JPH0717443B2 - チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH0717443B2 JPH0717443B2 JP1220606A JP22060689A JPH0717443B2 JP H0717443 B2 JPH0717443 B2 JP H0717443B2 JP 1220606 A JP1220606 A JP 1220606A JP 22060689 A JP22060689 A JP 22060689A JP H0717443 B2 JPH0717443 B2 JP H0717443B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium titanate
- specific resistance
- based semiconductor
- semiconductor porcelain
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法に関
するものである。
するものである。
（従来の技術） 一般に、正特性サーミスタの材料として採用されている
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行われている。この方法では、半導体化剤の添加量の増
減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗が
極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが再
現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外では
半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大きく
変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという問
題があった。
チタン酸バリウム系半導体磁器では、その用途に応じた
特性を得るため、例えば、所望の比抵抗を得るため、半
導体化剤の添加量を変えることによって調製することが
行われている。この方法では、半導体化剤の添加量の増
減により比抵抗が二次関数的に変化するため、比抵抗が
極小となる近傍の添加領域では所望の比抵抗のものが再
現性よく容易に得られるが、その添加領域の範囲外では
半導化剤の添加量の微少な変化によって比抵抗が大きく
変動するため、再現性が悪く、量産性に欠けるという問
題があった。
これを解決するため、特公昭54−25633号公報にて、半
導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種以上の
チタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調整し、焼成する
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されて
いる。
導体化剤の添加量を変えて比抵抗の相異なる二種以上の
チタン酸バリウム系半導体磁器粉末を調整し、焼成する
チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法が提案されて
いる。
（発明が解決しようとする課題） この方法では、それらの半導体磁器の配合比によって個
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
々の半導体磁器の比抵抗値の間で任意の比抵抗のものが
得られるが、高比抵抗の半導体磁器を得ようとすると、
高温で長時間焼成しなければならないという問題があっ
た。
（課題を解決するための手段） 本発明は、前記問題を解決するため、抵抗調整剤を含有
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
するチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それと異な
る比抵抗を有し抵抗調整剤を含有しないチタン酸バリウ
ム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを所定の配合比
率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム系半導
体磁器の製造方法を提供するものである。
抵抗調整剤としては、酸化アルミニウム、などがあげら
れ、これらは、通常、0.03〜0.06wt％添加される。
れ、これらは、通常、0.03〜0.06wt％添加される。
また、抵抗調整剤を含有するチタン酸バリウム系半導体
磁器粉末（以下、半導体磁器粉末Ａという。）と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末
（以下、半導体磁器粉末Ｂという。）とは、任意の比率
で配合できる。例えば、半導体磁器粉末Ａとして、一般
式： ａ（Ba1-α−βPbαYβ）TiO3+bMnO2+cSiO2 （但し、α，βは各成分のモル分率、a,b,cは各成分の
モル百分率を表し、0.2≦α≦0.25、0.003≦β≦0.00
4、0.0003≦ｂ≦0.001、0.1≦ｃ≦0.3、ａ＋ｂ＋ｃ＝10
0を満足する。）にAl2O3を0.03〜0.06重量％添加したも
のを用い、 半導体磁器粉末Ｂとして、一般式： ｌ（Ba1-δ−γPbδYγ）TiO3+mMnO2+nSiO2 （但し、δ，γはモル分率、l,m,nは各成分のモル百分
率を表し、0.15≦δ≦0.25、0.003≦γ≦0.004、0.0003
≦ｍ≦0.001,0.1≦ｎ≦0.3、ｌ＋ｍ＋ｎ＝100を満足す
る。）で表される組成物を用いた場合、半導体磁器粉末
Ｂの含有量が20〜40重量％の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
磁器粉末（以下、半導体磁器粉末Ａという。）と抵抗調
整剤を含有しないチタン酸バリウム系半導体磁器粉末
（以下、半導体磁器粉末Ｂという。）とは、任意の比率
で配合できる。例えば、半導体磁器粉末Ａとして、一般
式： ａ（Ba1-α−βPbαYβ）TiO3+bMnO2+cSiO2 （但し、α，βは各成分のモル分率、a,b,cは各成分の
モル百分率を表し、0.2≦α≦0.25、0.003≦β≦0.00
4、0.0003≦ｂ≦0.001、0.1≦ｃ≦0.3、ａ＋ｂ＋ｃ＝10
0を満足する。）にAl2O3を0.03〜0.06重量％添加したも
のを用い、 半導体磁器粉末Ｂとして、一般式： ｌ（Ba1-δ−γPbδYγ）TiO3+mMnO2+nSiO2 （但し、δ，γはモル分率、l,m,nは各成分のモル百分
率を表し、0.15≦δ≦0.25、0.003≦γ≦0.004、0.0003
≦ｍ≦0.001,0.1≦ｎ≦0.3、ｌ＋ｍ＋ｎ＝100を満足す
る。）で表される組成物を用いた場合、半導体磁器粉末
Ｂの含有量が20〜40重量％の範囲でほぼ一定の量も高い
比抵抗が得られる。
（作用） 半導体磁器粉末Ａ中の抵抗調整剤の含有量が増加する
と、第１図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減少
するが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末Ａに半導体
磁器粉末Ｂを添加すると、生成される半導体磁器中の抵
抗調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物であ
る半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末Ａ、Ｂの個々
の比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが
再現性良く、容易に得られる。
と、第１図に示すようにその比抵抗が指数関数的に減少
するが、一定の比抵抗を持つ半導体磁器粉末Ａに半導体
磁器粉末Ｂを添加すると、生成される半導体磁器中の抵
抗調整剤の絶対割合が減少することになり、生成物であ
る半導体磁器の比抵抗が、半導体磁器粉末Ａ、Ｂの個々
の比抵抗よりも増大し、従って、所望の比抵抗のものが
再現性良く、容易に得られる。
以下、実施例について説明する。
（実施例） 前記組成比で原料粉末を秤量した後、湿式粉砕し、脱
水、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉
砕、混合し、50メッシュのフルイで整粒して、半導体磁
器原料粉末Ａを得た。
水、乾燥し、これを仮焼した後、バインダを加えて粉
砕、混合し、50メッシュのフルイで整粒して、半導体磁
器原料粉末Ａを得た。
また、これとは別に、BaCO3 99.797モル、Pb3O4 0.2
モル、Y2O3をＹに換算して0.003モル、MnO2 0.003モ
ル、SiO2 0.1モル、TiO2 100モルの割合で原料粉末を
秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼し、これ
を粉砕した後、バインダを加えて混合し、50メッシュの
フルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Ｂを得た。
モル、Y2O3をＹに換算して0.003モル、MnO2 0.003モ
ル、SiO2 0.1モル、TiO2 100モルの割合で原料粉末を
秤量し、湿式粉砕した後、脱水、乾燥して仮焼し、これ
を粉砕した後、バインダを加えて混合し、50メッシュの
フルイで整粒して、半導体磁器原料粉末Ｂを得た。
このようにして得た半導体磁器原料粉末ＡおよびＢを下
記の表に示す配合比率で混合した後、直径14.8mm、厚さ
2.8mm、成形密度3.46g/cm3の円板に成形し、空気中1370
℃で10分間焼成して、磁器円板を得た。
記の表に示す配合比率で混合した後、直径14.8mm、厚さ
2.8mm、成形密度3.46g/cm3の円板に成形し、空気中1370
℃で10分間焼成して、磁器円板を得た。
各磁器円板の両面にIn−Ga合金からなる電極を形成して
試料とし、各試料に25℃で1.5Vの電圧を印加して比抵抗
を測定した。その結果を下表および第２図に示す。
試料とし、各試料に25℃で1.5Vの電圧を印加して比抵抗
を測定した。その結果を下表および第２図に示す。
図から明らかなように、半導体磁器原料粉末Ａに半導体
磁器原料粉末Ｂを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Ｂの配合比率が20〜40重量％
の範囲で、ほぼ一定の比抵抗が得られる。
磁器原料粉末Ｂを配合することによって、個々の半導体
磁器原料粉末を用いて作ったものよりもその比抵抗が向
上し、半導体磁器原料粉末Ｂの配合比率が20〜40重量％
の範囲で、ほぼ一定の比抵抗が得られる。
（発明の効果） 以上説明したように、半導体磁器粉末Ａと半導体磁器粉
末Ｂとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
末Ｂとを配合比率を変えることによって、個々の半導体
磁器原料粉末を単独で用いた場合の比抵抗よりも高い比
抵抗を有する半導体磁器が得られ、しかも、比抵抗の安
定領域が広い範囲にわたって存在するため、配合比率に
多少のバラツキがあってもほぼ一定の比抵抗が得られ、
極めて量産性に優れた半導体磁器が得られる。
また、高比抵抗の半導体磁器を生産する場合でも従来の
方法よりも20℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成で
き、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効率
を向上させることができる。
方法よりも20℃以上低い温度で、しかも短時間で焼成で
き、従って、省エネルギー化を図ると同時に、生産効率
を向上させることができる。
第１図は抵抗調整剤の添加量と比抵抗の関係を示す図、
第２図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
第２図は本発明方法における配合比率と比抵抗との関係
を示す特性図である。
Claims (1)
- 【請求項１】酸化アルミニウムを含有し、比抵抗の大き
なチタン酸バリウム系半導体磁器粉末と、それよりも比
抵抗が小さく、酸化アルミニウムを含有しないチタン酸
バリウム系半導体磁器粉末とを調製し、これらを任意の
配合比率で混合することを特徴とするチタン酸バリウム
系半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1220606A JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383855A JPH0383855A (ja) | 1991-04-09 |
| JPH0717443B2 true JPH0717443B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=16753610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1220606A Expired - Lifetime JPH0717443B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717443B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006266715A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Riken Keiki Co Ltd | 可燃性ガスセンサー |
| JP2008145222A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式ｃｏガスセンサ及びｃｏガス警報装置 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220606A patent/JPH0717443B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0383855A (ja) | 1991-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11322415A (ja) | チタン酸バリウム粉末、および半導体セラミック、ならびに半導体セラミック素子 | |
| JP3087657B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0717443B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| KR100312605B1 (ko) | 반도체 세라믹 및 반도체 세라믹 전자 소자 | |
| US4055438A (en) | Barium titanate ceramic | |
| JP2689439B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器素体 | |
| JPH10152372A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2861659B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JP3111630B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法 | |
| JPS6328323B2 (ja) | ||
| JPS6366008B2 (ja) | ||
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPS6049151B2 (ja) | 誘電体磁気組成物の製造方法 | |
| JP3071529B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2000003803A (ja) | 正特性サーミスタおよびその製造方法 | |
| JP2687288B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物とその製造方法 | |
| JPH1092605A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH04196591A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JPH02106903A (ja) | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 | |
| JP2521862B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0645104A (ja) | 正の抵抗温度係数を有する半導体磁器の製造方法 | |
| JPH1070008A (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
| JPH0794020A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器用組成物 | |
| JPH05291004A (ja) | Ｐｔｃサーミスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090301 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100301 Year of fee payment: 15 |