JPH02213003A - 高誘電率磁器の製造方法 - Google Patents
高誘電率磁器の製造方法Info
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- JPH02213003A JPH02213003A JP3216589A JP3216589A JPH02213003A JP H02213003 A JPH02213003 A JP H02213003A JP 3216589 A JP3216589 A JP 3216589A JP 3216589 A JP3216589 A JP 3216589A JP H02213003 A JPH02213003 A JP H02213003A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする高誘電率磁
器の製造方法に係わり、特に高誘電率コンデンサーの製
造方法に関するものである。
器の製造方法に係わり、特に高誘電率コンデンサーの製
造方法に関するものである。
(従来の技術)
従来より、高誘電率セラミックコンデンサーとしてチタ
ン酸バリウム(BaTiOz)を主成分として、種々の
添加物を加えた誘電体材料が数多く提案されている。従
来の高誘電率コンデンサーの特性としては、比誘電率の
温度変化率がEXA規格に基づ<Y5V特性を有するも
°ので比誘電率が15000〜20000程度が一般的
である。より高静電容量を得て小型化を図るために更に
高い比誘電率を得ようと試みられている1本出願人は先
に、チタン酸バリウム100重量部に対し、スズ酸バリ
ウム5〜24重量部、酸化ニオブ0.O1〜2.0重量
部および二酸化マンガン0.O1〜0.5重量部を添加
することにより、EIA規格にもとづく温度特性がY5
V特性を満足し、比誘電率が従来の2〜3倍である30
000〜40000のものが得られることを発見し特許
出願した(特願昭62−260113 ) 。
ン酸バリウム(BaTiOz)を主成分として、種々の
添加物を加えた誘電体材料が数多く提案されている。従
来の高誘電率コンデンサーの特性としては、比誘電率の
温度変化率がEXA規格に基づ<Y5V特性を有するも
°ので比誘電率が15000〜20000程度が一般的
である。より高静電容量を得て小型化を図るために更に
高い比誘電率を得ようと試みられている1本出願人は先
に、チタン酸バリウム100重量部に対し、スズ酸バリ
ウム5〜24重量部、酸化ニオブ0.O1〜2.0重量
部および二酸化マンガン0.O1〜0.5重量部を添加
することにより、EIA規格にもとづく温度特性がY5
V特性を満足し、比誘電率が従来の2〜3倍である30
000〜40000のものが得られることを発見し特許
出願した(特願昭62−260113 ) 。
(発明が解決しようとする課題)
チタン酸バリウム100重量部に対し、スズ酸バリウム
5〜24重量部、#化ニオブ0.O2N2.0重量部お
よび二酸化マンガン0.01〜(1,5重量部を含む高
誘電率磁器材料は30000〜40000の高い比誘電
率を有するか、その性能が製造する際の混合条件、仮焼
条件に敏感に影響され、再現性の面で問題があった。
5〜24重量部、#化ニオブ0.O2N2.0重量部お
よび二酸化マンガン0.01〜(1,5重量部を含む高
誘電率磁器材料は30000〜40000の高い比誘電
率を有するか、その性能が製造する際の混合条件、仮焼
条件に敏感に影響され、再現性の面で問題があった。
(課題を解決するための手段〕
本発明者は、主原料および添加物の混合条件、添加方法
ならびに仮焼条件を詳細に調べ、再現性よく高誘電率の
性能を発揮する製法を検討した結果、本発明に至つた。
ならびに仮焼条件を詳細に調べ、再現性よく高誘電率の
性能を発揮する製法を検討した結果、本発明に至つた。
その発明の要旨は、チタン酸バリウム 100重量部に
対し、スズ酸バリウム 5〜24重量部、酸化ニオブ0
.1〜2.0重量部および二酸化マンガン0.01〜0
.5重量部を含む高誘電率磁器の製造方法において、 (イ) Ba、 TiおよびNbのそれぞれの化合物を
混合し、仮焼してNbを添加したチタン酸バリウムを造
る第一工程と (ロ) Ba、 SnおよびMnのそれぞれの化合物を
混合し、仮焼して訃を添加したスズ酸バリウムを造る第
二工程と その後、これら2つの工程で造られたものを混合、仮焼
、成形、焼成することを特徴とする高誘電率磁器の製造
方法であり、 または、上記の第一工程で得られたNbを添加したチタ
ン酸バリウムの結晶構造が立方晶と正方品の混合物であ
るかまたは混晶であることを特徴とする高誘電率磁器の
製造方法である。
対し、スズ酸バリウム 5〜24重量部、酸化ニオブ0
.1〜2.0重量部および二酸化マンガン0.01〜0
.5重量部を含む高誘電率磁器の製造方法において、 (イ) Ba、 TiおよびNbのそれぞれの化合物を
混合し、仮焼してNbを添加したチタン酸バリウムを造
る第一工程と (ロ) Ba、 SnおよびMnのそれぞれの化合物を
混合し、仮焼して訃を添加したスズ酸バリウムを造る第
二工程と その後、これら2つの工程で造られたものを混合、仮焼
、成形、焼成することを特徴とする高誘電率磁器の製造
方法であり、 または、上記の第一工程で得られたNbを添加したチタ
ン酸バリウムの結晶構造が立方晶と正方品の混合物であ
るかまたは混晶であることを特徴とする高誘電率磁器の
製造方法である。
主成分のチタン酸バリウムはキュリー点において極めて
高い比誘電率を宥するが、常温付近では、比誘電率が低
い、この点1本発明では、まず、スズ酸バリウム及び酸
化ニオブな適量添加してキュリー点をシフトさせ、常温
付近での高誘電率化を図るものである。
高い比誘電率を宥するが、常温付近では、比誘電率が低
い、この点1本発明では、まず、スズ酸バリウム及び酸
化ニオブな適量添加してキュリー点をシフトさせ、常温
付近での高誘電率化を図るものである。
すなわち、スズ酸バリウム及び酸化ニオブの添加により
、キュリー点の常温側へのシフト量をコントロールする
ことが可能であり、このシフターとしての作用からすれ
ば、一方のスズ酸バリウムの添加量を多くすれば、他方
の酸化ニオブの添加量を必然的に減少することもできる
。酸化ニオブはシフターとしての作用のほか、比誘電率
の温度変化を少なくするデブレッサー及び粒成長抑制剤
としての作用を有している。これらの作用のためには、
チタン酸バリウム100重量部に対しく以下、同じ)、
スズ酸バリウムは少なくとも5重量部以上が必要であり
、酸化ニオブは少なくとも0.01重量部以上が必要で
ある。しかし、スズ酸バリウムを24重量部を超えて多
量に添加しても効果はそれほぼ増加せず、また酸化ニオ
ブな2.0重量部を超えて添加すると却って比誘電率が
低くなるので好ましくない、したがフて、スズ酸バリウ
ムは5〜24重量部、望ましくは10〜18重量部、酸
化ニオブは0.O2N2.0重量部、望ましくは0,3
〜1.0重量部の範囲とする。
、キュリー点の常温側へのシフト量をコントロールする
ことが可能であり、このシフターとしての作用からすれ
ば、一方のスズ酸バリウムの添加量を多くすれば、他方
の酸化ニオブの添加量を必然的に減少することもできる
。酸化ニオブはシフターとしての作用のほか、比誘電率
の温度変化を少なくするデブレッサー及び粒成長抑制剤
としての作用を有している。これらの作用のためには、
チタン酸バリウム100重量部に対しく以下、同じ)、
スズ酸バリウムは少なくとも5重量部以上が必要であり
、酸化ニオブは少なくとも0.01重量部以上が必要で
ある。しかし、スズ酸バリウムを24重量部を超えて多
量に添加しても効果はそれほぼ増加せず、また酸化ニオ
ブな2.0重量部を超えて添加すると却って比誘電率が
低くなるので好ましくない、したがフて、スズ酸バリウ
ムは5〜24重量部、望ましくは10〜18重量部、酸
化ニオブは0.O2N2.0重量部、望ましくは0,3
〜1.0重量部の範囲とする。
上記BaTi0.− Ba5nO,−Nb、O,系に対
し、焼結助剤として二酸化マンガン(MnO*)を添加
することにより比誘電率及び焼結性の向上を図ることが
できる。高比誘電率とするためには、二酸化マンガンは
(1,(11重量部以上が必要であり、0.01重量部
未満では高比誘電率が得られなくなる。しかし、0.5
重量部を超えるとrRやtanδが悪くなるので好まし
くない、したがって、二酸化マンガンの添加量はo、o
i〜0,5重量部の範囲とし、 0.05〜0.3重量
部の範囲が望ましい。
し、焼結助剤として二酸化マンガン(MnO*)を添加
することにより比誘電率及び焼結性の向上を図ることが
できる。高比誘電率とするためには、二酸化マンガンは
(1,(11重量部以上が必要であり、0.01重量部
未満では高比誘電率が得られなくなる。しかし、0.5
重量部を超えるとrRやtanδが悪くなるので好まし
くない、したがって、二酸化マンガンの添加量はo、o
i〜0,5重量部の範囲とし、 0.05〜0.3重量
部の範囲が望ましい。
なお、これらの各成分は純度g9.8%以上のものを使
用し、 Si、 Ca、 A文、―g等の不純物は比
誘電率、IR等を下げるなどの影響を及ぼさない限度内
に規制するのが望ましい。
用し、 Si、 Ca、 A文、―g等の不純物は比
誘電率、IR等を下げるなどの影響を及ぼさない限度内
に規制するのが望ましい。
また、チタン酸バリウム、スズ酸バリウム。酸化ニオブ
、二酸化マンガンは、酸化物形態の組成物としてのもの
であり1例えば、チタン酸バリウムとしてはBaCO3
+ T 1O(H)、の混合物を仮焼したもの、或いは
BaC0z粉+TiO□粉、アルコラード加水分解物で
もよい、またスズ酸バリウムとしてはBaC0,+ 5
n(OH)<の混合物を仮焼したもの、或いはBaC0
,粉+SnO,粉、アルコラード加水分解物でもよい、
また酸化ニオブNbtOs 、 NbOx、 l1bO
又はNb(0)1)nを仮焼したものでもよい、また二
酸化マンガンとしては滅n203又はMnCO3−で添
加して仮焼し、これをMnO,基準で所定割合となるよ
うに配合することもできる。
、二酸化マンガンは、酸化物形態の組成物としてのもの
であり1例えば、チタン酸バリウムとしてはBaCO3
+ T 1O(H)、の混合物を仮焼したもの、或いは
BaC0z粉+TiO□粉、アルコラード加水分解物で
もよい、またスズ酸バリウムとしてはBaC0,+ 5
n(OH)<の混合物を仮焼したもの、或いはBaC0
,粉+SnO,粉、アルコラード加水分解物でもよい、
また酸化ニオブNbtOs 、 NbOx、 l1bO
又はNb(0)1)nを仮焼したものでもよい、また二
酸化マンガンとしては滅n203又はMnCO3−で添
加して仮焼し、これをMnO,基準で所定割合となるよ
うに配合することもできる。
すなわち、原料として使用するBa、 Ti、 Sn、
NbおよびMnのそれぞれの化合物としては、それら
の炭酸塩、酸化物のばか水酸化物、これらの有機金属塩
等が同じ様に使用することもできる。
NbおよびMnのそれぞれの化合物としては、それら
の炭酸塩、酸化物のばか水酸化物、これらの有機金属塩
等が同じ様に使用することもできる。
また、各成分の粉末粒度は0.1〜0.3井■の範囲が
望ましい。
望ましい。
本発明者は主成分であるチタン酸バリウム、スズ酸バリ
ウムに対し、酸化ニオブ、および二酸化マンガンをどの
ように添加するか特に酸化ニオブの添加方法が高誘電率
の出現および再現性に大きく寄与していることをつきと
めた。すなわち、酸化ニオブを最適な混合状態にしたと
きのみ高誘電率が得られる。
ウムに対し、酸化ニオブ、および二酸化マンガンをどの
ように添加するか特に酸化ニオブの添加方法が高誘電率
の出現および再現性に大きく寄与していることをつきと
めた。すなわち、酸化ニオブを最適な混合状態にしたと
きのみ高誘電率が得られる。
次にバリウムの化合物として炭酸バリウムを。
チタンの化合物として酸化ニオブを7ニオブの化合物と
して酸化ニオブを、マンガンの化合物として酸化ニオブ
な使用する場合を例にして製造方法につき詳細に説明す
る。
して酸化ニオブを、マンガンの化合物として酸化ニオブ
な使用する場合を例にして製造方法につき詳細に説明す
る。
まず、第一工程として炭酸バリウムと酸化チタンおよび
酸化ニオブを混合し、900〜1200℃で仮焼してニ
オブな含むチタン酸バリウムを得る。この仮焼粉のX線
による結晶構造は、混合が不十分な場合には図・lに示
す様に正方晶であり、混合が十分な場合には図・3に示
す様に立方晶である。すなわち、図・lに示した様に、
X線回折図で20= 100.3および2θ= 100
.9のピークか明確に分離しているのが正方品であり、
明確に分離していない図・3が立方晶である。
酸化ニオブを混合し、900〜1200℃で仮焼してニ
オブな含むチタン酸バリウムを得る。この仮焼粉のX線
による結晶構造は、混合が不十分な場合には図・lに示
す様に正方晶であり、混合が十分な場合には図・3に示
す様に立方晶である。すなわち、図・lに示した様に、
X線回折図で20= 100.3および2θ= 100
.9のピークか明確に分離しているのが正方品であり、
明確に分離していない図・3が立方晶である。
混合か不十分な場合には、ニオブが偏在し、純粋に近い
チタン酸バリウムである正方晶の結晶構造をとる。
チタン酸バリウムである正方晶の結晶構造をとる。
一方、十分に混合した場合には、ニオブが均一に分散し
、仮焼によりチタン酸バリウムに固溶され結晶構造は立
方晶になる。
、仮焼によりチタン酸バリウムに固溶され結晶構造は立
方晶になる。
混合状態が両者の中間状態では、図・2に示す様に立方
晶と正方晶の中間のX線回折図になる。
晶と正方晶の中間のX線回折図になる。
図・2で曲線lは実測のピークを示し1曲線2及び3は
、実測のピークを20= 100.4及び2θ=100
.9にピークをもつ、二つのピークに分離した曲線を示
している0曲線2の強度I2と半価幅B、及び曲線3の
強度■3と半価幅B、のそれぞれの比、すなわち強度比
13 / I g及び半価幅比Bs/Bxで便宜的に混
合状態を表すことができるとして1強度比1 z /
I tが1.8〜2.2の範囲で、かつ半価幅比Bs
/ B xが0.57〜0.70の範囲であるニオブな
含むチタン酸バリウムを使用することが望ましい0強度
比が2.2を超え、かつ半価幅比が0.70を超えると
正方晶に近くなり、混合不十分である。又1強度比か1
.8未満でかつ半価幅比が0.57未満では立方晶に近
くなり、混合しすぎである。
、実測のピークを20= 100.4及び2θ=100
.9にピークをもつ、二つのピークに分離した曲線を示
している0曲線2の強度I2と半価幅B、及び曲線3の
強度■3と半価幅B、のそれぞれの比、すなわち強度比
13 / I g及び半価幅比Bs/Bxで便宜的に混
合状態を表すことができるとして1強度比1 z /
I tが1.8〜2.2の範囲で、かつ半価幅比Bs
/ B xが0.57〜0.70の範囲であるニオブな
含むチタン酸バリウムを使用することが望ましい0強度
比が2.2を超え、かつ半価幅比が0.70を超えると
正方晶に近くなり、混合不十分である。又1強度比か1
.8未満でかつ半価幅比が0.57未満では立方晶に近
くなり、混合しすぎである。
ともに、高誘電率を得るには好ましくなくなる。
なお、上記のX線回折の測定条件は下記の表による。
表
また、今回使用したX線回折装置は理学電機製ガイガー
フレックスRAD−2B型である。
フレックスRAD−2B型である。
一方仮焼温度は、 900°C以下では未反応の炭酸バ
リウムが残存し、反応は終了していない、又3!200
℃以上では粒が成長して粒同志がくっつき解砕に手間か
かかることより仮焼温度は、900℃〜1200℃が望
ましい。
リウムが残存し、反応は終了していない、又3!200
℃以上では粒が成長して粒同志がくっつき解砕に手間か
かかることより仮焼温度は、900℃〜1200℃が望
ましい。
次に第二工程として炭酸バリウムと酸化スズ及に二酸化
マンガンを十分に混合し、1000℃〜1200℃で仮
焼し、マンガンを含むスズ酸バリウムを得る。この場合
の混合は十分に行い、仮焼粉の結晶構造は立方晶である
のが望ましい、仮焼温度は、1000℃以下では未反応
の炭酸バリウムが残存し、反応は終了していない、又、
1200℃以上では粒が成長し、粒同志かくっつき解砕
に手間がかかることより仮焼温度は1000℃から12
00℃が望ましい。
マンガンを十分に混合し、1000℃〜1200℃で仮
焼し、マンガンを含むスズ酸バリウムを得る。この場合
の混合は十分に行い、仮焼粉の結晶構造は立方晶である
のが望ましい、仮焼温度は、1000℃以下では未反応
の炭酸バリウムが残存し、反応は終了していない、又、
1200℃以上では粒が成長し、粒同志かくっつき解砕
に手間がかかることより仮焼温度は1000℃から12
00℃が望ましい。
次に第一工程で得られたニオブな含むチタン酸バリウム
と第二工程で得られたマンガンを含むスズ酸バリウムと
を混合し、1100℃〜1200℃で仮焼する。この場
合の混合は1100℃で仮焼した場合にスズ酸バリウム
がチタン酸バリウムに十分固溶される程度に混合される
のが望ましい、又、 1200℃以上では粒か成長し1
粒同志がくっつき解砕に手間がかかることより仮焼温度
は、 1100℃〜1200℃が望ましい。
と第二工程で得られたマンガンを含むスズ酸バリウムと
を混合し、1100℃〜1200℃で仮焼する。この場
合の混合は1100℃で仮焼した場合にスズ酸バリウム
がチタン酸バリウムに十分固溶される程度に混合される
のが望ましい、又、 1200℃以上では粒か成長し1
粒同志がくっつき解砕に手間がかかることより仮焼温度
は、 1100℃〜1200℃が望ましい。
得られた最終仮焼粉を解砕し、!形、焼成を行うが、焼
成条件は、1300℃〜1400℃で、2〜3時間焼成
することにより高M’N!、率磁器を再現よく得ること
かできる。炭酸バリウムと酸化チタン及び酸化ニオブを
混合し仮焼する第一工程と炭酸バリウムと酸化スズ及び
二酸化マンガンを混合し仮焼する第二工程とよりなるの
が望ましいが、それぞれの工程で仮焼することなく、次
に述べる工程、すなわち、炭酸バリウムと酸化チタン及
び酸化ニオブを前述の様に最適に混合する第一の工程と
炭酸バリウム、酸化スズおよび二酸化マンガンを十分に
混合する第二の工程とで5それぞれ造られる粉末を混合
して仮焼し、仮焼回数が一回の方法。
成条件は、1300℃〜1400℃で、2〜3時間焼成
することにより高M’N!、率磁器を再現よく得ること
かできる。炭酸バリウムと酸化チタン及び酸化ニオブを
混合し仮焼する第一工程と炭酸バリウムと酸化スズ及び
二酸化マンガンを混合し仮焼する第二工程とよりなるの
が望ましいが、それぞれの工程で仮焼することなく、次
に述べる工程、すなわち、炭酸バリウムと酸化チタン及
び酸化ニオブを前述の様に最適に混合する第一の工程と
炭酸バリウム、酸化スズおよび二酸化マンガンを十分に
混合する第二の工程とで5それぞれ造られる粉末を混合
して仮焼し、仮焼回数が一回の方法。
又は、第一の工程で仮焼し第二の工程では混合のみして
これらを混合後仮焼し、仮焼回数が二回の方法、あるい
は、第一の工程で最適に混合し、第二の工程では仮焼し
、これらを混合後仮焼し、仮焼回数が二回の方法でもよ
いが、再現性および性能的には第一工程および第二工程
でそれぞれ仮焼する方法か好ましい。
これらを混合後仮焼し、仮焼回数が二回の方法、あるい
は、第一の工程で最適に混合し、第二の工程では仮焼し
、これらを混合後仮焼し、仮焼回数が二回の方法でもよ
いが、再現性および性能的には第一工程および第二工程
でそれぞれ仮焼する方法か好ましい。
どちらの方法にしても第一工程での混合状態を前述のご
とく中間的な混合状態にすることが重要である。
とく中間的な混合状態にすることが重要である。
以下1本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1〜5
高純度炭酸バリウム(純度99.8%以上> so、o
。
。
g、高純度酸化チタン(99,8%以上) 20.24
gおよび高純度酸化ニオブ(99,8%以上)0.3
0g、ざらに木105gをボットミルに入れ湿式混合し
た。
gおよび高純度酸化ニオブ(99,8%以上)0.3
0g、ざらに木105gをボットミルに入れ湿式混合し
た。
30、32、コ4.3B、40時間の5水準の混合時間
につき検討した。その後、それぞれを120°Cで3時
間乾燥し、1000℃で2時間空気中で仮焼してニオブ
を添加したチタン酸バリウム試料1〜5を得た。
につき検討した。その後、それぞれを120°Cで3時
間乾燥し、1000℃で2時間空気中で仮焼してニオブ
を添加したチタン酸バリウム試料1〜5を得た。
図・2に実施例1すなわち30時間混合の場合の仮焼粉
の粉末X線回折図を示す、また、各実施例ニラき、X線
回折(7)2θ=IO0,48よび1(10,9のピー
クの強度比、半価幅比を表・lに示す。
の粉末X線回折図を示す、また、各実施例ニラき、X線
回折(7)2θ=IO0,48よび1(10,9のピー
クの強度比、半価幅比を表・lに示す。
次に、高純度炭酸バリウム(純度99.8%以上)so
、oo g、高純度酸化スズ(99,8%以上)ff8
.1’1gおよび高純度二酸化マンガン(99,8%以
上)0.17g、さらに水135gをボットミルに入れ
、湿式で 100時間混合した。その試料を1.20℃
で3時間乾燥した後、 1150℃で2時間空気中で仮
焼し、マンガンを添加したスズ酸バリウムを得た。
、oo g、高純度酸化スズ(99,8%以上)ff8
.1’1gおよび高純度二酸化マンガン(99,8%以
上)0.17g、さらに水135gをボットミルに入れ
、湿式で 100時間混合した。その試料を1.20℃
で3時間乾燥した後、 1150℃で2時間空気中で仮
焼し、マンガンを添加したスズ酸バリウムを得た。
その後、混合時間の異なる5種類の酸化ニオブな含むチ
タン酸バリウム40.OOgと二酸化マンガンを含むス
ズ酸バリウム3.96gをボットミルに水66gととも
に入れ湿式で10時間混合し、 120℃で3時間乾燥
後、1200℃で2時間空気中で仮焼した。仮焼粉のX
線回折より、スズ酸バリウムのピークがみられず、スズ
酸バリウムがチタン酸バリウムに十分固溶されているこ
とを確認した。
タン酸バリウム40.OOgと二酸化マンガンを含むス
ズ酸バリウム3.96gをボットミルに水66gととも
に入れ湿式で10時間混合し、 120℃で3時間乾燥
後、1200℃で2時間空気中で仮焼した。仮焼粉のX
線回折より、スズ酸バリウムのピークがみられず、スズ
酸バリウムがチタン酸バリウムに十分固溶されているこ
とを確認した。
仮焼粉を解砕後、1ton/crrr′の圧力で成形し
、直径8mmφ、厚さ1.2m5tの圧粉成形体を得て
、1350℃で3時間空気中で焼成した。
、直径8mmφ、厚さ1.2m5tの圧粉成形体を得て
、1350℃で3時間空気中で焼成した。
焼結体の両面に銀電極を焼き付け、各種の特性を調べた
。その結果を表・lに併記する。
。その結果を表・lに併記する。
なお、表−i中、62%は25℃でI K)lz、 A
CI Vにて測定した静電容量より求めた比誘電率であ
り、 tanδはこの時の誘電損失を示している。ま
た、IRはDC50Vで測定した絶縁抵抗を示している
。さらに、Δt / eは一30℃〜+85℃の温度範
囲内における+20°Cを基準とした時の比誘電率の温
度変化率を示した。
CI Vにて測定した静電容量より求めた比誘電率であ
り、 tanδはこの時の誘電損失を示している。ま
た、IRはDC50Vで測定した絶縁抵抗を示している
。さらに、Δt / eは一30℃〜+85℃の温度範
囲内における+20°Cを基準とした時の比誘電率の温
度変化率を示した。
表1から明らかなように、本発明例である強度比I :
l / I tが1.8〜2.2かつ半価幅比B、/B
、か0.57〜0.70である実施例1〜5は比誘電率
ε2.は30000以上の値を示し、EIA規格に基づ
<Y5V特性を満足している。
l / I tが1.8〜2.2かつ半価幅比B、/B
、か0.57〜0.70である実施例1〜5は比誘電率
ε2.は30000以上の値を示し、EIA規格に基づ
<Y5V特性を満足している。
比較例1〜5
実施例1〜5と同様に酸化ニオブを含むチタン酸バリウ
ムを造るが、ただ、各原料を混合する時間が10分と2
0時間と実施例1〜5より短かい比較例1,2、並びに
45.50および100時間と実施例1〜5より長い比
較例3〜5に対応する仮焼粉を得た。
ムを造るが、ただ、各原料を混合する時間が10分と2
0時間と実施例1〜5より短かい比較例1,2、並びに
45.50および100時間と実施例1〜5より長い比
較例3〜5に対応する仮焼粉を得た。
二酸化マンガンを含むスズ酸バリウムの造り方および酸
化ニオブを含むチタン酸バリウムと二酸化マンガンを含
むスズ酸バリウムとの混合、乾燥、仮焼法および条件は
実施例1〜5と全く同じである。
化ニオブを含むチタン酸バリウムと二酸化マンガンを含
むスズ酸バリウムとの混合、乾燥、仮焼法および条件は
実施例1〜5と全く同じである。
酸化ニオブを含むチタン酸バリウムを造る際の混合時間
が10分の場合および50時間である比較例1および4
に相当する酸化ニオブを含むチタン酸バリウムの仮焼粉
の粉末X線回折図をそれぞれ図・lおよび図・3に示す
。
が10分の場合および50時間である比較例1および4
に相当する酸化ニオブを含むチタン酸バリウムの仮焼粉
の粉末X線回折図をそれぞれ図・lおよび図・3に示す
。
また、最終の圧粉成形体の5種類のコンデンサー特性を
表・lに載せる。
表・lに載せる。
(以下余白)
(発明の効果)
本発明は、チタン酸バリウム 100重量部に対し、ス
ズ酸バリウム5〜24重量部、酸化ニオブ0.01〜2
.0重量部および二醜化マンガン0.01〜0.5重量
部を含む高誘電率磁器を造る際、三つの工程に分けてそ
れぞれ仮焼し、特に第一工程においてX線回折による結
晶構造の変化から混合状態を把握することにより、再現
性よく高誘電率磁器を造ることができ、生産工程管理も
容易となり、都留り向上ができる。
ズ酸バリウム5〜24重量部、酸化ニオブ0.01〜2
.0重量部および二醜化マンガン0.01〜0.5重量
部を含む高誘電率磁器を造る際、三つの工程に分けてそ
れぞれ仮焼し、特に第一工程においてX線回折による結
晶構造の変化から混合状態を把握することにより、再現
性よく高誘電率磁器を造ることができ、生産工程管理も
容易となり、都留り向上ができる。
図・1〜3は仮焼して得た酸化ニオブを含むチタン酸バ
リウムの粉末X線回折図で、これらを造る際の混合時間
が10分、30時間および50時間の場合のX線回折図
がそれぞれ図・l2図・2および図・3である。 第1図 2θCaKα
リウムの粉末X線回折図で、これらを造る際の混合時間
が10分、30時間および50時間の場合のX線回折図
がそれぞれ図・l2図・2および図・3である。 第1図 2θCaKα
Claims (2)
- (1)チタン酸バリウム 100重量部に対し、スズ酸
バリウム 5〜24重量部、酸化ニオブ 0.01〜2
.0重量部、および二酸化マンガン 0.01〜0.5
重量部を含む高誘電率磁器の製造方法において (イ)Ba、TiおよびNbのそれぞれの化合物を混合
し、仮焼してNbを添加したチタン酸バリウムを造る第
一工程と (ロ)Ba、SnおよびMnのそれぞれの化合物を混合
し、仮焼してMnを添加したスズ酸バリウムを造る第二
工程と その後、これら2つの工程で造られたも のを混合、仮焼、成形、焼成することを特 徴とする高誘電率磁器の製造方法。 - (2)第1請求項記載の製造方法において、第一工程で
得られたNbを添加したチタン酸バリウムの結晶構造が
立方晶と正方晶の混合物であるか、または混晶であるこ
とを特徴とする高誘電率磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3216589A JPH02213003A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3216589A JPH02213003A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02213003A true JPH02213003A (ja) | 1990-08-24 |
Family
ID=12351331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3216589A Pending JPH02213003A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | 高誘電率磁器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02213003A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009084065A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびコンデンサ |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP3216589A patent/JPH02213003A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009084065A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびコンデンサ |
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