
| JP2013507526A (ja) | 酸化スズセラミックスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2024500914A (ja) | 高熱伝導性窒化ケイ素セラミックス絶縁板及びその製造方法 | |
| JP6264846B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH11322332A (ja) | ＺｎＯ系焼結体およびその製造方法 | |
| JP3460506B2 (ja) | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| WO2010125801A1 (ja) | ＺｎＯ-Ｇａ２Ｏ３系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 | |
| JPH09249967A (ja) | 高純度チタン酸バリウムストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
| JP2014125422A (ja) | 酸化物焼結体、酸化物焼結体スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2001003164A (ja) | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP4026194B2 (ja) | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法 | |
| CN113149614A (zh) | 一种烧结体、靶材及其制备方法 | |
| JP3129233B2 (ja) | Ｂａ、ＳｒおよびＴｉの複合酸化物焼結体からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP4017220B2 (ja) | スパッタリング用ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３−ｙターゲット材 | |
| JP2791407B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜形成用ターゲット材の製造方法 | |
| JPH11158607A (ja) | ＺｎＯ系焼結体およびその製法 | |
| JP3127831B2 (ja) | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH10310471A (ja) | 高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP6468158B2 (ja) | 蒸着用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系酸化物焼結体タブレットとその製造方法 | |
| CN114716242B (zh) | 一种x8r型多层陶瓷电容器瓷料及其制备方法 | |
| JP3127824B2 (ja) | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2007223899A (ja) | スパッタリング用ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３−ｙターゲット材の製造方法 | |
| JPS59156961A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060811 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061204 |