KR100355932B1 - 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 - Google Patents
적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100355932B1 KR100355932B1 KR1020000077386A KR20000077386A KR100355932B1 KR 100355932 B1 KR100355932 B1 KR 100355932B1 KR 1020000077386 A KR1020000077386 A KR 1020000077386A KR 20000077386 A KR20000077386 A KR 20000077386A KR 100355932 B1 KR100355932 B1 KR 100355932B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- powder
- barium titanate
- titanate powder
- calcination
- additive
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 79
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 13
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 10
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003966 growth inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N Cyanthoate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)SCC(=O)NC(C)(C)C#N TWDJIKFUVRYBJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
적층 칩캐퍼시티용 티탄산바륨 파우더 제조방법이 제공된다.
본 발명은, 탄산바륨(BaCO3)과 산화타타늄 (TiO2)으로 이루어진 원료물질을 혼합·건조한후 이를 1차 하소하는 단계; 상기 1차 하소에 얻어진 파우더를 1차 조분쇄하고, 여기에 첨가제인 acceptor와 doner를 혼합하여 1차 미분쇄하는 단계; 상기 첨가제가 혼합된 파우더를 건조한 후 이를 2차 하소하는 단계; 및 상기 2차 하소에 의해 얻어지는 파우더를 2차 조분쇄후 이를 2차 미분쇄하는 단계;를 포함하여 구성되는 적층 칩캐퍼시티용 티탄산바륨 파우더 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 유전특성이 우수한 적층칩 캐패시터를 신뢰성있게 제조할 수 있는 티탄산바륨 파우더를 제공함에 유용하다.
Description
본 발명은 적층 칩캐패시터(multi layer ceramic capacitor:MLCC)용 티탄산바륨 파우더의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 유전특성이 우수한 적층 칩캐패시터 제조를 위한 티탄산바륨 파우더를 고상법으로 합성하는 방법에 관한 것이다.
티탄산 바륨 파우더는 강유전체로서 페라이트와 함께 전자 세라믹스의 중요한 구성재료로서 세라믹 콘덴서, PTC(정특성 써미스터) 및 압전체등의 원료로서 현재 광범위하게 사용되고 있다.
특히, X7R MLCC용 원료로 사용되고 있는 티탄산바륨 파우더는 일반적으로 산화티탄과 티탄바륨을 고상반응에 의해 합성시켜 제조하고 있으며, 전기적 특성을향상시키기 위해 MLCC 제조공정시 여러 첨가제를 혼합하고 있다. 이러한 첨가제로는 소성시 Core-shell 구조를 형성하기 위한 MgO등의 입성장 억제제, 환원분위기 소성시 발생하는 격자내 산소공공에 의해 유리(unlocalized)된 전자를 포집함으로써 비저항의 내환원성을 가지게 하는 acceptor, 가속수명을 향상시키기 위해 첨가되는 doner 및 유리(glass)성분의 소결조제를 들 수 있다.
상기 첨가제와 티탄산 바륨 파우더를 혼합시 균일한 혼합이 중요한데, 이는 특히 고용량의 MLCC의 경우 유전체의 두께가 얇아지기 때문에 첨가제와 티탄산바륨 파우더의 균일한 혼합이 더욱 중요해진다. 상세하게 설명하면, 첨가제가 티탄산바륨 파우더에 균일하게 섞이지 않고 부분적으로 편석되어 있을 경우, 티탄산바륨 파우더의 ~106Ω·cm 비저항이 ~1012Ω·cm 비저항을 갖는 shell에 비하여 낮기 때문에 티탄산바륨 파우더가 편석되어 있는 부분의 국부적 비저항편차로 인하여 가속수명 진행시 IR 열화가 빨리 진행되고, 이에따라 신뢰성에 심각한 문제를 유발하기 때문이다. 따라서, 첨가제의 균일한 혼합이 요청되는 것이다.
현재, X7R MLCC의 원료로 사용되고 있는 타탄산 바륨 파우더는 A/B ratio=0.999의 조성에 0.6±0.2㎛정도의 입자크기를 가진다. 이러한 티탄산바륨 파우더의 전기적 특성은 상온유전율이 3000, Tc=125℃ 정도이며, 파우더 자체의 비저항은 ~106Ω·cm이다. 따라서, 도 1의 고상합성법으로 제조된 티탄산 바륨 파우더를 이용하여 MLCC를 제조하는 종래의 공정에서는 X7R 온도특성을 만족하면서 MLCC의 비저항 증가를 위해 후속하는 batch공정에서 doner 및 acceptor, 또는 입성장억제제와 소결조제등을 혼합하여 사용하고 있다.
상기 방법으로 제조된 티탄산 바륨 파우더는 열분해시 온도 및 반응시간의 조절로서 입자의 크기를 조절하는 것이 가능하며, 비교적 공정이 간단하고 파우더 제조원가 저렴하다는 장점이 있다. 그러나, 상기의 방법에서는 고상합성의 특성상 ㎛단위의 확산반응거리를 갖고 있어 반응후 Ba/Ti조성이 국부적으로 불균일할 가능성이 있으며, 티탄산바륨 파우더이외의 첨가제가 batch공정에서 단순히 혼합만 되므로 그 혼합이 균일하지 못할 경우 소결체의 국부적인 비저항 편차를 유발하여 제조되는 MLCC의 절연저항 감소 및 신뢰성에 나쁜 영향을 미치는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 티탄산 바륨 파우더 고상합성공정에서 acceptor와 doner로 이루어진 첨가제를 균일하게 혼합함으로써, 전기특성이 우수한 MLCC 제조가 가능한 티탄산바륨 파우더의 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
도 1은 종래의 티탄산 바륨 파우더의 제조공정도
도 2는 본 발명에 따른 티탄산 바륨 파우더의 제조공정도
도 3은 본 발명에서 1차하소후 티탄산바륨 파우더의,
(a)는 XRD,
(b)는 주사현미경사진
도 4는 본 발명에서 2차하소후 티탄산바륨 파우더의 MnO2첨가량 변화에 따른 주사현미경사진
도 5는 본 발명에서 2차하소후 티탄산바륨 파우더의 XRD
도 6은 본 발명에서 첨가제 MnO2의 첨가량의 변화에 따른 펠렛의 소결조직사진
도 7은 본 발명에서 첨가제 Y2O3의 첨가량의 변화에 따른 펠렛의 소결조직사진
도 8은 본 발명에서 티탄산바륨 파우더의 TCC곡선을 나타내는 그래프
도 9는 본 발명에서 티탄산바륨 파우더의 온도에 대한 DF특성을 나타내는 그래프
도 10은 본 발명의 티탄산바륨 파우더의 온도에 따른 유전율변화를 나타내는 그래프
도 11은 본 발명에서 첨가제 변화에 따른 상온유전율 변화를 나타내는 그래프
도 12는 본 발명에서 첨가제 변화에 따른 DF변화를 나타내는 그래프
도 13은 본 발명에서 첨가제 변화에 따른 비저항변화를 나타내는 그래프
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 탄산바륨(BaCO3)과 산화타타늄 (TiO2)으로 이루어진 원료물질을 혼합·건조한후 이를 1차 하소하는 단계; 상기 1차 하소에 얻어진 파우더를 1차 조분쇄하고, 여기에 첨가제인 acceptor와 doner를 혼합하여 1차 미분쇄하는 단계; 상기 첨가제가 혼합된 파우더를 건조한 후 이를 2차 하소하는 단계; 및 상기 2차 하소에 의해 얻어지는 파우더를 2차 조분쇄후 이를 2차 미분쇄하는 단계;를 포함하여 구성되는 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더의 제조방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 설명한다.
본 발명에 따른 티탄산 바륨 파우더의 제조공정도가 도 2에 나타나 있다. 도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에서는 통상의 고상법과 같이 먼저 원료물질로서 산화타탄(TiO2)과 탄산바륨(BaCO3)을 혼합시킨다. 이때 (Ba/Ti) 비가 0.996~1.000범위에 들도록 산화티탄과 탄산바륨을 정확히 칭량하여 혼합함이 바람직한데, 이는 상술한 비를 충족하지 못할 경우 후속하는 열분해시 입성장이 일어나지 않을 수 있기 때문이다.
상기와 같이 혼합된 원료물질들은 이후 통상의 조건으로 건조한 후 1차 하소처리하는데, 이러한 하소에 의해 아래의 반응식 1과 같이 티탄산 바륨 파우더를 형성하는 것이다.
그러나 이러한 하소 반응과정에서 BaTiO3(BaO·TiO2), Ba2TiO4(2BaO·TiO2), BaTi3O7(BaO·3TiO2)등과 같은 중간생성물이 생성되거나 미반응 탄산바륨 및 산화티탄이 혼재되어 완전한 티탄산바륨(BaTiO3) 파우더의 합성이 이루어지지 않을 수도 있다. 이러한 중간생성물등은 물론 후속하는 2차하소공정을 통하여 제거할 수도 있으나 기본적으로는 1차하소조건을 최적으로 제어함이 중요하다. 이런 연유로, 본발명에서는 상기 1차 하소온도를 900~1200℃로 제한함이 바람직하다.
상기와 같이 마련된 티탄산 바륨 파우더는 그 후 조분쇄공정에서 1차로 조분쇄된후 다시 1차 미분쇄처리되는데, 이때 얻어지는 파우더의 직경 D50을 0.5~1.5㎛로 제한함이 바람직한데, 가장 바람직하게는 0.5~0.6㎛로 제한하는 것이다.
한편, 도 1에 나타난 바와 같이 종래에는 MLCC용 티탄산 바륨 파우더를 제조하는 공정에서는 첨가제가 혼합되지 않았으며, 이러한 첨가제는 MLCC를 제조하는 후속하는 공정중 batch공정에서 혼합되었으며, 이에 따라 유전특성이 우수한 MLCC를 신뢰성있게 제조함에 어려움이 많았다.
따라서, 본 발명에서는 파우더 제조공정중 상기 1차 조분쇄된 파우더에 첨가제를 혼합하고 이를 다시 1차 미분쇄함으로써 첨가제를 파우더에 균일하게 혼합시킴을 그 특징으로 한다.
여기에서 첨가제는 하소된 티탄산바륨 파우더에 환원분위기 소성시 발생하는 전자의 생성을 억제하여 주는 acceptor와 가속수명 시험시 산소공공에 의한 IR열화를 감소시켜 주는 doner로 이루어 진다.
본 발명의 첨가제는 Mn,Ca,Al,Sc중 선택된 1종 또는 2종이상의 acceptor와 La,Y,Er,Yb,Ho,V중 선택된 1종 또는 2종이상의 doner로 조성됨이 보다 바람직하다.
또한, 상기 acceptor와 doner는 산화물의 형태로 첨가됨이 바람직하다.
상기와 같이 첨가제가 혼합된 파우더는 다시 통상의 조건으로 건조된 후 2차 하소 처리된다. 이러한 2차 하소처리에 의하여 혼합된 첨가제의 티탄산바륨 파우더의 성분으로 치환 및 1차 하소후 미반응 생성물의 완전한 반응을 도모할 수 있으므로 그 조건을 최적으로 제어할 것이 필요한데, 본 발명에서는 2차 하소온도를 900~1200℃로 제한함이 바람직하다.
그리고 상기 2차 하소에 의해 얻어지는 파우더는 2차로 조분쇄되고 이후 미분쇄되는데, 이때 분말의 최종입자중 미분입자가 많이 존재할 경우 제조되는 MLCC의 전기적 특성, 특히 DF를 증가시키는 문제가 있으므로 미분발생이 생기지 않도록 주의해야 한다. 바람직하게는 상기 2차 분쇄공정에 의해 얻어지는 최종 분말입자의 직경 D50을 0.5~1.5㎛로 제한하는 것이며, 가장 바람직하게는 0.8~0.9㎛로 제한하는 것이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명한다.
(실시예)
산화티탄 파우더와 탄산바륨 파우더를 잘 혼합하여 건조한후, 전기로에서 1050℃에서 4시간 열분해시켜 그 입경이 0.6±0.2㎛이고 Ba/Ti비가 0.999인 티탄산바륨 파우더를 얻었다. 도 3(a)는 이러한 1차하소후의 파우더의 XRD분석결과를, 3(b)는 그에 대한 주사현미경사진을 나타내고 있는데, 이들로부터 하소후 형성된 파우더는 미반응생성물이 거의 없는 결정성이 좋은 정방정상의 티탄산바륨임을 알 수 있으며, 아울러 하소후 파우더의 평균입경이 0.7㎛임을 알 수 있다.
이와 같이 합성된 티탄산바륨 파우더에 절연저항 및 신뢰성 향상을 위해 acceptor로서 MnO2를, doner로서 Y2O3를 혼합하여 1050℃에서 4시간동안 2차하소를 행하였으며, 이때 혼합되는 MnO2는 0.01,0.05,0.1,0.2,0.3g(파우더 50g당)로, 그리고 Y2O3는 0.05,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5g(파우더 50g당)로 각각 그 첨가량을 달리하였다. 도 4는 이러한 2차하소후의 파우더의 현미경조직사진으로서, 2차하소후에도 하소입자는 거의 성장하지 않음을 알 수 있으며, 아울러, MnO2첨가량이 증가할 수록 작은 입자가 많이 존재함을 알 수 있다. 또한, 도 5는 2차하소후의 티탄산바륨 파우더의 XRD분석결과로서 첨가제 혼입후 이차입자가 생성되지 않음을 알 수 있다.
한편, 상기로 부터 얻어지는 티탄산바륨 파우더로 만든 펠렛(pellet)의 전기적 특성을 알아보기 위하여 1310℃의 고온분위기 소성을 행한후, 그 소결체의 표면조직사진을 도 6 및 도 7에 나타내었다. 상기 도면들에 나타난 바와 같이, MnO2첨가량의 변화는 소결체조직에 큰 영향을 미치지 않지만 Y2O3의 경우 첨가량이 적으면 core shell 구조를 갖지 못하고 입성장이 일어남을 알 수 있다.
그리고 이와 같이 소결처리된 펠렛의 온도에 따른 용량변화율, DF 및 유전율특성을 측정하여 도 8, 9, 10에 각각 나타내었다. 상기 도면들에 나타난 바와 같이, 첨가제를 혼합하여 하소한 경우 복합 티탄산바륨 파우더의 온도특성이 X7R조건을 만족함을 알 수 있다. 또한, doner인 MnO2는 TCC에 거의 영향을 미치지 않으며, Y2O3는 첨가량이 적을 경우에는 순수 티탄산바륨 파우더와 유사한 결과를 나타내나 첨가량이 증가할 수록 고온에서의 절대피크값이 감소함을 알 수 있다. 이는 Y2O3가 acceptor뿐만 아니라 shell을 형성하는데 중요한 작용을 함을 나타내는 결과이다.
또한, 상기와 같이 소결된 펠렛의 MnO2와 Y2O3첨가에 따른 상온유전율 및 DF 변화를 측정하여 도 11와 도 12에 나타내었다. 상기 도에 나타난 바와 같이, DF와 유전율은 첨가제의 양이 증가할수록 포화되는 경향을 나타내는데, DF의 경우 첨가제량이 증가할 수록 감소하는 경향을 나타낸다. 그리고 유전율에 있어서는 Y2O3첨가량이 증가할수록 복합티탄산바륨 파우더의 유전율감소가 일어나고 MnO2는 그 첨가량을 증가할 수록 유전율이 완만하게 증가하였다.
그리고 상기와 같이 소결된 펠렛의 MnO2와 Y2O3첨가에 따른 비저항을 측정하여 도 13에 나타내었다. 상술하면, MnO2의 첨가량이 0.05g(파우더 50g당)일때 비저항이 피크를 나타내고 첨가량이 증가할수록 비저항이 급격히 감소하였으며, Y2O3는 그 첨가량이 클수록 비저항이 급격히 증가하였다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 티탄산 바륨 파우더 고상합성공정에서 acceptor와 doner로 이루어진 첨가제를 균일하게 혼합하고, 이를 이용함으로써 유전특성이 우수한 MLCC를 효과적으로 제조할 수 있는 것이다.
Claims (5)
- 탄산바륨(BaCO3)과 산화타타늄 (TiO2)으로 이루어진 원료물질을 혼합·건조한후 이를 1차 하소하는 단계;상기 1차 하소에 얻어진 파우더를 1차 조분쇄하고, 여기에 첨가제인 acceptor와 doner를 혼합하여 1차 미분쇄하는 단계;상기 첨가제가 혼합된 파우더를 건조한 후 이를 2차 하소하는 단계; 및상기 2차 하소에 의해 얻어지는 파우더를 2차 조분쇄후 이를 2차 미분쇄하는 단계;를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더 제조방법
- 제 1항에 있어서, 상기 acceptor는 Mn,Ca,Al,Sc중 선택된 1종 또는 2종이상이며, 상기 doner는 La,Y,Er,Yb,Ho,V중 선택된 1종 또는 2종이상임을 특징으로 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더 제조방법
- 제 1항에 있어서, 상기 1차 및 2차 하소온도는 900~1200℃임을 특징으로 하는 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더 제조방법
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1차 및 2차 미분쇄에 의해 얻어지는 파우더의 입도가 0.5~1.5㎛임을 특징으로 하는 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더 제조방법
- 제 2항에 있어서, 상기 첨가제인 acceptor와 doner는 산화물형태임을 특징으로 하는 적층 칩캐퍼시터용 티탄산 바륨 파우더 제조방법
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000077386A KR100355932B1 (ko) | 2000-12-16 | 2000-12-16 | 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000077386A KR100355932B1 (ko) | 2000-12-16 | 2000-12-16 | 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020048100A KR20020048100A (ko) | 2002-06-22 |
KR100355932B1 true KR100355932B1 (ko) | 2002-10-12 |
Family
ID=27682505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000077386A KR100355932B1 (ko) | 2000-12-16 | 2000-12-16 | 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100355932B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6571048B2 (ja) | 2016-06-24 | 2019-09-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法 |
-
2000
- 2000-12-16 KR KR1020000077386A patent/KR100355932B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020048100A (ko) | 2002-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100435165B1 (ko) | 티탄산바륨 분말 및 그 제조방법 | |
JP2001316114A (ja) | ペロブスカイト構造を有する酸化物、チタン酸バリウムおよびその製造方法ならびに誘電体セラミックおよびセラミック電子部品 | |
JP4522025B2 (ja) | 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法 | |
KR100466073B1 (ko) | 균일성 및 절연저항성이 증대된 유전체 조성물, 그제조방법 및 이를 이용한 적층 세라믹 콘덴서 | |
KR20100133905A (ko) | 유전물질용 소결체 및 이의 제조 방법 | |
JP4582973B2 (ja) | 誘電体磁器及び積層型電子部品並びに積層型電子部品の製法 | |
KR101732422B1 (ko) | 유전체 제조용 소결 전구체 분말 및 이의 제조 방법 | |
EP1415960B1 (en) | Method for making raw dielectric ceramic powder, dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor | |
WO2020209039A1 (ja) | 誘電性無機組成物 | |
JPH10310469A (ja) | 誘電体セラミック原料粉末の製造方法および誘電体セラミック組成物 | |
KR102184931B1 (ko) | 낮은 유전손실을 갖는 유전체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유전체 | |
JP2005008471A (ja) | 複合酸化物粉末の製造方法、複合酸化物粉末、誘電体磁器組成物、及び積層型電子部品 | |
KR100355933B1 (ko) | X7r 특성 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 | |
KR20110074486A (ko) | 유전체 세라믹 재료의 제조방법 | |
KR100355932B1 (ko) | 적층 칩캐퍼시터용 티탄산바륨 파우더 제조방법 | |
US7147835B2 (en) | Oxide powder for dielectrics, method of manufacturing oxide powder for dielectrics, and multi-layer ceramic capacitor using the same | |
KR100875288B1 (ko) | Y5v 특성이 우수한 mlcc용 유전체 조성물 및 그의제조방법 | |
KR20060135304A (ko) | 저온 소성용 유전체 분말의 제조 방법과 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서의 제조 방법 | |
JP2002284571A (ja) | 温度特性及びdcバイアス特性に優れた誘電体磁器 | |
JP2580374B2 (ja) | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 | |
JP3243874B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
KR100568287B1 (ko) | Y5v 특성이 우수한 적층칩 세라믹캐패시터용유전체조성물의 제조방법 | |
KR20020012878A (ko) | Y5v특성이 우수한 적층칩세라믹캐패시터용 파우더제조방법 | |
JPH07114824A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
KR100533639B1 (ko) | 내환원성 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120710 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130624 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |