JPS63141206A - 粒界絶縁型半導体磁器 - Google Patents
粒界絶縁型半導体磁器Info
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- JPS63141206A JPS63141206A JP61287727A JP28772786A JPS63141206A JP S63141206 A JPS63141206 A JP S63141206A JP 61287727 A JP61287727 A JP 61287727A JP 28772786 A JP28772786 A JP 28772786A JP S63141206 A JPS63141206 A JP S63141206A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、粒界絶縁型半導体磁器に関する。
（従来の技術Ｊ
従来、この種の粒界絶縁型半導体磁器として、ＢａＴｉ
Ｏ３，８ｒＴｉ０３． （Ｂａ１−ｘ８ｒｘＪＴｊ０３
゜（８ｒ１−ｘｏａｘ）ＴｉＯ２，（Ｂａ１−ｘＯａｘ
７Ｔｉ０５等の半導体磁器が知られている。これらは第
２図示の如く多結晶体を構成する半導電性の結晶粒ａと
これら結晶粒３間の粒界相すとで構成されておシ、みか
けの比誘ｔ″４εａｐｐは結晶粒ａを形成する材料と粒
界州ｂｔ−形成する材料との組み合わせで決定される。
Ｏ３，８ｒＴｉ０３． （Ｂａ１−ｘ８ｒｘＪＴｊ０３
゜（８ｒ１−ｘｏａｘ）ＴｉＯ２，（Ｂａ１−ｘＯａｘ
７Ｔｉ０５等の半導体磁器が知られている。これらは第
２図示の如く多結晶体を構成する半導電性の結晶粒ａと
これら結晶粒３間の粒界相すとで構成されておシ、みか
けの比誘ｔ″４εａｐｐは結晶粒ａを形成する材料と粒
界州ｂｔ−形成する材料との組み合わせで決定される。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、粒界相すの材料を変えただけでは、みか
けの比誘電率εａｐｐの向上に限界があシ、よシ高い静
電容量の磁器コンデンサを取得し念いという要求に対し
ては結晶粒を大きく成長させ粒界相を薄くする等してい
るが、それ程高い静電容量の磁器コンデンサは得られな
いという不都合を有する。
けの比誘電率εａｐｐの向上に限界があシ、よシ高い静
電容量の磁器コンデンサを取得し念いという要求に対し
ては結晶粒を大きく成長させ粒界相を薄くする等してい
るが、それ程高い静電容量の磁器コンデンサは得られな
いという不都合を有する。
本発明は前記不都合を解消し、みかけの比誘電率ｇａｐ
ｐの向上した粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目
的とする。
ｐの向上した粒界絶縁型半導体磁器を提供することを目
的とする。
（間萌点を解決するための手段］
本発明の粒界絶縁型半導体磁器は、多結晶体を構成する
各結晶粒が、半導電性酸化物の主相と、この主相取分と
他成分とから成り該主相を囲繞する誘電性酸化物の複合
相とから成る。
各結晶粒が、半導電性酸化物の主相と、この主相取分と
他成分とから成り該主相を囲繞する誘電性酸化物の複合
相とから成る。
（実施列）
次に添付図面に従って本発明の実施列に付き説明する。
図中（１）は粒界絶縁型半導体磁器を構成する多結晶体
を示し、各結晶粒（２）は半導電性酸化物の主相（３）
とこれを囲繞する複合相（４）とから成シ、該複合相（
４）は主相成分と他成分との固醇体である誘電性酸化物
で形成される。尚、図中（５）は結晶粒（２）間の粒界
相を示す。
を示し、各結晶粒（２）は半導電性酸化物の主相（３）
とこれを囲繞する複合相（４）とから成シ、該複合相（
４）は主相成分と他成分との固醇体である誘電性酸化物
で形成される。尚、図中（５）は結晶粒（２）間の粒界
相を示す。
主相は、一般には、ＭＰ、Ｏａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ。
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉから選択された少くとも１穏以
上の元素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｏｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ。
上の元素と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｏｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ。
Ｙ、Ｌｍ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、入ｔ、 Ｓ
ｉ 、Ｗ、 Ｓｎ 、 Ｓｂから選択された少くとも
１種以上の元素を含む酸化物、例えばＢａＴｉＯ３，５
ｒＴｊ０３．（Ｂａ１−ｘＳｒｘＪＴｉ０３ 、 （８
ｒ １−ｘ ０ａｘ）Ｔｉ０３． （Ｂａ １−ｘＯａ
ｘ ） Ｔ ＋ ０５等のペロブスカイト型半導性酸
化物や、或いはＴ １０２ 、５ｎ０２ 、 ＺｎＯ等
の元素単体の半導電性酸化物等から成る。
ｉ 、Ｗ、 Ｓｎ 、 Ｓｂから選択された少くとも
１種以上の元素を含む酸化物、例えばＢａＴｉＯ３，５
ｒＴｊ０３．（Ｂａ１−ｘＳｒｘＪＴｉ０３ 、 （８
ｒ １−ｘ ０ａｘ）Ｔｉ０３． （Ｂａ １−ｘＯａ
ｘ ） Ｔ ＋ ０５等のペロブスカイト型半導性酸
化物や、或いはＴ １０２ 、５ｎ０２ 、 ＺｎＯ等
の元素単体の半導電性酸化物等から成る。
複合相（４）中の主相（３）成分と固痔体を形成してい
る他の成分は、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｉｄｆ、Ｏａ、Ｓｒ、
Ｂａ。
る他の成分は、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｉｄｆ、Ｏａ、Ｓｒ、
Ｂａ。
Ｎｉ 、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉ等とから選択さ
れる。
れる。
粒界相（５）は、Ｌｔ 、Ｎａ、に、Ｓｉ、ＮＪｎ、Ｃ
ｕ、Ａｔ、Ｂ。
ｕ、Ａｔ、Ｂ。
ＭＰ、Ｏａ、８ｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｚｎ等から選択ぢれた
元素から構成されるガラス状マトリックスとして存在す
る。
元素から構成されるガラス状マトリックスとして存在す
る。
次に、よシ具体的な実施列を比較例と共に説明する。
実施列１
純度９９６９％の半導電性の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粉末
を粒径を大きくする穴めに１２５０℃で５時間熱処理し
て平均粒径８μｍのＺｎＯ粉末を得た。
を粒径を大きくする穴めに１２５０℃で５時間熱処理し
て平均粒径８μｍのＺｎＯ粉末を得た。
次に、上記Ｚｎ０１モルに対して塩化カルシウム（０ａ
Ｏ２２１が２モルチ、塩化チタン（ＴｉＯ２４１が３モ
ルチとなるように、ＺｎＯｔ−５０９、０ａＯ６２ｆｔ
ｔ、３６ ｆ 、 Ｔｉ０１４を３．４９ ｆ秤量し、
水を溶媒としてゼールミルで１０時間攪拌後、アンモニ
ア水（ＮＨ５Ｊ’ｚ５モル添加し、ＺａＯ粉体上にＯａ
、 Ｔ ｉ成分の微粒子を沈殿させ危。次にこの沈殿
物を濾過、乾燥した後、ＰｖＡ］々インダーを加えて摺
潰機で約３０分間混合して団粒を作製し念。この団粒を
金型に入れ、２ ｔｏｎ／−の加圧圧縮で直径２０ｗψ
、肉厚１ｆｉの円板状に成型し九後、１３００℃で２時
間焼成し、５０個の焼結体を得た。
Ｏ２２１が２モルチ、塩化チタン（ＴｉＯ２４１が３モ
ルチとなるように、ＺｎＯｔ−５０９、０ａＯ６２ｆｔ
ｔ、３６ ｆ 、 Ｔｉ０１４を３．４９ ｆ秤量し、
水を溶媒としてゼールミルで１０時間攪拌後、アンモニ
ア水（ＮＨ５Ｊ’ｚ５モル添加し、ＺａＯ粉体上にＯａ
、 Ｔ ｉ成分の微粒子を沈殿させ危。次にこの沈殿
物を濾過、乾燥した後、ＰｖＡ］々インダーを加えて摺
潰機で約３０分間混合して団粒を作製し念。この団粒を
金型に入れ、２ ｔｏｎ／−の加圧圧縮で直径２０ｗψ
、肉厚１ｆｉの円板状に成型し九後、１３００℃で２時
間焼成し、５０個の焼結体を得た。
次に、得られた焼結体全スライスしてイオンミルにて処
理し、走査凰透過電子顕微焼（ＳＴＢＭＪを用い、焼結
体の元素分布を調べた。
理し、走査凰透過電子顕微焼（ＳＴＢＭＪを用い、焼結
体の元素分布を調べた。
この結果、該焼結体はＺｎＯから成る主相のまわ９を（
Ｚｎ 、Ｏａ ） ＴｉＯ３複合相が囲繞する結晶粒と
これら結晶粒間の粒界相とから構成されていることが確
認された。
Ｚｎ 、Ｏａ ） ＴｉＯ３複合相が囲繞する結晶粒と
これら結晶粒間の粒界相とから構成されていることが確
認された。
次に、残りの焼結体の両面にＡりを焼付けして、粒界絶
縁型半導体磁器を作製し、みかけの比電率εａｐＩ）％
誘電体損失ｔｏｎσ並びに絶縁抵抗値ＩＦＬを測定し、
平均値を算出してその結果を下記表に示した。
縁型半導体磁器を作製し、みかけの比電率εａｐＩ）％
誘電体損失ｔｏｎσ並びに絶縁抵抗値ＩＦＬを測定し、
平均値を算出してその結果を下記表に示した。
比較列１
平均粒径８μｍの酸化亜鉛（ＺｎＯ） １モルに対して
炭酸カルシウム（０ａＯＯｓ ）が２モルチ、酸化チタ
ン（’ｒｉ０２Ｊが３モルチとなるように、ＺｎＯを５
０２．０ａ００３ ｋ １．２３ ｆ 、 ’ｒ ｉ０
２ ’ｔ” １．４７ｆ秤量して、その後は実施列１と
同様にして得た焼結体に入２全焼付けた試料を作製し、
みかけの比誘電率ｅａｐｐ等を測定し、その結果を下記
表に示した。
炭酸カルシウム（０ａＯＯｓ ）が２モルチ、酸化チタ
ン（’ｒｉ０２Ｊが３モルチとなるように、ＺｎＯを５
０２．０ａ００３ ｋ １．２３ ｆ 、 ’ｒ ｉ０
２ ’ｔ” １．４７ｆ秤量して、その後は実施列１と
同様にして得た焼結体に入２全焼付けた試料を作製し、
みかけの比誘電率ｅａｐｐ等を測定し、その結果を下記
表に示した。
実施列２
純度９９．６ ％の酸化チタン（ＴｌＯ２１の粉末上粒
径を犬きくするために１２５０℃で２時間熱処理して平
均粒径５μｍのＴｆ０２粉末を得た。
径を犬きくするために１２５０℃で２時間熱処理して平
均粒径５μｍのＴｆ０２粉末を得た。
次に、上記Ｔ４０２１モルに対しで硝酸）々リウムＢａ
（ＮＯ３） ２が３モルチ、硝酸ストロンチウム５ｒ
（ＮＯ３１２が２モルチとなるように、ＴｉＯ２を５０
２、Ｂａ１ＮＯ３Ｊ２ｅ４．８９ ｆ、 ５ｒ（ＮＯ５
）２ｔ２．６４ｆｆＰ量し、水を溶媒どしてゼールミル
で１０時時間式混合後、スプレードライヤーで噴霧乾燥
して粉末を得た。この粉末を実施列１と同様にして円板
状に成壓した後、Ｈ２４チ／Ｎ２９６％の環元雰囲気中
で１３００℃で２時間焼成し、５０個の焼結体を得た。
（ＮＯ３） ２が３モルチ、硝酸ストロンチウム５ｒ
（ＮＯ３１２が２モルチとなるように、ＴｉＯ２を５０
２、Ｂａ１ＮＯ３Ｊ２ｅ４．８９ ｆ、 ５ｒ（ＮＯ５
）２ｔ２．６４ｆｆＰ量し、水を溶媒どしてゼールミル
で１０時時間式混合後、スプレードライヤーで噴霧乾燥
して粉末を得た。この粉末を実施列１と同様にして円板
状に成壓した後、Ｈ２４チ／Ｎ２９６％の環元雰囲気中
で１３００℃で２時間焼成し、５０個の焼結体を得た。
次に、得られた焼結体の元素分布を実施列１と同様にし
て走置型透過電子顕微鏡で調べたところ、該焼結体は’
ｒ＋ｏ２から成る主相のまわシを（Ｂａ 、Ｓｒ Ｊ’
ｆ’ｉ０５複合相が囲繞する結晶粒とこれら結晶粒間の
粒界相とから構成されていることが確認された。
て走置型透過電子顕微鏡で調べたところ、該焼結体は’
ｒ＋ｏ２から成る主相のまわシを（Ｂａ 、Ｓｒ Ｊ’
ｆ’ｉ０５複合相が囲繞する結晶粒とこれら結晶粒間の
粒界相とから構成されていることが確認された。
次に残力の焼結体の片面にＢ ｉ ２０３− ＯｕＯ−
Ｂ２０３から成る絶縁ペーストを該焼結体の重量に対し
て５ｏｆ％塗布し、大気中で１２００℃で熱処理し、粒
界絶縁型半導体磁器を作製し、みかけの比誘電率ｇａｐ
ｐ等を測安し、平均値を算出してその結果を下記表に示
した。
Ｂ２０３から成る絶縁ペーストを該焼結体の重量に対し
て５ｏｆ％塗布し、大気中で１２００℃で熱処理し、粒
界絶縁型半導体磁器を作製し、みかけの比誘電率ｇａｐ
ｐ等を測安し、平均値を算出してその結果を下記表に示
した。
比較列２
平均粒径５μｍの酸化チタン（Ｔｉ０２３１モルに対し
て炭酸〕々リウム（Ｂａ○０３７が３モルチ、炭酸スト
ロンチウム（Ｓ ｒ Ｃ！０３ ）が２モルチとなるよ
うに、ｒｉ０２ ｆ ５０ ｆ、Ｂａ００３を３．７９
ＸＳｒ００３を１．８５９秤量して、その後は実施列２
と同様にして得た焼結体の片面に絶縁ペーストラ塗布し
て熱処理した試料を作製し、みかけの比誘電率εａ９１
）等を測定し、その結果を下記表に示したつ実施列３ 炭酸ストロンチウムｌ ＳｒＣＯ３Ｊ ｔモルに対シテ
酸化チタン（Ｔ［＞２３が０．９９８モルチ、酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５Ｊがｏ、ｏ ｏ ｔモルチとなるように
、５ｒ００３ （ｉ７５ Ｌ ８．８ ｆ、 Ｔｉ０２
ｔ” ２８０．２ ｆ、Ｎｂ ２０５’ｉ ０．９ を
仮焼し、平均粒径５μｍのＳｒ（’ｒｉｏ、ｇｇ６Ｎｂ
Ｏ，００２３０３粉末を得た。次に上記５ｒ（ＴｉＯ
，９９８ＮｂＯ，００２１０３１モルに対して、酢酸カ
ルシウム（Ｏａ （０２Ｔ−１３０２）２ ）が５モル
チ、オキシ硝酸チタン（ＴｆＯ（ＮＯ３Ｊ２Ｊが５モル
チとなるように、上記５ｒ（Ｔｊ Ｏ，９９８Ｎｂ Ｏ
，００２１ｏ３ ｔ５０、Ｏｆ、 ０ａ（０２Ｈ３０２
Ｊ２ｅ２．１５ ｆ、 Ｔｉ０（ＮＯ３Ｊ２を２．５６
１秤址して、その彼は実施列２と１ｍ］様にして環元雰
囲気中で、ただし１４００℃で焼成し、５０個の焼結体
を侍た。
て炭酸〕々リウム（Ｂａ○０３７が３モルチ、炭酸スト
ロンチウム（Ｓ ｒ Ｃ！０３ ）が２モルチとなるよ
うに、ｒｉ０２ ｆ ５０ ｆ、Ｂａ００３を３．７９
ＸＳｒ００３を１．８５９秤量して、その後は実施列２
と同様にして得た焼結体の片面に絶縁ペーストラ塗布し
て熱処理した試料を作製し、みかけの比誘電率εａ９１
）等を測定し、その結果を下記表に示したつ実施列３ 炭酸ストロンチウムｌ ＳｒＣＯ３Ｊ ｔモルに対シテ
酸化チタン（Ｔ［＞２３が０．９９８モルチ、酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５Ｊがｏ、ｏ ｏ ｔモルチとなるように
、５ｒ００３ （ｉ７５ Ｌ ８．８ ｆ、 Ｔｉ０２
ｔ” ２８０．２ ｆ、Ｎｂ ２０５’ｉ ０．９ を
仮焼し、平均粒径５μｍのＳｒ（’ｒｉｏ、ｇｇ６Ｎｂ
Ｏ，００２３０３粉末を得た。次に上記５ｒ（ＴｉＯ
，９９８ＮｂＯ，００２１０３１モルに対して、酢酸カ
ルシウム（Ｏａ （０２Ｔ−１３０２）２ ）が５モル
チ、オキシ硝酸チタン（ＴｆＯ（ＮＯ３Ｊ２Ｊが５モル
チとなるように、上記５ｒ（Ｔｊ Ｏ，９９８Ｎｂ Ｏ
，００２１ｏ３ ｔ５０、Ｏｆ、 ０ａ（０２Ｈ３０２
Ｊ２ｅ２．１５ ｆ、 Ｔｉ０（ＮＯ３Ｊ２を２．５６
１秤址して、その彼は実施列２と１ｍ］様にして環元雰
囲気中で、ただし１４００℃で焼成し、５０個の焼結体
を侍た。
次に得られた焼結体の元素分布を実施列１と同様にして
走置型透過電子顕微鏡で調べ友ところ、該焼結体は５ｒ
（Ｔｉ、ＮｂＪＯ３から成る主相のまわりを（Ｓｒ 、
Ｏａ ＪＴｉ０３複合相が囲繞する結晶粒とこれら結晶
粒間の粒界相とから構成さｊていることがＷ１認された
。
走置型透過電子顕微鏡で調べ友ところ、該焼結体は５ｒ
（Ｔｉ、ＮｂＪＯ３から成る主相のまわりを（Ｓｒ 、
Ｏａ ＪＴｉ０３複合相が囲繞する結晶粒とこれら結晶
粒間の粒界相とから構成さｊていることがＷ１認された
。
次に残りの焼結体から実施列１と同様にして粒界絶縁型
半導体磁器全作製し、みかげの比誘電率ｔ ａｐｐ等を
測定し、平均値を算出してその結果を下記表に示した。
半導体磁器全作製し、みかげの比誘電率ｔ ａｐｐ等を
測定し、平均値を算出してその結果を下記表に示した。
比較り１１３
平均粒径５μｍのＳ ｒ （Ｔ ｉ Ｏ，９９８Ｎｂ
Ｏ，００２ｊ０３１モルに対して炭酸カルシウム（Ｏａ
ＣＯ３）が５モルチ、酸化チタン（Ｔｉ０２Ｊが５モル
チになるように５ｒ（Ｔｉ □０ｇｇＢ Ｎｂ □、□
ｏ２３０３ ｆｔ５ｏｆ。
Ｏ，００２ｊ０３１モルに対して炭酸カルシウム（Ｏａ
ＣＯ３）が５モルチ、酸化チタン（Ｔｉ０２Ｊが５モル
チになるように５ｒ（Ｔｉ □０ｇｇＢ Ｎｂ □、□
ｏ２３０３ ｆｔ５ｏｆ。
ＯｕＯ０３ｆ ｔ、３６ ｆ、 ＴｉＯ２ｆ ＬＯ９を
秤量して、その後は実施列３と同様にして得次焼結体の
片面に絶縁ペースト？塗布して熱処理し穴試料を作製し
、みかけの比誘電率ｇ ａｐｐ等を測定し、その結果を
下記表に示した。
秤量して、その後は実施列３と同様にして得次焼結体の
片面に絶縁ペースト？塗布して熱処理し穴試料を作製し
、みかけの比誘電率ｇ ａｐｐ等を測定し、その結果を
下記表に示した。
表から明らかなように、実施列１〜３の粒界絶縁型半導
体磁器の全てが比較列１〜３に比してみかけの比誘電率
ｔ ａｐｐが極めて犬きく、シかも誘電体損失ｔａｎσ
や絶縁抵抗値ＩＲも優れることがわかる。
体磁器の全てが比較列１〜３に比してみかけの比誘電率
ｔ ａｐｐが極めて犬きく、シかも誘電体損失ｔａｎσ
や絶縁抵抗値ＩＲも優れることがわかる。
（発明の効果］
このように、本発明の粒界絶縁型半導体磁器は、多結晶
体を構成する各結晶粒全半導電性酸酸化物の主相と、こ
の主相成分と他成分とから成シ該主相を囲繞する誘電性
酸化物の複合相とで構成するようにしたので、みかけの
比誘電率ｇａｐｐに優れる等の効果を有する。
体を構成する各結晶粒全半導電性酸酸化物の主相と、こ
の主相成分と他成分とから成シ該主相を囲繞する誘電性
酸化物の複合相とで構成するようにしたので、みかけの
比誘電率ｇａｐｐに優れる等の効果を有する。
第１図は本発明粒界絶縁型半導体磁器の１実施列の結晶
構造の概略図、第２図は従来の粒界絶縁型半導体磁器の
結晶構造の概略図。 １・・・多結晶体 ２・・・結晶粒３・・・主相
４・・・複合相５・・・粒界相 第１図 第２図 手続補正書 昭和 年 月 日
構造の概略図、第２図は従来の粒界絶縁型半導体磁器の
結晶構造の概略図。 １・・・多結晶体 ２・・・結晶粒３・・・主相
４・・・複合相５・・・粒界相 第１図 第２図 手続補正書 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多結晶体を構成する各結晶粒が、半導電性酸化物の
主相と、この主相成分と他成分とから成り該主相を囲繞
する誘電性酸化物の複合相とから成る粒界絶縁型半導体
磁器。 ２、主相はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ
、Ｐｂ、Ｂｉから選択された少なくとも１種以上の元素
と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｏｌ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｗ、Ｓｎ、Ｓｂから選択された少くとも１種以上
の元素を含む酸化物から成ることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の半導体磁器。 ３、主相は元素単体の酸化物から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の半導体磁器。 ４、複合相の他成分はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｉから選
択された元素から成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第３項の何れか１項に記載の半導体磁器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287727A JP2649341B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
| KR1019870013791A KR920002084B1 (ko) | 1986-12-04 | 1987-12-03 | 입계절연형 반도체자기 |
| EP19870117910 EP0270119A3 (en) | 1986-12-04 | 1987-12-03 | Semiconductor ceramic of grain boundary insulation type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61287727A JP2649341B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7246139A Division JP2645815B2 (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63141206A true JPS63141206A (ja) | 1988-06-13 |
| JP2649341B2 JP2649341B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=17720965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61287727A Expired - Lifetime JP2649341B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 粒界絶縁型半導体磁器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0270119A3 (ja) |
| JP (1) | JP2649341B2 (ja) |
| KR (1) | KR920002084B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297453A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03297101A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-12-27 | Toshiba Corp | 電力用抵抗体及びその製造方法 |
| JPH05101907A (ja) * | 1991-03-30 | 1993-04-23 | Toshiba Corp | 電力用遮断器および電力用抵抗体 |
| JP4893371B2 (ja) | 2007-03-02 | 2012-03-07 | Ｔｄｋ株式会社 | バリスタ素子 |
| CN114823139B (zh) * | 2022-04-29 | 2024-01-30 | 厦门松元电子股份有限公司 | 一种抗雷击波的高耐压陶瓷介质材料、陶瓷电容器及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123714A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 |
| JPS59195576A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 株式会社村田製作所 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
| JPS60176968A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日揮株式会社 | ＳｎＯ↓２−ΖｒＯ↓２−ＴｉＯ↓２系誘電体磁器の製造法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144522A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition |
| GB2080789B (en) * | 1980-07-28 | 1983-09-28 | Univ Illinois | Heterophasic semiconducting ceramic compositions |
| DE3477437D1 (de) * | 1983-06-28 | 1989-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage-dependent, non-linear resistor porcelain composition |
| DE3563610D1 (de) * | 1984-03-30 | 1988-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61287727A patent/JP2649341B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-12-03 KR KR1019870013791A patent/KR920002084B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-12-03 EP EP19870117910 patent/EP0270119A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123714A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 粒界層型磁器誘電体及びその製造方法 |
| JPS59195576A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | 株式会社村田製作所 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
| JPS60176968A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-11 | 日揮株式会社 | ＳｎＯ↓２−ΖｒＯ↓２−ＴｉＯ↓２系誘電体磁器の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0297453A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0270119A2 (en) | 1988-06-08 |
| EP0270119A3 (en) | 1990-09-26 |
| JP2649341B2 (ja) | 1997-09-03 |
| KR880007398A (ko) | 1988-08-27 |
| KR920002084B1 (ko) | 1992-03-10 |
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