JPS58123714A - 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 - Google Patents
粒界層型磁器誘電体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58123714A JPS58123714A JP630982A JP630982A JPS58123714A JP S58123714 A JPS58123714 A JP S58123714A JP 630982 A JP630982 A JP 630982A JP 630982 A JP630982 A JP 630982A JP S58123714 A JPS58123714 A JP S58123714A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boundary layer
- grain boundary
- layer type
- dielectric material
- type porcelain
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粒界にＢ、 、 ｓｒの
うち少なくとも１種及びＴ１からなる酸化物誘電体層を
設けて得る粒界層型磁器誘電体及びその製造方法に関す
るものである。
うち少なくとも１種及びＴ１からなる酸化物誘電体層を
設けて得る粒界層型磁器誘電体及びその製造方法に関す
るものである。
従来より、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウム
を主体とする半導体磁器粒界を再酸化または原子価補償
することにより得られる粒界層型半導体磁器コンデンサ
は良く知られている。すなわち、これらの粒界層型半導
体磁器コンデンサは、まずチタン酸バリウムやチタン酸
ストロンチウムに原子価制御元素を微量添加し、中性雰
囲気または還元雰囲気中で高温焼成゛することにより半
導体磁器を作製し、この後、空気中で熱処理して粒界を
再酸化するか原子価補償することにより粒界のみを絶縁
化することができ、薄い誘電体層を並列に接続したと同
等の効果が得られるため、見掛は上きわめて大きな誘電
率が得られるものである。。
を主体とする半導体磁器粒界を再酸化または原子価補償
することにより得られる粒界層型半導体磁器コンデンサ
は良く知られている。すなわち、これらの粒界層型半導
体磁器コンデンサは、まずチタン酸バリウムやチタン酸
ストロンチウムに原子価制御元素を微量添加し、中性雰
囲気または還元雰囲気中で高温焼成゛することにより半
導体磁器を作製し、この後、空気中で熱処理して粒界を
再酸化するか原子価補償することにより粒界のみを絶縁
化することができ、薄い誘電体層を並列に接続したと同
等の効果が得られるため、見掛は上きわめて大きな誘電
率が得られるものである。。
しかしながら、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチ
ウムを主体とする上記の半導体コンデンサは、半導体磁
器を作製するために中空雰囲気や還元雰囲気中で焼成し
なければならないため、焼成炉雰囲気コントロールが重
要な特性制御要因となり、特に量産炉においては雰囲気
の安定性を得るために条件設定に相当高度な技術を要す
るものであった。また、設備上も空気中焼成の炉に比較
してきわめてコスト高になるといった欠点があった。
ウムを主体とする上記の半導体コンデンサは、半導体磁
器を作製するために中空雰囲気や還元雰囲気中で焼成し
なければならないため、焼成炉雰囲気コントロールが重
要な特性制御要因となり、特に量産炉においては雰囲気
の安定性を得るために条件設定に相当高度な技術を要す
るものであった。また、設備上も空気中焼成の炉に比較
してきわめてコスト高になるといった欠点があった。
本発明は上述のような欠点を考慮し、空気中で焼成可能
な粒界層型磁器誘電体及びその製造方法を提供するもの
である。
な粒界層型磁器誘電体及びその製造方法を提供するもの
である。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
・実施例１〉
ＺｎＯを９９．８〜９９．０モル％ 、 ＢａＣＯ３０
，２Ａ−１，０モルチからなる混合粉末を１３．０１ｌ
ｌｌφ×１．。
，２Ａ−１，０モルチからなる混合粉末を１３．０１ｌ
ｌｌφ×１．。
１１ｔに成型し、１２００〜１４ｏＯ℃で大気中で焼成
して得た焼結体表面にＢｉ２Ｏ，２０〜６０モル％ 、
Ｔｉ０ｚ ８０〜６０モルチからなる混合物を有機バ
インダーで付着し、１１ｏｏ〜１２ｏｏ℃で大気中で熱
処理する。この後、焼結体の両面に銀電極を設ける。下
記の第１表はこのようにして得られた素子の特性を示す
ものである。
して得た焼結体表面にＢｉ２Ｏ，２０〜６０モル％ 、
Ｔｉ０ｚ ８０〜６０モルチからなる混合物を有機バ
インダーで付着し、１１ｏｏ〜１２ｏｏ℃で大気中で熱
処理する。この後、焼結体の両面に銀電極を設ける。下
記の第１表はこのようにして得られた素子の特性を示す
ものである。
（以下余白）
なお、上記の焼結体で焼成温度が１２００℃より低い温
度ではＺｎＯが十分に焼結せず、結晶粒が成長しないの
で良くない。また、焼成温度が１４００℃を超えると異
常粒成長をして結晶粒が不均一になるので好ましくない
。次に、Ｂｉ２Ｏ５とＴｉＯ２とを焼結体表面に付着し
て熱処理すると、粒界にＢｉ２Ｏ５とＴｉ０２が拡散す
るが、その熱処理温度が１０００℃よりも低温では内部
まで十分に拡散しにくい。また、１２００℃よりも高い
熱溶１：１゜ 理温度では粒界層が破断し、粒子間は導通状態となるの
で好ましくない。さらに、付着物でＢｉ２Ｏ５を全５く
用いずＴｉＯ２のみを付着して熱処理した場合は粒界に
拡散されにくく、ｚｎＴｌｏ５が焼結体表面に生じるだ
けで粒界にはＴｉが均一に存在しないことになる。すな
わち、Ｂｉ２Ｏ３の存在によって粒界に８１とＴｉが均
一に拡散されるようになり、例えば１１６０℃、６時間
の熱処理ではＢ１が飛散し、ＴｉとＢａが均一に存在す
ることになる。以１〕の結果はＸ線マイクロ解析により
確認された。
度ではＺｎＯが十分に焼結せず、結晶粒が成長しないの
で良くない。また、焼成温度が１４００℃を超えると異
常粒成長をして結晶粒が不均一になるので好ましくない
。次に、Ｂｉ２Ｏ５とＴｉＯ２とを焼結体表面に付着し
て熱処理すると、粒界にＢｉ２Ｏ５とＴｉ０２が拡散す
るが、その熱処理温度が１０００℃よりも低温では内部
まで十分に拡散しにくい。また、１２００℃よりも高い
熱溶１：１゜ 理温度では粒界層が破断し、粒子間は導通状態となるの
で好ましくない。さらに、付着物でＢｉ２Ｏ５を全５く
用いずＴｉＯ２のみを付着して熱処理した場合は粒界に
拡散されにくく、ｚｎＴｌｏ５が焼結体表面に生じるだ
けで粒界にはＴｉが均一に存在しないことになる。すな
わち、Ｂｉ２Ｏ３の存在によって粒界に８１とＴｉが均
一に拡散されるようになり、例えば１１６０℃、６時間
の熱処理ではＢ１が飛散し、ＴｉとＢａが均一に存在す
ることになる。以１〕の結果はＸ線マイクロ解析により
確認された。
実施例２〉
一ヒ記実施例１におけるＢａＣＯ５を５ｒＱＯ，に置換
して全く同等の処理を行った。下記の第２表にこの場合
における代表例の特性を示す。
して全く同等の処理を行った。下記の第２表にこの場合
における代表例の特性を示す。
（第 ２ 表）
以上、実施例に基づき本発明を説明したが、大気中で焼
成して得られる高誘電率粒界層型磁器誘電体を提供でき
る点で、本発明はきわめて有意義なものである。
成して得られる高誘電率粒界層型磁器誘電体を提供でき
る点で、本発明はきわめて有意義なものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ＺｎＯを主体とする焼結体の粒界に１３ａ 、
ｓｒのうち少なくとも一元素及びＴｉまたはＴ′１とＢ
ｉの酸化物からなる誘電体層を設けてなることを特徴と
する粒界層型磁器誘電体。 、２＋ ＺｎＯ粉末にＢａＣＯ３、５ｒ００ｓ （Ｄ
うち少なくとも１種類の化合物を添加してなる混合物を
成型し、大気中で焼成して得た焼結体に、Ｂｉ２Ｏ３及
びＴｌＯ２からなる混合物を付着して後、大気中で熱処
理して得ることを特徴とする粒界層型磁器誘電体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP630982A JPS58123714A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP630982A JPS58123714A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123714A true JPS58123714A (ja) | 1983-07-23 |
| JPH0135488B2 JPH0135488B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11634766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP630982A Granted JPS58123714A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123714A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141204A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品用磁器の製造方法 |
| JPS63141206A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
| JPS63180914U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027994A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-22 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP630982A patent/JPS58123714A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027994A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-22 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63141204A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品用磁器の製造方法 |
| JPS63141206A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
| JPS63180914U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-22 | ||
| JPH0451466Y2 (ja) * | 1987-05-15 | 1992-12-03 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0135488B2 (ja) | 1989-07-25 |
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