JPS6329408A - 誘電セラミツク体及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はチタン酸バリウム多相を有するセラミック体を
備えるコンデンサーに関し、よシ詳細には異なってドー
プされたチタン酸バリウムの２種の粉末を混合し、ボデ
ィに成形し、焼結して２種類の型のチタン酸バリウム粒
子間の部分反応のみをともない熟成することにより誘電
セラミック体を造ることに関する。

純粋な多結晶質チタン酸バリウムは誘電定数を有してお
ｐｌこの誘電定数は１２５℃のキュＩＪ−温度で犬ぎな
突起を示す他は温度に関して比較的変化しない。誘電定
数は室温でよりキューリー温度で著しく大きい。高い誘
電定数が必要な所望の温度、例えば２５℃に突起とキュ
ーリー温度を移動するためのキューリー点シフターでチ
タン酸バリウムをドープすることは公知である。キュー
リー点低下シフターはニオブ、ランタン、ストロンチウ
ム、ジルコニウム等テある０他方、チタン酸バリウム中
に少量の鉛又はイツトリウムのドープ剤としての添加は
キューリー温度を上昇させる。

コンデンサー誘電体として使用するためのドープ多結晶
質チタン酸バリウムざディは純粋なチタン酸バリウム（
又は選択的にＢａＣＯ３及びＴｌＯ２のようなチタン酸
バリウムの前駆物質）の粉末とドープカチオン、例えば
Ｎｂ＋の前駆物質、例えばＮｂ２Ｏ５の粉末を混合し、
次いで該混合物を型に圧縮するか、又は粉末混合物のボ
ディを他の方法で成形し、ボディを熱処理し、ドープ剤
を反応させて、チタン酸バリウムの結晶粒子中に徐々に
入れることにより製造可能である。”小さな゛カチオン
Ｎｂ＋５はドープ剤として結晶格子中の小ざなチタンカ
チオン（Ｔｘ”）と置きかわる。゛大きな”カチオンＬ
ａ＋３　　はドープ剤として結晶格子中の大きなバリウ
ムカチオン（Ｂａ＋２）　　と置きかわる。そのような
ドープ剤置換及びその効果はバーン（Ｂｕｒｎ）により
米国特許第４２８３７５３号明細書（１９８１年８月１
１日特許交付）中により詳しく説明されている。

熱処理が、チタン酸バリウム粒子のそれぞれ及びすべて
の範囲内でドープ剤の完全で均質な浸透が起こるために
、十分長くかつ十分熱い時、高い誘電定数（Ｋ）が得ら
れるが、Ｋの温度係数（ＴＣ）は市場での興味の対象の
温度範囲を越えて著しく変化する。

より平担なＴＣは、広く適用はれている米商業規格に反
映しているように、しばしば必要と嘔れ、この米商業規
洛はＸ７Ｒと呼ばれ、これはＫにおける変化が、−５５
℃から１２５℃までの温度範囲にわたって２５℃での値
から±１５％より大きくないことを要求している。主に
チタン酸バリウムのセラミック組成物はこの規格に合う
ように作られている。

初期におけるＸ７Ｈの組成物はプロコボヴイツツ（Ｐｒ
ｏｋｏｐｏｗｉｃｚ　）により米国特許第３２３１７９
９号明細曹（１９６６年１月２５日交付）中に記載てれ
ており、ここではド−プ剤、例えばニオブをチタン酸バ
リウムと共に、ガラス含有焼結助剤を用いることなく２
６２０生、（１２７１℃）で１時間の焼結で反応きせた
。プロコポヴイツツ特許における焼結時での反応は、各
粒子すべてにわたってのニオブドープ剤の均質な分散を
達成するためには不完全であり、十分に長く加熱されて
いないか、又は十分に熱くなかったと思われ、更には本
質的に粒子成長はなかった。

小さなプロコボヴイツツ粒子のそれぞれが粒子表面近く
に高濃度のニオブドープ剤を有しており、この濃度は粒
子の中心にむけて急激に減少し、中心ではほぼゼロにな
ると仮定される。

このモデルにおいて、粒子表面のキューリー点は最も低
く、キューＩＪ　−温度は中心が近づくにつれ上昇する
。このようにしてそれぞれすべてのチタン酸バリウム粒
子は同様にドープされ、それぞれはその温度の関数とし
て同様に緩和に変化する誘電定数を有する。しかしなが
ら、該組成物は達せられる特別なＴＣが焼結条件及び出
発チタン酸バリウム粒子径に強く左右きれるという欠点
を有する。

最近、テユ（Ｃｈｕ　）等によって米国特許第４５４０
６７６号明細書（１９８５年９月１０日交付）中に記載
されたＸ７Ｒの組成物は低い焼結温度を得るための焼結
助剤を含む以外はプロコボヴイツツの方法と全く同様で
ある。フラックス又は焼結助剤の添加は液相焼結を促進
するために公知であり、この際チタン酸バリウムは液体
フラックス中に溶け、同時に再結晶する。

そのような助剤、又はフラックスは焼結を低温で行なわ
せるか、又は焼結工程の速度を速める。

ここでも明らかに、それぞれすべてのチタン酸バリウム
粒子は同様に緩和に温度変化する誘電定数を有する。

Ｘ７Ｒセラミツクを作るための他の従来法はレイトン（
Ｌａｙｔｏｎ　）　　により米国特許第４２８３７５２
号明細書（１９８１年８月１１日交付）中に記載されて
おり、この方法は多分異なるキューリー温度を有する２
種類のセラミック粒子の混合物であるセラミック体を提
供する。公知例は、バリウム、ストロンチウム、鉛・ニ
オブ及びフラックスの化合物を含む出発物質の混合物か
ら焼結の際に液体フラックスから沈殿する斜方面体晶系
層結晶材料と正方晶系層結晶材料との混合物からなる。

発明が解決しようとする問題点 本発明の課題は製造においてよシ予測可能であり、制御
可能である、高い誘電定数及びなめらかな温度係数を示
す、部分的に反応したセラミック誘電材料全提供するこ
とである。

問題点を解決するための手段 本発明によれば、誘電体は１０Ｏ０Ｃより高いキューリ
ー温度を有する、第１のチタン酸バリウム粉末（Ａ）と
、口０Ｃより低いキューリー温圧を有する第２のチタン
酸バリウム粉末（Ｂ）、少量の、有利に４重量％より少
量のガラスボレート粉末（Ｃ）、及び有利に２（１／２
）ｌ量％より少量の粉末焼結抑制剤（Ｄ）を混合し；混
合物のボディを形成し；該ボディを焼結して熟成するこ
とにより製造される。

抑制剤（Ｄ）はビスマス、チタン、アンチモン、ジルコ
ン、ハフニウムの酸化物及びこれらの温合物であってよ
い。該抑制剤は異なる粉末の隣接粒子間の反応を妨げ、
かつ限定する効果を有し、このことにより更に、限定さ
れた反応が、ボディ中に広く連続的な中間組成物のスペ
クトルを有し、かつ広い温度範囲にわたって誘電定数の
比較的平担な温度係数を有するセラミック粒子を生成す
るという効果を有している。

実施例 次に図面につき、本発明の実施態様を説明する。

第１図はウェファ−又はディスク型のセラミックコンデ
ンサーの断面図であり、 第２図はモノリシックセラミックコンデンサーの断面図
であり、かつ 第５〜７図は、独々のセラミック材料に関してＫにおけ
る室温での値からの扁差を温度の関数として示したグラ
フ図である。すべてのグラ７ｉ％Ｋ及び温度に関してそ
れぞれ同じ尺度を有する。

イくツカの実験ウェファ−型コンデンサーは第１図に示
したように作られた。ウェファ−ボディ１０は出発セラ
ミック前駆物質粉末及び粉末フラックス、所望であれば
、有機ベヒクル及び″インダー媒体を合し、このスラリ
ー混合物を混練しスラリー中の粒子を均質に分散し１　
ドクターブレード法によシこのスラリーを注型してキャ
ストシートとし、該シートをカットし、約１ｃｉｘ　Ｉ
ｃ１ｘ　０．５ｍｍ（厚さ）の生寸法を有する四角形ウ
ェファ−とし、かつ該ウェファ−を８００℃に約７時間
加熱することにより乾燥するという従来の方法によシま
ず成形した。次いで、該四角ウェファー金（他に記載の
ない限り）１１００℃で閉鎖坩堝中で熱処理した。次い
で、銀電極ペーストを各熟成セラミックウェファ−の２
つの大きい表面に適用し、８００℃に加熱し、２つのコ
ンデンサー電極１１及び１２を形成した。

第２図に示した、いくつかの実験用ギーリシックコンデ
ンサーは次のような常用の工程により作られた。ベヒク
ル中で高熱処理チタン酸バリウムの前駆物質粉末と低熱
処理ガラスフラックスとを混合した。このベヒクルは基
本的にはキシレ重量％重量係及び酢駿アミル６０重量係
の混合物であり、これにメタクリル酸ブチル４重量係及
びレシチ重量型量係が添加きれていた。

固体重量的７０％を含有する、このスラリーヲ約６時間
混練した。

混練スラリーの継続的被覆はガラス基材上に適用され、
各被覆層を順次乾燥し、銀７０％及びパラジウム６０％
からなる電極ペーストラ各乾燥層上にスクリーン印刷し
た。次に継続する誘電層を適用する前に、電極ペースト
のスクリーンパターンを乾燥した。埋め込まれた電極２
１及び２２を有する、第２図中に示したボディ２０を積
層体から切断し、８００℃に加熱し、閉鎖坩堝中でｉｉ
ｏ口０ｃで２τ時間熱処理して熟成する。次いで、埋め
込まれた電極の縁が霧出する、ボディ２０の端部に銀ペ
ーストを適用した。ボディを７５０℃で数分間熱処理し
銀端部２５及び２６を形成した。

平均粒径約１μの高純度コンデンサー品質チタン酸バリ
ウムを粉末ボレートがラスフラックス、Ｃｄ０・２Ｚｎ
Ｏ・Ｂ２０３４重量係と重量％。この出発粉末混合物を
前記方法によるウェファ−コンデンサーを作るために使
用した。温度の関数とシテ、該コンデンサーのキャパシ
タンスの測定は第６図中に示した曲線３２を導いた、こ
の曲線３２は処理温度の関数としてセラミックの誘電定
数の偏差をパーセンテージで表わしている。

フラックス中でのチタン酸バリウムの溶解及び再結晶は
粒子の表面に限定されており、粒子の中心は未変化で残
る。チタン酸バリウムに関する１２５℃というよく知ら
れたキューリー温度は、これよシ高い温度では結晶構造
が立方晶であり、これより低い温度では正方品である温
度を示す。キューリー温度（ＴＣ）は曲線３２中のピー
ク温度に相応する。

第１図のウェファ−コンデンサーの第２の群はニオブド
ープチタン酸バリウム粉末と第１の群におけると同じボ
レートフラッフ２４重量％とを出発物質として製造した
。ドープチタン酸バリウムは酸化バリウム、チタニア及
び炭酸二五 オブを秦酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）　５．３重量％に相
応する量で混合することにより製造した。該混合物を１
２３０℃の温度で焼成した。焼成の際に、各ニオブ原子
はチタン酸バリウム格子に入り込み、チタン原子とかわ
る。平均粒径０．５〜１．０μのドープ粉末を製造する
ために、焼成温度は１１９０℃と１２７５℃の間である
ように抑制きれなければならないということが見い出き
れた。

生じたウェファ−コンデンサーは第６図中の曲線３４に
より示されるような操作温度に対するＫの偏差を示す。

このニオブドータ０チタン酸バリウムのＴＣは約−３０
℃に移動した。

前記の両方のチタン酸バリウム誘電体において、ボレー
トフラックスは支配的なチタン酸バリウム層の粒子境界
で小畑な第２のガラス状層になった。支配的な結晶層と
ガラス層との間に同じように限定された反応があるとい
うことは明らかである、例えばキューリー温度に関して
全く効果がない。

第３の実験においては、第１の群のコンデンサーの粉末
出発材料（純粋ＢａＴｉ○３及びフラックス４重量％）
と第２の群のコンデンサーにオブドーフ０ＢａＴｉ０３
及びフラックス４重量ｏｊ））の粉末出発材料とを混合
した。純粋ＢａＴｉ○３粉末（Ａ）の総量とニオブドー
プ粉末（Ｂ）の総量はＡ／（Ａ＋Ｂ＋Ｆ）が０．６　ｔ
ｌ又は６０％で、Ｂ／（Ａ十Ｂ＋Ｆ）が０．６６又は３
６％であり、ここでＦはフラックスの重量（４％）であ
る。

この６成分粉末混合物を第６群のコンデンサーを作るた
めの出発物質として使用した。操作温度の関数としてＫ
の特徴的な偏差パーセントは第４図中の曲線４３によシ
示きれる。

曲線４３は、出発材料である２種類のチタン酸バリウム
粉末のキューリー温度中間の、約＋３５℃というキュー
リー温度を示す。これはチタン酸バリウムと反応し、ド
ープしたニオブ１モルあたり、キューリー温度において
約５００Ｃの低温温度への移動に達する。このようにし
て五 ニオブがニオブ約１．４モル％、先酸化ニオブ約１．９
重量％の量でチタン酸バリウム粒子のそれ故 それに等しく分乍したことは明らかである。

チタン酸バリウムはフラックスなしでは１１００℃で焼
結しない。がラスフラックスが焼結を助ける機構は液相
焼結として知られており、ここでは融解フラックスの内
外でチタン酸バリウムの同時の溶解及び再結晶が生じる
。液相が焼結する間、ニオブドープ剤は液体フラックス
を介して粒子中に拡散し、粒子は再結晶する。

コンデンサーの第４の群である第２図のモノリシックコ
ンデンサーを製造したが、この際出発材料は純粋なりａ
Ｔｉ○３６７重量％、ニオブ１モルＢａＴｉＯ３及びボ
レートフラックス２重量％からなるほぼ同様な混合物で
あったが、ひとつまみ（１重量％）のチタニア粉末を加
えた。第４図の曲線４５に示烙れたように操作温度の関
数としてのＫにおける特徴的な偏差において著しい変化
が生じた。

第５群のモノリシックコンデンサーは第４番目の実験に
おける出発物質に更にＢｉ２０３１重量％’（ｚ添加し
たことにより作られた。これらのコンデンサーにおける
Ｋの偏差は一５５℃から１２５℃の操作温度にわたって
著しく小さい。

チタニア及び三酸１ヒビスマスは焼結時に２種のチタン
酸バリウム層間の反応を抑制する。これらの１種以上の
抑制剤の影響下にボレートフラックスにより分離された
焼結チタン酸バリウム粒子が創潰され、この粒子は粒子
間の平均ニオブドープ剤度０〜５％の範囲を有している
と思われる。他の抑制化合物はアンチモン、タンタル、
ハフニウム及びゾルコンを含むことが予期きれる。しか
しながら、チタン含有化合物、チタン酸バリウムは抑制
剤として使用されないことは明らかである。別の実験に
おいては、付加的なチタン酸ビスマスは同様に全く抑制
効果を示さなかった。一般に、抑制剤は酸化物、炭解し
、抑制剤原子を残し、こうして゛抑制剤元素”、例えば
Ｂ１はチタン酸バリウムの表面と自由に反応する。

第６、第７及び第８実験ウェファ−コンデンサーはそれ
ぞれ５％ニオブドープチタン酸バリウム犯重量係、ボレ
ートフレックス２．５重量％及びチタニ重量型量係の出
発粉末混合物を使用した。コンデンサーの第６、第７及
び第８群の出発粉末において、それぞれＢ１゜０３ゼロ
、Ｂｉ２Ｏ３１，５重量％及びＢｉ２Ｏ３３重量％を添
加した。出発混合物の残りは純粋なチタン酸バリウムか
らなっている（それぞれ６６．５重量％、６５重量％及
び６３．５重量％）。相応するΔに／に対Ｔの曲線５７
．５５及び５３をそれぞれ第５図中に示す。ビスマスの
反応抑制効果が著しく大きいことがこれかられかる。

第６図中の曲線６０はモノリシツクコンデンサーとして
第２図のように製造された第９群のコンデンサーの曲線
であり、特に所望な性能特徴を有している。Ｋは全昌度
範囲にわたって１１％よシ大きく変化せず、２５℃での
Ｋは２２６０である。大きなカチオンＬａ＋３がキュー
リー温度降下ドープ剤として使用された。チタン酸バリ
ウム結晶において大きなカチオン位置でＢａ＋２と置換
する。更に、鉛をキューリー温度上昇用ドーパ剤として
使用している。鉛は同様にＢａ＋２イオンと等価Ｐｂ＋
２としで置換する。

第２図のモノリンツクコンデンサーである第９群は（Ａ
）　ＰｂＯ５重量％でシープされたチタン酸バリウム６
０重量％、（Ｂ）酸化ランタン７．５％でドープされた
チタン酸バリウム６７．５重量％、（Ｃ）ボレートフラ
ンクス粉末１．５重量％、及び（Ｄ）　Ｂｉ２Ｏ３１，
０重量％の出発粉末混合物を有する。焼結の際にコンデ
ンサー漏れ抵抗を改良するためにチタン酸バリウムのそ
れぞれに炭酸マンガン０．１重量％を添加した。しかし
、このマンガンを効果的であるようにするためには粉末
Ａ及びＢ中に、暁結しなければならない。これはキュー
リー温度にほぼ効果を与えない。

第２図のモノリシックコンデンサーである第１０群は囚
純粋な（小量のマンガンを除いて）チタン酸バリウム５
９．４重量％、（Ｂ）酸化ランタン７．５重量％でドー
プきれたチタン酸バリウム粉末ｓ７．ｓｉ量％、（Ｃ）
ボレートフラックス粉末１．５Ｍ量係、及び（Ｄ）　Ｂ
ｉ２Ｏ３１，６重量％の出発粉末混合物を有する。両方
の層Ａ及びＢは同様に炭酸マンガン０．５％等をも含有
する。

第７図の曲線７０によって示されるように、これらのコ
ンデンサーのキャパシタンス及びＫは全操作温度範Ｈに
わたって８％を越えて変化しない。これらのコンデンサ
ーは著しく小量く０．６ミル（１５ミクロン）のりすい
活性誘電層及び埋め込まれた電標４０個を有する。これ
らのコンデンサーのいくつかは１１０口０Ｃで２（１／
２）時間焼結てれるかわりに、１１０Ｑ００で１８時間
焼結した。これらの長時間熱処理コンデンサーの室温に
は７％上昇するが、％に／には第７図中の曲線７３によ
って示されるようにあまり平担ではない。このことは焼
結条件における著しい変化にもかかわらず、コンデンサ
ー特性の著しい安定性を示す。これらのコンデンサーは
群４〜９のものと同様に無数層のセラミック材料を結合
してなり、これは部分的にのみ反応し、操作温度の関数
としてのキャパシタンスの所望の平担ζを供給する。こ
の安定性は製法の制御を確実にし、最終生成物中のキャ
パシタンス特性を断定することができるようにする。

焼結時間が目立って広い範囲に変化し℃も、このような
部分的に反応したセラミック組成物は安定で低いＴＣＣ
及びＫを供給することができる。しかしながら、同じよ
うな安定性が、それぞれ１０５０００１１０７５℃１１
１０ロ０Ｃ及び１２２０℃で・焼結した例１０と同じ組
成の（ただし、酸化ビスマス１．４重量％を使用）サン
フ０ルに関して、一定の焼結時間２１時間で観祭された
ということる見い出したことは意外であった。

Ｋは１１０口０Ｃで熱処理した装置の値から、最高でわ
ずか１２％変化し、ＴＣＣは１１００℃で熱処理した価
から一５５℃でわずか３易そして１２５℃で２％のみ変
化した。信じられな−・程ＣＴＴはほとんど変化しない
。製造パラメータの関数として非敏感性のこれらの表示
は理解されないが、特にＸ７Ｒ型セラミツクに関して通
常でなく所望な特性を示している。

本発明の実施において、ニオブ及びランタン以外のキュ
ーリー点降下ドーパ剤、例えばヒ素、ビスマス及びアン
チモンのようなものを使用可能である。同様に他の低融
点ガラスフラックスを使用可能であるが、ボレートフラ
ックスが（例えばシリケートヲ越えて）その低融点のた
めに有利であり、このことは焼結の間チタン酸バリウム
粒子のより完全な湿潤であると思われる。

本発明のセラミック体を有するコンデンサーを表わす第
６〜１０群のコンデンサーは第１及び２群の比較コンデ
ンサーよりもより平担なキャパシタンスの温度保１！！
、を示す。

前記１０実施例において、焼結体はすべて理論密度の約
９５であり、優れた特性を有している。より高い温度は
一般により高い密度のボディを製造するが、１１５０℃
より高い温度では２種のチタン酸バリウム層の活性は、
Ｂｉ２Ｏ３のような抑制剤の更なる添加によっても抑制
することが困難な点まで増大する。ガラス焼結フランク
スの更なる添加において、高い密度を達成することがで
きる焼結温度が低下するということは十分に立証されて
いる。しかしながら、多量のフラックス量は低いＫのよ
り大きい内部粒状ガラス状層を製造し、全体にわたるＫ
はこの際ひどく降下し、比例してＸ　７　Ｒｆｆｉボデ
ィとしての利用性は下がる。従って、本発明の方法にお
ける焼結温度は１０００℃〜１１５０’Ｃの範囲に限定
され、フラックスは有利に１〜４重量％に限定てれる。

本発明のセラミックの製造に適用される２種の出発物質
チタン酸バリウム相の反応性はこれらの出発粉末の粒子
径に依存する。この依存性は容易に制御きれる。例えば
、出発粉末の２種の混合物のそれぞれは純粋なチタン酸
バリウム５９．５重量％、前述のランタントープチタン
酸バリウム６７．５重量％及びガラス１．５重量％を含
有するように製造された。両方のチタン酸バリウム粉末
は炭酸マンガン０．１重量％を用いて焼結時にトープさ
れた。最初の混合物の出発物質チタン酸バリウム粉末を
、第２の混合物に関するより高い温度で焼結し、最初の
混合物は１ｇあたり２．２０ｍ２０表面積を有し、第２
の混合物は１ｇあたり１．８６ｆｆ１２の表面積を有し
た。

焼結時の反応性が、より小さい粒子粉末に関して犬であ
るので、第１の出発混合物には反応性抑制剤Ｂｉ２Ｏ３
１，９重量％を加え、第２の出発混合物にはＢｉ２Ｏ３
１，４重量％だけを加えた。

第１の混合物から製造された焼結熟成ボディは２０５０
の室温Ｋを有し、−５５℃で２％少なく、＋１２５℃で
一り１％少ない。完全に同じ条件下に第２の混合物から
のボディは２００口の誘電定数を有し、−５５℃では１
％小きく、＋１２５℃では一１０係小嘔い。これらのデ
ーターはほとんど差異がなく、熟成体が形成される焼結
温度を減少するためにガラス焼結助剤を使用する時です
ら、粒子成長を制（財）するための焼結抑制剤Ｂ１２ｏ
３の効果を示している。

本発明のセラミック体に関してＫのＴＣにおける所望の
平担さを得るために適用された焼結抑制剤の量は出発チ
タン酸バリウム粉末の粒径に依存しているが、ビスマス
約２．５重量％よりは 多量ｉ％１１５０’ｃの温度での熱処理においてすらボ
ディを多孔性にすると予期されている。

【図面の簡単な説明】

第１図はウェファ−又はディスク型のセラミックコンデ
ンサーの断面図を示し、第２図はモノリシックコンデン
サーの断面図である。第５図〜第７図は種々の誘電セラ
ミック体に関して室温２５℃でのに値からの偏差を温度
の関数として示したグラフ図であり、第３図〜第７図の
すべてのグラフのΔに／Ｋ　（偏差（％））及び温度は
それぞれ同じ尺度を有する。第６図は実施例の第１群及
び第２群のコンデンサーの結果（比較例）を示すグラフ
図であり、第４図は実施例の第６群、第４群、第５群の
コンデンサーの結果を示すグラフ図であり、第５図は実
施例の第６群、第７群、第８群の結果を示すグラフ図で
あり、第６図は実施例の第９群の結果を示すグラフ図で
あり、第７図は第１０群のコンデンサーの結果を示すグ
ラフ図である。 １０．２０・・・ボディ、１１，１２，２１゜２２・・
・電極、２６・・・端部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、１２０℃より高いキューリー温度を有する第１のチ
   タン酸バリウム粉末Ａ、０℃より低いキューリー温度を
   有する第２のチタン酸バリウム粉末Ｂ、少量のガラスボ
   レート粉末Ｃ、及び２（１／２）重量％より少量の粉末
   焼結抑制剤Ｄから成形された、多結晶質チタン酸バリウ
   ムと少量の内部粒状ボレートガラスからなる誘電セラミ
   ック体。 ２、多結晶質チタン酸バリウム量が該セラミック体の９
   ４重量％より多量である特許請求の範囲第１項記載の誘
   電セラミック体。 ３、多結晶質チタン酸バリウムが、これと反応した、ビ
   スマス、チタン、鉛及びこれらの組合わせから選択され
   たドープ剤を含有する特許請求の範囲第１項記載の誘電
   セラミック体。 ４、誘電定数が−５５℃から１２５℃の操作温度にわた
   つて２５℃での値から１５％より大きく変化しない特許
   請求の範囲第１項記載の誘電セラミック体。 ５、ａ）１２００℃より高いキューリー温度を有する第
   １のチタン酸バリウム粉末Ａ、０℃より低いキューリー
   温度を有する第２のチタン酸バリウム粉末Ｂ、少量のガ
   ラスボレート粉末Ｃ及び２（１／２）重量％より少量の
   粉末焼結抑制剤Ｄを混合することにより出発混合物を製
   造し； ｂ）該出発混合物からボデイを成形し；かつｃ）該ボデ
   イを焼結する； ことからなる誘電セラミック体の製法。 ６、抑制剤Ｄがチタン、ビスマス、及びこれらの組合わ
   せから選択された粉末状酸化物又は酸化物等価物である
   特許請求の範囲第５項記載の製法。 ７、抑制剤Ｄがジルコン、ハフニウム、アンチモン、チ
   タン、ビスマス及びこれらの組合わせから選択された粉
   末状酸化物又は酸化物等価物である特許請求の範囲第５
   項記載の製法。 ８、ガラスボレート粉末Ｃの量が出発混合物の４重量％
   より少量である特許請求の範囲第５項記載の製法。 ９、チタン酸バリウム粉末Ａは主に純粋であり、かつキ
   ューリー温度が１２５℃である特許請求の範囲第５項記
   載の方法。 １０、チタン酸バリウム粉末Ａは鉛でドープされており
   、かつキューリー温度が１２５℃より高い特許請求の範
   囲第５項記載の方法。 １１、チタン酸バリウム粉末Ｂがニオブ及びランタンか
   ら選択されたカチオンでドープされている特許請求の範
   囲第５項記載の製法。 １２、チタン酸バリウム粉末Ｂがニオブ、タンタル、ビ
   スマス、アンチモン、ヒ素、ランタン系列希土類元素の
   １種、及びこれらの組合わせから選択されたカチオンで
   ドープされている特許請求の範囲第５項記載の製法。 １３、焼結を１０００℃〜１１５０℃の範囲内にピーク
   を保持する温度で完了する特許請求の範囲第５項記載の
   製法。