JP2000003803A - 正特性サーミスタおよびその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱体やスイッチング素子として用いられて
いる正の抵抗温度特性を有する正特性サーミスタにおい
て、特に室温での抵抗値が低く、耐電圧の高い、正特性
サーミスタを提供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ
3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とす
る。）と半導体化元素およびＳｉを含有する原料粉末を
還元雰囲気にて仮焼して第一組成物を得る第１工程と、
次にＢａＴｉＯ 3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．
０とする。）、ＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された
原料を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して、０．１〜
２０ｗｔ％添加、混合した後本焼成する第２工程とを備
えたことを特徴とする。
いる正の抵抗温度特性を有する正特性サーミスタにおい
て、特に室温での抵抗値が低く、耐電圧の高い、正特性
サーミスタを提供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ
3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とす
る。）と半導体化元素およびＳｉを含有する原料粉末を
還元雰囲気にて仮焼して第一組成物を得る第１工程と、
次にＢａＴｉＯ 3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．
０とする。）、ＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された
原料を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して、０．１〜
２０ｗｔ％添加、混合した後本焼成する第２工程とを備
えたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に室温での抵抗値
が低く、耐電圧の高い正特性サーミスタおよびその製造
方法に関するものである。
が低く、耐電圧の高い正特性サーミスタおよびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムに希土類元素を微量添
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の
抵抗温度特性（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕ
ｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：ＰＴＣ特性）を示すこと
は従来より広く知られている。
加すると半導体化し、そのキュリー点付近の温度で正の
抵抗温度特性（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕ
ｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：ＰＴＣ特性）を示すこと
は従来より広く知られている。
【０００３】一方、このような正特性サーミスタの製造
方法としては、以下に示した方法が一般に用いられてい
る。
方法としては、以下に示した方法が一般に用いられてい
る。
【０００４】まず所定の組成となるように配合されたセ
ラミック原料を湿式ボールミルやディスパーミルなどを
用いて混合し、フィルタープレスやドラムドライヤー等
で脱水乾燥した後、これらの混合粉末を仮焼する。次
に、この仮焼粉末を湿式ボールミルやサンドミル等によ
り粉砕し、バインダーを加えスラリー状にしたものをス
プレードライヤー等により造粒し、所望の形状に成形し
た後、本焼成を行い、得られた焼結体に電極を形成し正
特性サーミスタとするものである。
ラミック原料を湿式ボールミルやディスパーミルなどを
用いて混合し、フィルタープレスやドラムドライヤー等
で脱水乾燥した後、これらの混合粉末を仮焼する。次
に、この仮焼粉末を湿式ボールミルやサンドミル等によ
り粉砕し、バインダーを加えスラリー状にしたものをス
プレードライヤー等により造粒し、所望の形状に成形し
た後、本焼成を行い、得られた焼結体に電極を形成し正
特性サーミスタとするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】正特性サーミスタは過
電流防止用素子、温度制御用素子、モータ起動用素子、
消磁用素子、ヒータ用素子といった多様な用途に展開さ
れてきている。特に過電流防止用素子や消磁用素子にお
いては、その小型化を図るため、室温での比抵抗値が小
さいことや耐電圧が高いことが要望されている。このよ
うな正特性サーミスタを得るため組成面および工法面よ
り過去から鋭意研究されているが、上記方法で製造した
正特性サーミスタは、室温での比抵抗が低いものは耐電
圧が低く、耐電圧の高いものは室温での比抵抗が高くな
ってしまう。そのため現在実用化されているもので、室
温の比抵抗が５Ωcmで耐電圧が３０〜４０Ｖ／mmのもの
が限界であった。
電流防止用素子、温度制御用素子、モータ起動用素子、
消磁用素子、ヒータ用素子といった多様な用途に展開さ
れてきている。特に過電流防止用素子や消磁用素子にお
いては、その小型化を図るため、室温での比抵抗値が小
さいことや耐電圧が高いことが要望されている。このよ
うな正特性サーミスタを得るため組成面および工法面よ
り過去から鋭意研究されているが、上記方法で製造した
正特性サーミスタは、室温での比抵抗が低いものは耐電
圧が低く、耐電圧の高いものは室温での比抵抗が高くな
ってしまう。そのため現在実用化されているもので、室
温の比抵抗が５Ωcmで耐電圧が３０〜４０Ｖ／mmのもの
が限界であった。
【０００６】そこで本発明は、比抵抗が小さくかつ耐電
圧の高い正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。具体的には、比抵抗が５Ωcm以下で、耐電
圧が４０Ｖ／mm以上の従来にない優れた正特性サーミス
タを提供することにある。
圧の高い正特性サーミスタを提供することを目的とする
ものである。具体的には、比抵抗が５Ωcm以下で、耐電
圧が４０Ｖ／mm以上の従来にない優れた正特性サーミス
タを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】正特性サーミスタにおけ
る低抵抗・高耐圧化に関しての材料設計としては、セラ
ミックス粒内をいかに低抵抗にして、なおかつ粒界をい
かに高抵抗化するかがポイントとなる。
る低抵抗・高耐圧化に関しての材料設計としては、セラ
ミックス粒内をいかに低抵抗にして、なおかつ粒界をい
かに高抵抗化するかがポイントとなる。
【０００８】本発明はこのような材料設計に基づき組成
面および製造方法において鋭意研究した結果である。
面および製造方法において鋭意研究した結果である。
【０００９】そこで上記目的を達成するために、本発明
の正特性サーミスタは、チタン酸バリウムを主成分とす
るＡＢＯ3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝
１．０とする。）と半導体化元素およびＳｉを含有する
第一組成物に、ＢａＴｉＯ3（但し、０．９７≦Ｂａ／
Ｔｉ＜１．０とする。）にＭｎおよびＡｌの各酸化物が
含有された第二組成物を前記第一組成物１００ｗｔ％に
対して０．１〜２０ｗｔ％含有させたことを特徴とする
ものであり、上記目的を達成することができる。
の正特性サーミスタは、チタン酸バリウムを主成分とす
るＡＢＯ3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝
１．０とする。）と半導体化元素およびＳｉを含有する
第一組成物に、ＢａＴｉＯ3（但し、０．９７≦Ｂａ／
Ｔｉ＜１．０とする。）にＭｎおよびＡｌの各酸化物が
含有された第二組成物を前記第一組成物１００ｗｔ％に
対して０．１〜２０ｗｔ％含有させたことを特徴とする
ものであり、上記目的を達成することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ3型ペロブ
スカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とする。）と半
導体化元素およびＳｉを含有する第一組成物に、ＢａＴ
ｉＯ3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０とす
る。）にＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された第二組
成物を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して０．１〜２
０ｗｔ％含有させたことを特徴とする正特性サーミスタ
であり、粒内を低抵抗かつ粒界を高抵抗にすることがで
きるため、低抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得るこ
とができる。
は、チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ3型ペロブ
スカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とする。）と半
導体化元素およびＳｉを含有する第一組成物に、ＢａＴ
ｉＯ3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０とす
る。）にＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された第二組
成物を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して０．１〜２
０ｗｔ％含有させたことを特徴とする正特性サーミスタ
であり、粒内を低抵抗かつ粒界を高抵抗にすることがで
きるため、低抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得るこ
とができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とするＡＢＯ3型ペロブスカイト酸化物（但
し、Ａ／Ｂ＝１．０とする。）と半導体化元素およびＳ
ｉを含有する原料粉末を還元雰囲気にて仮焼して第一組
成物を得る第１工程と、次にＢａＴｉＯ3（但し、０．
９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０とする。）、ＭｎおよびＡｌ
の各酸化物が含有された原料を前記第一組成物１００ｗ
ｔ％に対して、０．１〜２０ｗｔ％添加、混合した後本
焼成する第２工程とを備えたことを特徴とする正特性サ
ーミスタの製造方法であり、粒内をより低抵抗なおかつ
粒界をより高抵抗にできるため、より低抵抗で高耐圧の
正特性サーミスタを得ることができる。
ムを主成分とするＡＢＯ3型ペロブスカイト酸化物（但
し、Ａ／Ｂ＝１．０とする。）と半導体化元素およびＳ
ｉを含有する原料粉末を還元雰囲気にて仮焼して第一組
成物を得る第１工程と、次にＢａＴｉＯ3（但し、０．
９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０とする。）、ＭｎおよびＡｌ
の各酸化物が含有された原料を前記第一組成物１００ｗ
ｔ％に対して、０．１〜２０ｗｔ％添加、混合した後本
焼成する第２工程とを備えたことを特徴とする正特性サ
ーミスタの製造方法であり、粒内をより低抵抗なおかつ
粒界をより高抵抗にできるため、より低抵抗で高耐圧の
正特性サーミスタを得ることができる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、第２工程におい
て、第一組成物に添加する原料の平均粒径は、第一組成
物の平均粒径よりも大きくする請求項２に記載の正特性
サーミスタの製造方法であり、第一組成物と、第２工程
において添加する原料との反応を遅延させることがで
き、粒内をより低抵抗なおかつ粒界をより高抵抗にでき
るため、より低抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得る
ことができる。
て、第一組成物に添加する原料の平均粒径は、第一組成
物の平均粒径よりも大きくする請求項２に記載の正特性
サーミスタの製造方法であり、第一組成物と、第２工程
において添加する原料との反応を遅延させることがで
き、粒内をより低抵抗なおかつ粒界をより高抵抗にでき
るため、より低抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得る
ことができる。
【００１３】以下本発明の一実施の形態について説明す
る。 （実施の形態１）まず、（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）ＴｉＯ3
＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００２Ｎｂ2Ｏ5の組成となる
ようにＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｓ
ｉＯ2をそれぞれ秤量し、すべての原料をボールミルに
て湿式混合する。次にこの混合物を乾燥した後、１０５
０℃で２時間仮焼し組成物（以下、この組成物を第一組
成物と記す。）を得る。さらにＢａＴｉＯ3（但し、
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０）＋０．００１ＭｎＯ2
＋０．００５Ａｌ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3，
ＴｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ秤量し、すべて
の原料をボールミルにて湿式混合する。次にこの混合物
を乾燥した後、１０５０℃で２時間仮焼し、組成物（以
下、この組成物を第二組成物と記す。）を得る。次に、
第一組成物に対して第二組成物を（表１）に示した範囲
にて添加混合し再びボールミルにて湿式粉砕し、乾燥す
る。
る。 （実施の形態１）まず、（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）ＴｉＯ3
＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００２Ｎｂ2Ｏ5の組成となる
ようにＢａＣＯ3，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，Ｓ
ｉＯ2をそれぞれ秤量し、すべての原料をボールミルに
て湿式混合する。次にこの混合物を乾燥した後、１０５
０℃で２時間仮焼し組成物（以下、この組成物を第一組
成物と記す。）を得る。さらにＢａＴｉＯ3（但し、
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０）＋０．００１ＭｎＯ2
＋０．００５Ａｌ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3，
ＴｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ秤量し、すべて
の原料をボールミルにて湿式混合する。次にこの混合物
を乾燥した後、１０５０℃で２時間仮焼し、組成物（以
下、この組成物を第二組成物と記す。）を得る。次に、
第一組成物に対して第二組成物を（表１）に示した範囲
にて添加混合し再びボールミルにて湿式粉砕し、乾燥す
る。
【００１４】
【表１】
【００１５】その後この乾燥粉にポリビニルアルコール
からなるバインダーを添加造粒し、１平方センチメート
ル当たり８００kgの圧力で直径２０mm、厚さ２．５mmの
円板状に成形した。次いで、この成形体を１３５０℃で
２時間空気中で焼成し焼結体を得た。次にこのようにし
て得られた焼結体にＮｉメッキを形成した後、銀ペース
トを印刷塗布、焼き付けし電極とした。次に、このよう
に作製した正特性サーミスタの評価として室温比抵抗値
（ρ２５）、抵抗変化幅（Ψ）、耐電圧（Ｖ／mm）の測
定を行った。それらの結果を（表１）に示した。なお
（表１）の試料番号１は第二組成物が無添加で上記と同
様な工程により作製した正特性サーミスタである。
からなるバインダーを添加造粒し、１平方センチメート
ル当たり８００kgの圧力で直径２０mm、厚さ２．５mmの
円板状に成形した。次いで、この成形体を１３５０℃で
２時間空気中で焼成し焼結体を得た。次にこのようにし
て得られた焼結体にＮｉメッキを形成した後、銀ペース
トを印刷塗布、焼き付けし電極とした。次に、このよう
に作製した正特性サーミスタの評価として室温比抵抗値
（ρ２５）、抵抗変化幅（Ψ）、耐電圧（Ｖ／mm）の測
定を行った。それらの結果を（表１）に示した。なお
（表１）の試料番号１は第二組成物が無添加で上記と同
様な工程により作製した正特性サーミスタである。
【００１６】ここで、抵抗変化幅とは最大抵抗値を最小
抵抗値で除算した数値の常用対数値であり、下記の式で
表される。
抵抗値で除算した数値の常用対数値であり、下記の式で
表される。
【００１７】抵抗変化幅Ψ＝ｌｏｇ10（最大抵抗値／最
小抵抗値） （表１）から明らかなように、第二組成物の添加量の範
囲が本発明の範囲内である試料番号３〜８の正特性サー
ミスタは本発明の範囲外である試料番号１，２，９およ
び１０の正特性サーミスタと比較して比抵抗値が小さ
く、さらに耐電圧も高い。
小抵抗値） （表１）から明らかなように、第二組成物の添加量の範
囲が本発明の範囲内である試料番号３〜８の正特性サー
ミスタは本発明の範囲外である試料番号１，２，９およ
び１０の正特性サーミスタと比較して比抵抗値が小さ
く、さらに耐電圧も高い。
【００１８】（実施の形態２）まず、（Ｂａ0.90Ｃａ
0.10）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００２Ｎｂ2Ｏ5
の組成となるように実施の形態１と同様な原料で秤量
し、ボールミルにて湿式混合する。次にこの混合物を乾
燥した後、１０％のＨ2ガスを含む雰囲気中、１０５０
℃で２時間仮焼し、第一組成物を得る。次にこの仮焼粉
に実施の形態１と同様な第二組成物を（表２）の試料番
号１１〜２０の添加量になるように秤量、添加しボール
ミルにて湿式混合する。
0.10）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００２Ｎｂ2Ｏ5
の組成となるように実施の形態１と同様な原料で秤量
し、ボールミルにて湿式混合する。次にこの混合物を乾
燥した後、１０％のＨ2ガスを含む雰囲気中、１０５０
℃で２時間仮焼し、第一組成物を得る。次にこの仮焼粉
に実施の形態１と同様な第二組成物を（表２）の試料番
号１１〜２０の添加量になるように秤量、添加しボール
ミルにて湿式混合する。
【００１９】
【表２】
【００２０】この混合物を乾燥した後、実施の形態１と
同様に、造粒、成形、焼成し電極を形成させ正特性サー
ミスタを得る。得られた正特性サーミスタの電気特性の
評価を実施の形態１と同様な方法で測定する。その評価
結果を（表２）の試料番号１１〜２０に示した。
同様に、造粒、成形、焼成し電極を形成させ正特性サー
ミスタを得る。得られた正特性サーミスタの電気特性の
評価を実施の形態１と同様な方法で測定する。その評価
結果を（表２）の試料番号１１〜２０に示した。
【００２１】（表２）より明らかなように、本発明の範
囲内にある試料番号１３〜１８の正特性サーミスタは、
第一組成物を還元雰囲気中にて仮焼することにより、さ
らに低比抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得ることが
できる。しかし、第一組成物を還元雰囲気中で仮焼して
も試料番号１１，１２，１９および２０のように第二組
成物の添加量が本発明の範囲外であると特性の向上が認
められない。
囲内にある試料番号１３〜１８の正特性サーミスタは、
第一組成物を還元雰囲気中にて仮焼することにより、さ
らに低比抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得ることが
できる。しかし、第一組成物を還元雰囲気中で仮焼して
も試料番号１１，１２，１９および２０のように第二組
成物の添加量が本発明の範囲外であると特性の向上が認
められない。
【００２２】なお、第一組成物に第二組成物を混合する
際は、第一組成物の平均粒径よりも第二組成物の平均粒
径を大きくしておくことが望ましい。何故ならば第一組
成物は粒内成分となり、第二組成物は粒界成分となるた
め、この第一組成物と第二組成物との反応が進みすぎな
いようにし、粒内を低抵抗、粒界を高抵抗にするためで
ある。
際は、第一組成物の平均粒径よりも第二組成物の平均粒
径を大きくしておくことが望ましい。何故ならば第一組
成物は粒内成分となり、第二組成物は粒界成分となるた
め、この第一組成物と第二組成物との反応が進みすぎな
いようにし、粒内を低抵抗、粒界を高抵抗にするためで
ある。
【００２３】第二組成物の主成分のＢａ／Ｔｉの比率を
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０の範囲としたが、この理
由はこれ以外の範囲であると抵抗値が高くなったり、抵
抗変化幅が小さくなり耐電圧が低くなるためである。
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０の範囲としたが、この理
由はこれ以外の範囲であると抵抗値が高くなったり、抵
抗変化幅が小さくなり耐電圧が低くなるためである。
【００２４】一方、本発明における、Ｓｉ酸化物の添加
量は、第一組成物の主成分｛（Ｂａ 0.90Ｃａ0.10）Ｔｉ
Ｏ3｝１ｍｏｌに対して０．００１〜０．０５ｍｏｌの
範囲が好ましい。またＭｎおよびＡｌの各酸化物の添加
量は、第二組成物の主成分｛ＢａＴｉＯ3（ただし、
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０）｝１ｍｏｌに対して、
それぞれ０．０００１〜０．００２ｍｏｌおよび０．０
００５〜０．０１ｍｏｌの範囲が好ましい。なぜなら、
これ以外の範囲では抵抗値が高くなったり、耐電圧が極
端に低下するためである。さらに半導体化元素としては
Ｙ，Ｌａ，Ｓｍ等の希土類元素やＮｂ，Ｂｉ等の酸化物
のうち少なくとも１種類を用い、その添加量としては、
第一組成物の主成分｛（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）ＴｉＯ3｝
１ｍｏｌに対して０．０００５〜０．０５ｍｏｌの範囲
が好ましい。なぜなら、この範囲以外であると抵抗値が
高くなるためである。
量は、第一組成物の主成分｛（Ｂａ 0.90Ｃａ0.10）Ｔｉ
Ｏ3｝１ｍｏｌに対して０．００１〜０．０５ｍｏｌの
範囲が好ましい。またＭｎおよびＡｌの各酸化物の添加
量は、第二組成物の主成分｛ＢａＴｉＯ3（ただし、
０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．０）｝１ｍｏｌに対して、
それぞれ０．０００１〜０．００２ｍｏｌおよび０．０
００５〜０．０１ｍｏｌの範囲が好ましい。なぜなら、
これ以外の範囲では抵抗値が高くなったり、耐電圧が極
端に低下するためである。さらに半導体化元素としては
Ｙ，Ｌａ，Ｓｍ等の希土類元素やＮｂ，Ｂｉ等の酸化物
のうち少なくとも１種類を用い、その添加量としては、
第一組成物の主成分｛（Ｂａ0.90Ｃａ0.10）ＴｉＯ3｝
１ｍｏｌに対して０．０００５〜０．０５ｍｏｌの範囲
が好ましい。なぜなら、この範囲以外であると抵抗値が
高くなるためである。
【００２５】以上実施の形態１および実施の形態２に示
したように、低比抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得
ることができる。
したように、低比抵抗で高耐圧の正特性サーミスタを得
ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上本発明によると、室温での抵抗値が
低く耐電圧の高い正特性サーミスタを得ることができ、
製品の小型化が図れるため、その工業的利用価値は大き
い。
低く耐電圧の高い正特性サーミスタを得ることができ、
製品の小型化が図れるため、その工業的利用価値は大き
い。
Claims (3)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ
3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とす
る。）と半導体化元素およびＳｉを含有する第一組成物
に、ＢａＴｉＯ3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．
０とする。）にＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された
第二組成物を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して０．
１〜２０ｗｔ％含有させたことを特徴とする正特性サー
ミスタ。 - 【請求項２】 チタン酸バリウムを主成分とするＡＢＯ
3型ペロブスカイト酸化物（但し、Ａ／Ｂ＝１．０とす
る。）と半導体化元素およびＳｉを含有する原料粉末を
還元雰囲気にて仮焼して第一組成物を得る第１工程と、
次にＢａＴｉＯ 3（但し、０．９７≦Ｂａ／Ｔｉ＜１．
０とする。）、ＭｎおよびＡｌの各酸化物が含有された
原料を前記第一組成物１００ｗｔ％に対して０．１〜２
０ｗｔ％添加、混合した後本焼成する第２工程とを備え
たことを特徴とする正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項３】 第２工程において、第一組成物に添加す
る原料の平均粒径は、第一組成物の平均粒径よりも大き
くする請求項２に記載の正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786798A JP2000003803A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786798A JP2000003803A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003803A true JP2000003803A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15857561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16786798A Pending JP2000003803A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003803A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100366180B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2002-12-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 반도체 세라믹 재료, 세라믹 재료의 제조 공정 및 서미스터 |
| CN100364075C (zh) * | 2002-02-07 | 2008-01-23 | 夏普株式会社 | 可变电阻器件及其制造方法 |
| KR20160113054A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 주식회사 아모텍 | 감전보호소자 및 이를 구비하는 휴대용 전자장치 |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP16786798A patent/JP2000003803A/ja active Pending
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