CN104723186A - 钨硅合金的机械加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种钨硅合金的机械加工方法,包括:采用金刚石砂轮磨削所述钨硅合金坯料,进行梯度加工。在钨硅合金坯料的机械加工过程中,以金刚石砂轮取代所述传统的铣刀刀具,在采用金刚石砂轮对钨硅合金坯料进行磨削加工过程中,金刚石砂轮上的每一颗磨料相当于一把刀片,对所述钨硅合金坯料进行快速而高精度磨削,从而在磨削过程中,有效降低砂轮与钨硅合金坯料接触时,对钨硅合金坯料产生的扭力,减小所述钨硅合金坯料的振动,从而降低所述钨硅合金坯料碎裂的概率,提高钨硅合金坯料的机械加工的成品率。

Description

钨硅合金的机械加工方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种钨硅合金的机械加工方法。
背景技术
磁控溅射是一种利用带电粒子轰击靶材,使靶材原子从表面逸出并均匀沉积在衬底上的基片镀膜工艺。磁控溅射以溅射率高、基片温升低、膜-基结合力好,以及优异的金属镀膜均匀性和可控性强等优势成为了最优异的基片镀膜工艺,并被广泛地应用于如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等电子及信息产业的镀膜工艺中。
在磁控溅射工艺中,基于磁控溅射工艺要求,需要特定的形状的靶材结构,如在靶材的中间区域保持平整结构,而在靶材的边缘区域需形成阶梯状结构。此外,靶材的表面的平面度,平行度等对于镀膜的均匀度质量指标均具有重要影响。所谓的平面度指靶材靶材表面凹凸高度相对理想平面的偏差,平行度指靶材两个平面或者两直线平行的程度,具体地至一个平面(或边)与该平面(或边)相对的平面(或边)平行的误差最大允许值。
在靶材制备工艺中,包括机械加工步骤,从而将靶材加工成特定结构,同时提高靶材的表面的平面度、平行度。但在刀具切削靶材过程中,靶材受到外部载荷作用后,靶材内部的内应力会从靶材内部逐渐的释放,并由此导致产品的变形,使平面度产生偏差;而且刀具与靶材坯料接触后,刀具在工件的表面加工时产生扭力,这些扭力会导致工件振动,从而使靶材产生形变影响工件的表面加工质量。
尤其是在钨硅合金(W-Si)靶材等,硬度高,脆性大的材料的靶材的机械加工过程中。靶材内部应力释放不完全,产生的扭力作用大,不仅刀具磨损大,而且加工过程中,经常出现靶材碎裂等情况。特别是在进行靶材阶梯式结构的梯度加工中,靶材破碎率高,无法采用普通的铣刀磨削加工工艺无法满足高精度的梯度加工要求,钨硅合金靶材机械加工成品率低。为此,如何提高钨硅合金靶材的机械加工质量,获取特定结构的钨硅合金靶材,并提高钨硅合金靶材的加工成品率是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种钨硅合金的机械加工方法,可有效提高钨硅合金的梯度加工的精度,以及质量,从而提高钨硅合金机械加工的质量和成品率。
为解决上述问题,本发明提供一种钨硅合金的机械加工方法,包括:
提供钨硅合金坯料,所述钨硅合金坯料包括第一表面:
采用金刚石砂轮磨削所述钨硅合金坯料的第一表面,进行梯度加工。
可选地,所述金刚石砂轮的磨料颗粒小于或等于150微米。
可选地,所述金刚石砂轮的磨料颗粒为55~150微米。
可选地,所述梯度加工过程包括:金刚石砂轮的转速大于或等于1000转/分钟,进给量小于或等于700毫米/分钟,吃刀量小于或等于0.1毫米。
可选地,金刚石砂轮的转速为1000~3000转/分钟,进给量为100~700毫米/分钟,吃刀量为0.01~0.1毫米。
可选地,所述金刚石砂轮与所述钨硅合金坯料的接触面积为10~200平方毫米。
可选地,所述钨硅合金坯料还包括与所述第一表面位置相对的第二表面;
在所述梯度加工之前,对所述钨硅合金坯料的第一表面进行平面磨加工,至所述钨硅合金坯料的第一表面和第二表面间的距离为第一预定距离。
可选地,所述平面磨加工包括:
采用金刚石砂轮,磨削所述钨硅合金坯料的第一表面;
所述平面磨加工包括:第一平面磨加工和第二平面磨加工;
第一平面磨加工,采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为250~160微米;转速为1000~2000转/分钟,吃刀量为0.02~0.05毫米;
在第一平面磨加工后,进行第二平面磨加工,所述第二平面磨加工工艺为:
采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为125~80微米;转速为1000~2000转/分钟,吃刀量为0.01~0.02毫米。
可选地,在平面磨加工过程中,所述金刚石砂轮与钨硅合金坯料的接触面积为50~200平方毫米。
可选地,在所述梯度加工之前,对所述钨硅合金坯料的第一表面的边缘进行线切割加工。
可选地,在所述线切割加工的工艺包括:采用切割线为钼丝,电流为5~7安培,脉间为3~5微秒,脉宽为4~6微秒,功率管数为5~7。
可选地,在所述线切割加工中,在所述钨硅合金坯料的第一表面边缘保留0.5~1毫米的余留量。
可选地,所述梯度加工包括:
所述金刚石砂轮沿第一方向进行第一次磨削进刀,磨削所述第一表面形成第一凹槽平面,所述第一表面和第一凹槽平面间形成阶梯结构;
在所述第一凹槽平面上沿第二方向进行第二次磨削进刀,磨削所述第一凹槽平面形成第二凹槽平面;
反复上述磨削进刀步骤,至加工至预定梯度结构。
可选地,所述金刚石砂轮包括第一磨削面和第二磨削面,所述第一磨削面和第二磨削面的边缘对接,且所述一磨削面和第二磨削面呈第一角度倾斜;
所述第一磨削面磨削所述钨硅合金坯料的第一表面,所述第二磨削面磨削所述第一表面与第一凹槽平面间形成的阶梯结构的侧壁。
可选地,所述金刚石砂轮的第一磨削面和第二磨削面之间呈圆弧形过度连接。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
在钨硅合金坯料的机械加工过程中,以金刚石砂轮取代所述传统的铣刀刀具,在对钨硅合金坯料进行磨削加工过程中,金刚石砂轮上的每一颗磨料相当于一把刀片,对所述钨硅合金坯料进行快速而高精度磨削,从而在磨削过程中,有效降低砂轮与钨硅合金坯料接触时钨硅合金坯料产生的扭力,减小所述钨硅合金坯料的振动,从而降低所述钨硅合金坯料碎裂的概率,提高钨硅合金坯料的机械加工的成品率。
进一步可选地,所述梯度加工工艺中,所述金刚石砂轮与钨硅合坯料的接触面积为10~200平方毫米,转速为1000~3000转/分钟,进给量100~700毫米/分钟,吃刀量小于或等于0.01~0.1毫米。在机械加工工艺中,采用的金刚石砂轮与钨硅合金坯料的接触面积、砂轮转速、以及进刀量选择直接影响钨硅合金坯料的切口平整性、钨硅合金坯料的振动大小、变形程度,以及钨硅合金坯料机械加工效率。本发明中,采用上述磨削条件参数在减小钨硅合金坯料振动,降低所述钨硅合金坯料出现碎裂概率的同时,有效提高磨削所述钨硅合金坯料过程中,所述钨硅合金坯料的磨削面的平整度,提高磨削的效率。
附图说明
图1是本发明的一个实施例提供的钨硅合金的机械加工方法的流程图;
图2至图5为图1中,钨硅合金的机械加工方法流程中各个步骤的结构示意图;
图6至图8为采用本发明实施例提供的钨硅合金的机械加工方法加工形成的不同梯度结构的钨硅合金靶材的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,靶材制备工艺中,根据靶材使用要求,需要对靶材进行机械加工成特定结构。然而对于诸如钨硅合金等硬度高,脆性大的材料的加工过程中,尤其是在对靶材进行阶梯式结构的梯度加工工艺中,易出现靶材碎裂等缺陷,致使无法完成靶材加工工艺,靶材成品率低。
为此,本发明提供了一种钨硅合金的机械加工方法。在钨硅合金靶材的机械加工过程中,可有效降低靶材出现碎裂的概率,从而提高钨硅合金靶材加工成品率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1为本实施例提供的钨硅合金的机械加工方法的流程图;图2~图5为图1中,钨硅合金的机械加工方法的流程中各步骤的结构示意图。
结合参考图1和图2所示,先执行步骤S1,提供钨硅合金坯料110,所述钨硅合金坯料100包括第一表面110和第二表面,所述第一表面和第二表面位置相对设置。
本实施例中,所述第二表面沿厚度方向与所述第一表面110位置相对设置。
本实施例中,所述钨硅合金坯料100为圆柱体的钨硅合金靶材坯料,所述钨硅合金靶材坯料100的第一表面110为溅射面,所述第二表面为背面,为钨硅合金靶材坯料的侧面。所述第二表面与背板200固定连接,环绕于所述溅射面110和背面周边的为圆柱体侧面。
除本实施例外的其他实施例中,如矩形的钨硅合金,或是多边形钨硅合金的机械加工方法均在本发明的保护范围内。
继续参考图1所示,执行步骤S2,对所述钨硅合金坯料的第一表面进行平面磨加工,至所述第一表面和第二表面间的距离(即厚度方向的数值)为第一预定距离。所述第一预定距离为钨硅合金靶材实际使用时的厚度。
结合参考图3所示,本实施例中,所述钨硅合金靶材坯料110的第二表面(即背面)与所述背板200固定连接,因而只需对所述第一表面110进行平面磨加工工艺,从而提高所述钨硅合金靶材坯料110的第一表面110的平面度和平行度。
本实施例中,所述平面磨加工工艺包括二次平面磨加工工艺:第一平面磨加工和第二平面磨加工。所述第一平面磨加工和第二平面磨加工均采用金刚石砂轮300进行磨削。具体地:
第一平面磨加工工艺包括:采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为250~160微米,转速为1000~2000转/分钟,吃刀量(即金刚石砂轮沿厚度方向下降的量)为0.02~0.05毫米。进一步可选地,所述金刚石砂轮的转速为1440转/分钟左右,吃刀量为0.03毫米左右。
第二平面磨加工工艺包括:采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为125~80微米,转速为1000~2000转/分钟,吃刀量(即砂轮沿厚度方向下降的量)为0.01~0.02毫米。进一步可选地,所述金刚石砂轮的转速为1440转/分钟左右,吃刀量为0.015毫米左右。
本实施例中,平面磨加工工艺的所述金刚石砂轮300与钨硅合金靶材坯料100的接触面积为50~200平方毫米(mm2)。所述金刚石砂轮300由所述钨硅合金靶材坯料100的边缘切入,磨削所述钨硅合金靶材坯料100。所述接触面积为磨削过程中,所述金刚石砂轮300与钨硅合金靶材坯料100最大的接触面积,为50~200mm2
继续参考图1所示,在平面磨加工工艺后,执行步骤S3,对所述钨硅合金坯料的第一表面的边缘进行线切割加工工艺。
结合参考图4所示,本实施例中,在对所述钨硅合金靶材坯料100的第一表面110进行平面磨加工后,采用线切合工艺对所述钨硅合金靶材坯料100的边缘进行加工,(即切割所述钨硅合金靶材坯料100的侧面120)。
本实施例中,所述线切割工艺采用钼丝400为切割线,调整电流为5~7安培(A),脉间为3~5微秒(μs),脉宽为4~6μs,功率管数为5~7。进一步可选地,所述调整电流为6A左右,脉间为4μs左右,脉宽为5μs左右,功率管数为6左右。
本实施例中,所述线切割加工中,在所述钨硅合金靶材坯料100的第一表面边缘或第二表面的边缘保留0.5~1毫米的余留量,即沿所述钨硅合金靶材坯料100的径向,留0.5~1毫米的余量,以备后续加工。
本实施例中,采用钼丝为切割线,配合特定的电流、脉宽、脉间以及功率管数,可确保所述钨硅合金靶材坯料100的侧面120的平面度以及平行度的同时,提高所述钨硅合金靶材坯料100的切割效率。
继续参考图1所示,在所述线切割工艺形成新的钨硅合金靶材坯料后,执行步骤S4,采用金刚石砂轮磨削所述钨硅合金坯料,进行梯度加工。
结合参考图5所示,本实施例中,所述梯度加工工艺包括:
采用金刚石砂轮500对所述钨硅合金靶材坯料100进行磨削加工,采用的金刚石砂轮500的磨料颗粒小于或等于150微米,所述金刚石砂轮500的转速为大于或等于1000转/分钟,进给量小于或等于700毫米/分钟,吃刀量小于或等于0.1毫米,金刚石砂轮500与钨硅合金靶材坯料100的接触面积小于200mm2
进一步可选地,所述金刚石砂轮500的磨料颗粒为55~150微米,所述金刚石砂轮500的转速为1000~3000转/分钟,进给量为100~700毫米/分钟,吃刀量为0.01~0.1毫米,金刚石砂轮500与钨硅合金靶材坯料100的接触面积为10~200mm2
本实施例中,可将砂轮固定在加工中心(一种机械加工数控机床)上,采用砂轮对所述钨硅合金靶材坯料100进行不同方向的梯度磨削工艺。相比于传统的铣刀加工工艺,铣刀对于钨硅合金靶材坯料100的切割面大,在所述钨硅合金靶材坯料100上会产生较大的扭力作用。本实施例中,采用砂轮磨削钨硅合金靶材坯料100,期间,砂轮上的每一颗磨砂相当于一把刀片,在极小的接触面积下,基于高速旋转,切割所述钨硅合金靶材坯料100,从而可有效降低磨削工艺产生的扭力。且本实施例中,所述砂轮采用硬度较大的金刚石砂轮,从而相当于其他材质的砂轮可进一步提高对于钨硅合金靶材坯料100的磨削力度。
此外,在靶材机械加工过程中,砂轮的磨粒挤压钨硅合金靶材坯料100表面,在磨粒挤压钨硅合金靶材坯料100产生弹性,产生塑性变形。砂轮的进给量大小、主轴转速直接影响待切割的钨硅合金靶材坯料100切口的平整度和机械加工速率。砂轮的进给量越大,磨削的速率越快,但是靶材切口显得毛糙,切口平整度较差,对于靶材施加的力越大,相应靶材切口处产生的扭力也越强;主轴转速越大,靶材切口平整度越好,产生的扭力相对较小,但靶材产生的热量越大,对于机器承受的力越大,砂轮损耗越高,且加工速率越慢;此外,砂轮与靶材的接触面积越大,相同的主轴转速和进给量下,靶材磨削面整体的平整度越好,但是,在磨削过程中,砂轮产生的惯性越大,对于靶材所产生的扭力也越强,且靶材产生的热量也越大,且对于砂轮的控制难度越高。
本实施例中,基于钨硅合金较大的脆性,需对金刚石砂轮的进给量大小、主轴转速、与钨硅合金靶材坯料100的接触面积进行严格控制,防止钨硅合金靶材坯料100碎裂。
在本实施例中,对于所述钨硅合金靶材坯料100进行平面磨加工工艺相较于后续的梯度加工工艺,平面磨加工工艺的加工面较大,且为一个平面上的磨削工艺,因而采用的金刚石砂轮与钨硅合金靶材坯料100的接触面积较大(50~200mm2),砂轮的磨料颗粒也更大。较大接触面积,可提高砂轮惯性,从而可快速地去除钨硅合金靶材坯料100;而选用较大磨料颗粒的砂轮,在砂轮与钨硅合金靶材坯料100较大的接触面积下,减少磨削过程中钨硅合金靶材坯料100产生的热量,从而减少对于钨硅合金靶材坯料100的损伤。其中,在平面磨加工工艺中,第二次平面磨加工工艺所需形成的表面平面度的要求更高,因而相较于第一次平面磨加工工艺,第二次平面磨加工工艺的金刚石砂轮所采用的磨料颗粒更小,其可有效提高钨硅合金靶材坯料100的第一表面加工后的表面平面度。
结合参考图5所所示,本实施例中,在梯度加工工艺中,金刚石砂轮500的磨料颗粒选择(55~150微米),转速选择(1000~3000转/分钟),以及进给量(100~700毫米/分钟)选择,在磨削加工工艺形成的所述钨硅合金靶材坯料100质量同时,可有效提高磨削加工的效率。
在对于所述钨硅合金靶材坯料100进行梯度加工工艺中,所要形成的阶梯的面积小,且阶梯的角度明显,因而必须选择磨料颗粒较小,转速够快,且进给量较小的加工工艺,以减小加工时对于钨硅合金靶材坯料100产生的扭力,避免钨硅合金靶材坯料100的碎裂。但若过小的磨料颗粒(小于55微米),过小的进给量(小于100毫米/分钟),可提高磨削后的钨硅合金靶材坯料100质量,但产生的磨削力度过小,磨削工艺进程过长,且磨削器械的损耗量大,加工成本高;过快的转速(大于3000转/分钟),则给加工设备造成过大负担,并增加加工成本;而若金刚石砂轮500与钨硅合金靶材坯料100过小的接触面积(小于10mm2),可提高钨硅合金靶材坯料100的加工面平整度,但可能造成钨硅合金靶材坯料100局部平整度差异大,降低钨硅合金靶材坯料100整体平整度,而且基于钨硅合金较大的脆性,过小的接触面积还会造成钨硅合金靶材坯料100局部受力过大而损伤。
继续结合参考图5所示,本实施例中,金刚石砂轮500的底面和侧面同时设有磨砂面,从而在所述钨硅合金靶材坯料100形成棱角凸显的平台140。
更进一步地,所述金刚石砂轮500的磨料颗粒为90μm左右,转速为1440转/分钟左右,进给量为600毫米/分钟。上述磨削参数配合确保在所述钨硅合金靶材坯料100上形成结构良好的阶梯同时,确保磨削加工工艺的效率。
参考图6所示,本实施例中,所述梯度加工包括:
所述金刚石砂轮500沿第一方向进行第一次磨削进刀,之后,沿着所述钨硅合金靶材坯料的溅射面110的平面方向磨削所述钨硅合金靶材坯料的溅射面110,在所述溅射面110上形成第一凹槽平面141,使得所述溅射面110和第一凹槽平面141间形成阶梯结构;
之后,在所述第一凹槽平面141上沿第二方向进行第二次磨削进刀,并沿着所述第一凹槽平面141磨削所述第一凹槽平面141,在所述第一凹槽平面141上形成第二凹槽平面(图中未显示)。
其中,磨削第一平面凹槽141形成的第二平面凹槽的边缘可贴合,第二凹槽平面相当于所述第一凹槽平面141的拓深。从而使得所述第一平面凹槽141和第二平面凹槽的范围相同,在所述溅射面110上仅形成一个阶梯结构。
若所述第二平面凹槽的边缘不与所述第一平面凹槽141边缘贴合,则在所述溅射面110上形成了两个台阶结构。
反复实施上述磨削进刀步骤,直至将所述钨硅合金靶材坯料加工至预定的梯度结构。在所述钨硅合金靶材坯料上形成的梯度结构具体结构可如图7所示的多台阶的梯度结构,也可以为图8所示的凹槽形台阶结构。
再次参考图6所示,所述金刚石砂轮500包括第一磨削面510和第二磨削面520,所述第一磨削面510和第二磨削面520的边缘对接,且所述第一磨削面510和第二磨削面520呈第一角度倾斜。
本实施例中,所述金刚石砂轮500为圆盘形的,所述第一磨削面510为底面,而第二磨削面520为侧面,所述侧面152和底面151之间可呈大于0°且小于或等于90°倾斜。从而在磨削过程中,通过调整使用的金刚石砂轮500的结构或改变砂轮移动路线,以调整所形成的台阶结构。而且在所述底面510磨削所述钨硅合金靶材坯料溅射面110的同时,所述侧面520磨削已形成的台阶结构的侧壁,以提高所述台阶结构侧壁的平整度。
可选地,继续参考图6所示,金刚石砂轮的侧面152和底面151之间呈圆弧形过度连接,即所述侧面152和底面151连接处呈圆弧形结构。所述侧面和底面之间圆弧过渡530(虚线所示部分),可使得加工形成的阶梯机构的拐角处层圆弧形(也即530所示的部分),从而在溅射过程中,避免电子过量的积聚于靶材阶梯结构的拐角处,从而妨碍溅射工艺进行。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,包括:
提供钨硅合金坯料,所述钨硅合金坯料包括第一表面:
采用金刚石砂轮磨削所述钨硅合金坯料的第一表面,进行梯度加工。
2.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述金刚石砂轮的磨料颗粒小于或等于150微米。
3.根据权利要求2所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述金刚石砂轮的磨料颗粒为55~150微米。
4.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述梯度加工过程包括:金刚石砂轮的转速大于或等于1000转/分钟,进给量小于或等于700毫米/分钟,吃刀量小于或等于0.1毫米。
5.根据权利要求4所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,金刚石砂轮的转速为1000~3000转/分钟,进给量为100~700毫米/分钟,吃刀量为0.01~0.1毫米。
6.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述金刚石砂轮与所述钨硅合金坯料的接触面积为10~200平方毫米。
7.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,
所述钨硅合金坯料还包括与所述第一表面位置相对的第二表面;
在所述梯度加工之前,对所述钨硅合金坯料的第一表面进行平面磨加工,
至所述钨硅合金坯料的第一表面和第二表面间的距离为第一预定距离。
8.根据权利要求7所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述平面磨加工包括:
采用金刚石砂轮,磨削所述钨硅合金坯料的第一表面;
所述平面磨加工包括:第一平面磨加工和第二平面磨加工;
第一平面磨加工,采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为250~160微米;转速为1000~2000转/分钟,吃刀量为0.02~0.05毫米;
在第一平面磨加工后,进行第二平面磨加工,所述第二平面磨加工工艺为:采用的金刚石砂轮的磨料颗粒为125~80微米;转速为1000~2000转/分钟,吃刀量为0.01~0.02毫米。
9.根据权利要求7所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,在平面磨加工过程中,所述金刚石砂轮与钨硅合金坯料的接触面积为50~200平方毫米。
10.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,
在所述梯度加工之前,对所述钨硅合金坯料的第一表面的边缘进行线切割加工。
11.根据权利要求10所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,在所述线切割加工的工艺包括:采用切割线为钼丝,电流为5~7安培,脉间为3~5微秒,脉宽为4~6微秒,功率管数为5~7。
12.根据权利要求10所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,在所述线切割加工中,在所述钨硅合金坯料的第一表面边缘保留0.5~1毫米的余留量。
13.根据权利要求1所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,
所述梯度加工包括:
所述金刚石砂轮沿第一方向进行第一次磨削进刀,磨削所述第一表面形成第一凹槽平面,所述第一表面和第一凹槽平面间形成阶梯结构;
在所述第一凹槽平面上沿第二方向进行第二次磨削进刀,磨削所述第一凹槽平面形成第二凹槽平面;
反复上述磨削进刀步骤,至加工至预定梯度结构。
14.根据权利要求13所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述金刚石砂轮包括第一磨削面和第二磨削面,所述第一磨削面和第二磨削面的边缘对接,且所述一磨削面和第二磨削面呈第一角度倾斜;
所述第一磨削面磨削所述钨硅合金坯料的第一表面,所述第二磨削面磨削所述第一表面与第一凹槽平面间形成的阶梯结构的侧壁。
15.根据权利要求14所述的钨硅合金的机械加工方法,其特征在于,所述金刚石砂轮的第一磨削面和第二磨削面之间呈圆弧形过度连接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110509114A (zh) * 2019-08-14 2019-11-29 大连理工大学 一种钨合金的研磨抛光方法
US20220184768A1 (en) * 2020-12-11 2022-06-16 Disco Corporation Edge trimming method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001003164A (ja) * 1999-06-18 2001-01-09 Mitsubishi Materials Corp 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2001131737A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及びその研削方法
CN1830624A (zh) * 2005-03-11 2006-09-13 联合工艺公司 超级磨削加工工具及其使用方法
CN102554569A (zh) * 2011-12-30 2012-07-11 宁波江丰电子材料有限公司 钴靶材的加工方法
WO2013028977A2 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Mustang Vacuum Systems, Inc. Apparatus and method for the evaporation and deposition of materials

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001003164A (ja) * 1999-06-18 2001-01-09 Mitsubishi Materials Corp 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
JP2001131737A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲット及びその研削方法
CN1830624A (zh) * 2005-03-11 2006-09-13 联合工艺公司 超级磨削加工工具及其使用方法
WO2013028977A2 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Mustang Vacuum Systems, Inc. Apparatus and method for the evaporation and deposition of materials
CN102554569A (zh) * 2011-12-30 2012-07-11 宁波江丰电子材料有限公司 钴靶材的加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110509114A (zh) * 2019-08-14 2019-11-29 大连理工大学 一种钨合金的研磨抛光方法
US20220184768A1 (en) * 2020-12-11 2022-06-16 Disco Corporation Edge trimming method

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