JPS59156961A - アルミナ焼結基板の製造方法 - Google Patents
アルミナ焼結基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS59156961A JPS59156961A JP58029684A JP2968483A JPS59156961A JP S59156961 A JPS59156961 A JP S59156961A JP 58029684 A JP58029684 A JP 58029684A JP 2968483 A JP2968483 A JP 2968483A JP S59156961 A JPS59156961 A JP S59156961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alumina
- alumina sintered
- substrate
- sintered substrate
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアルミナ焼結基板の製造方法に関するもので、
特に表面が平滑なアルミナ焼結基板の製造方法を提供す
るものである。本発明で得られるアルミナ焼結基板は蒸
着膜、スパッタ膜等の薄膜用基板として有用なものであ
る。
特に表面が平滑なアルミナ焼結基板の製造方法を提供す
るものである。本発明で得られるアルミナ焼結基板は蒸
着膜、スパッタ膜等の薄膜用基板として有用なものであ
る。
従来例の構成とその問題点
エレクトロニクス機器の小型化高性能化に伴い用いられ
る回路素子の薄膜化が試みられ、いくつかの薄膜素子が
実用化されている。これらの薄膜素子の形成に不可欠な
薄膜用基板としては、一般にガラス基板が用いられてい
るが、ガラス基板は耐熱性に劣り、１０００’Ｃ以玉の
高温での薄膜形成を必要とする例えばチク／酸バリウム
、チタン酸鉛等の薄膜形成には、基板として用いられな
い。
る回路素子の薄膜化が試みられ、いくつかの薄膜素子が
実用化されている。これらの薄膜素子の形成に不可欠な
薄膜用基板としては、一般にガラス基板が用いられてい
るが、ガラス基板は耐熱性に劣り、１０００’Ｃ以玉の
高温での薄膜形成を必要とする例えばチク／酸バリウム
、チタン酸鉛等の薄膜形成には、基板として用いられな
い。
これはダレーズ処理により表面を平滑化したアルミナ焼
結基板にも共通した欠点である。
結基板にも共通した欠点である。
従来１０ｏＯ°Ｃ以上の高耐熱性を有する薄膜用基板と
しては、アルミナ焼結基板が用いられており、電気絶縁
性に優れ、機械的強度の大きい基板材料である。しかし
ながら、アルミナ純度９６％程度のアルミナ焼結基板で
は表面平滑性が中心線平均粗さで０．５〜１μｍであっ
て、１μｍ以下の厚みの薄膜を形成する基板としては用
いられない。
しては、アルミナ焼結基板が用いられており、電気絶縁
性に優れ、機械的強度の大きい基板材料である。しかし
ながら、アルミナ純度９６％程度のアルミナ焼結基板で
は表面平滑性が中心線平均粗さで０．５〜１μｍであっ
て、１μｍ以下の厚みの薄膜を形成する基板としては用
いられない。
高耐熱性を有し、表面平滑性の優れた基板材料としては
サファイア基板や表面研摩処理を施したアルミナ焼結基
板があるが、コストの高い基板材料である。
サファイア基板や表面研摩処理を施したアルミナ焼結基
板があるが、コストの高い基板材料である。
発明の目的
本発明は表面平滑性に優れかつ安価なアルミナ焼結基板
を製造する方法を提供することを目的とするものである
。
を製造する方法を提供することを目的とするものである
。
発明の構成
本発明は粒度分布が０．２〜０．７μｍの範囲内の成分
を６５ｗｔ％以上含むアルミナ原料粉末を用いて有機バ
インダーを混合したスムリーを調整した後、これをシー
ト状に成形し、空気中において１５００〜１６００’Ｃ
の範囲内の温度で焼成することを特徴とする。
を６５ｗｔ％以上含むアルミナ原料粉末を用いて有機バ
インダーを混合したスムリーを調整した後、これをシー
ト状に成形し、空気中において１５００〜１６００’Ｃ
の範囲内の温度で焼成することを特徴とする。
本発明による表面平滑性の優れたアルミナ焼結基板は、
アルミナグリ−／シートの加熱焼成の際の均一でち密な
粒成長により実現されたものであって、上記粒成長はア
ルミナ原料粉末の粒度分布によって左右され、特に粒度
分布が。、２〜０．７μｍの範囲内の成分が６５ｗｔ％
以上含まれているアルミナ粉末粒子を用いることにより
、アノシミナグリー／シートの加熱焼成の際の均一でち
密な粒成長が進行するのである。本発明におけるアルミ
ナグリーンシートの空気中における加熱焼成では、１６
００°Ｃより低い温度で加熱処理すると基板の焼結性が
不十分で好ましくない。一方、高い温度で熱処理すると
焼結体の表面平滑、性が損なわれ、１６００″Ｃよりも
高い温度での熱処理では焼結体表面の中心線平均粗さば
ｏ、０６μｍ以上となって、１５００’Ｃよりも低い温
度での焼成と同じく好ましくない。
アルミナグリ−／シートの加熱焼成の際の均一でち密な
粒成長により実現されたものであって、上記粒成長はア
ルミナ原料粉末の粒度分布によって左右され、特に粒度
分布が。、２〜０．７μｍの範囲内の成分が６５ｗｔ％
以上含まれているアルミナ粉末粒子を用いることにより
、アノシミナグリー／シートの加熱焼成の際の均一でち
密な粒成長が進行するのである。本発明におけるアルミ
ナグリーンシートの空気中における加熱焼成では、１６
００°Ｃより低い温度で加熱処理すると基板の焼結性が
不十分で好ましくない。一方、高い温度で熱処理すると
焼結体の表面平滑、性が損なわれ、１６００″Ｃよりも
高い温度での熱処理では焼結体表面の中心線平均粗さば
ｏ、０６μｍ以上となって、１５００’Ｃよりも低い温
度での焼成と同じく好ましくない。
実施例の説明
以下本発明について実施例により具体的に説明する。
実施例１
０．２〜０．７μｍの範囲内の成分が８７ｗｔ％含まれ
ているもの、６６ｗｔ％含まれているもの、５１ｗｔ％
含まれているものおよび４７ｗｔ％含まれているものの
４種類のアルミナ粉末でそれぞれ純度９９．９％、平均
粒径０．４μｍの原料粉末を用意した。これら４種類の
アルミナ粉末９９７．５９に、それぞれ純度９ ｔａ、
ｔａ ｆｒ、平均粒径０．１９／１ｍの酸化マグネシウ
ムを２．６ｇ添加し、それぞれの混合粉末にｎ−ブタノ
ールとメタノールの等景況合液を４００９加え、ジブチ
ルフタレート８ｏｇ。
ているもの、６６ｗｔ％含まれているもの、５１ｗｔ％
含まれているものおよび４７ｗｔ％含まれているものの
４種類のアルミナ粉末でそれぞれ純度９９．９％、平均
粒径０．４μｍの原料粉末を用意した。これら４種類の
アルミナ粉末９９７．５９に、それぞれ純度９ ｔａ、
ｔａ ｆｒ、平均粒径０．１９／１ｍの酸化マグネシウ
ムを２．６ｇ添加し、それぞれの混合粉末にｎ−ブタノ
ールとメタノールの等景況合液を４００９加え、ジブチ
ルフタレート８ｏｇ。
ポリビニルブチラール樹脂１２０ｇを添加し、弗素樹脂
ポット中で９６時間の混合を行なったっかようにして得
られたそれぞれ４種類のスラリーを、１８８μｍ厚のポ
リエステルフィルム上にドクタープレイドを用いて塗布
することにより、０．３６ｍｍの厚みのグリーンシート
を形成した。これら４種類のアルミナグリーンシートを
３６７ＩＩＩ＋平方の形状に切断し７電気炉中に設定し
、空気中において２００°Ｃ／時の昇温速度で１５５０
’Ｃまで昇温し、そしてこの温度に２時間保持した後、
６００’Ｃまで３００″Ｃ／時で降温し、さらにそれか
ら炉冷した。得られたアルミナ焼結基板の表面電子顕微
鏡写真を第１図〜第４図に示す。第１図は、０．２〜０
．７μｍの範囲内の成分が８７ｗｔ％含まれてい□るア
ルミナ粉末粒子を用いた場合に得られたアルミナ焼結体
基板の表面であり、第２図は０．２〜０．７μｍの範囲
内に６５ｗｔ％、第３図は同じく６１ ｗｔ％、第４図
は同じ（４７ｗｔ％含まれているアルミナ粉末粒子を用
いた場合のアルミナ焼結体基板の表面電子顕微鏡写真で
ある。第１図及び第２図は、２〜３μｍの比較的均一な
焼結粒子になっており、ち密で空孔がほとんど見られな
い。
ポット中で９６時間の混合を行なったっかようにして得
られたそれぞれ４種類のスラリーを、１８８μｍ厚のポ
リエステルフィルム上にドクタープレイドを用いて塗布
することにより、０．３６ｍｍの厚みのグリーンシート
を形成した。これら４種類のアルミナグリーンシートを
３６７ＩＩＩ＋平方の形状に切断し７電気炉中に設定し
、空気中において２００°Ｃ／時の昇温速度で１５５０
’Ｃまで昇温し、そしてこの温度に２時間保持した後、
６００’Ｃまで３００″Ｃ／時で降温し、さらにそれか
ら炉冷した。得られたアルミナ焼結基板の表面電子顕微
鏡写真を第１図〜第４図に示す。第１図は、０．２〜０
．７μｍの範囲内の成分が８７ｗｔ％含まれてい□るア
ルミナ粉末粒子を用いた場合に得られたアルミナ焼結体
基板の表面であり、第２図は０．２〜０．７μｍの範囲
内に６５ｗｔ％、第３図は同じく６１ ｗｔ％、第４図
は同じ（４７ｗｔ％含まれているアルミナ粉末粒子を用
いた場合のアルミナ焼結体基板の表面電子顕微鏡写真で
ある。第１図及び第２図は、２〜３μｍの比較的均一な
焼結粒子になっており、ち密で空孔がほとんど見られな
い。
第３図は、異常粒成長が起っており、凹凸の大きい表面
状態になっている。第４図は、空孔が多くやはり凹凸の
大きい表面状態である。次に得られたアルミナ焼結基板
の←密度及び中心線平均粗さくＲ＆）を下表に示す。
状態になっている。第４図は、空孔が多くやはり凹凸の
大きい表面状態である。次に得られたアルミナ焼結基板
の←密度及び中心線平均粗さくＲ＆）を下表に示す。
アルミナ粉末１．２，３．４はそれぞれ０．２〜０．７
ｆｉ ｍの範囲内の成分がｓｙｗｔ％、６５ｗｔ％
、 ６１ｗｔ％、４７ｗｔ％含むものである。
ｆｉ ｍの範囲内の成分がｓｙｗｔ％、６５ｗｔ％
、 ６１ｗｔ％、４７ｗｔ％含むものである。
」二表から明らかなように、アルミナ粉末１，２すなわ
ぢ、粒度分布が０．２〜０．７μｍの範囲内の成分が８
了ｗｔ％と６５ｗｔ％含まれているものを用いた場合に
は、かさ密度が３．９ ｇ／ ｃＡ以」二と高く中心線
平均粗さも０．０６μｍ以下である。しかしながら、ア
ルミナ粉末３，４すなわち粒度分布が０．２〜０．７μ
ｍの範囲内に５１ｗｔ％存在するもの及び４７ｗｔ％存
在するものの場合、かさ密度が３−９９ ／ ｃａ以下
と低く中心線平均粗さも０．１μｍ以上と粗い。
ぢ、粒度分布が０．２〜０．７μｍの範囲内の成分が８
了ｗｔ％と６５ｗｔ％含まれているものを用いた場合に
は、かさ密度が３．９ ｇ／ ｃＡ以」二と高く中心線
平均粗さも０．０６μｍ以下である。しかしながら、ア
ルミナ粉末３，４すなわち粒度分布が０．２〜０．７μ
ｍの範囲内に５１ｗｔ％存在するもの及び４７ｗｔ％存
在するものの場合、かさ密度が３−９９ ／ ｃａ以下
と低く中心線平均粗さも０．１μｍ以上と粗い。
発明の効果
以上の実施例に見る如く、本発明の方法によれば、０．
２〜０．７μｍの範囲内の成分が６５ｗｔ％以上含まれ
ているアルミナ原料粉末を用い、空気中において１５０
０〜１６００°Ｃの範囲内の温度で焼成するので、表面
平滑性の優れたアルミナ焼結体基板を製造することがで
きる。この方法によるアルミナ焼結体基板は高温形成薄
膜素子の基板として有用なものであり、高周波用素子へ
の応用が考えられ、その工業的価値は犬なるものがある
。
２〜０．７μｍの範囲内の成分が６５ｗｔ％以上含まれ
ているアルミナ原料粉末を用い、空気中において１５０
０〜１６００°Ｃの範囲内の温度で焼成するので、表面
平滑性の優れたアルミナ焼結体基板を製造することがで
きる。この方法によるアルミナ焼結体基板は高温形成薄
膜素子の基板として有用なものであり、高周波用素子へ
の応用が考えられ、その工業的価値は犬なるものがある
。
第１図〜第４図はそれぞれ粒度分布の異なる原料を使用
したアルミナ焼結体裁板の表面の電子顕微鏡写真である
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名’ｉ
ｙ Ｉ ｊ圀 ＋Ｑμ相 第 ２ 絃８ ｗ−−−−−２−−−−〜−〜− ｏＪＪｍ 第３図 １＋１．−〇−− ＩＱ、ｕｍ 第４図 ｔＯ／Ｊ＝
したアルミナ焼結体裁板の表面の電子顕微鏡写真である
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名’ｉ
ｙ Ｉ ｊ圀 ＋Ｑμ相 第 ２ 絃８ ｗ−−−−−２−−−−〜−〜− ｏＪＪｍ 第３図 １＋１．−〇−− ＩＱ、ｕｍ 第４図 ｔＯ／Ｊ＝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フ（ 粒度分布が０．２〜０．７ ／１ｍの範囲内の成／ｆｅ
ｓ ５ｗｔ％以上含まれている原料アルミナ粉末粒子を
有機バイングーと混練してなるスラリーをシート状に成
形し、空気中において１５００〜１６００°Ｃの範囲内
の温度で加熱焼成することを特徴とするアルミナ焼結基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029684A JPS59156961A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | アルミナ焼結基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029684A JPS59156961A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | アルミナ焼結基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59156961A true JPS59156961A (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=12282931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58029684A Pending JPS59156961A (ja) | 1983-02-24 | 1983-02-24 | アルミナ焼結基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59156961A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127660A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | 旭化成株式会社 | アルミナ薄板焼結体 |
| JPS62132765A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-16 | 株式会社デンソー | 高絶縁性高アルミナ質磁器組成物の製造方法 |
| WO1988006575A1 (en) * | 1987-03-05 | 1988-09-07 | Olajipari Fo^"Vállalkozó És Tervezo^" Vállalat | Process for the preparation of aluminium oxide ceramics having increased abrasion resistance |
| JPH0657504A (ja) * | 1991-01-30 | 1994-03-01 | Shiyadan Rakuwakai | 看護者用衣服 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548364A (en) * | 1978-06-09 | 1979-01-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Separator device of device for securing cylindrical articles |
| JPS5632365A (en) * | 1979-08-20 | 1981-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of ceramic element |
-
1983
- 1983-02-24 JP JP58029684A patent/JPS59156961A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548364A (en) * | 1978-06-09 | 1979-01-22 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Separator device of device for securing cylindrical articles |
| JPS5632365A (en) * | 1979-08-20 | 1981-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of ceramic element |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127660A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | 旭化成株式会社 | アルミナ薄板焼結体 |
| JPS62132765A (ja) * | 1985-12-03 | 1987-06-16 | 株式会社デンソー | 高絶縁性高アルミナ質磁器組成物の製造方法 |
| WO1988006575A1 (en) * | 1987-03-05 | 1988-09-07 | Olajipari Fo^"Vállalkozó És Tervezo^" Vállalat | Process for the preparation of aluminium oxide ceramics having increased abrasion resistance |
| GB2209334A (en) * | 1987-03-05 | 1989-05-10 | Olajipari Foevallal Tervezoe | Process for the preparation of aluminium oxide ceramics having increased abrasion resistance |
| GB2209334B (en) * | 1987-03-05 | 1991-10-16 | Olajipari Foevallal Tervezoe | Process for the preparation of aluminium oxide ceramics having increased abrasion resistance |
| JPH0657504A (ja) * | 1991-01-30 | 1994-03-01 | Shiyadan Rakuwakai | 看護者用衣服 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59156961A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 | |
| JPS59156962A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 | |
| EP1509931A1 (en) | Dielectric composition on the basis of barium titanate | |
| JPS59156960A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 | |
| JPS6021854A (ja) | アルミナ焼結基板の製造方法 | |
| JPS60500496A (ja) | 温度補償コンデンサ用の低温焼成セラミツク誘電体 | |
| JPS6114187A (ja) | 補強板状焼結体 | |
| JP2797372B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| US3103441A (en) | Ceramic materials having flat temperature characteristics | |
| JP2791407B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜形成用ターゲット材の製造方法 | |
| JPH0251868B2 (ja) | ||
| JP2720199B2 (ja) | セラミック基板の焼成方法 | |
| JPH03126658A (ja) | アルミナ基板の製造方法 | |
| JP2001003164A (ja) | 高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH11106258A (ja) | スパッタリング用ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３−ｙターゲット材 | |
| JP2800030B2 (ja) | セラミック基板の製造方法 | |
| JPS59207883A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2728706B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS59203774A (ja) | セラミツク成形体焼成用敷粉 | |
| JPS5851402B2 (ja) | 磁気ヘツド構造部品用磁器およびその製造方法 | |
| KR890002445B1 (ko) | 반도체 콘덴서의 제조방법 | |
| JPS6021851A (ja) | 酸化物スパツタ−タ−ゲツトの製造方法 | |
| JPS58123714A (ja) | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 | |
| JPH05301760A (ja) | アルミナ基板の製造方法 | |
| JPH06264231A (ja) | 高誘電体薄膜製造用ターゲット材およびその製造法 |