JPH02106903A - 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法Info
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- JPH02106903A JPH02106903A JP63260934A JP26093488A JPH02106903A JP H02106903 A JPH02106903 A JP H02106903A JP 63260934 A JP63260934 A JP 63260934A JP 26093488 A JP26093488 A JP 26093488A JP H02106903 A JPH02106903 A JP H02106903A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタン酸バリウム鉛系高温ＰＴＣ（Ｐｏｓｉ
ｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉ
ｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｗｉｒｙ） サーミス
タに関する。
ｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉ
ｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔｉｗｉｒｙ） サーミス
タに関する。
従来、３００℃以上のいわゆる高温ＰＴＣサーミスタと
して、特開昭５０−３３４９０号公報に３ａＴｉＣＬを
主体とし、Ｂａの位置に対しｐｂを４９ｍｏ１％以上置
換したものが開示されている。
して、特開昭５０−３３４９０号公報に３ａＴｉＣＬを
主体とし、Ｂａの位置に対しｐｂを４９ｍｏ１％以上置
換したものが開示されている。
上記ＢａＴｉ○、を主体とし、Ｂａの位置に対してＰｂ
で置換した高温ＰＴＣサーミスタにおいて解決すべき課
題として、Ｐｂの置換量が増加するに従い焼結しにくく
、クラックが生じたり、キュリー点付近にふいて、抵抗
値の経時変化が起きることがある。更に、これらと関連
して、室温抵抗値が高く、キュリー点付近における抵抗
変化率（ｌｏｇｐａａヨ／ ｌｏｇ ｐｍｔｓ） が
小さいので実用に適さない。
で置換した高温ＰＴＣサーミスタにおいて解決すべき課
題として、Ｐｂの置換量が増加するに従い焼結しにくく
、クラックが生じたり、キュリー点付近にふいて、抵抗
値の経時変化が起きることがある。更に、これらと関連
して、室温抵抗値が高く、キュリー点付近における抵抗
変化率（ｌｏｇｐａａヨ／ ｌｏｇ ｐｍｔｓ） が
小さいので実用に適さない。
これらの問題点を解決するために、置換Ｐｂ として鉛
含有有機酸塩等の化合物を用いたものが、特開昭５６−
５９６７５号公報、特開昭５７−２６４０１号公報。
含有有機酸塩等の化合物を用いたものが、特開昭５６−
５９６７５号公報、特開昭５７−２６４０１号公報。
特開昭５７−１０７００４号公報、特開昭６０−２５８
９０１号公報等に開示されている。
９０１号公報等に開示されている。
ところが、上記公報に開示されている方法には、キュリ
ー点付近における経時変化が大きく、また工業的生産に
適せずコスト高になる等、実用に適さない。
ー点付近における経時変化が大きく、また工業的生産に
適せずコスト高になる等、実用に適さない。
また、室温抵抗値を低くする方法として、本願発明者は
先に特開昭６１−２１２００１号公報において、ランタ
ン添加チタン酸ストロンチウム、鉛酸バリウムのような
金属導電性を有するセラミック粒子の表面および粒界に
、チタン酸バリウムの表面層あるいは微粒子層を介在せ
しめたＰＴＣサーミスタを開示した。
先に特開昭６１−２１２００１号公報において、ランタ
ン添加チタン酸ストロンチウム、鉛酸バリウムのような
金属導電性を有するセラミック粒子の表面および粒界に
、チタン酸バリウムの表面層あるいは微粒子層を介在せ
しめたＰＴＣサーミスタを開示した。
これは、上記室温抵抗値が高く、キ、 ＩＪ−点以上に
おける抵抗変化率が小さいという問題もなく、また、経
時変化もないという利点を有するものである。
おける抵抗変化率が小さいという問題もなく、また、経
時変化もないという利点を有するものである。
ところが、ＰＴＣｆｉ能を付与するチタン酸バリウム自
体が異種組成のセラミック粒子と複合されたものである
ため、２種類の粉末調整が必要であり、２相間の反応制
御が難しく、その上、耐電圧が低いので実用化は難しい
という問題がある。
体が異種組成のセラミック粒子と複合されたものである
ため、２種類の粉末調整が必要であり、２相間の反応制
御が難しく、その上、耐電圧が低いので実用化は難しい
という問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、上記従来技術におけ
る問題点を解消して、耐電圧が高くとれ、安定したＰＴ
Ｃ特性が得られ、さらに、製法が比較的容易なＰＴＣ機
能を付与する材料の提供である。
る問題点を解消して、耐電圧が高くとれ、安定したＰＴ
Ｃ特性が得られ、さらに、製法が比較的容易なＰＴＣ機
能を付与する材料の提供である。
言い換えれば、常温比抵抗が１０’〜！０２Ω・ｃｍと
低く、とくに、３００℃以上の高温使用における発熱体
、電流制御抵抗体として用いるのに好都合であるキュリ
ー点付近における抵抗経時変化の少ない実用性の高い高
温ＰＴＣサーミスタと、それを工業規模で生産する方法
の提供である。
低く、とくに、３００℃以上の高温使用における発熱体
、電流制御抵抗体として用いるのに好都合であるキュリ
ー点付近における抵抗経時変化の少ない実用性の高い高
温ＰＴＣサーミスタと、それを工業規模で生産する方法
の提供である。
本発明は、比較的大きい径を有するＰＴＣ機能を付与す
る組成物粒子間に、小さい径を有する同一組成物粒子を
介在せしめたことによって上記課題を達成したものであ
る。
る組成物粒子間に、小さい径を有する同一組成物粒子を
介在せしめたことによって上記課題を達成したものであ
る。
上記のＰＴＣ機能を付与する組成物としては、ＢａＴｉ
Ｏ３にＳｒ、 Ｐｂ、 Ｓｎ、 Ｚｒ等を固溶させた組
成物等が適用できるが、Ｆ３ａ＋−ｗ Ｐｂｍ Ｔ’＋
Ｏｓ （Ｘ ＝０．５〜０．９）が、サーミスタの高
温化及び添加物による組ｔｇ整を行い、低抵抗化するこ
とが容易である等の点から最も好適に使用できる。
Ｏ３にＳｒ、 Ｐｂ、 Ｓｎ、 Ｚｒ等を固溶させた組
成物等が適用できるが、Ｆ３ａ＋−ｗ Ｐｂｍ Ｔ’＋
Ｏｓ （Ｘ ＝０．５〜０．９）が、サーミスタの高
温化及び添加物による組ｔｇ整を行い、低抵抗化するこ
とが容易である等の点から最も好適に使用できる。
また、比較的大きい径を有する粒子の径としては、５Ｉ
ｓ径以上で平均の粒径が５〜３０ｍであることが絶縁耐
圧を大きくし、かつ室温抵抗値を低くできるという等の
点から好ましい。
ｓ径以上で平均の粒径が５〜３０ｍであることが絶縁耐
圧を大きくし、かつ室温抵抗値を低くできるという等の
点から好ましい。
また、上記大粒子間に介在させるべき粒子の大きさは５
ｕ！ｎ以下であって、平均の粒径が０．１〜４虜である
ことが、抵抗変化率を非常に大きくすることができる等
の点から好ましい。
ｕ！ｎ以下であって、平均の粒径が０．１〜４虜である
ことが、抵抗変化率を非常に大きくすることができる等
の点から好ましい。
これによって、室温抵抗率を低く、抵抗変化率及び絶縁
耐圧の大きな特性をもった上記目的の高温ＰＴＣサーミ
スタを得ることができる。
耐圧の大きな特性をもった上記目的の高温ＰＴＣサーミ
スタを得ることができる。
さらに、上記粒子径の分布を有するＰＴＣサーミスタの
製造に際してのＰＴＣ機能を付加する半導体化に際して
は、Ｌａ”、Ｙ”Ｃｃ”、Ｓｍ”、Ｃｄコ・Ｓｂ”、
Ｎｂ”等の遷移元素をロ、５ｍｏ１％以下添加する。
製造に際してのＰＴＣ機能を付加する半導体化に際して
は、Ｌａ”、Ｙ”Ｃｃ”、Ｓｍ”、Ｃｄコ・Ｓｂ”、
Ｎｂ”等の遷移元素をロ、５ｍｏ１％以下添加する。
添加量がこれよりも多いと、置換量が多すぎて絶縁体化
する。
する。
さらに、その製造過程において、混合・粉砕条件や焼成
条件及び添加物の選択によって、組織制御することによ
り、常温比抵抗がｌＯ°〜１０’Ω・ｃｍと低く、経時
変４ｐが小さく、更にヰ５１７−点以上における抵抗上
昇比が４〜５桁と大きな値を示す優れた特性を引き出す
ことができる。
条件及び添加物の選択によって、組織制御することによ
り、常温比抵抗がｌＯ°〜１０’Ω・ｃｍと低く、経時
変４ｐが小さく、更にヰ５１７−点以上における抵抗上
昇比が４〜５桁と大きな値を示す優れた特性を引き出す
ことができる。
さらに、その焼成中に液相を生じ、粒子間の結合をよ（
しキ３１Ｊ−点付近における経時変化、室温抵抗値に影
響を及ぼす好ましい添加物として作用するために、Ｃｕ
、 Ｂ、 Ｚｒ、 Ｃｒ、 Ｂｉ、 Ｖ、 Ｇｅ、 Ｔ
ｉ。
しキ３１Ｊ−点付近における経時変化、室温抵抗値に影
響を及ぼす好ましい添加物として作用するために、Ｃｕ
、 Ｂ、 Ｚｒ、 Ｃｒ、 Ｂｉ、 Ｖ、 Ｇｅ、 Ｔ
ｉ。
Ｓ ｉ、 Ａｔ、 Ｃｄ、 Ｌａ、 Ｍｎ、 Ｍａ、
Ｐｒ、 Ｔｅ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｗ等の酸化物がＰＴＣ
機能を付加する組成物と、焼成温度範囲内において液相
を生じる金属を、化合物の形で、ＰＴＣ機能を有する化
合物に対し５ｍｏｌ ％以下添加する。
Ｐｒ、 Ｔｅ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｗ等の酸化物がＰＴＣ
機能を付加する組成物と、焼成温度範囲内において液相
を生じる金属を、化合物の形で、ＰＴＣ機能を有する化
合物に対し５ｍｏｌ ％以下添加する。
なお、これらの金属元素は組織調整と特性安定化のため
の添加物として添加されるもので、金属酸化物の形で用
いるのが焼成過程において特にを効であるが、出発原料
の時点で炭化物、窒化物。
の添加物として添加されるもので、金属酸化物の形で用
いるのが焼成過程において特にを効であるが、出発原料
の時点で炭化物、窒化物。
弗化物、塩化物の形で添加することが可能である。
ただし、その添加物が非常に均一に混ざった場合には、
若干、大粒子のものができにくくなる。
若干、大粒子のものができにくくなる。
そのため、適度な混合条件及び焼成条件を選択する必要
がある。
がある。
具体的には、チタン酸バリウム鉛Ｂａｔ−＊ＰｂｗＴｉ
０＝（ｘ＝０．５〜０．９＞ なる組成物全形成ス
ル混合粉末を半導体化する過程において、遷移元素を０
．５ｍｏ１ ％以下と、Ｃｕ、 Ｂ、 Ｚｒ、 Ｃｒ、
Ｂｉ、 Ｖ、 Ｇｅ、 Ｔｉ。
０＝（ｘ＝０．５〜０．９＞ なる組成物全形成ス
ル混合粉末を半導体化する過程において、遷移元素を０
．５ｍｏ１ ％以下と、Ｃｕ、 Ｂ、 Ｚｒ、 Ｃｒ、
Ｂｉ、 Ｖ、 Ｇｅ、 Ｔｉ。
Ｓｉ、 Ｍ！、 Ｃｄ、 Ｌａ、 Ｍｎ、 Ｍｏ、
Ｐｒ、 Ｔｅ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｗ等の酸化物が上記組
成物と焼成温度内で液相を生じる金属を酸化物、炭化物
、窒化物、弗化物、塩化物等の化合物の形で添加配合し
、これを成形後酸化性雰囲気中、９５０〜１２５０℃の
温度範囲の条件で焼成する。
Ｐｒ、 Ｔｅ、 Ｎａ、 Ｋ、 Ｗ等の酸化物が上記組
成物と焼成温度内で液相を生じる金属を酸化物、炭化物
、窒化物、弗化物、塩化物等の化合物の形で添加配合し
、これを成形後酸化性雰囲気中、９５０〜１２５０℃の
温度範囲の条件で焼成する。
要は、添加物によりある程度粒成長させることによって
粒径の異なる組織を得ることであり、混合条件及び焼成
条件を制御することにより、大粒子と小粒子からなる組
織にするものである。
粒径の異なる組織を得ることであり、混合条件及び焼成
条件を制御することにより、大粒子と小粒子からなる組
織にするものである。
最終組成が、Ｅ３ａ、、 ｓｓｓ Ｐｂｏ、 ａ Ｓｂ
ｏ、 ｎｏ＊ Ｔｉ ０３ （１，）組成になるように
、出発原料として、 ＢａＴｉ０（ＣｉＨａ）ｉ’ ４Ｈ２０，ＰｂＯ，Ｔｉ
０ｚ ソれに５ｂ２０３ を秤量し、２４時間湿式ボー
ルミル混合した後、空気中６００℃で３時間仮焼成した
。この焼成物に対し組織調整剤としてＢＮ、 Ｂｉ２
０ａをそれぞれ０．８１１ＩＯ１％、 ０．０８ｍｏ１
％添加し、再び２４時間湿式ボールミル混合し、乾燥
後、２００メツシユの大きさに造粒し、４００ｋｇ／ｃ
ｄの圧力で１０．０ａｍφＸ１．２ｍａｔの円板に形成
し、大気中１０５０℃で３０分間焼成し試料を得た。
ｏ、 ｎｏ＊ Ｔｉ ０３ （１，）組成になるように
、出発原料として、 ＢａＴｉ０（ＣｉＨａ）ｉ’ ４Ｈ２０，ＰｂＯ，Ｔｉ
０ｚ ソれに５ｂ２０３ を秤量し、２４時間湿式ボー
ルミル混合した後、空気中６００℃で３時間仮焼成した
。この焼成物に対し組織調整剤としてＢＮ、 Ｂｉ２
０ａをそれぞれ０．８１１ＩＯ１％、 ０．０８ｍｏ１
％添加し、再び２４時間湿式ボールミル混合し、乾燥
後、２００メツシユの大きさに造粒し、４００ｋｇ／ｃ
ｄの圧力で１０．０ａｍφＸ１．２ｍａｔの円板に形成
し、大気中１０５０℃で３０分間焼成し試料を得た。
第１図は同試料の表面組織の模式図である。これによっ
て、５〜３０ｍの粒子間に２〜３Ｊｓの微粒子が介在し
ていることが判る。
て、５〜３０ｍの粒子間に２〜３Ｊｓの微粒子が介在し
ていることが判る。
こうして得られた試料に、Ｉｎ−Ｇａ電極を塗布しステ
ンレス板を介して５５０℃までの抵抗−温度特性と３０
０℃における抵抗経時変化及び室温における電圧−電流
特性を測定した。その測定結果を第２図、第３図及び第
４図に示す。
ンレス板を介して５５０℃までの抵抗−温度特性と３０
０℃における抵抗経時変化及び室温における電圧−電流
特性を測定した。その測定結果を第２図、第３図及び第
４図に示す。
最終的にＢａｏ、 、ｓｓ Ｐｂ）、 ｓ Ｓｂｏ、
ｏａｔ Ｔｉ Ｏｙの組成になるように、出発原料とし
て、ＢａＴｉ０（Ｃ＝ Ｈ−）−・４ Ｈ２０゜Ｐｂ
ｏ、 ＴＩ Ｏｘ、 ソｔＬｉ： ＳＪ ０３を秤量し
、４時間湿式ボールミル混合した後、空気中６００℃で
３時間仮焼成した。再び２４時間湿式ボールミル混合し
、乾燥後、２００ メツシュの大きさに造粒し、４００
ｋｇ／ｃａｔの圧力で１０．０＋ｕ＋φＸ１．２ｆｆｌ
Ｉｌｔの円板に形成し、大気中１０５０℃で３０分間焼
成した試料を作成した。得られた試料は２〜５膚の粒子
がランダムに存在する組織を示した。
ｏａｔ Ｔｉ Ｏｙの組成になるように、出発原料とし
て、ＢａＴｉ０（Ｃ＝ Ｈ−）−・４ Ｈ２０゜Ｐｂ
ｏ、 ＴＩ Ｏｘ、 ソｔＬｉ： ＳＪ ０３を秤量し
、４時間湿式ボールミル混合した後、空気中６００℃で
３時間仮焼成した。再び２４時間湿式ボールミル混合し
、乾燥後、２００ メツシュの大きさに造粒し、４００
ｋｇ／ｃａｔの圧力で１０．０＋ｕ＋φＸ１．２ｆｆｌ
Ｉｌｔの円板に形成し、大気中１０５０℃で３０分間焼
成した試料を作成した。得られた試料は２〜５膚の粒子
がランダムに存在する組織を示した。
この試料を上記実施例と同様にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し
ステンレス板を介して５５０℃までの抵抗−温度特性と
３００℃における抵抗経時変化及び室温における電圧−
電流特性を測定した。その測定結果を第２図、 ′ｆ
！、３図及び第４図に本発明の実施例と比較して示す。
ステンレス板を介して５５０℃までの抵抗−温度特性と
３００℃における抵抗経時変化及び室温における電圧−
電流特性を測定した。その測定結果を第２図、 ′ｆ
！、３図及び第４図に本発明の実施例と比較して示す。
第２図に示す抵抗−温度特性において、本発明の高温Ｐ
ＴＣサーミスタは、比較例のものと比較して、室温抵抗
値が低く、キ、リー点以上における抵抗変化率が４〜５
桁と大きく、極めて良好な特性を示すことが分かる。
ＴＣサーミスタは、比較例のものと比較して、室温抵抗
値が低く、キ、リー点以上における抵抗変化率が４〜５
桁と大きく、極めて良好な特性を示すことが分かる。
第３図に示す３００℃における抵抗経時変化において、
本発明の場合は、比較例の場合と違って、抵抗経時変化
を殆ど示さない。
本発明の場合は、比較例の場合と違って、抵抗経時変化
を殆ど示さない。
また、第４図に示す電圧−電流静特性においても、本発
明の高温ＰＴＣサーミスタは、限流効果が大きく、層特
性を示しているのに対して、比較例のものは限流効果を
ほとんど示さない。
明の高温ＰＴＣサーミスタは、限流効果が大きく、層特
性を示しているのに対して、比較例のものは限流効果を
ほとんど示さない。
上記、本発明によって以下の効果を奏することができる
。
。
（１） 本発明のＰＴＣサーミスタは、同成分の著し
く粒径の異なる粒子からなる組織をもち、粒子間結合も
強固であるので、室温抵抗値が低く、キュリー点以上に
おける抵抗変化率が４〜５桁といった高特性をもち、更
にキ、 ＩＪ−点付近における抵抗率の経時変化がほと
んどないものである。
く粒径の異なる粒子からなる組織をもち、粒子間結合も
強固であるので、室温抵抗値が低く、キュリー点以上に
おける抵抗変化率が４〜５桁といった高特性をもち、更
にキ、 ＩＪ−点付近における抵抗率の経時変化がほと
んどないものである。
（２）本発明のＰＴＣサーミスタ製造方法によれば、添
加物の種類、その添加量や製造条件を適度にコントロー
ルすることにより、巨大粒子の間に微細粒子が介在した
構造をもつ著しく粒径の異なる粒子からなる組織を得る
ことができ、その結果、室温抵抗値が低く、キュリー点
以上における抵抗変化率が４〜５桁といった高特性を持
ち、更に、キュリー点付近における経時変化がほとんど
ないものである。
加物の種類、その添加量や製造条件を適度にコントロー
ルすることにより、巨大粒子の間に微細粒子が介在した
構造をもつ著しく粒径の異なる粒子からなる組織を得る
ことができ、その結果、室温抵抗値が低く、キュリー点
以上における抵抗変化率が４〜５桁といった高特性を持
ち、更に、キュリー点付近における経時変化がほとんど
ないものである。
第１ｒｇＪは本発明に係るサーミスタの表面組織の模式
図、第２図は本発明の実施例の比抵抗−温度特性を比較
例と比較して示す。第３図は本発明の実施例の３００
℃における抵抗率の経時変化を比較例と比較して示す。 第４図は本発明の実施例の電圧−電流特性を比較例と比
較して示す。 第 図 ０戸ｍ 第 図 時間（ｍｉｎ） ｏｇ Ｖ 手 続 補 正 １゜ 事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２６０９３４号 ２゜ 発明の名称 高温ＰＴＣサーミスタ及びその製造方法３゜ 補正をする者 事件との関係
図、第２図は本発明の実施例の比抵抗−温度特性を比較
例と比較して示す。第３図は本発明の実施例の３００
℃における抵抗率の経時変化を比較例と比較して示す。 第４図は本発明の実施例の電圧−電流特性を比較例と比
較して示す。 第 図 ０戸ｍ 第 図 時間（ｍｉｎ） ｏｇ Ｖ 手 続 補 正 １゜ 事件の表示 昭和６３年 特 許 願 第２６０９３４号 ２゜ 発明の名称 高温ＰＴＣサーミスタ及びその製造方法３゜ 補正をする者 事件との関係
Claims (3)
- １．平均粒径が５μｍ以上のＰＴＣ機能を有する組成物
の粒子間に、同組成物と同組成を有し、且つ粒子径が前
記粒子より小さい粒子径を有する粒子が介在しているこ
とを特徴とする高温ＰＴＣサーミスタ。 - ２．ＰＴＣ機能を有する組成物が、Ｂａ＿１＿−＿ｘＰ
ｂ＿ｘＴｉＯ＿３（ｘ＝０．５〜０．９）の組成を有す
るチタン酸バリウム鉛である特許請求の範囲第１項に記
載の高温ＰＴＣサーミスタ。 - ３．チタン酸バリウム鉛Ｂａ＿１＿−＿ｘＰｂ＿ｘＴｉ
Ｏ＿３（ｘ＝０．５〜０．９）なる組成物を形成する混
合粉末を半導体化する過程において、遷移元素を０．５
ｍｏｌ％以下と、Ｃｕ，Ｂ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｂｉ，Ｖ，Ｇ
ｅ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｄ，Ｌａ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｐｒ
，Ｔｅ，Ｎａ，Ｋ，Ｗ等の酸化物が上記組成物と焼成温
度内で液相を生じる金属を酸化物，炭化物，窒化物，弗
化物，塩化物等の化合物の形で添加配合し、これを成形
後酸化性雰囲気中、９５０〜１２５０℃の温度範囲の条
件で、焼成することを特徴とする高温ＰＴＣサーミスタ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260934A JP2588951B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63260934A JP2588951B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106903A true JPH02106903A (ja) | 1990-04-19 |
| JP2588951B2 JP2588951B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17354802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63260934A Expired - Fee Related JP2588951B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 高温ｐｔｃサーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588951B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04160050A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Sekisui Plastics Co Ltd | 磁器半導体組成物およびその製造方法 |
| KR20030092720A (ko) * | 2002-05-31 | 2003-12-06 | 현대자동차주식회사 | 저 전기비 저항을 갖는 세라믹 ｐｔｃ 조성물 |
| WO2015115421A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物の製造方法、半導体磁器組成物、ｐｔｃ素子、及び発熱体モジュール |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP63260934A patent/JP2588951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04160050A (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-03 | Sekisui Plastics Co Ltd | 磁器半導体組成物およびその製造方法 |
| KR20030092720A (ko) * | 2002-05-31 | 2003-12-06 | 현대자동차주식회사 | 저 전기비 저항을 갖는 세라믹 ｐｔｃ 조성물 |
| WO2015115421A1 (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物の製造方法、半導体磁器組成物、ｐｔｃ素子、及び発熱体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2588951B2 (ja) | 1997-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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