JPH01294559A - 高周波用誘電体磁器材料の製造方法 - Google Patents
高周波用誘電体磁器材料の製造方法Info
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- JPH01294559A JPH01294559A JP63123165A JP12316588A JPH01294559A JP H01294559 A JPH01294559 A JP H01294559A JP 63123165 A JP63123165 A JP 63123165A JP 12316588 A JP12316588 A JP 12316588A JP H01294559 A JPH01294559 A JP H01294559A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はペロブスカイト型結晶構造ＡＢＯ３であるＢ
ａ （（ＭｇｘＺｎｌ−ｘ）ｌ／３ （”ａｉ−ｙＮｂ
ｙ）２７ｓ） ｏ３系材料において高密度で安定的に高
いＱ値の得られる高周波用誘電体磁器材料の製造方法に
関する。
ａ （（ＭｇｘＺｎｌ−ｘ）ｌ／３ （”ａｉ−ｙＮｂ
ｙ）２７ｓ） ｏ３系材料において高密度で安定的に高
いＱ値の得られる高周波用誘電体磁器材料の製造方法に
関する。
高周波用誘電体磁器としては近年Ｂａ（Ｍｇ・Ｔａ）Ｏ
系、Ｂ ａ （Ｚ ｎ−Ｔ ａ） Ｏａ系、Ｂ ａ（Ｚ
ｎ ・Ｎｂ）Ｏ系、Ｂａ（Ｍｇ−Ｎｂ）０３系などが
低損失で優れた磁器材料として開発されている。
系、Ｂ ａ （Ｚ ｎ−Ｔ ａ） Ｏａ系、Ｂ ａ（Ｚ
ｎ ・Ｎｂ）Ｏ系、Ｂａ（Ｍｇ−Ｎｂ）０３系などが
低損失で優れた磁器材料として開発されている。
特にＢ ａ （Ｍ ｇ−Ｔ ａ） Ｏａ系では組成物と
して特開昭５３−６０５４４号があり、さらにＭｒ１添
加により低損失化がより一層実現できるとする特開昭５
８−２０６００３号がある。またＢ ａ （（Ｍｇｘ−
ＩＺｎｘ）１７３ （Ｔａｘ−ｙＮｂｙ）２７３） ｏ
３系でもＶ ２０５添加により低損失な磁器が得られて
いる（特開昭６０−２１０５６８号）。他に低損失化の
工夫として湿式合成粉を用いてＱ値１４０００（ｌＯＧ
Ｈｚ）が得られた例（特開昭６２−２３５２５１号）、
焼成方法として急速昇温法を用いた例（昭和６０窯業協
会チ稿集２ＪＯ２）がある。
して特開昭５３−６０５４４号があり、さらにＭｒ１添
加により低損失化がより一層実現できるとする特開昭５
８−２０６００３号がある。またＢ ａ （（Ｍｇｘ−
ＩＺｎｘ）１７３ （Ｔａｘ−ｙＮｂｙ）２７３） ｏ
３系でもＶ ２０５添加により低損失な磁器が得られて
いる（特開昭６０−２１０５６８号）。他に低損失化の
工夫として湿式合成粉を用いてＱ値１４０００（ｌＯＧ
Ｈｚ）が得られた例（特開昭６２−２３５２５１号）、
焼成方法として急速昇温法を用いた例（昭和６０窯業協
会チ稿集２ＪＯ２）がある。
また仮焼方法を工夫した例としてＢａ［Ｚｎ（Ｔ ａ−
Ｎ ｂ） ） Ｏａ系ではあるが、Ｂサイト成分の仮焼
温度を７５０〜１２５０℃に定めることにより低損失化
がはかられたとしている（特開昭６１＝１９１５５７号
）。
Ｎ ｂ） ） Ｏａ系ではあるが、Ｂサイト成分の仮焼
温度を７５０〜１２５０℃に定めることにより低損失化
がはかられたとしている（特開昭６１＝１９１５５７号
）。
Ｂａ（Ｍｇ−Ｔａ）０３系磁器は高周波域において非常
に低損失なものが得られているが、先に述べたように出
発原料としてＢａＣ０、Ｔａ２０５゜ＭｇＯなど酸化物
系を用いた場合は低損失化のためにＭｎ、Ｖ２Ｏ５など
添加する必要があり、添加物を用いない場合でも急速昇
温法など特殊な焼成方法を使う必要がある。
に低損失なものが得られているが、先に述べたように出
発原料としてＢａＣ０、Ｔａ２０５゜ＭｇＯなど酸化物
系を用いた場合は低損失化のためにＭｎ、Ｖ２Ｏ５など
添加する必要があり、添加物を用いない場合でも急速昇
温法など特殊な焼成方法を使う必要がある。
また、湿式合成粉を用いる場合は合成方法など複雑にな
り、かつコスト高となる。
り、かつコスト高となる。
本件発明者は上記の問題を解決するためにＢａ（（Ｍｇ
１−、Ｚ ｎ、）１／３（’ｒａ１−ｙＮｂｙ）２／３
］ ｏ３系・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （
１）（以下式（１）系という）高周波用誘電体磁器材料
の製造方法について鋭意研究した結果、特定条件の下で
仮焼することによってＱ ＞ １００００である安定的
に低損失な磁器を得られることを発見して本件発明を完
成するに到った。
１−、Ｚ ｎ、）１／３（’ｒａ１−ｙＮｂｙ）２／３
］ ｏ３系・・・・・・・・・・・・・・・・・・ （
１）（以下式（１）系という）高周波用誘電体磁器材料
の製造方法について鋭意研究した結果、特定条件の下で
仮焼することによってＱ ＞ １００００である安定的
に低損失な磁器を得られることを発見して本件発明を完
成するに到った。
すなわち本件発明の要旨はペロブスカイト型結晶構造Ａ
ＢＯ３である Ｂａ〔（Ｍｇ８Ｚｎ１−ｘ）１／３（Ｔａ１−７Ｎｂ、
）２／３〕０３系高周波用誘電体磁器材料の製造方法に
おいて、初めにＢサイト原料成分を混合し１２５０〜１
４００℃で仮焼し、これを粉砕したものとＡサイト原料
成分を混合し１１００〜１２００℃で仮焼し、これを粉
砕、成形し１４００〜１７００℃で本焼成することを特
徴とする高周波用誘電体磁器材料の製造方法にある。
ＢＯ３である Ｂａ〔（Ｍｇ８Ｚｎ１−ｘ）１／３（Ｔａ１−７Ｎｂ、
）２／３〕０３系高周波用誘電体磁器材料の製造方法に
おいて、初めにＢサイト原料成分を混合し１２５０〜１
４００℃で仮焼し、これを粉砕したものとＡサイト原料
成分を混合し１１００〜１２００℃で仮焼し、これを粉
砕、成形し１４００〜１７００℃で本焼成することを特
徴とする高周波用誘電体磁器材料の製造方法にある。
上記の発明において式（１）中Ｘ、ｙはＯ＜ｘ≦ｏ、ｇ
ｏ、 Ｑ＜ｙ≦０．２５が好ましく、とりわけ最適値
はｘ−０，３０，’！−〇、０５である。ｘ −０ＪＯ
，ｙ −０，０５の場合の仮焼条件の実験例を以下に記
述するが他の組成においてもその挙動はほぼ同様である
。
ｏ、 Ｑ＜ｙ≦０．２５が好ましく、とりわけ最適値
はｘ−０，３０，’！−〇、０５である。ｘ −０ＪＯ
，ｙ −０，０５の場合の仮焼条件の実験例を以下に記
述するが他の組成においてもその挙動はほぼ同様である
。
尚、Ａサイト成分の原料粉はバリウムの酸化物、水酸化
物の他、炭酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩
が使用可能であり、またＢサイト成分の原料粉はマグネ
シウム、亜鉛、タンタル、ニオブの酸化物、水酸化物、
無機酸塩、有機酸塩が使用できる。
物の他、炭酸塩などの無機酸塩、酢酸塩などの有機酸塩
が使用可能であり、またＢサイト成分の原料粉はマグネ
シウム、亜鉛、タンタル、ニオブの酸化物、水酸化物、
無機酸塩、有機酸塩が使用できる。
上記の組成を有するペロブスカイト型結晶構造である磁
器について仮焼条件を変化させた結果について説明する
。１段目のＢサイト成分仮焼（以下１次仮焼という）は
１０００℃以上、２段目のＢ ａ ＣＯａ混合後の仮焼
（以下２次仮焼という）も１０００℃以上で実験した。
器について仮焼条件を変化させた結果について説明する
。１段目のＢサイト成分仮焼（以下１次仮焼という）は
１０００℃以上、２段目のＢ ａ ＣＯａ混合後の仮焼
（以下２次仮焼という）も１０００℃以上で実験した。
但し１次仮焼温度が１４００℃を超える場合は焼結が進
み、後につづく解砕、粉末化が適度に行ない得ないので
本発明には適さない。第１図は２次仮焼温度を１２００
℃、 １３００℃とし、１次仮焼温度を変化させていっ
た場合のＱ値の変化の例を示したものであり、図中０）
線は２次仮焼温度１２００℃、（ロ）線は２次仮焼温度
１３００℃である。すなわち２次仮焼温度が比較的低い
範囲で１次仮焼温度が１２５０〜１４００℃の下で安定
して高いＱ値が得られる。
み、後につづく解砕、粉末化が適度に行ない得ないので
本発明には適さない。第１図は２次仮焼温度を１２００
℃、 １３００℃とし、１次仮焼温度を変化させていっ
た場合のＱ値の変化の例を示したものであり、図中０）
線は２次仮焼温度１２００℃、（ロ）線は２次仮焼温度
１３００℃である。すなわち２次仮焼温度が比較的低い
範囲で１次仮焼温度が１２５０〜１４００℃の下で安定
して高いＱ値が得られる。
次に１次仮焼温度を１３００℃とし２次仮焼温度を変化
させていった場合の対理論密度（真密度７．８５８ｇ／
ｃｄ、）とＱ値（１１ＧＨ２）の結果を第２図に示す。
させていった場合の対理論密度（真密度７．８５８ｇ／
ｃｄ、）とＱ値（１１ＧＨ２）の結果を第２図に示す。
明らかに２次仮焼温度１１００〜１２００℃の範囲で焼
結密度、Ｑ値とも良好な結果を示す。
結密度、Ｑ値とも良好な結果を示す。
以上はすべて仮焼保持時間２時間の場合であり、雰囲気
は大気中である。又、本焼成は従来公知の方法と同じで
あり、１４００〜１７００℃、好ましくは１５００〜１
８５０℃で行うのが良い。
は大気中である。又、本焼成は従来公知の方法と同じで
あり、１４００〜１７００℃、好ましくは１５００〜１
８５０℃で行うのが良い。
第３図に１次仮焼温度が１３００℃、２次仮焼温度１１
５０℃（ａ）、 １３００℃（ｂ）とした場合の仮焼後
粉砕品ＳＥＭ写真を示す。明らかに後者の場合は粒径が
大きく、焼成には不利に作用する。
５０℃（ａ）、 １３００℃（ｂ）とした場合の仮焼後
粉砕品ＳＥＭ写真を示す。明らかに後者の場合は粒径が
大きく、焼成には不利に作用する。
本発明では原料粉は０．１μｓ以下の粉体を用いること
が好ましく、仮焼後の粉砕、混合も十分に行う必要があ
る。
が好ましく、仮焼後の粉砕、混合も十分に行う必要があ
る。
原料粉として高純度試薬ＭｇＯ，ＺｎＯ。
Ｔａ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５を式（１）中のＸ、ｙを表１記
載の割合になるよう所定量、湿式混合解砕し、瞬間乾燥
した。これを１３００℃で２時間仮焼し、この仮焼粉と
Ｂ ａ ＣＯａを再度、湿式混合解砕し、瞬間乾燥を行
った。２次仮焼は１１５０℃、２時間で行ない解砕、乾
燥を行った後、造粒、整粒、ラバープレス２ｔ／ｃ−で
成形した。この成形品を２００℃／ｈｒの速度で昇温し
空気中ＩＢ００℃、１２時間で焼成した。
載の割合になるよう所定量、湿式混合解砕し、瞬間乾燥
した。これを１３００℃で２時間仮焼し、この仮焼粉と
Ｂ ａ ＣＯａを再度、湿式混合解砕し、瞬間乾燥を行
った。２次仮焼は１１５０℃、２時間で行ない解砕、乾
燥を行った後、造粒、整粒、ラバープレス２ｔ／ｃ−で
成形した。この成形品を２００℃／ｈｒの速度で昇温し
空気中ＩＢ００℃、１２時間で焼成した。
焼結体をスライサーでスライスし研磨した後、共振周波
数が１ＩＧＨｚとなるようにした。このものの密度およ
びＱ値の測定結果を表１に示す。
数が１ＩＧＨｚとなるようにした。このものの密度およ
びＱ値の測定結果を表１に示す。
表 １
〔発明の効果〕
従来、Ｂ ａ （Ｍ ｇ −Ｔ ａ） Ｏａ系磁器は難
焼結性であり、低損失化のために添加物を用いる方法、
湿式合成法を用いる場合があった。これに対し本発明は
仮焼方法を工夫するという簡単な方法により低損失な高
周波用誘電体磁器が得られる。大量生産する際にも特性
面で安定性が増し、バラツキの少ないものが容易に得ら
れる。
焼結性であり、低損失化のために添加物を用いる方法、
湿式合成法を用いる場合があった。これに対し本発明は
仮焼方法を工夫するという簡単な方法により低損失な高
周波用誘電体磁器が得られる。大量生産する際にも特性
面で安定性が増し、バラツキの少ないものが容易に得ら
れる。
第１図は２次仮焼温度１２００℃す、あるいは１３００
℃（ロ）としたときに１次仮焼温度を変化させた場合の
Ｑ値を示したグラフである。 第２図は１次仮焼温度を１３００℃とし、２次仮焼温度
を変化させていった場合の対理論密度とＱ値を示すグラ
フである。 第３図は１次仮焼温度を１３００℃とし２次仮焼温度１
１５０℃（ａ）と１３００℃（ｂ）の粉砕品ＳＥＭ写真
である。
℃（ロ）としたときに１次仮焼温度を変化させた場合の
Ｑ値を示したグラフである。 第２図は１次仮焼温度を１３００℃とし、２次仮焼温度
を変化させていった場合の対理論密度とＱ値を示すグラ
フである。 第３図は１次仮焼温度を１３００℃とし２次仮焼温度１
１５０℃（ａ）と１３００℃（ｂ）の粉砕品ＳＥＭ写真
である。
Claims (2)
- １．ペロブスカイト型結晶構造ＡＢＯ＿３であるＢａ〔
（Ｍｇ＿ｘＺｎ＿１＿−＿ｘ）＿１＿／＿３（Ｔａ＿１
＿−＿ｙＮｂ＿ｙ）＿２＿／＿３〕Ｏ＿３系高周波用誘
電体磁器材料の製造方法において、初めにＢサイト原料
成分を混合し１２５０〜１４００℃で仮焼し、これを粉
砕したものとＡサイト原料成分を混合し１１００〜１２
００℃で仮焼し、これを粉砕，成形し１４００〜１７０
０℃で本焼成することを特徴とする高周波用誘電体磁器
材料の製造方法。 - ２．ペロブスカイト型結晶構造 Ｂａ〔（Ｍｇ＿ｘＺｎ＿１＿−＿ｘ）＿１＿／＿３（Ｔ
ａ＿１＿−＿ｙＮｂ＿ｙ）＿２＿／＿３〕Ｏ＿３が０＜
ｘ≦０．８０，０＜ｙ≦０．２５である請求項１記載の
高周波用誘電体磁器材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123165A JPH01294559A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 高周波用誘電体磁器材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63123165A JPH01294559A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 高周波用誘電体磁器材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294559A true JPH01294559A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14853793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63123165A Pending JPH01294559A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 高周波用誘電体磁器材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133210A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波用誘電体磁器 |
| KR100305313B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2001-12-28 | 이장무 | 유전체세라믹제조방법 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63123165A patent/JPH01294559A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04133210A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波用誘電体磁器 |
| KR100305313B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2001-12-28 | 이장무 | 유전체세라믹제조방법 |
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