JPH0383855A - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
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- JPH0383855A JPH0383855A JP1220606A JP22060689A JPH0383855A JP H0383855 A JPH0383855 A JP H0383855A JP 1220606 A JP1220606 A JP 1220606A JP 22060689 A JP22060689 A JP 22060689A JP H0383855 A JPH0383855 A JP H0383855A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法に関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
一般に、正特性サーミスタの材料として採用されている
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行なわれている。この方法では、半導体化剤の添加量の
増減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗
が極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが
再現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外で
は半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大き
く変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという
問題があった。
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行なわれている。この方法では、半導体化剤の添加量の
増減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗
が極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが
再現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外で
は半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大き
く変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという
問題があった。
これを解決するため、特公昭54−25633号公報に
て、半導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種
以上のチタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調製し、こ
れらの材料を任意の配合比率で混合した後、焼成するチ
タン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されてい
る。
て、半導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種
以上のチタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調製し、こ
れらの材料を任意の配合比率で混合した後、焼成するチ
タン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されてい
る。
(発明が解決しようとする課題)
この方法では、それらの半導体磁器の配合比によって個
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
(課題を解決するための手段)
本発明は、前記問題を解決するため、抵抗調整剤を含有
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
抵抗調整剤としては、酸化アルミニウム、などがあげら
れ、これらは、通常、0503〜0.06wt%添加さ
れる。
れ、これらは、通常、0503〜0.06wt%添加さ
れる。
また、抵抗調整剤を含有するチタン酸バリウム系半導体
磁器粉末(以下、半導体磁器粉末Aという。)と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末(
以下、半導体磁器粉末Bという。)とは、任意の比率で
配合できる。例えば、半導体磁器粉末Aとして、一般式
: %式% (但し、α、βは各成分のモル分率、a、b、cは各成
分のモル百分率を表し、0.2≦α≦0.25.0.0
03≦β”0.004.0.0003≦b≦0.001
.0.1≦C≦0.3、a+b+c= 100を満足す
る。)にA1.O,を0,03〜0.06重量%添加し
たものを用い、 半導体磁器粉末Bとして、一般式: %式% (但し、δ、γはモル分率、(!+m+nは各成分のモ
ル百分率を表し、0,15≦δ≦0125.0.O○3
≦γ≦0.004.0.0003≦m≦0.001.0
.1≦n≦0.3、g+m+n=100を満足する。)
で表わされる組成物を用いた場合、半導体磁器粉末Bの
含有量が20〜40重量%の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
磁器粉末(以下、半導体磁器粉末Aという。)と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末(
以下、半導体磁器粉末Bという。)とは、任意の比率で
配合できる。例えば、半導体磁器粉末Aとして、一般式
: %式% (但し、α、βは各成分のモル分率、a、b、cは各成
分のモル百分率を表し、0.2≦α≦0.25.0.0
03≦β”0.004.0.0003≦b≦0.001
.0.1≦C≦0.3、a+b+c= 100を満足す
る。)にA1.O,を0,03〜0.06重量%添加し
たものを用い、 半導体磁器粉末Bとして、一般式: %式% (但し、δ、γはモル分率、(!+m+nは各成分のモ
ル百分率を表し、0,15≦δ≦0125.0.O○3
≦γ≦0.004.0.0003≦m≦0.001.0
.1≦n≦0.3、g+m+n=100を満足する。)
で表わされる組成物を用いた場合、半導体磁器粉末Bの
含有量が20〜40重量%の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
(作用)
半導体磁器粉末A中の抵抗調整剤の含有量か増加すると
、第1図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減小す
るが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末人に半導体磁
器粉末Bを添加すると、生成される半導体磁器中の抵抗
調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物である
半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末ASBの個々の
比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが再
現性良く、容易に得られる。
、第1図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減小す
るが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末人に半導体磁
器粉末Bを添加すると、生成される半導体磁器中の抵抗
調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物である
半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末ASBの個々の
比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが再
現性良く、容易に得られる。
以下、実施例について説明する。
(実施例)
Sin。
A[,03
前記組成比で原料粉末を秤量した後、湿式粉砕し、脱水
、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉砕、
混合し、50メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器
原料粉末Aを得た。
、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉砕、
混合し、50メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器
原料粉末Aを得た。
また、これとは別に、BaC0= 99.797モル
、Pb、0. 0.2(−ル、Y、O,をY+、:、換
算シて01003モル、MnO!0.003モル、Si
O30,1モル、Ti0z 100モルの割合で原0
.15重量% 0、03重量% 料粉末を秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼
し、これを粉砕した後、バインダを加えて混合し、50
メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Bを
得た。
、Pb、0. 0.2(−ル、Y、O,をY+、:、換
算シて01003モル、MnO!0.003モル、Si
O30,1モル、Ti0z 100モルの割合で原0
.15重量% 0、03重量% 料粉末を秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼
し、これを粉砕した後、バインダを加えて混合し、50
メツシユのフルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Bを
得た。
このようにして得た半導体磁器原料粉末AおよびBを下
記の表に示す配合比率で混合した後、直径14.8問、
厚さ2.8開、成形密度3.46g/cm3の円板に成
形し、空気中1370’Cで10分間焼戎して、磁器円
板を得た。
記の表に示す配合比率で混合した後、直径14.8問、
厚さ2.8開、成形密度3.46g/cm3の円板に成
形し、空気中1370’Cで10分間焼戎して、磁器円
板を得た。
各磁器円板の両面に1l−GB合金からなる電極を形成
して試料とし、各試料に25°Cで1.5Vの電圧を印
加して比抵抗を測定した。その結果を下表および第2図
に示す。
して試料とし、各試料に25°Cで1.5Vの電圧を印
加して比抵抗を測定した。その結果を下表および第2図
に示す。
図から明らかなように、半導体磁器原料粉末Aに半導体
磁器原料粉末Bを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Bの配合比率が20〜40重
量%の範囲で、はぼ−定の比抵抗が得られる。
磁器原料粉末Bを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Bの配合比率が20〜40重
量%の範囲で、はぼ−定の比抵抗が得られる。
(発明の効果)
以上説明したように、半導体磁器粉末Aと半導体磁器粉
末Bとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
末Bとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
また、高比抵抗の半導体磁器を生産する場合でも従来の
方法よりも20℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成
でき、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効
率を向上させることができる。
方法よりも20℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成
でき、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効
率を向上させることができる。
第1図は抵抗調整剤の添加量と比抵抗の関係を示す図、
第2図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
第2図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
Claims (1)
- (1)酸化アルミニウムを含有し、比抵抗の大きなチタ
ン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それよりも比抵抗が
小さく、酸化アルミニウムを含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを任意の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0383855A true JPH0383855A (ja) | 1991-04-09 |
JPH0717443B2 JPH0717443B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=16753610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1220606A Expired - Lifetime JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0717443B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006266715A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Riken Keiki Co Ltd | 可燃性ガスセンサー |
JP2008145222A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式coガスセンサ及びcoガス警報装置 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220606A patent/JPH0717443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006266715A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Riken Keiki Co Ltd | 可燃性ガスセンサー |
JP2008145222A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式coガスセンサ及びcoガス警報装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0717443B2 (ja) | 1995-03-01 |
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