JPH0383855A - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
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- JPH0383855A JPH0383855A JP1220606A JP22060689A JPH0383855A JP H0383855 A JPH0383855 A JP H0383855A JP 1220606 A JP1220606 A JP 1220606A JP 22060689 A JP22060689 A JP 22060689A JP H0383855 A JPH0383855 A JP H0383855A
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- barium titanate
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 13
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法に関
するものである。
するものである。
（従来の技術）
一般に、正特性サーミスタの材料として採用されている
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行なわれている。この方法では、半導体化剤の添加量の
増減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗
が極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが
再現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外で
は半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大き
く変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという
問題があった。
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行なわれている。この方法では、半導体化剤の添加量の
増減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗
が極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが
再現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外で
は半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大き
く変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという
問題があった。
これを解決するため、特公昭５４−２５６３３号公報に
て、半導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種
以上のチタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調製し、こ
れらの材料を任意の配合比率で混合した後、焼成するチ
タン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されてい
る。
て、半導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種
以上のチタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調製し、こ
れらの材料を任意の配合比率で混合した後、焼成するチ
タン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
この方法では、それらの半導体磁器の配合比によって個
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記問題を解決するため、抵抗調整剤を含有
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
抵抗調整剤としては、酸化アルミニウム、などがあげら
れ、これらは、通常、０５０３〜０．０６ｗｔ％添加さ
れる。
れ、これらは、通常、０５０３〜０．０６ｗｔ％添加さ
れる。
また、抵抗調整剤を含有するチタン酸バリウム系半導体
磁器粉末（以下、半導体磁器粉末Ａという。）と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末（
以下、半導体磁器粉末Ｂという。）とは、任意の比率で
配合できる。例えば、半導体磁器粉末Ａとして、一般式
： ％式％ （但し、α、βは各成分のモル分率、ａ、ｂ、ｃは各成
分のモル百分率を表し、０．２≦α≦０．２５．０．０
０３≦β”０．００４．０．０００３≦ｂ≦０．００１
．０．１≦Ｃ≦０．３、ａ＋ｂ＋ｃ＝ １００を満足す
る。）にＡ１．Ｏ，を０，０３〜０．０６重量％添加し
たものを用い、 半導体磁器粉末Ｂとして、一般式： ％式％ （但し、δ、γはモル分率、（！＋ｍ＋ｎは各成分のモ
ル百分率を表し、０，１５≦δ≦０１２５．０．Ｏ○３
≦γ≦０．００４．０．０００３≦ｍ≦０．００１．０
．１≦ｎ≦０．３、ｇ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する。）
で表わされる組成物を用いた場合、半導体磁器粉末Ｂの
含有量が２０〜４０重量％の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
磁器粉末（以下、半導体磁器粉末Ａという。）と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末（
以下、半導体磁器粉末Ｂという。）とは、任意の比率で
配合できる。例えば、半導体磁器粉末Ａとして、一般式
： ％式％ （但し、α、βは各成分のモル分率、ａ、ｂ、ｃは各成
分のモル百分率を表し、０．２≦α≦０．２５．０．０
０３≦β”０．００４．０．０００３≦ｂ≦０．００１
．０．１≦Ｃ≦０．３、ａ＋ｂ＋ｃ＝ １００を満足す
る。）にＡ１．Ｏ，を０，０３〜０．０６重量％添加し
たものを用い、 半導体磁器粉末Ｂとして、一般式： ％式％ （但し、δ、γはモル分率、（！＋ｍ＋ｎは各成分のモ
ル百分率を表し、０，１５≦δ≦０１２５．０．Ｏ○３
≦γ≦０．００４．０．０００３≦ｍ≦０．００１．０
．１≦ｎ≦０．３、ｇ＋ｍ＋ｎ＝１００を満足する。）
で表わされる組成物を用いた場合、半導体磁器粉末Ｂの
含有量が２０〜４０重量％の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
（作用）
半導体磁器粉末Ａ中の抵抗調整剤の含有量か増加すると
、第１図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減小す
るが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末人に半導体磁
器粉末Ｂを添加すると、生成される半導体磁器中の抵抗
調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物である
半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末ＡＳＢの個々の
比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが再
現性良く、容易に得られる。
、第１図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減小す
るが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末人に半導体磁
器粉末Ｂを添加すると、生成される半導体磁器中の抵抗
調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物である
半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末ＡＳＢの個々の
比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが再
現性良く、容易に得られる。
以下、実施例について説明する。
（実施例）
Ｓｉｎ。
Ａ［，０３
前記組成比で原料粉末を秤量した後、湿式粉砕し、脱水
、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉砕、
混合し、５０メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器
原料粉末Ａを得た。
、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉砕、
混合し、５０メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器
原料粉末Ａを得た。
また、これとは別に、ＢａＣ０＝ ９９．７９７モル
、Ｐｂ、０． ０．２（−ル、Ｙ、Ｏ，をＹ＋、：、換
算シて０１００３モル、ＭｎＯ！０．００３モル、Ｓｉ
Ｏ３０，１モル、Ｔｉ０ｚ １００モルの割合で原０
．１５重量％ ０、０３重量％ 料粉末を秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼
し、これを粉砕した後、バインダを加えて混合し、５０
メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Ｂを
得た。
、Ｐｂ、０． ０．２（−ル、Ｙ、Ｏ，をＹ＋、：、換
算シて０１００３モル、ＭｎＯ！０．００３モル、Ｓｉ
Ｏ３０，１モル、Ｔｉ０ｚ １００モルの割合で原０
．１５重量％ ０、０３重量％ 料粉末を秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼
し、これを粉砕した後、バインダを加えて混合し、５０
メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Ｂを
得た。
このようにして得た半導体磁器原料粉末ＡおよびＢを下
記の表に示す配合比率で混合した後、直径１４．８問、
厚さ２．８開、成形密度３．４６ｇ／ｃｍ３の円板に成
形し、空気中１３７０’Ｃで１０分間焼戎して、磁器円
板を得た。
記の表に示す配合比率で混合した後、直径１４．８問、
厚さ２．８開、成形密度３．４６ｇ／ｃｍ３の円板に成
形し、空気中１３７０’Ｃで１０分間焼戎して、磁器円
板を得た。
各磁器円板の両面に１ｌ−ＧＢ合金からなる電極を形成
して試料とし、各試料に２５°Ｃで１．５Ｖの電圧を印
加して比抵抗を測定した。その結果を下表および第２図
に示す。
して試料とし、各試料に２５°Ｃで１．５Ｖの電圧を印
加して比抵抗を測定した。その結果を下表および第２図
に示す。
図から明らかなように、半導体磁器原料粉末Ａに半導体
磁器原料粉末Ｂを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Ｂの配合比率が２０〜４０重
量％の範囲で、はぼ−定の比抵抗が得られる。
磁器原料粉末Ｂを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Ｂの配合比率が２０〜４０重
量％の範囲で、はぼ−定の比抵抗が得られる。
（発明の効果）
以上説明したように、半導体磁器粉末Ａと半導体磁器粉
末Ｂとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
末Ｂとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
また、高比抵抗の半導体磁器を生産する場合でも従来の
方法よりも２０℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成
でき、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効
率を向上させることができる。
方法よりも２０℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成
でき、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効
率を向上させることができる。
第１図は抵抗調整剤の添加量と比抵抗の関係を示す図、
第２図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
第２図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
Claims (1)
- （１）酸化アルミニウムを含有し、比抵抗の大きなチタ
ン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それよりも比抵抗が
小さく、酸化アルミニウムを含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを任意の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383855A true JPH0383855A (ja) | 1991-04-09 |
| JPH0717443B2 JPH0717443B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=16753610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1220606A Expired - Lifetime JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717443B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006266715A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Riken Keiki Co Ltd | 可燃性ガスセンサー |
| JP2008145222A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式ｃｏガスセンサ及びｃｏガス警報装置 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220606A patent/JPH0717443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006266715A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Riken Keiki Co Ltd | 可燃性ガスセンサー |
| JP2008145222A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式ｃｏガスセンサ及びｃｏガス警報装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0717443B2 (ja) | 1995-03-01 |
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Legal Events
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