JPH03297101A - 電力用抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
電力用抵抗体及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
この発明は、遮断器等の開閉サージの吸収に好適な抵抗
体に係り、特に、変圧器、遮断器など電力機器の抵抗器
の抵抗体に好適な電力用抵抗体及びその製造方法に関す
る。 [0002] 2− 特開平3−297101(3)
体に係り、特に、変圧器、遮断器など電力機器の抵抗器
の抵抗体に好適な電力用抵抗体及びその製造方法に関す
る。 [0002] 2− 特開平3−297101(3)
現在、遮断器等の電流制御用、電動機始動・回生に伴う
各種制御用、また、送電系統の異常発生時における接地
用として、種々の電力用抵抗器が用いられている。これ
ら抵抗器は、金属抵抗体、セラミック抵抗体、種々の複
合体により構成されている。 [0003] 例えば、高電圧用遮断器には、開閉時に発生する開閉サ
ージを吸収したり遮断容量を増加させるために遮断接点
と並列に投入抵抗器を接続している。これらの目的に用
いられる抵抗器の従来の抵抗体には、例えば特開昭58
−139401号公報に記載されているような、炭素粒
子分散型セラミック抵抗体が用いられている。この抵抗
体は、絶縁性成分たる酸化アルミニウム結晶中に、導電
性成分であるカーボン粉末を分散させ粘土で焼き固めた
ものであって、100〜2500Ω・cmの抵抗率を持
つ。 [0004] この炭素粒子分散型セラミック抵抗体は、カーボン粉末
分散量を調整することで抵抗率を変化させることができ
る利点があるが、気孔率が10〜30%と高く緻密性に
劣るため、以下の問題がある。すなわち、第1に、体積
当りの熱容量が2J/cm3・K程度と小さいために、
放電耐量が小さい。その結果、サージの吸収による発熱
にともなう温度上昇が著しい。第2に、開閉サージ吸収
時にカーボン粉末間で放電を起こして、貫通放電してし
まう。以上より、高電圧用遮断器の抵抗体として、特開
昭58−139401号公報に記載された従来の抵抗体
は問題が多い。 [0005] さらに、近年の技術開発による遮断器の小型化に伴い、
開閉サージ吸収用投入抵抗器の小型化が求められている
。投入抵抗器を小型化するためには、使用される抵抗体
の単位体積当りの熱容量が大きいことが必要である。従
来の抵抗体の2J 7cm3. Kという熱容量では、
これ以上投入抵抗器を小型化することは困難である。 3− 特開平3−297101 (4) [0006] この様な問題に対しては、例えば、フェライトのように
単位体積当りの熱容量が3.0〜4.OJ /cm3
・Kと大きなセラミック抵抗体を用いれば解決される。 [0007] 一般的に、フェライトは化学式MexFe3−xO4で
表される、スピネル型酸化物の一つである。Meはニッ
ケル、コバルト、亜鉛、銅などの金属元素であるが、単
一種の元素とは限らずに複数種の元素であってもよい。 通常のフェライトは、上式においてX=1であるが、X
は、フェライトによってはO<X<3の範囲をとること
ができ、抵抗率を制御することができる。例えば、コバ
ルトフェラΩ’cmまで変化することが知られている。 (例えば、J、 Phys、Chem、 5olids
9゜165(1659) )。 [0008] しかしながら、フェライトは、焼結温度や仕込組成に依
存して元素が一部蒸発し、仕込組成が変化する場合があ
る。その結果、大きな形状の焼結体、例えば直径が10
cm以上の大きな円板状の焼結体は、以下に記述したよ
うな問題のために得られない。すなわち、第1に、蒸発
のため緻密な焼結体が得られない。第2に、複数個の焼
結体を製造した場合、焼結体相互で抵抗率のばらつきが
生じる。第3に、蒸発の発生が焼結体内で不均一なため
に、焼結体内部に抵抗率の大きな部分と小さな部分とが
生じて、抵抗率の分布が出来てしまう。以上の結果、抵
抗器の抵抗体としてフェライトを使用し開閉サージを吸
収させた場合、抵抗体内部の高抵抗率部分で発熱し、こ
の発熱に起因する熱応力のために抵抗体が破壊される虞
がある。 [0009] しかも、フェライトのような酸化物半導体は一般に、温
度が高くなると抵抗率が変化し減少する性質を有する。 この抵抗率の温度変化を表わす指標として、抵抗温度係
数を、サージ吸収用投入抵抗器の使用条件に鑑み以下の
ように定義する4− 特開平3−297101(5) [0010] [0011] ここで、ρ は120℃での抵抗率、ρ2oは20℃
での抵抗率である。例えば20 空気中で焼成したコバルトフェライト焼結体の抵抗温度
係数は、おおよそ−0,70〜−0,99%/degの
範囲内にある。すなわち、20℃から120℃へ抵抗体
の温度が100℃上昇すれば、120℃での抵抗率は2
0℃での抵抗率から70〜99%減少し30%〜1%に
なってしまう。その結果、投入抵抗器用抵抗体として使
用した場合、開閉サージ吸収によって抵抗体の温度上昇
が起こると、抵抗体の抵抗率が小さくなって熱暴走し、
開閉サージを吸収しきれない問題がある。投入抵抗器用
抵抗体の抵抗温度係数は、作動したときの熱暴走を防ぐ
ため、少なくとも−0,30%/deg以上、好ましく
は−0,20%/deg以上あることが望ましし)。 [0012] このような状況から、フェライトについては、抵抗率の
ような電気的な特性、及び熱容量の様な熱的性質が知ら
れていたものの、サージ吸収用の抵抗体としては、未だ
用いられていない。 [0013]
各種制御用、また、送電系統の異常発生時における接地
用として、種々の電力用抵抗器が用いられている。これ
ら抵抗器は、金属抵抗体、セラミック抵抗体、種々の複
合体により構成されている。 [0003] 例えば、高電圧用遮断器には、開閉時に発生する開閉サ
ージを吸収したり遮断容量を増加させるために遮断接点
と並列に投入抵抗器を接続している。これらの目的に用
いられる抵抗器の従来の抵抗体には、例えば特開昭58
−139401号公報に記載されているような、炭素粒
子分散型セラミック抵抗体が用いられている。この抵抗
体は、絶縁性成分たる酸化アルミニウム結晶中に、導電
性成分であるカーボン粉末を分散させ粘土で焼き固めた
ものであって、100〜2500Ω・cmの抵抗率を持
つ。 [0004] この炭素粒子分散型セラミック抵抗体は、カーボン粉末
分散量を調整することで抵抗率を変化させることができ
る利点があるが、気孔率が10〜30%と高く緻密性に
劣るため、以下の問題がある。すなわち、第1に、体積
当りの熱容量が2J/cm3・K程度と小さいために、
放電耐量が小さい。その結果、サージの吸収による発熱
にともなう温度上昇が著しい。第2に、開閉サージ吸収
時にカーボン粉末間で放電を起こして、貫通放電してし
まう。以上より、高電圧用遮断器の抵抗体として、特開
昭58−139401号公報に記載された従来の抵抗体
は問題が多い。 [0005] さらに、近年の技術開発による遮断器の小型化に伴い、
開閉サージ吸収用投入抵抗器の小型化が求められている
。投入抵抗器を小型化するためには、使用される抵抗体
の単位体積当りの熱容量が大きいことが必要である。従
来の抵抗体の2J 7cm3. Kという熱容量では、
これ以上投入抵抗器を小型化することは困難である。 3− 特開平3−297101 (4) [0006] この様な問題に対しては、例えば、フェライトのように
単位体積当りの熱容量が3.0〜4.OJ /cm3
・Kと大きなセラミック抵抗体を用いれば解決される。 [0007] 一般的に、フェライトは化学式MexFe3−xO4で
表される、スピネル型酸化物の一つである。Meはニッ
ケル、コバルト、亜鉛、銅などの金属元素であるが、単
一種の元素とは限らずに複数種の元素であってもよい。 通常のフェライトは、上式においてX=1であるが、X
は、フェライトによってはO<X<3の範囲をとること
ができ、抵抗率を制御することができる。例えば、コバ
ルトフェラΩ’cmまで変化することが知られている。 (例えば、J、 Phys、Chem、 5olids
9゜165(1659) )。 [0008] しかしながら、フェライトは、焼結温度や仕込組成に依
存して元素が一部蒸発し、仕込組成が変化する場合があ
る。その結果、大きな形状の焼結体、例えば直径が10
cm以上の大きな円板状の焼結体は、以下に記述したよ
うな問題のために得られない。すなわち、第1に、蒸発
のため緻密な焼結体が得られない。第2に、複数個の焼
結体を製造した場合、焼結体相互で抵抗率のばらつきが
生じる。第3に、蒸発の発生が焼結体内で不均一なため
に、焼結体内部に抵抗率の大きな部分と小さな部分とが
生じて、抵抗率の分布が出来てしまう。以上の結果、抵
抗器の抵抗体としてフェライトを使用し開閉サージを吸
収させた場合、抵抗体内部の高抵抗率部分で発熱し、こ
の発熱に起因する熱応力のために抵抗体が破壊される虞
がある。 [0009] しかも、フェライトのような酸化物半導体は一般に、温
度が高くなると抵抗率が変化し減少する性質を有する。 この抵抗率の温度変化を表わす指標として、抵抗温度係
数を、サージ吸収用投入抵抗器の使用条件に鑑み以下の
ように定義する4− 特開平3−297101(5) [0010] [0011] ここで、ρ は120℃での抵抗率、ρ2oは20℃
での抵抗率である。例えば20 空気中で焼成したコバルトフェライト焼結体の抵抗温度
係数は、おおよそ−0,70〜−0,99%/degの
範囲内にある。すなわち、20℃から120℃へ抵抗体
の温度が100℃上昇すれば、120℃での抵抗率は2
0℃での抵抗率から70〜99%減少し30%〜1%に
なってしまう。その結果、投入抵抗器用抵抗体として使
用した場合、開閉サージ吸収によって抵抗体の温度上昇
が起こると、抵抗体の抵抗率が小さくなって熱暴走し、
開閉サージを吸収しきれない問題がある。投入抵抗器用
抵抗体の抵抗温度係数は、作動したときの熱暴走を防ぐ
ため、少なくとも−0,30%/deg以上、好ましく
は−0,20%/deg以上あることが望ましし)。 [0012] このような状況から、フェライトについては、抵抗率の
ような電気的な特性、及び熱容量の様な熱的性質が知ら
れていたものの、サージ吸収用の抵抗体としては、未だ
用いられていない。 [0013]
上述したように、従来の炭素粒子分散型セラミック抵抗
体は耐電圧が低く、単位体積当たりの熱容量が小さいた
め、小型化することができない。また、従来のフェライ
トセラミックスは、体積当たりの熱容量は大きいことが
知られているが緻密な焼結体が得られず、しかも、抵抗
値にばらつきがあり、さらに、抵抗温度係数が小さいた
め、抵抗体の温度が上昇すると抵抗率が減少する問題が
ある。 従って、電力用抵抗体としては使用することができない
。 [0014] この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、単位体積あたりの熱容量が大きく、抵
抗率が十分に高く、抵抗温度係数が大きい電力5− 用抵抗体を提供することにある。 [0015]
体は耐電圧が低く、単位体積当たりの熱容量が小さいた
め、小型化することができない。また、従来のフェライ
トセラミックスは、体積当たりの熱容量は大きいことが
知られているが緻密な焼結体が得られず、しかも、抵抗
値にばらつきがあり、さらに、抵抗温度係数が小さいた
め、抵抗体の温度が上昇すると抵抗率が減少する問題が
ある。 従って、電力用抵抗体としては使用することができない
。 [0014] この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、単位体積あたりの熱容量が大きく、抵
抗率が十分に高く、抵抗温度係数が大きい電力5− 用抵抗体を提供することにある。 [0015]
【課題を解決するための手段および作用】この発明に係
る電力用抵抗体は、化学式MexFe3−xO4 (M
eは金属元素Xは0<X<3)で表わされるスピネル型
構造のフェライトセラミックスを含有する焼結体と、こ
の焼結体に形成することを特徴する電力用抵抗体であっ
て前記焼結体は、Bi2O3に換算して0.05〜20
重量%のビスマス酸化物、SiO及びA l 203に
換算して夫々0.01〜3.0重量%及び0.005〜
2.0重量%のケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物、
並びにSio2及びCaOに換算して夫々0.01〜3
.5重量%及び0.001〜1.6重量%のケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物から.05〜10体積%の絶縁
物相を有していることを特徴とする。 [0016] ここで、焼結体の主成分であるフェライトセラミックス
は、化学式MexFe3−xO4で表されるスピネル型
酸化物の一つである。Meはニッケルコバルト、亜鉛、
銅などの金属元素であるが、単一種の元素とは限らずに
複数種の元素であってもよい。通常のフェライトは、上
式においてX=1であるが、フェライトの種類によって
は0<X<3の範囲をとることができ、このXを変化さ
せることにより抵抗率を制御することができる。なお、
フェライトセラミックスはそれ自体の熱容量が大きいた
め、フェライトセラミックスを主体とする焼結体を抵抗
体に用いることにより、抵抗体の単位体積あたりの熱容
量を大きな値にすることができる。 [0017] フェライトセラミックスに含有されるビスマス酸化物、
ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物、又はケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物は、フェライトセラミックスの
結晶粒界に低融点の絶縁物相を形成するためのものであ
る。すなわち、ビスマス酸化物を含有させる場合には、
ビスマス酸化物が結晶三重点等の粒界に低融点であり絶
縁性のB 1203又は共晶化合物の形で存在する。ま
た、ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物を含有させる
場合には、−酸化鉄(Fed)−特開平3−29710
1(7) 絶縁物が粒界に形成される。また、ケイ素酸化物及びカ
ルシウム酸化物を含有させる場合には、−酸化鉄(Fe
d)−酸化ケイ素(S i02 )−酸化カルシウム(
CaO)3成分系の低融点の絶縁物が粒界に形成される
。 [0018] これらを含有させることにより、以下のメカニズムによ
り抵抗体の特性が改善される。 [0019] 酸化ビスマスを含有させる場合には、本発明のフェライ
トの焼結温度(900℃〜1300℃)では、融点が8
20℃の三二酸化ビスマスは融液状態で存在しさらに、
融点700℃程度のフェライトと三二酸化ビスマスとの
共晶酸化物の融液も生成する。従って、焼結は液相焼結
で進み、焼結性が増して緻密な焼結体となる。また、焼
結温度が一般のフェライトより低くできるため元素の蒸
発が抑えられる。その結果、焼結体内部の抵抗率の不均
一が抑えられて抵抗率がほぼ均一となる。 [0020] ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物を含有させる場合
には、上述のように一酸化鉄(Fed)−酸化ケイ素(
Sin)−酸化アルミニウム(AI。03)3成分系の
物質を生成させることができる。この3成分混合系では
、組成範囲によって融点1200℃以下の低融点共晶酸
化物が生成することが知られている(例えば、Am、
J、 Sci、 (5th 5eres) 、 24.
177−213 (1932) )。そして、酸化ケイ
素と酸化アルミニウムのモル比がSiO:A1203=
93ニア〜70:30(重量比ケイ素酸化物及びアルミ
ニウム酸化物を含有させることにより、本発明のフェラ
イトの焼結温度では、融液状態で存在する低融点共晶酸
化物が生成する。従ってビスマス酸化物を含有させる場
合と同様に、緻密な焼結体が形成され、かつ元素の蒸発
が抑えられるので、焼結体内部の抵抗率の不均一が抑え
られて抵抗率がほぼ均一となる。 [00213 7− 特開平3−297101(8) 酸化鉄(Fed)−酸化ケイ素(SiO3)−酸化カル
シウム(CaO)3成分系の物質を生成させることがで
きる。この3成分混合系でも、組成範囲によって融点1
200℃以下の低融点共晶酸化物が生成される。そして
、酸化ケイ素と酸化力)’v シウム(7) −E 7
1/比がSiO2:Ca0=93ニア〜51:49 (
重量比でSiO2:Ca 0=94:6〜53:47
)の組成範囲になるようにケイ素酸化物及びアルミニウ
ム酸化物を含有させることにより、本発明のフェライト
の焼結温度では、融液状態で存在する低融点共晶酸化物
が生成する。従って、この場合にも、緻密な焼結体が形
成され、かつ元素の蒸発が抑えられるので、焼結体内部
の抵抗率の不均一が抑えられて抵抗率がほぼ均一となる
。 [0022] これらの物質は、焼結体中で結晶の粒界に絶縁物として
存在する。従って、フェライト焼結体の結晶粒界にはこ
れらの物質を主体とする絶縁物相が形成されることとな
る。このように粒界に絶縁物相が形成されることにより
、焼結体の抵抗率を調節することができ、その値を絶縁
物相がない場合よりも高めることができる。さらに、粒
界絶縁物相を介して電気伝導がおこるため、トンネル効
果による電気抵抗が生成する。このトンネル抵抗は、一
般に温度依存性が小さい。そのため、粒界絶縁物相がな
い焼結体に比べて抵抗温度係数を増加させることができ
、焼成雰囲気によってはその値を−0,30%/deg
以上にすることができる。すなわち、抵抗率の温度変化
を小さくすることができる。 [0023] 本発明で、形成される粒界絶縁物相は、0.05〜10
体積%であることが望ましい。ここで、体積%とは、焼
結体中の粒界絶縁物相の体積をVB、焼結体の体積をV
とすると、vB/VF×100と表わされる値である
。0.05体積%より少なくなると、抵抗率を増加させ
ることができなくなり含有効果が無くなる。従来の抵抗
体と比較して30%以上抵抗体の体積を小さくするため
に、0.10体積%以上であることが望ましい。また1
0体積%を越えると抵抗率が大きくなりすぎる。かつ粒
界絶縁物相は単位体積当りの熱容量がフェライトよりも
小さいため、焼結体の熱容量が低下してしまう。 8− 特開平3−297101(9) [0024] 絶縁物相の量をこの範囲にするために、ビスマス酸化物
を含有させる場合にはBi2O3に換算して0.005
〜20重量%、好ましくは0.08〜20重量%、さら
に好ましくは0.16〜20重量%、ケイ素酸化物及び
アルミニウム酸化物を含有させる場合には、SiO及び
A1゜03に換算して夫々0.01〜3.0重量%及び
0.005〜2.0重量%、好ましくは夫々0.02〜
3.0重量%及び0.01〜1.7重量%、ケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物を含有させる場合には、SiO
2及びCaOに換算して夫々0.01〜3.5重量%及
び0.001〜1.6重量%、好ましくは夫々0.02
〜3.5重量%及び0.003〜1.5重量%の範囲で
含有させることが望ましい。なお、ビスマス酸化物、ケ
イ素酸化物、アルミニウム酸化物を含有させるためには
、添加物として夫々B iO、S 10 、A 12
03を用いることが好ましく、カルシ2 3
2 ラム酸化物を含有させるためには炭酸カルシウムを用い
ることが好ましい。しかし、添加剤の形態は適宜決定で
き、上述のものに限らず、また酸化物に限らず用いるこ
とができる。なお、Bi O、SiO2、Al2O3は
焼成によりその3 量が実質的に変化しないから添加量と含有量とは実質的
に一致する。炭酸カルシウムは焼成により分解し、CO
2が蒸発するので、その添加量は0.003〜2.7重
量%、好ましくは0.005〜2.7重量%である。 [0025] この発明に係る抵抗体の好ましい態様においては、フェ
ライトセラミックスからなる焼結体の両端面に形成され
た一対の電極を有する。この電極としては、アルミニウ
ムまたはニッケルを用いることが望ましい。この電極は
、焼結体の両端面に溶射またはスパッタリングなどによ
り形成される。また、この抵抗体は側面での沿面放電を
防止するために、絶縁性のガラスやガラスセラミックか
らなる絶縁層を有することが好ましい。 [0026] 焼結体は、各成分が所定の割合になるように配合された
粉末を成形し、この成形体を焼成することにより得られ
る。この焼成は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で行う
ことが好ましい。不活性ガス雰囲気中で焼結すると、空
気中で焼成した焼結体に比べて、抵抗温度係数を−0,
4〜−0,5%/degにまで増加させること9− 特開平3−297101 (10) ができる。この理由は以下のように考えられる。フェラ
イト焼結体の鉄成分は空気中で焼成すると通常3価であ
るが、窒素中で焼成すると、焼結体が焼成中に還元され
酸素成分が一部消失するため、電気的中性を保つために
、焼結体中に一部2価の鉄が生成する。その結果、n型
導電キャリアーが生成して活性化エネルギーが減少する
ため、抵抗率の温度変化が小さくなる。また、一部のフ
ェライトでは、フェライトが還元雰囲気で分解され、活
性化エネルギーの小さな一酸化鉄系固溶体(例えば、コ
バルトフェライトならCo0−FeO系固溶固溶体ッケ
ルフェライトならN1O−FeO系固溶固溶体生成し、
焼結体の抵抗温度係数が増加する。しかしこの場合には
、絶縁物相が存在しないフェライトセラミックスでは窒
素中焼成の焼結体の抵抗率は10−2〜101Ωcmと
低い値である。これに対し上述のような絶縁物相を形成
することにより、抵抗率が102〜104Ωcm程度と
、サージ吸収用抵抗体として望ましい範囲となる。すな
わち、焼結体として上述の絶縁物相が存在するフェライ
トセラミックスを用い、窒素ガス雰囲気で焼成する場合
には、図2のAに示すように、抵抗率が高くしかも抵抗
温度係数が高い(すなわち温度上昇に伴う抵抗率の低下
が小さい)が、絶縁物相が存在しない場合には、Dに示
すように、抵抗温度係数が高いものの抵抗率自体が極め
て低い値となる。なお、図2中Bは従来用いられている
炭素粒子分散型セラミック抵抗体を示すものであるカミ
温度を問わすAよりも抵抗率が小さくなっていることが
わかる。また、Cは焼結体として上述の絶縁物相が存在
しないフェライトセラミックスを用い、空気中で焼成し
た場合であるが、この場合には抵抗温度係数が低く、高
温において抵抗率が低くなる。この図2において、焼結
体を構成するフェライトセラミックスとしてコバルトフ
ェライトを用いている。 [0027] なお、成形体を得るときの成形圧は、焼結体の密度を高
めるなめに250kg/Cm2以上であることが望まし
い。この成形体を焼結するときの不活性雰囲気を形成す
るガスとしては、窒素ガスの他、ヘリウムガス、ネオン
、アルゴンガスなどを用いることができる。また、焼結
体を得るための焼成温度は、ビスマス酸化物を含有させ
る場合には900〜1300℃が好ましい。また、ケイ
素酸化物及びアルミニウム酸化物、並びにケイ素酸化物
及びカルシウム酸化物を含有させる場10− 特開平3−297101(11) 合には1050〜1300℃が好ましい。この範囲を下
回ると液相が生成し難く、粒界に絶縁物相が形成され難
い。また、1300℃以上ではフェライト成分元素の蒸
発が生じ、かつ粒成長が進み粒界の絶縁物相の効果が阻
害される。 [0028] なお、この発明の一態様に係る遮断器用抵抗体を図1に
示す。抵抗体1は、フェライトを主体しその粒界に絶縁
物相を有する中空円筒状の焼結体2と、その両端面に形
成された一対の電極3(上面のみ図示)を備えている。 さらに、焼結体2の側面には絶縁層5が形成されている
。 [0029]
る電力用抵抗体は、化学式MexFe3−xO4 (M
eは金属元素Xは0<X<3)で表わされるスピネル型
構造のフェライトセラミックスを含有する焼結体と、こ
の焼結体に形成することを特徴する電力用抵抗体であっ
て前記焼結体は、Bi2O3に換算して0.05〜20
重量%のビスマス酸化物、SiO及びA l 203に
換算して夫々0.01〜3.0重量%及び0.005〜
2.0重量%のケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物、
並びにSio2及びCaOに換算して夫々0.01〜3
.5重量%及び0.001〜1.6重量%のケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物から.05〜10体積%の絶縁
物相を有していることを特徴とする。 [0016] ここで、焼結体の主成分であるフェライトセラミックス
は、化学式MexFe3−xO4で表されるスピネル型
酸化物の一つである。Meはニッケルコバルト、亜鉛、
銅などの金属元素であるが、単一種の元素とは限らずに
複数種の元素であってもよい。通常のフェライトは、上
式においてX=1であるが、フェライトの種類によって
は0<X<3の範囲をとることができ、このXを変化さ
せることにより抵抗率を制御することができる。なお、
フェライトセラミックスはそれ自体の熱容量が大きいた
め、フェライトセラミックスを主体とする焼結体を抵抗
体に用いることにより、抵抗体の単位体積あたりの熱容
量を大きな値にすることができる。 [0017] フェライトセラミックスに含有されるビスマス酸化物、
ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物、又はケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物は、フェライトセラミックスの
結晶粒界に低融点の絶縁物相を形成するためのものであ
る。すなわち、ビスマス酸化物を含有させる場合には、
ビスマス酸化物が結晶三重点等の粒界に低融点であり絶
縁性のB 1203又は共晶化合物の形で存在する。ま
た、ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物を含有させる
場合には、−酸化鉄(Fed)−特開平3−29710
1(7) 絶縁物が粒界に形成される。また、ケイ素酸化物及びカ
ルシウム酸化物を含有させる場合には、−酸化鉄(Fe
d)−酸化ケイ素(S i02 )−酸化カルシウム(
CaO)3成分系の低融点の絶縁物が粒界に形成される
。 [0018] これらを含有させることにより、以下のメカニズムによ
り抵抗体の特性が改善される。 [0019] 酸化ビスマスを含有させる場合には、本発明のフェライ
トの焼結温度(900℃〜1300℃)では、融点が8
20℃の三二酸化ビスマスは融液状態で存在しさらに、
融点700℃程度のフェライトと三二酸化ビスマスとの
共晶酸化物の融液も生成する。従って、焼結は液相焼結
で進み、焼結性が増して緻密な焼結体となる。また、焼
結温度が一般のフェライトより低くできるため元素の蒸
発が抑えられる。その結果、焼結体内部の抵抗率の不均
一が抑えられて抵抗率がほぼ均一となる。 [0020] ケイ素酸化物及びアルミニウム酸化物を含有させる場合
には、上述のように一酸化鉄(Fed)−酸化ケイ素(
Sin)−酸化アルミニウム(AI。03)3成分系の
物質を生成させることができる。この3成分混合系では
、組成範囲によって融点1200℃以下の低融点共晶酸
化物が生成することが知られている(例えば、Am、
J、 Sci、 (5th 5eres) 、 24.
177−213 (1932) )。そして、酸化ケイ
素と酸化アルミニウムのモル比がSiO:A1203=
93ニア〜70:30(重量比ケイ素酸化物及びアルミ
ニウム酸化物を含有させることにより、本発明のフェラ
イトの焼結温度では、融液状態で存在する低融点共晶酸
化物が生成する。従ってビスマス酸化物を含有させる場
合と同様に、緻密な焼結体が形成され、かつ元素の蒸発
が抑えられるので、焼結体内部の抵抗率の不均一が抑え
られて抵抗率がほぼ均一となる。 [00213 7− 特開平3−297101(8) 酸化鉄(Fed)−酸化ケイ素(SiO3)−酸化カル
シウム(CaO)3成分系の物質を生成させることがで
きる。この3成分混合系でも、組成範囲によって融点1
200℃以下の低融点共晶酸化物が生成される。そして
、酸化ケイ素と酸化力)’v シウム(7) −E 7
1/比がSiO2:Ca0=93ニア〜51:49 (
重量比でSiO2:Ca 0=94:6〜53:47
)の組成範囲になるようにケイ素酸化物及びアルミニウ
ム酸化物を含有させることにより、本発明のフェライト
の焼結温度では、融液状態で存在する低融点共晶酸化物
が生成する。従って、この場合にも、緻密な焼結体が形
成され、かつ元素の蒸発が抑えられるので、焼結体内部
の抵抗率の不均一が抑えられて抵抗率がほぼ均一となる
。 [0022] これらの物質は、焼結体中で結晶の粒界に絶縁物として
存在する。従って、フェライト焼結体の結晶粒界にはこ
れらの物質を主体とする絶縁物相が形成されることとな
る。このように粒界に絶縁物相が形成されることにより
、焼結体の抵抗率を調節することができ、その値を絶縁
物相がない場合よりも高めることができる。さらに、粒
界絶縁物相を介して電気伝導がおこるため、トンネル効
果による電気抵抗が生成する。このトンネル抵抗は、一
般に温度依存性が小さい。そのため、粒界絶縁物相がな
い焼結体に比べて抵抗温度係数を増加させることができ
、焼成雰囲気によってはその値を−0,30%/deg
以上にすることができる。すなわち、抵抗率の温度変化
を小さくすることができる。 [0023] 本発明で、形成される粒界絶縁物相は、0.05〜10
体積%であることが望ましい。ここで、体積%とは、焼
結体中の粒界絶縁物相の体積をVB、焼結体の体積をV
とすると、vB/VF×100と表わされる値である
。0.05体積%より少なくなると、抵抗率を増加させ
ることができなくなり含有効果が無くなる。従来の抵抗
体と比較して30%以上抵抗体の体積を小さくするため
に、0.10体積%以上であることが望ましい。また1
0体積%を越えると抵抗率が大きくなりすぎる。かつ粒
界絶縁物相は単位体積当りの熱容量がフェライトよりも
小さいため、焼結体の熱容量が低下してしまう。 8− 特開平3−297101(9) [0024] 絶縁物相の量をこの範囲にするために、ビスマス酸化物
を含有させる場合にはBi2O3に換算して0.005
〜20重量%、好ましくは0.08〜20重量%、さら
に好ましくは0.16〜20重量%、ケイ素酸化物及び
アルミニウム酸化物を含有させる場合には、SiO及び
A1゜03に換算して夫々0.01〜3.0重量%及び
0.005〜2.0重量%、好ましくは夫々0.02〜
3.0重量%及び0.01〜1.7重量%、ケイ素酸化
物及びカルシウム酸化物を含有させる場合には、SiO
2及びCaOに換算して夫々0.01〜3.5重量%及
び0.001〜1.6重量%、好ましくは夫々0.02
〜3.5重量%及び0.003〜1.5重量%の範囲で
含有させることが望ましい。なお、ビスマス酸化物、ケ
イ素酸化物、アルミニウム酸化物を含有させるためには
、添加物として夫々B iO、S 10 、A 12
03を用いることが好ましく、カルシ2 3
2 ラム酸化物を含有させるためには炭酸カルシウムを用い
ることが好ましい。しかし、添加剤の形態は適宜決定で
き、上述のものに限らず、また酸化物に限らず用いるこ
とができる。なお、Bi O、SiO2、Al2O3は
焼成によりその3 量が実質的に変化しないから添加量と含有量とは実質的
に一致する。炭酸カルシウムは焼成により分解し、CO
2が蒸発するので、その添加量は0.003〜2.7重
量%、好ましくは0.005〜2.7重量%である。 [0025] この発明に係る抵抗体の好ましい態様においては、フェ
ライトセラミックスからなる焼結体の両端面に形成され
た一対の電極を有する。この電極としては、アルミニウ
ムまたはニッケルを用いることが望ましい。この電極は
、焼結体の両端面に溶射またはスパッタリングなどによ
り形成される。また、この抵抗体は側面での沿面放電を
防止するために、絶縁性のガラスやガラスセラミックか
らなる絶縁層を有することが好ましい。 [0026] 焼結体は、各成分が所定の割合になるように配合された
粉末を成形し、この成形体を焼成することにより得られ
る。この焼成は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で行う
ことが好ましい。不活性ガス雰囲気中で焼結すると、空
気中で焼成した焼結体に比べて、抵抗温度係数を−0,
4〜−0,5%/degにまで増加させること9− 特開平3−297101 (10) ができる。この理由は以下のように考えられる。フェラ
イト焼結体の鉄成分は空気中で焼成すると通常3価であ
るが、窒素中で焼成すると、焼結体が焼成中に還元され
酸素成分が一部消失するため、電気的中性を保つために
、焼結体中に一部2価の鉄が生成する。その結果、n型
導電キャリアーが生成して活性化エネルギーが減少する
ため、抵抗率の温度変化が小さくなる。また、一部のフ
ェライトでは、フェライトが還元雰囲気で分解され、活
性化エネルギーの小さな一酸化鉄系固溶体(例えば、コ
バルトフェライトならCo0−FeO系固溶固溶体ッケ
ルフェライトならN1O−FeO系固溶固溶体生成し、
焼結体の抵抗温度係数が増加する。しかしこの場合には
、絶縁物相が存在しないフェライトセラミックスでは窒
素中焼成の焼結体の抵抗率は10−2〜101Ωcmと
低い値である。これに対し上述のような絶縁物相を形成
することにより、抵抗率が102〜104Ωcm程度と
、サージ吸収用抵抗体として望ましい範囲となる。すな
わち、焼結体として上述の絶縁物相が存在するフェライ
トセラミックスを用い、窒素ガス雰囲気で焼成する場合
には、図2のAに示すように、抵抗率が高くしかも抵抗
温度係数が高い(すなわち温度上昇に伴う抵抗率の低下
が小さい)が、絶縁物相が存在しない場合には、Dに示
すように、抵抗温度係数が高いものの抵抗率自体が極め
て低い値となる。なお、図2中Bは従来用いられている
炭素粒子分散型セラミック抵抗体を示すものであるカミ
温度を問わすAよりも抵抗率が小さくなっていることが
わかる。また、Cは焼結体として上述の絶縁物相が存在
しないフェライトセラミックスを用い、空気中で焼成し
た場合であるが、この場合には抵抗温度係数が低く、高
温において抵抗率が低くなる。この図2において、焼結
体を構成するフェライトセラミックスとしてコバルトフ
ェライトを用いている。 [0027] なお、成形体を得るときの成形圧は、焼結体の密度を高
めるなめに250kg/Cm2以上であることが望まし
い。この成形体を焼結するときの不活性雰囲気を形成す
るガスとしては、窒素ガスの他、ヘリウムガス、ネオン
、アルゴンガスなどを用いることができる。また、焼結
体を得るための焼成温度は、ビスマス酸化物を含有させ
る場合には900〜1300℃が好ましい。また、ケイ
素酸化物及びアルミニウム酸化物、並びにケイ素酸化物
及びカルシウム酸化物を含有させる場10− 特開平3−297101(11) 合には1050〜1300℃が好ましい。この範囲を下
回ると液相が生成し難く、粒界に絶縁物相が形成され難
い。また、1300℃以上ではフェライト成分元素の蒸
発が生じ、かつ粒成長が進み粒界の絶縁物相の効果が阻
害される。 [0028] なお、この発明の一態様に係る遮断器用抵抗体を図1に
示す。抵抗体1は、フェライトを主体しその粒界に絶縁
物相を有する中空円筒状の焼結体2と、その両端面に形
成された一対の電極3(上面のみ図示)を備えている。 さらに、焼結体2の側面には絶縁層5が形成されている
。 [0029]
以下、本発明の実施例について説明する。
[0030]
(実施例1)
この実施例においては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素
、酸化鉄からなる複合酸化物を含有するコバルトフェラ
イトからなり、中空の円筒状の焼結体の両端面にアルミ
ニウム電極を設け、さらに、この焼結体の側面にホウケ
イ酸ガラスからなる絶縁層を設けた抵抗体を製造した。 [0031] このような抵抗体を以下のような方法によって製造した
。先ず、コバルト成分と鉄成分の組成比カミ1.00:
2.ooになるように、平均粒径1μmの一酸化コパル
)(CaO)と、平気粒径0.5μmの酸化鉄(α−F
e203)秤量、エタノール溶媒中、ボールミルで4時
間源式混合した。次いで、溶媒を除去し、ふるいを通し
た後、粉末をアルミナ坩堝に入れ、空気中、1100℃
で8時間仮焼し、コバルトフェライト単一相の仮焼粉を
生成した。アルミナポット、アルミナボールを用い、仮
焼粉をエタノール溶媒中で24時間粉砕した。溶媒を除
去させた後、平均粒径0.5μmの酸化アルミニウムを
0.12重量%、平均粒径0.2μmの酸化ケイ素を0
.24重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミルで
4時間源式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水溶液
を3重量%添加し、ふるいを通して造粒粉と11− 特開平3−297101(12) 状となるように成形圧500kg/cm2の圧力で金型
成形して成形体とした。この成形体を窒素気流中、11
50℃、12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒
界絶縁相が1.0体積%形成された。分析の結果、焼結
体中のケイ素成分は0.111重量%、アルミニウム成
分は0.064重量%であり、最初の添加量が維持され
ていることが確認された。この焼結体の側面に、ホウケ
イ酸ガラス粉末を塗布した後、焼き付けて、絶縁相を形
成した。その後、この焼結体の両端面を研削加工して、
外径127mm、内径41mmφ、高さ25.4mmの
寸法とな。これを洗浄した後、その両端面にアルミ電極
を溶射により形成し、抵抗体を得た。 [0032] この抵抗体は、相対密度99.5%、室温での抵抗率8
40ΩCm±20Ωcm、抵抗値19.2±0.5Ω、
抵抗温度係数−〇、16%/deg、熱容量3.38±
0.2J/CC−degサージ耐量815 J 7cm
3であった。 [0033] この抵抗体を遮断器の投入抵抗として使用する場合を考
えると、脱調投入することにより4030kJのエネル
ギーが注入された投入抵抗器の上昇温度を80℃以内に
抑えるために必要な体積は、149900m3となる。 この必要体積を得るためには、この実施例の抵抗体の場
合、52枚を直列に組み合わせればよい。このときの抵
抗器全体の大きさは127mmφX1321mmとなり
、十分小型なものとすることができる。 [0034] (比較例1) 従来の遮断器に用いられていた炭素粒子分散型セラミッ
ク抵抗体(室温での抵抗率500Ωcm、抵抗値11.
4Ω、熱容量2.0170m3・deg)を実施例1で
記載したのと同じ条件で使用した場合、必要な体積は2
54000m3である。したがって、この従来の抵抗体
が実施例1と同じ寸法を有する中空の円筒状とすると、
この体積はこの抵抗体88枚直列に組み合わせたものと
なる。しかも、この抵抗体を用いた抵抗器の大きさは、
127mmφx2235mmとなり、実施例1に比べて
、体積にして1.7倍と大きくなる。従って、この抵抗
器を用いた遮断器は、実施例1を用いた場合よりも大き
くなり、体積にして1.3倍、据え付は面積にして12
− 特開平3−297101 (13) 1.1倍、重量にして1.2倍に達する。 [0035] (実施例2) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。ニッケル成分と鉄成分の組成
比が、1.00:2.ooになるように、平均粒径0.
3μmの一酸化ニッケル(Nip)と、平気粒径0.5
μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量し、溶媒として
エタノールを用いてボールミルで4時間湿式混合した。 次いで、溶媒を除去し、ふるいを通した後、アルミナ坩
堝に入れ、空気中、1100℃で8時間仮焼し、ニッケ
ルフェライト単一相の仮焼粉を生成した。アルミナポッ
ト、アルミナボールを用い仮焼粉をエタノール溶媒中で
24時間粉砕した。溶媒を除去した後、平均粒径0.5
μmの酸化アルミニウムを0.12重量%、平均粒径0
.2μmの酸化ケイ素を0.23重量%添加し、エタノ
ール溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を
除去し、5%PVA水溶液を3重量%添加し、ふるいを
通して造粒粉とした。この造粒粉を、外径148mmφ
、内径48mmφ、高さ32mmの中空の円筒状となる
ように成形圧500kg/cm2の圧力で金型成形して
成形体とした。この成形体を窒素気流中、1150℃、
12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒界絶縁物
相が1.0体積%形成された。 分析の結果、焼結体中のケイ素成分は0.109重量%
、アルミニウム成分は0.063重量%であり、最初の
添加量がほぼ維持されていることが確認された。この焼
結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した後、焼
き付けて、絶縁層を形成した。その後、この焼結体の両
側面を研削加工して、外径127mm≠、内径41mm
φ、高さ25.4mmの寸法とした。これを洗浄した後
、その両端面にアルミ電極を溶射により形成し、抵抗体
を得た。 [0036] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
75Ωcm±20Ωcm、抵抗値19.6±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,17%/deg、熱容量3.46±
0.2 J /cc−degサージ附量840 J /
cm3であった。 [0037] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考え13− 特開平3−297101(14) ると、税調投入することにより4030kJのエネルギ
ーが注入された投入抵抗器の上昇温度を80℃以内に抑
えるために必要な体積は、147000m3となる。 この必要体積を得るためには、この実施例の抵抗体の場
合、51枚を直列に組み合わせればよい。このときの抵
抗器全体の大きさは127mmφX1295mmとなり
、十分小型なものとすることができる。この実施例の抵
抗体を用いた抵抗器は比較例1に比較して、その大きさ
を体積にして42%も小型化することができた。その結
果、遮断器とした場合は、体積にして25%、据え付は
面積にして10%、重量にして15%も小型化できる。 [0038] (実施例3〜17) 実施例1または実施例2と同様な方法で表1に示した抵
抗体を作成し、その温特性を測定した。焼成は実施例1
.2と同様に窒素雰囲気で行った。その結果を表1に示
した。この表に示すように、各実施例とも実施例1.2
と同様の良好な結果が得られた。 [0039] (実施例18) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。先ず、コバルト成分と鉄成分
の組成比が、1.00:2.ooになるように、平均粒
径1μmの一酸化コパル) (Cod)と、平気粒径0
.5μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量、エタノー
ル溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を除
去し、ふるいを通した後、アルミナ坩堝に入れ、空気中
、1100℃で8時間仮焼させ、ニッケルフェライト単
一相の仮焼粉にした。仮焼粉をアルミナポット、アルミ
ナボールを用いエタノール溶媒中で24時間粉砕を行っ
た。溶媒を除去させた後、平均粒径0.1μmの炭酸カ
ルシウムを0.33重量%(酸化カルシウムで0.19
重量%) 平均粒径0.2μmの酸化ケイ素を0.48
重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミルで4時間
湿式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水溶液を3重
量%添加し、ふるいを通して造粒粉とした。この造粒粉
を、外径148mmφ、内径48mmφ、高さ32mm
の中空の円筒状となるように成形圧500kg/14− 特開平3−297101(15) 12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒界絶縁物
相が2.0体積%形成された。分析の結果、焼結体中の
ケイ素成分は0.223重量%、カルシウム成分は0、
133重量%であり、最初の添加量がほぼ維持されてい
ることが確認された。 この焼結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した
後、焼き付けて、絶縁相を形成した。その後、この焼結
体の両端面を研削加工して、外径127mmφ、内径4
1mmφ、高さ25.4mmの寸法とな。これを洗浄後
、端面にアルミ電極を溶射により形成し、抵抗体を得た
。 [0040] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
40Qcm±20Ωcm、抵抗値18.9±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,18%/deg、熱容量3.34±
0.2J/CC−degサージ耐量805J/Cm3で
あった。 [0041] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えると、税調投入することにより4
030kJのエネルギーが注入された投入抵抗器の上昇
温度を80℃以内に抑えるために必要な体積は、152
800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比較例1に比較して、その大きさを
体積にして40%も小型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0042] (実施例19〜34) 実施例18と同様な方法で表2に示した抵抗体を作成し
、その緒特性を測定した。焼成は実施例18と同様に窒
素雰囲気で行った。その結果を第2表に示した。この表
に示すように、各実施例とも実施例18と同様の良好な
結果が得られた[0043] (実施例35) 15− この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。先ず、コバルト成分と鉄成分
の組成比が、1.00:2.ooになるように、平均粒
径1μmの一酸化コパル)(CaO)と、平気粒径0.
5μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量、エタノール
溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を除去
し、ふるいを通した後、アルミナ坩堝に入れ、空気中、
1100℃で8時間仮焼させ、ニッケルフェライト単一
相の仮焼粉にした。仮焼粉をアルミナポット、アルミナ
ボールを用いエタノール溶媒中で24時間粉砕を行った
。 溶媒を除去させた後、平均粒径2μmの三二酸化ビスマ
スを7.1重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミ
ルで4時間湿式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水
溶液を3重量%添加し、ふるいを通して造粒粉とした。 この造粒粉を、外径148mmφ、内径48mmφ、高
さ32mmの中空の円筒状となるように500kg/C
m2の成形圧で金型成形して成形体とした。この成形体
を窒素気流中、1200℃、12時間焼成した。その結
果、焼結体中には粒界絶縁物相が4.1体積%形成され
た。分析の結果、焼結体中のビスマス成分は6.2重量
%であり、最初の添加量がほぼ維持されていることが確
認された。この焼結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末
を塗布した後、焼き付けて、絶縁相を形成した。その後
、この焼結体の両端面を研削加工して、外径127mm
φ、内径41mmφ、高さ25.4mmの寸法とした。 これを洗浄後、端面にアルミ電極を溶射により形成し、
抵抗体を得た。 [0044] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
30Ωcm±20Ωcm、抵抗値18.5±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,20%/deg、熱容量3.32±
0.2J/CC−degサージ耐量805J/Cm3で
あった。 [0045] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えると、脱調投入することにより4
030kJのエネルギーが注入された投入抵抗器の上昇
温度を80℃以内に抑えるために必要な体積は、152
800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比特開平3−297101 (17
) 較例1に比較して、その大きさを体積にして40%も小
型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0046] (実施例36〜41) 実施例35と同様な方法で第3表に示した抵抗体を作成
し、その温特性を測定した。焼成は実施例35と同様に
窒素雰囲気で行った。その結果を表3に示した。この表
に示すように、各実施例とも実施例35と同様の良好な
結果が得られた[0047] (実施例42) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。硫酸鉄(II) (FeS
O・7HO)の1mo1%水溶液と硫酸コバルト(2 工■)(CoS0 ・7H20)の1mo1%水溶液を
容積比2.01 : 0.99になるように混合し、N
aOHの1mo1%水溶液を加えてpH= 10となる
様に調整した。この水溶液を100℃に加熱した後、F
eSO4・7H20に対して150mo1%のN a
N O3を加えて加熱酸化した。傾瀉法により生じた沈
澱を洗浄濾過し、120℃で乾燥して粉末試料を得た。 この試料をアルミナ坩堝に入れ、空気中で1000℃に
加熱して10時間仮焼して、仮焼粉を得た。この仮焼粉
に平均粒径2mmの三二酸化ビスマスを8.5重量%添
加し、ブタノール溶媒を用し)だボールミルで湿式粉砕
混合してスラリーを得た。このスラリーを乾燥した後、
5%PVA水溶液を3重量%加えて造粒し、この造粒粉
を外径148mmφ、内径48mmφ、高さ32mmの
中空の円筒状となるように500kg/cm2の圧力で
金型成形して、成形体とした。この成形体を窒素気流中
1200℃で10時間焼成した。その結果焼結体中には
粒界絶縁物相が5.0体積%形成された。分析の結果、
焼結体中のビスマス成分は7.6重量%であり、最初の
添加量がほぼ維持されていることが確認された。この焼
結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した後、焼
き付けて、絶縁層を形成した。その後、この焼結体の両
端面を研削加工して、外径127mmφ、内径41mm
φ、高さ25.4mmの寸法とした。これを洗浄後、端
面にアル17− 主電極を溶射により形成し、抵抗体を得た。 [0048] この抵抗体の焼結体は、COo、 99 F e 2.
。104の組成を有し、相対密度的99数−0,20%
/deg、熱容量3.29±0.3J/am サー
ジ耐量820J/Cm3テあった。 [0049] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えの上昇温度を80℃以内に抑える
ために必要な体積は、152800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比較例1に比較して、その大きさを
体積にして40%も小型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0050] (比較例2) 上記実施例42と同様に得た仮焼粉に三二酸化ビスマス
を添加せずに得た造粒粉を用いて、1400℃、24時
間で焼成して抵抗体を作製した。この抵抗体の抗値25
±10Ω、熱容量2,01±0.8J/cm3・K、サ
ージ耐量500J/cm3であった。焼結体の内部部分
と外部部分との抵抗率の差は約105倍と大きく、内部
部分で109Ω・cm、外部部分で10Ω・cmであっ
た。 [0051] (実施例43〜49) 実施例42と同様な方法で表3に示した抵抗体を作成し
、その温特性を測定しな。焼成は実施例42と同様に窒
素雰囲気で行った。その結果を表3に示した。 特開平3−297101(19) [0052] (参考例) ここでは絶縁物層を形成しないフェライトについて、窒
素中で焼成した場合と空気中で焼成した場合を比較した
。その結果を表4に示す。表4中参考例1.3が窒素中
で焼成したもの、参考例2.4が空気中で焼成したもの
である。この表から、窒素中で焼成したものは抵抗温度
係数が高いが、抵抗率が低く、逆に空気中で焼成したも
のは抵抗率が高いが、抵抗温度係数が低いことが確認さ
れた。 [0053]
、酸化鉄からなる複合酸化物を含有するコバルトフェラ
イトからなり、中空の円筒状の焼結体の両端面にアルミ
ニウム電極を設け、さらに、この焼結体の側面にホウケ
イ酸ガラスからなる絶縁層を設けた抵抗体を製造した。 [0031] このような抵抗体を以下のような方法によって製造した
。先ず、コバルト成分と鉄成分の組成比カミ1.00:
2.ooになるように、平均粒径1μmの一酸化コパル
)(CaO)と、平気粒径0.5μmの酸化鉄(α−F
e203)秤量、エタノール溶媒中、ボールミルで4時
間源式混合した。次いで、溶媒を除去し、ふるいを通し
た後、粉末をアルミナ坩堝に入れ、空気中、1100℃
で8時間仮焼し、コバルトフェライト単一相の仮焼粉を
生成した。アルミナポット、アルミナボールを用い、仮
焼粉をエタノール溶媒中で24時間粉砕した。溶媒を除
去させた後、平均粒径0.5μmの酸化アルミニウムを
0.12重量%、平均粒径0.2μmの酸化ケイ素を0
.24重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミルで
4時間源式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水溶液
を3重量%添加し、ふるいを通して造粒粉と11− 特開平3−297101(12) 状となるように成形圧500kg/cm2の圧力で金型
成形して成形体とした。この成形体を窒素気流中、11
50℃、12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒
界絶縁相が1.0体積%形成された。分析の結果、焼結
体中のケイ素成分は0.111重量%、アルミニウム成
分は0.064重量%であり、最初の添加量が維持され
ていることが確認された。この焼結体の側面に、ホウケ
イ酸ガラス粉末を塗布した後、焼き付けて、絶縁相を形
成した。その後、この焼結体の両端面を研削加工して、
外径127mm、内径41mmφ、高さ25.4mmの
寸法とな。これを洗浄した後、その両端面にアルミ電極
を溶射により形成し、抵抗体を得た。 [0032] この抵抗体は、相対密度99.5%、室温での抵抗率8
40ΩCm±20Ωcm、抵抗値19.2±0.5Ω、
抵抗温度係数−〇、16%/deg、熱容量3.38±
0.2J/CC−degサージ耐量815 J 7cm
3であった。 [0033] この抵抗体を遮断器の投入抵抗として使用する場合を考
えると、脱調投入することにより4030kJのエネル
ギーが注入された投入抵抗器の上昇温度を80℃以内に
抑えるために必要な体積は、149900m3となる。 この必要体積を得るためには、この実施例の抵抗体の場
合、52枚を直列に組み合わせればよい。このときの抵
抗器全体の大きさは127mmφX1321mmとなり
、十分小型なものとすることができる。 [0034] (比較例1) 従来の遮断器に用いられていた炭素粒子分散型セラミッ
ク抵抗体(室温での抵抗率500Ωcm、抵抗値11.
4Ω、熱容量2.0170m3・deg)を実施例1で
記載したのと同じ条件で使用した場合、必要な体積は2
54000m3である。したがって、この従来の抵抗体
が実施例1と同じ寸法を有する中空の円筒状とすると、
この体積はこの抵抗体88枚直列に組み合わせたものと
なる。しかも、この抵抗体を用いた抵抗器の大きさは、
127mmφx2235mmとなり、実施例1に比べて
、体積にして1.7倍と大きくなる。従って、この抵抗
器を用いた遮断器は、実施例1を用いた場合よりも大き
くなり、体積にして1.3倍、据え付は面積にして12
− 特開平3−297101 (13) 1.1倍、重量にして1.2倍に達する。 [0035] (実施例2) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。ニッケル成分と鉄成分の組成
比が、1.00:2.ooになるように、平均粒径0.
3μmの一酸化ニッケル(Nip)と、平気粒径0.5
μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量し、溶媒として
エタノールを用いてボールミルで4時間湿式混合した。 次いで、溶媒を除去し、ふるいを通した後、アルミナ坩
堝に入れ、空気中、1100℃で8時間仮焼し、ニッケ
ルフェライト単一相の仮焼粉を生成した。アルミナポッ
ト、アルミナボールを用い仮焼粉をエタノール溶媒中で
24時間粉砕した。溶媒を除去した後、平均粒径0.5
μmの酸化アルミニウムを0.12重量%、平均粒径0
.2μmの酸化ケイ素を0.23重量%添加し、エタノ
ール溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を
除去し、5%PVA水溶液を3重量%添加し、ふるいを
通して造粒粉とした。この造粒粉を、外径148mmφ
、内径48mmφ、高さ32mmの中空の円筒状となる
ように成形圧500kg/cm2の圧力で金型成形して
成形体とした。この成形体を窒素気流中、1150℃、
12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒界絶縁物
相が1.0体積%形成された。 分析の結果、焼結体中のケイ素成分は0.109重量%
、アルミニウム成分は0.063重量%であり、最初の
添加量がほぼ維持されていることが確認された。この焼
結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した後、焼
き付けて、絶縁層を形成した。その後、この焼結体の両
側面を研削加工して、外径127mm≠、内径41mm
φ、高さ25.4mmの寸法とした。これを洗浄した後
、その両端面にアルミ電極を溶射により形成し、抵抗体
を得た。 [0036] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
75Ωcm±20Ωcm、抵抗値19.6±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,17%/deg、熱容量3.46±
0.2 J /cc−degサージ附量840 J /
cm3であった。 [0037] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考え13− 特開平3−297101(14) ると、税調投入することにより4030kJのエネルギ
ーが注入された投入抵抗器の上昇温度を80℃以内に抑
えるために必要な体積は、147000m3となる。 この必要体積を得るためには、この実施例の抵抗体の場
合、51枚を直列に組み合わせればよい。このときの抵
抗器全体の大きさは127mmφX1295mmとなり
、十分小型なものとすることができる。この実施例の抵
抗体を用いた抵抗器は比較例1に比較して、その大きさ
を体積にして42%も小型化することができた。その結
果、遮断器とした場合は、体積にして25%、据え付は
面積にして10%、重量にして15%も小型化できる。 [0038] (実施例3〜17) 実施例1または実施例2と同様な方法で表1に示した抵
抗体を作成し、その温特性を測定した。焼成は実施例1
.2と同様に窒素雰囲気で行った。その結果を表1に示
した。この表に示すように、各実施例とも実施例1.2
と同様の良好な結果が得られた。 [0039] (実施例18) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。先ず、コバルト成分と鉄成分
の組成比が、1.00:2.ooになるように、平均粒
径1μmの一酸化コパル) (Cod)と、平気粒径0
.5μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量、エタノー
ル溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を除
去し、ふるいを通した後、アルミナ坩堝に入れ、空気中
、1100℃で8時間仮焼させ、ニッケルフェライト単
一相の仮焼粉にした。仮焼粉をアルミナポット、アルミ
ナボールを用いエタノール溶媒中で24時間粉砕を行っ
た。溶媒を除去させた後、平均粒径0.1μmの炭酸カ
ルシウムを0.33重量%(酸化カルシウムで0.19
重量%) 平均粒径0.2μmの酸化ケイ素を0.48
重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミルで4時間
湿式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水溶液を3重
量%添加し、ふるいを通して造粒粉とした。この造粒粉
を、外径148mmφ、内径48mmφ、高さ32mm
の中空の円筒状となるように成形圧500kg/14− 特開平3−297101(15) 12時間焼成した。その結果、焼結体中には粒界絶縁物
相が2.0体積%形成された。分析の結果、焼結体中の
ケイ素成分は0.223重量%、カルシウム成分は0、
133重量%であり、最初の添加量がほぼ維持されてい
ることが確認された。 この焼結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した
後、焼き付けて、絶縁相を形成した。その後、この焼結
体の両端面を研削加工して、外径127mmφ、内径4
1mmφ、高さ25.4mmの寸法とな。これを洗浄後
、端面にアルミ電極を溶射により形成し、抵抗体を得た
。 [0040] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
40Qcm±20Ωcm、抵抗値18.9±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,18%/deg、熱容量3.34±
0.2J/CC−degサージ耐量805J/Cm3で
あった。 [0041] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えると、税調投入することにより4
030kJのエネルギーが注入された投入抵抗器の上昇
温度を80℃以内に抑えるために必要な体積は、152
800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比較例1に比較して、その大きさを
体積にして40%も小型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0042] (実施例19〜34) 実施例18と同様な方法で表2に示した抵抗体を作成し
、その緒特性を測定した。焼成は実施例18と同様に窒
素雰囲気で行った。その結果を第2表に示した。この表
に示すように、各実施例とも実施例18と同様の良好な
結果が得られた[0043] (実施例35) 15− この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。先ず、コバルト成分と鉄成分
の組成比が、1.00:2.ooになるように、平均粒
径1μmの一酸化コパル)(CaO)と、平気粒径0.
5μmの酸化鉄(α−Fe203)を秤量、エタノール
溶媒中、ボールミルで4時間湿式混合した。溶媒を除去
し、ふるいを通した後、アルミナ坩堝に入れ、空気中、
1100℃で8時間仮焼させ、ニッケルフェライト単一
相の仮焼粉にした。仮焼粉をアルミナポット、アルミナ
ボールを用いエタノール溶媒中で24時間粉砕を行った
。 溶媒を除去させた後、平均粒径2μmの三二酸化ビスマ
スを7.1重量%添加し、エタノール溶媒中、ボールミ
ルで4時間湿式混合した。溶媒を除去し、5%PVA水
溶液を3重量%添加し、ふるいを通して造粒粉とした。 この造粒粉を、外径148mmφ、内径48mmφ、高
さ32mmの中空の円筒状となるように500kg/C
m2の成形圧で金型成形して成形体とした。この成形体
を窒素気流中、1200℃、12時間焼成した。その結
果、焼結体中には粒界絶縁物相が4.1体積%形成され
た。分析の結果、焼結体中のビスマス成分は6.2重量
%であり、最初の添加量がほぼ維持されていることが確
認された。この焼結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末
を塗布した後、焼き付けて、絶縁相を形成した。その後
、この焼結体の両端面を研削加工して、外径127mm
φ、内径41mmφ、高さ25.4mmの寸法とした。 これを洗浄後、端面にアルミ電極を溶射により形成し、
抵抗体を得た。 [0044] この抵抗体は、相対密度99.0%、室温での抵抗率8
30Ωcm±20Ωcm、抵抗値18.5±0.5Ω、
抵抗温度係数−0,20%/deg、熱容量3.32±
0.2J/CC−degサージ耐量805J/Cm3で
あった。 [0045] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えると、脱調投入することにより4
030kJのエネルギーが注入された投入抵抗器の上昇
温度を80℃以内に抑えるために必要な体積は、152
800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比特開平3−297101 (17
) 較例1に比較して、その大きさを体積にして40%も小
型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0046] (実施例36〜41) 実施例35と同様な方法で第3表に示した抵抗体を作成
し、その温特性を測定した。焼成は実施例35と同様に
窒素雰囲気で行った。その結果を表3に示した。この表
に示すように、各実施例とも実施例35と同様の良好な
結果が得られた[0047] (実施例42) この実施例では、図1に示す構造の抵抗体を以下のよう
な方法によって製造した。硫酸鉄(II) (FeS
O・7HO)の1mo1%水溶液と硫酸コバルト(2 工■)(CoS0 ・7H20)の1mo1%水溶液を
容積比2.01 : 0.99になるように混合し、N
aOHの1mo1%水溶液を加えてpH= 10となる
様に調整した。この水溶液を100℃に加熱した後、F
eSO4・7H20に対して150mo1%のN a
N O3を加えて加熱酸化した。傾瀉法により生じた沈
澱を洗浄濾過し、120℃で乾燥して粉末試料を得た。 この試料をアルミナ坩堝に入れ、空気中で1000℃に
加熱して10時間仮焼して、仮焼粉を得た。この仮焼粉
に平均粒径2mmの三二酸化ビスマスを8.5重量%添
加し、ブタノール溶媒を用し)だボールミルで湿式粉砕
混合してスラリーを得た。このスラリーを乾燥した後、
5%PVA水溶液を3重量%加えて造粒し、この造粒粉
を外径148mmφ、内径48mmφ、高さ32mmの
中空の円筒状となるように500kg/cm2の圧力で
金型成形して、成形体とした。この成形体を窒素気流中
1200℃で10時間焼成した。その結果焼結体中には
粒界絶縁物相が5.0体積%形成された。分析の結果、
焼結体中のビスマス成分は7.6重量%であり、最初の
添加量がほぼ維持されていることが確認された。この焼
結体の側面に、ホウケイ酸ガラス粉末を塗布した後、焼
き付けて、絶縁層を形成した。その後、この焼結体の両
端面を研削加工して、外径127mmφ、内径41mm
φ、高さ25.4mmの寸法とした。これを洗浄後、端
面にアル17− 主電極を溶射により形成し、抵抗体を得た。 [0048] この抵抗体の焼結体は、COo、 99 F e 2.
。104の組成を有し、相対密度的99数−0,20%
/deg、熱容量3.29±0.3J/am サー
ジ耐量820J/Cm3テあった。 [0049] 実施例1と同様に、この抵抗体を遮断器の投入抵抗とし
て使用する場合を考えの上昇温度を80℃以内に抑える
ために必要な体積は、152800m3となる。 この必要体積は、この実施例の抵抗体の場合、53枚を
直列に組み合わせればよいことになる。この時の抵抗器
全体の大きさは127mmφX1346mmとなり、十
分小型なものとすることができる。この実施例の抵抗体
を用いた抵抗器は、比較例1に比較して、その大きさを
体積にして40%も小型化することができた。 その結果、遮断器とした場合、体積にして25%、据え
付は面積にして10%、重量にして15%も小型化でき
る。 [0050] (比較例2) 上記実施例42と同様に得た仮焼粉に三二酸化ビスマス
を添加せずに得た造粒粉を用いて、1400℃、24時
間で焼成して抵抗体を作製した。この抵抗体の抗値25
±10Ω、熱容量2,01±0.8J/cm3・K、サ
ージ耐量500J/cm3であった。焼結体の内部部分
と外部部分との抵抗率の差は約105倍と大きく、内部
部分で109Ω・cm、外部部分で10Ω・cmであっ
た。 [0051] (実施例43〜49) 実施例42と同様な方法で表3に示した抵抗体を作成し
、その温特性を測定しな。焼成は実施例42と同様に窒
素雰囲気で行った。その結果を表3に示した。 特開平3−297101(19) [0052] (参考例) ここでは絶縁物層を形成しないフェライトについて、窒
素中で焼成した場合と空気中で焼成した場合を比較した
。その結果を表4に示す。表4中参考例1.3が窒素中
で焼成したもの、参考例2.4が空気中で焼成したもの
である。この表から、窒素中で焼成したものは抵抗温度
係数が高いが、抵抗率が低く、逆に空気中で焼成したも
のは抵抗率が高いが、抵抗温度係数が低いことが確認さ
れた。 [0053]
この発明によれば、単位体積当りの熱容量が大きく、抵
抗率の温度変化が小さな電力用抵抗体及びその製造方法
を提供することができる。このため、この発明は遮断器
等の電力用抵抗器の小型化に有効である。 [0054] 19− −21− 特開平3−297101 (21) 特開平3−297101 (23) 【表4、
抗率の温度変化が小さな電力用抵抗体及びその製造方法
を提供することができる。このため、この発明は遮断器
等の電力用抵抗器の小型化に有効である。 [0054] 19− −21− 特開平3−297101 (21) 特開平3−297101 (23) 【表4、
【図1】
この発明の実施例に係る電力用抵抗体を示す斜視図。
23−
特開平3−297101(24)
【図2】
種々の抵抗体の抵抗率の温度との関係を示す図。
【図3】
フェライトセラミックスのCo置換量に対する抵抗率の
変化を示す図。
変化を示す図。
1・・・抵抗体、
2・・・焼結体、
3・・・電極、
5・・・絶縁層
24−
特開平3−297101(25)
図面
【図2】
加
0
0
0
00
20
」し度
(’c)
25−
【図3】
Claims (3)
- 【請求項1】化学式Me_xFe_3_−_xO_4(
Meは金属元素、Xは0<X<3)で表わされるスピネ
ル型構造のフェライトセラミックスを含有する焼結体と
、この焼結体に形成された電極とを備えた電力用抵抗体
であって、前記焼結体は、Bi_2O_3に換算して0
.05〜20重量%のビスマス酸化物、SiO_2及び
Al_2O_3に換算して夫々0.01〜3.0重量%
及び0.005〜2.0重量%のケイ素酸化物及びアル
ミニウム酸化物、並びにSiO_2及びCaOに換算し
て夫々0.01〜3.5重量%及び0.001〜1.6
重量%のケイ素酸化物及びカルシウム酸化物から選択さ
れる少なくとも1種を含有することを特徴とする電力用
抵抗体。 - 【請求項2】化学式Me_xFe_3_−_xO_4(
Meは金属元素、Xは0<X<3)で表わされるスピネ
ル型製造のフェライトセラミックスを含有する焼結体と
、この焼結体に形成された電極とを備えた電力用抵抗体
であって、前記焼結体は、フェライトセラミックスの結
晶粒界に0.05〜10体積%の絶縁物相を有している
ことを特徴とする電力用抵抗体。 - 【請求項3】化学式Me_xFe_3_−_xO_4(
Meは金属元素、Xは0<X<3)で表わされるスピネ
ル型製造のフェライトセラミックスを含有する焼結体と
、この焼結体に形成された電極とを備えた電力用抵抗体
を製造するにあたり、前記焼結体の前駆体を不活性雰囲
気中で焼成して前記焼結体の結晶粒界に0.05〜10
体積%の絶縁物相を形成することを特徴する電力用抵抗
体の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2407972A JPH03297101A (ja) | 1990-02-28 | 1990-12-27 | 電力用抵抗体及びその製造方法 |
EP91301539A EP0444877B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Electrical resistor element |
DE69119451T DE69119451T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-26 | Elektrischer Widerstand |
US07/662,628 US5182540A (en) | 1990-02-28 | 1991-02-28 | Electrical resistor element and method of manufacturing the same |
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---|---|---|---|
JP4750190 | 1990-02-28 | ||
JP2-47501 | 1990-02-28 | ||
JP2407972A JPH03297101A (ja) | 1990-02-28 | 1990-12-27 | 電力用抵抗体及びその製造方法 |
Publications (1)
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JPH03297101A true JPH03297101A (ja) | 1991-12-27 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2407972A Pending JPH03297101A (ja) | 1990-02-28 | 1990-12-27 | 電力用抵抗体及びその製造方法 |
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EP (1) | EP0444877B1 (ja) |
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US4959262A (en) * | 1988-08-31 | 1990-09-25 | General Electric Company | Zinc oxide varistor structure |
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1990
- 1990-12-27 JP JP2407972A patent/JPH03297101A/ja active Pending
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- 1991-02-26 DE DE69119451T patent/DE69119451T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-28 US US07/662,628 patent/US5182540A/en not_active Expired - Fee Related
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DE69119451T2 (de) | 1996-11-14 |
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EP0444877A3 (en) | 1992-03-18 |
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