JPH10152372A - チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法Info
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- JPH10152372A JPH10152372A JP8311650A JP31165096A JPH10152372A JP H10152372 A JPH10152372 A JP H10152372A JP 8311650 A JP8311650 A JP 8311650A JP 31165096 A JP31165096 A JP 31165096A JP H10152372 A JPH10152372 A JP H10152372A
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- Japan
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- barium titanate
- based semiconductor
- average grain
- grain diameter
- crystal grains
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チタン酸バリウム系半導体磁器において、抵
抗値の上昇が少なく、破壊電圧が高いものを得ることを
目的とする。 【解決手段】 半導体化元素としてＹを含むチタン酸バ
リウムにＢｉ及びＬｉを添加し、焼結体の平均粒子径
が、２０〜３０μｍの結晶粒子と、１．０〜５．０μｍ
の結晶粒子を有する素子を形成させることにより、抵抗
値の上昇が抑えられ、破壊電圧の高い正の抵抗温度特性
を示すチタン酸バリウム系半導体磁器を得ることができ
る。
抗値の上昇が少なく、破壊電圧が高いものを得ることを
目的とする。 【解決手段】 半導体化元素としてＹを含むチタン酸バ
リウムにＢｉ及びＬｉを添加し、焼結体の平均粒子径
が、２０〜３０μｍの結晶粒子と、１．０〜５．０μｍ
の結晶粒子を有する素子を形成させることにより、抵抗
値の上昇が抑えられ、破壊電圧の高い正の抵抗温度特性
を示すチタン酸バリウム系半導体磁器を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特定の温度で抵抗値
が急激に増大するチタン酸バリウム系半導体磁器及びそ
の製造方法に関するものである。
が急激に増大するチタン酸バリウム系半導体磁器及びそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムに希土類元素を微量添
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の
抵抗温度特性（Positive Temperature Coefficient：Ｐ
ＴＣ特性）を示すことは従来より広く知られている。そ
のＰＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制御
用素子、モータ起動用素子、ヒータ用といったさまざま
な用途に応用されてきている。
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の
抵抗温度特性（Positive Temperature Coefficient：Ｐ
ＴＣ特性）を示すことは従来より広く知られている。そ
のＰＴＣ特性を利用して、過電流保護用素子、温度制御
用素子、モータ起動用素子、ヒータ用といったさまざま
な用途に応用されてきている。
【０００３】ところで、チタン酸バリウム系半導体磁器
の焼結体の結晶粒子はその特性面から均一であることが
望ましいが、実際、一般的な結晶粒子は不均一である場
合が多く、組成面あるいはプロセス面から均一な結晶粒
子を求めての開発・改良を行っている。
の焼結体の結晶粒子はその特性面から均一であることが
望ましいが、実際、一般的な結晶粒子は不均一である場
合が多く、組成面あるいはプロセス面から均一な結晶粒
子を求めての開発・改良を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、結晶粒
子径が大きくなると抵抗温度係数が劣化し、破壊電圧が
低下する傾向があり、一方結晶粒子径が小さくなると抵
抗値が上昇し絶縁体化する傾向がある。従って抵抗値の
上昇を抑え、破壊電圧を向上させることは困難であっ
た。
子径が大きくなると抵抗温度係数が劣化し、破壊電圧が
低下する傾向があり、一方結晶粒子径が小さくなると抵
抗値が上昇し絶縁体化する傾向がある。従って抵抗値の
上昇を抑え、破壊電圧を向上させることは困難であっ
た。
【０００５】本発明は上記問題を解決するために、平均
粒子径の大きな結晶粒子（例えば２０〜３０μｍ）と、
小さな結晶粒子（例えば１．０〜５．０μｍ）の２つの
異なる結晶粒子径を形成させることにより、正の抵抗温
度係数を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の特性を向
上させることを目的とするものである。
粒子径の大きな結晶粒子（例えば２０〜３０μｍ）と、
小さな結晶粒子（例えば１．０〜５．０μｍ）の２つの
異なる結晶粒子径を形成させることにより、正の抵抗温
度係数を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の特性を向
上させることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１の発明は、小さな平均粒子径を与
える組成系として、半導体化元素としてＹを含むチタン
酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を添加してなる系と、大きな平均
粒子径を与える組成系として、半導体化元素としてＹを
含むチタン酸バリウムにＬｉ2ＣＯ3を添加してなる系と
が混在する組成物を形成させるものであって、抵抗値の
上昇を抑え、かつ破壊電圧の向上するチタン酸バリウム
系半導体磁器を得ることができる。
に、本発明の請求項１の発明は、小さな平均粒子径を与
える組成系として、半導体化元素としてＹを含むチタン
酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を添加してなる系と、大きな平均
粒子径を与える組成系として、半導体化元素としてＹを
含むチタン酸バリウムにＬｉ2ＣＯ3を添加してなる系と
が混在する組成物を形成させるものであって、抵抗値の
上昇を抑え、かつ破壊電圧の向上するチタン酸バリウム
系半導体磁器を得ることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１の発明は、小さ
な平均粒子径を与える組成系として、半導体化元素とし
てＹを含むチタン酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を添加してなる
系と、大きな平均粒子径を与える組成系として、半導体
化元素としてＹを含むチタン酸バリウムにＬｉ2ＣＯ3を
添加してなる系とが混在する組成物を形成させるもので
あって、抵抗値の上昇を抑え、かつ破壊電圧の向上する
チタン酸バリウム系半導体磁器を得ることができる。
な平均粒子径を与える組成系として、半導体化元素とし
てＹを含むチタン酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を添加してなる
系と、大きな平均粒子径を与える組成系として、半導体
化元素としてＹを含むチタン酸バリウムにＬｉ2ＣＯ3を
添加してなる系とが混在する組成物を形成させるもので
あって、抵抗値の上昇を抑え、かつ破壊電圧の向上する
チタン酸バリウム系半導体磁器を得ることができる。
【０００８】なお、大きな結晶粒子の平均粒子径は２０
〜３０μｍで小さな結晶粒子の平均粒子径は１．０〜
５．０μｍであることが、特性の向上のために望まし
い。その理由は以下に示す通りである。 （１）大きな結晶粒子径の平均粒子径が３０μｍより大
きくなると、大きな粒子同士の接触が多くなり、破壊電
圧及び抵抗値の低下が見られる。 （２）小さな結晶粒子径の平均粒子径が１．０μｍより
小さくなると粒子が明確な粒子形態を示さなくなり、そ
れに伴い抵抗値が上昇し絶縁体化する傾向が認められ
る。
〜３０μｍで小さな結晶粒子の平均粒子径は１．０〜
５．０μｍであることが、特性の向上のために望まし
い。その理由は以下に示す通りである。 （１）大きな結晶粒子径の平均粒子径が３０μｍより大
きくなると、大きな粒子同士の接触が多くなり、破壊電
圧及び抵抗値の低下が見られる。 （２）小さな結晶粒子径の平均粒子径が１．０μｍより
小さくなると粒子が明確な粒子形態を示さなくなり、そ
れに伴い抵抗値が上昇し絶縁体化する傾向が認められ
る。
【０００９】また請求項２の製造方法においては、半導
体化元素としてＹを含むチタン酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を
添加したものと、半導体化元素としてＹを含むチタン酸
バリウムにＬｉ2ＣＯ3を添加したものの少なくとも一方
を仮焼し、その後混合して本焼成するものであり、大小
２つの異なる粒子径をもつ焼結体を得ることができ、そ
の結果として抵抗値の上昇を抑え、なおかつ破壊電圧の
向上が達成される。
体化元素としてＹを含むチタン酸バリウムにＢｉ2Ｏ3を
添加したものと、半導体化元素としてＹを含むチタン酸
バリウムにＬｉ2ＣＯ3を添加したものの少なくとも一方
を仮焼し、その後混合して本焼成するものであり、大小
２つの異なる粒子径をもつ焼結体を得ることができ、そ
の結果として抵抗値の上昇を抑え、なおかつ破壊電圧の
向上が達成される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１１】（実施例１）炭酸バリウム（ＢａＣＯ3）
１．０ｍｏｌ、酸化チタン（ＴｉＯ2） １．０１ｍ
ｏｌ、イットリア（Ｙ2Ｏ3） ０．００２４ｍｏｌ、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ 2） ０．０２４ｍｏｌ、硝酸マン
ガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2） ０．０００３ｍｏｌ、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3） ０．０００３〜０．００１ｍｏｌ
を秤量し、ボールミルにより２０時間湿式混合する。次
にこれらを乾燥し仮成形した後、大気中１１００℃で２
時間仮焼する（以下これをＢｉ−仮焼粉と記す。）。
１．０ｍｏｌ、酸化チタン（ＴｉＯ2） １．０１ｍ
ｏｌ、イットリア（Ｙ2Ｏ3） ０．００２４ｍｏｌ、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ 2） ０．０２４ｍｏｌ、硝酸マン
ガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2） ０．０００３ｍｏｌ、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3） ０．０００３〜０．００１ｍｏｌ
を秤量し、ボールミルにより２０時間湿式混合する。次
にこれらを乾燥し仮成形した後、大気中１１００℃で２
時間仮焼する（以下これをＢｉ−仮焼粉と記す。）。
【００１２】一方、ＢａＣＯ3 １．０ｍｏｌ、ＴｉＯ2
１．０１ｍｏｌ、Ｙ2Ｏ3 ０．００２４ｍｏｌ、Ｓｉ
Ｏ2 ０．０２４ｍｏｌ、Ｍｎ（ＮＯ3）2 ０．０００
３ｍｏｌ、Ｌｉ2ＣＯ3 ０．００１〜０．００３ｍｏｌ
を秤量し、Ｂｉ−仮焼粉と同様に混合・乾燥・仮焼する
（以下これをＬｉ−仮焼粉と記す。）。
１．０１ｍｏｌ、Ｙ2Ｏ3 ０．００２４ｍｏｌ、Ｓｉ
Ｏ2 ０．０２４ｍｏｌ、Ｍｎ（ＮＯ3）2 ０．０００
３ｍｏｌ、Ｌｉ2ＣＯ3 ０．００１〜０．００３ｍｏｌ
を秤量し、Ｂｉ−仮焼粉と同様に混合・乾燥・仮焼する
（以下これをＬｉ−仮焼粉と記す。）。
【００１３】次に、上記で得られたＢｉ−仮焼粉とＬｉ
−仮焼粉を同時にボールミルにより２０時間湿式混合・
粉砕した後、乾燥・造粒・成形する。さらにこの成形体
を大気中１３５０℃で１時間焼成しチタン酸バリウム系
半導体磁器を得る。この焼結体にニッケルメッキ処理を
した後、銀ペーストを５５０℃にて１０分間焼きつけ電
極とした。
−仮焼粉を同時にボールミルにより２０時間湿式混合・
粉砕した後、乾燥・造粒・成形する。さらにこの成形体
を大気中１３５０℃で１時間焼成しチタン酸バリウム系
半導体磁器を得る。この焼結体にニッケルメッキ処理を
した後、銀ペーストを５５０℃にて１０分間焼きつけ電
極とした。
【００１４】このようにして得られたチタン酸バリウム
系半導体磁器についての組成を（表１）１〜８に、又、
比抵抗（ρ25）、破壊電圧、及び抵抗温度係数（α）を
測定した結果を（表２）１〜８に示した。尚（表１）に
おいて、ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｍｎ
（ＮＯ3）2を含む組成を基本組成として、この基本組成
にＢｉを添加した系を組成系１、Ｌｉを添加した系を組
成系２としてそれぞれの添加量を示した。
系半導体磁器についての組成を（表１）１〜８に、又、
比抵抗（ρ25）、破壊電圧、及び抵抗温度係数（α）を
測定した結果を（表２）１〜８に示した。尚（表１）に
おいて、ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｍｎ
（ＮＯ3）2を含む組成を基本組成として、この基本組成
にＢｉを添加した系を組成系１、Ｌｉを添加した系を組
成系２としてそれぞれの添加量を示した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】（実施例２）ＢａＣＯ3 １．０ｍｏｌ、
ＴｉＯ2 １．０１ｍｏｌ、Ｙ2Ｏ3 ０．００２４ｍｏ
ｌ、ＳｉＯ2 ０．０２４ｍｏｌ、Ｍｎ（ＮＯ3）2
０．０００３ｍｏｌ、Ｌｉ2ＣＯ3 ０．００１〜０．０
０３ｍｏｌを秤量し、さらに、（実施例１）で得られた
Ｂｉ−仮焼粉を添加し、ボールミルにより２０時間湿式
混合する。以下（実施例１）と同様な方法で試料を作製
する。このようにして得られたチタン酸バリウム系半導
体磁器について、組成を（表１）の試料番号９〜１６、
特性を測定したものを（表２）の試料番号９〜１６に示
した。
ＴｉＯ2 １．０１ｍｏｌ、Ｙ2Ｏ3 ０．００２４ｍｏ
ｌ、ＳｉＯ2 ０．０２４ｍｏｌ、Ｍｎ（ＮＯ3）2
０．０００３ｍｏｌ、Ｌｉ2ＣＯ3 ０．００１〜０．０
０３ｍｏｌを秤量し、さらに、（実施例１）で得られた
Ｂｉ−仮焼粉を添加し、ボールミルにより２０時間湿式
混合する。以下（実施例１）と同様な方法で試料を作製
する。このようにして得られたチタン酸バリウム系半導
体磁器について、組成を（表１）の試料番号９〜１６、
特性を測定したものを（表２）の試料番号９〜１６に示
した。
【００１８】（比較例１）比較例として上記実施例にお
けるＢｉ2Ｏ3の添加量を０．０００３ｍｏｌ以下と０．
００１ｍｏｌ以上、又、Ｌｉ2ＣＯ3の添加量を０．００
１ｍｏｌ以下と０．００３ｍｏｌ以上とした試料を（実
施例１）と同様に作製し、その特性を評価する。（表
１）の試料番号１７〜２０にその組成を、（表２）の試
料番号１７〜２０に特性値を示した。
けるＢｉ2Ｏ3の添加量を０．０００３ｍｏｌ以下と０．
００１ｍｏｌ以上、又、Ｌｉ2ＣＯ3の添加量を０．００
１ｍｏｌ以下と０．００３ｍｏｌ以上とした試料を（実
施例１）と同様に作製し、その特性を評価する。（表
１）の試料番号１７〜２０にその組成を、（表２）の試
料番号１７〜２０に特性値を示した。
【００１９】（比較例２）（表１）の試料番号２１〜２
４の組成になるようにＢｉ2Ｏ3及びＬｉ2ＣＯ3を基本組
成に対して、はじめから添加し、ボールミルにより２０
時間湿式混合する。その後の試料作製工程は（実施例
１）と同様にする。この様にして得られた素子の特性を
測定したものを（表２）の試料番号２１〜２４に示し
た。
４の組成になるようにＢｉ2Ｏ3及びＬｉ2ＣＯ3を基本組
成に対して、はじめから添加し、ボールミルにより２０
時間湿式混合する。その後の試料作製工程は（実施例
１）と同様にする。この様にして得られた素子の特性を
測定したものを（表２）の試料番号２１〜２４に示し
た。
【００２０】以下、上記実施例及び比較例により本発明
を説明する。 （１）実施例１（試料番号１〜８）と比較例１（試料番
号１７〜２０）より、Ｂｉ2Ｏ3及びＬｉ2ＣＯ3の添加量
がそれぞれ０．０００３〜０．００１ｍｏｌ、０．００
１〜０．００３ｍｏｌ以外の範囲であると粒子径の差が
なく、比抵抗が増加し破壊電圧が１５０Ｖ前後と低く特
性の向上が認められなかった。 （２）実施例１及び実施例２（試料番号１〜１６）と比
較例２（試料番号２１〜２４よりＢｉ2Ｏ3を含む組成系
（表１）の組成系１とＬｉ2ＣＯ3を含む組成系（表１）
の組成系２をそれぞれ別々に混合した後、少なくとも一
方を仮焼した方が平均粒子径が大きいもの（２０〜３０
μｍ）と小さいもの（１．０〜５．０μｍ）が形成でき
ることにより特性の向上が達成される。尚（表１）の試
料番号９〜１６の実施例２において組成系１が仮焼無し
で組成系２が仮焼有の場合についても同様に特性の向上
が認められた。又、Ｌｉ2ＣＯ3の他酸化リチウムＬｉ2
Ｏを用いた場合でも本発明と同様の効果が得られた。
を説明する。 （１）実施例１（試料番号１〜８）と比較例１（試料番
号１７〜２０）より、Ｂｉ2Ｏ3及びＬｉ2ＣＯ3の添加量
がそれぞれ０．０００３〜０．００１ｍｏｌ、０．００
１〜０．００３ｍｏｌ以外の範囲であると粒子径の差が
なく、比抵抗が増加し破壊電圧が１５０Ｖ前後と低く特
性の向上が認められなかった。 （２）実施例１及び実施例２（試料番号１〜１６）と比
較例２（試料番号２１〜２４よりＢｉ2Ｏ3を含む組成系
（表１）の組成系１とＬｉ2ＣＯ3を含む組成系（表１）
の組成系２をそれぞれ別々に混合した後、少なくとも一
方を仮焼した方が平均粒子径が大きいもの（２０〜３０
μｍ）と小さいもの（１．０〜５．０μｍ）が形成でき
ることにより特性の向上が達成される。尚（表１）の試
料番号９〜１６の実施例２において組成系１が仮焼無し
で組成系２が仮焼有の場合についても同様に特性の向上
が認められた。又、Ｌｉ2ＣＯ3の他酸化リチウムＬｉ2
Ｏを用いた場合でも本発明と同様の効果が得られた。
【００２１】このように、半導体化元素としてＹを含む
チタン酸バリウムに０．０００３〜０．００１ｍｏｌの
Ｂｉ2Ｏ3を添加してなる組成物と、半導体化元素として
Ｙを含むチタン酸バリウムに０．００１〜０．００３ｍ
ｏｌのＬｉを添加してなる組成物を、それぞれ別々に混
合し少なくとも一方を仮焼した後両者を同時に混合し、
最終焼結させた場合、平均粒子径が大きな粒子（２０〜
３０μｍ）と小さな粒子（１．０〜５．０μｍ）が形成
されることにより、抵抗値の上昇が抑えられた。破壊電
圧の高いチタン酸バリウム系半導体磁器を得ることがで
きる。
チタン酸バリウムに０．０００３〜０．００１ｍｏｌの
Ｂｉ2Ｏ3を添加してなる組成物と、半導体化元素として
Ｙを含むチタン酸バリウムに０．００１〜０．００３ｍ
ｏｌのＬｉを添加してなる組成物を、それぞれ別々に混
合し少なくとも一方を仮焼した後両者を同時に混合し、
最終焼結させた場合、平均粒子径が大きな粒子（２０〜
３０μｍ）と小さな粒子（１．０〜５．０μｍ）が形成
されることにより、抵抗値の上昇が抑えられた。破壊電
圧の高いチタン酸バリウム系半導体磁器を得ることがで
きる。
【００２２】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によればチタン酸
バリウム系半導体磁器材料において、平均粒子径の大き
な結晶粒子（２０〜３０μｍ）と小さな結晶粒子（１．
０〜５．０μｍ）の２つの異なる結晶粒子を有する焼結
体を形成させることにより、抵抗値の上昇が抑えられ、
さらに破壊電圧が向上した正の抵抗温度係数を示すチタ
ン酸バリウム系半導体磁器を得ることができる。
バリウム系半導体磁器材料において、平均粒子径の大き
な結晶粒子（２０〜３０μｍ）と小さな結晶粒子（１．
０〜５．０μｍ）の２つの異なる結晶粒子を有する焼結
体を形成させることにより、抵抗値の上昇が抑えられ、
さらに破壊電圧が向上した正の抵抗温度係数を示すチタ
ン酸バリウム系半導体磁器を得ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体化元素としてＹを含むチタン酸バ
リウムに０．０００３〜０．００１ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3を
添加してなる平均粒子径が１．０〜５．０μｍのチタン
酸バリウム系半導体磁器材料よりなる結晶粒子と、半導
体化元素としてＹを含むチタン酸バリウムに０．００１
〜０．００３ｍｏｌのＬｉ2ＣＯ3を添加してなる平均粒
子径が２０〜３０μｍのチタン酸バリウム系半導体磁器
材料よりなる結晶粒子が混在したチタン酸バリウム系半
導体磁器。 - 【請求項２】 半導体化元素としてＹを含むチタン酸バ
リウムに０．０００３〜０．００１ｍｏｌのＢｉ2Ｏ3を
添加してなる組成物と、半導体化元素としてＹを含むチ
タン酸バリウムに０．００１〜０．００３ｍｏｌのＬｉ
2ＣＯ3を添加してなる組成物の少なくとも一方を仮焼し
た後、両者を混合し最終焼結させるチタン酸バリウム系
半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311650A JPH10152372A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8311650A JPH10152372A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10152372A true JPH10152372A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18019843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8311650A Pending JPH10152372A (ja) | 1996-11-22 | 1996-11-22 | チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10152372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110210815A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US20110215895A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US20110215894A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US8350662B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP8311650A patent/JPH10152372A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110210815A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US20110215895A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US20110215894A1 (en) * | 2008-12-12 | 2011-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US8228161B2 (en) * | 2008-12-12 | 2012-07-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US8284013B2 (en) * | 2008-12-12 | 2012-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US8289125B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
| US8350662B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-01-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor ceramic and positive temperature coefficient thermistor |
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