JPS6366401B2 - - Google Patents
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- JPS6366401B2 JPS6366401B2 JP56205302A JP20530281A JPS6366401B2 JP S6366401 B2 JPS6366401 B2 JP S6366401B2 JP 56205302 A JP56205302 A JP 56205302A JP 20530281 A JP20530281 A JP 20530281A JP S6366401 B2 JPS6366401 B2 JP S6366401B2
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は室温付近で大きい正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
に関するものである。 チタン酸バリウム（BaTiO3）に希土類元素等
を極く微量添加すると、比抵抗が10〜106Ω・cm
の一種の半導体となり、かつキユリー点に対応し
て異常な正の抵抗温度特性（Positive
Temperature Coefficient、以下PTCと略称す
る）を示すことが1950年代の初めに発見され、そ
の後種々のBaTiO3系半導体磁器材料が開発され
て現在PTCサーミスタ、PTCヒータとして種々
の分野に利用されている。 従来PTC半導体磁器材料として、BaTiO3の
Baサイトに微量の希土類、Ｙ、Bi、Sbなどの３
価の金属元素または１価の銀を置換したり、Ti
サイトにNb、Ta、Ｗなどの５価の金属元素を置
換したもの、或いはこれらのBaTiO3系磁器材料
に微量のAl2O3、SiO2、TiO2などを添加したも
のが知られている。また、抵抗変化が室温付近で
起るようにシフターとしてSrをBaサイトに、Sn
をTiサイトに置換したBaTiO3系半導体磁器材料
も知られている（たとえば特公昭41−17783号公
報及び特公昭41−17784号公報）。 しかるに従来の半導体磁器材料においては添加
剤の添加量が大変微量（たとえばBaTiO31モル
に対してCeの場合約0.001モル、Ag2Oで0.0005〜
0.05モル、Al2O3、SiO2、TiO2の場合それぞれ
0.005〜0.017モル、0.023〜0.05モル、0.0075〜
0.013モルである）で、しかも添加量の許容範囲
がAg2Oを除き極めて狭い。添加量が微量である
と微視的に均一混合することが大変困難であり、
添加量の許容範囲が狭いと混合の不均一が特性の
バラツキの原因となり易い。 本発明はこのような欠点を解消することを目的
とする。この目的を達成するため本発明は、３価
の金属元素の少なくとも１種と１価の金属元素の
少なくとも１種とを固溶限界以下に含有し、かつ
３価の金属元素対１価の金属元素の原子比１：
0.8〜２で含むチタン酸バリウム系磁器材料を所
望の形状に成形した後、空気中で焼成し、焼成完
了後急冷することを特徴とする。 以下に本発明を詳細に説明する。 特公昭42−6112号公報に、BaTiO3に希土類元
素を0.6原子％以上固溶限界までの量で添加し、
焼結後600℃以下の温度まで空気中で３分以内に
冷却すると半導体化したBaTiO3系磁器を得られ
ることが記載されている。しかしながらこの方法
で得られる半導体磁器は正の抵抗温度特性を示さ
ない。本発明者らはこの方法で得られる半導体磁
器の抵抗温度係数を変えるべく種々の添加剤につ
いて実験した結果、３価の金属元素とほぼ同量の
１価の金属元素を添加したBaTiO3系磁器が室温
付近で正の抵抗温度特性を示すことを見出し本発
明に到達した。 ３価の金属元素とは、たとえばイツトリウム、
希土類元素等であり、１価の金属元素とはアルカ
リ金属、タリウム等である。３価の金属元素と１
価の金属元素との原子比は１：0.8〜２が適当で
ある。３価の金属元素に対する１価の金属元素の
原子比率が0.8以下では抵抗温度係数はゼロかや
や負となり、２以上では室温付近の比抵抗が増大
して抵抗温度係数が低下する傾向がある。 本発明において３価の金属元素および１価の金
属元素はBaTiO3のBaサイトの格子点に置換固溶
する。これらの元素の含有量は固溶限界以下とす
る必要がある。固溶限界を超えて添加された元素
は磁器の粒界に析出し、耐湿性を悪化する虞れが
ある。これらの元素の添加は実用的な比抵抗の見
地から、Baサイトの２原子％以上とするのが望
ましい。一層好ましい添加量は５〜10原子％であ
る。 磁器材料の製造は通常のBaTiO3系磁器と全く
同様に行なうことができる。たとえばBaCO3、
TiO2、３価の金属元素の酸化物、１価の金属元
素の炭酸塩または酸化物を所定の割合で調合し、
湿式混合した後乾燥し、空気中で1200℃程度の温
度で予備焼成し、焼成塊を粉砕する。この粉末材
料を加圧成形し空気中で1300〜1400℃で本焼成す
れば焼結して磁器となる。 焼成が完了した磁器は破損しない程度に急冷す
る必要がある。この急冷処理によつて初めてかか
る磁器は半導体化する。この理由は、BaTiO3系
磁器の酸素解離温度が900℃付近にあり、焼成後
この温度を急速に通過するように冷却すれば酸素
欠陥がほぼそのまま保存されるからであると考え
られる。実際上1300〜1400℃の焼成温度領域から
２分以内に600〜700℃程度の温度領域へ焼成磁器
を移動することで充分半導体化し、室温付近で正
の抵抗温度特性を示すようになる。本発明のよう
に添加剤の量の多いBaTiO3系磁器を、焼成後徐
冷すると半導体化しないことは前記特公昭42−
6112号公報にも記載されており、本発明者らも実
験によりこれを確認した。 本発明により、従来に比べてかなり多量の添加
剤を用いることになるため、磁器組成が微視的に
見ても目標組成を逸脱することなく安定した製造
が可能になつた。 以下に比較例および実施例を示す。 比較例 特級試薬BaCO3を40モル部、TiO2（アナター
ゼ）を50モル部、La2O3を2.5モル部の割合で調
合し、メタノールを溶媒としてポリエチレンポツ
トにより24時間ボールミル混合を行なつた。使用
したボールは樹脂コーテイングしたものである。
この混合物の１部はN2ガス雰囲気で、残部は空
気中で1200℃で２時間仮焼し、仮焼物を粉砕し、
この粉末を用いてプレス圧1t／cm3で直径10mm、厚
さ約1.5mmの円盤に加圧成形した。この成形体の
うち、N2ガス雰囲気で仮焼したものはN2ガス中
で、空気中で仮焼したものは空気中で、1350℃で
２時間焼成した。空気中焼成物は焼成炉内で自然
放冷する方法と急冷する方法の２通りの冷却方法
を実験し、N2ガス中焼成物は急冷する方法で冷
却した。急冷は焼成物を焼成ゾーンから炉入口付
近（600〜700℃）に２分で移動させる方法で行な
つた。このようにして得られた焼成物は両面に
Ga−Inペーストを直径５mmの円形に塗布して電
極とし、電極間に10V印加して抵抗を測定し、そ
の比抵抗を算出した。10〜150℃における各焼成
物の比抵抗を第１図に示す。第１図において、No.
１は空気中で徐冷したもの、No.２は空気中で急冷
したもの、No.３はN2ガス中で急冷したものであ
る。 第１図から明らかなように、BaTiO3のBaサイ
トをLaで置換しただけでは急冷しない限り半導
化せず、急冷により半導体化はしても抵抗温度係
数は正にならないことが判る。 実施例 １ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3、Tl2Oを用い、Ba0.8
LaxMxTiO2.8+2x（但しＭは１価の金属元素）と
なるようにBaCO3を40モル部、TiO2を50モル部
で一定とし、La2O3及びNa2CO3、K2CO3、
Cs2CO3、Tl2Oのうちいずれか１種をｘ＝0.025、
0.05、0.075、0.1、0.125、0.15、0.175、0.2、
0.225となるように1.25、2.5、3.75、５、6.25、
7.5、8.75、10、11、25各モル部添加して生成
BaTiO3磁器の比抵抗を測定した。磁器の製造方
法は比較例と同様に行なつたが、仮焼成および本
焼成とも空気中で行ない、焼成後磁器は急冷し
た。ｘの値に対する比抵抗変化を１価の金属元素
毎の曲線として第２図に示す。 第２図の結果から、Laと１価の金属元素の原
子比が１：１の場合、かなり広い添加量範囲で半
導体化することが判る。なお、これらの磁器は全
て正の抵抗温度特性を示した。 実施例 ２ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2CO3をBa0.8La0.05NayTiO2.875+y/2となるよう
に調合し、実施例１と同様の方法でBaTiO3磁器
を作成し、10〜180℃の各温度における比抵抗を
測定した。測定結果を第３図に示す。 第３図において、No.４はｙ＝０のとき、No.５は
ｙ＝0.03（LaとNaの原子比は１：0.6）のとき、
No.６はｙ＝0.035（同１：0.7）のとき、No.７はｙ
＝0.04（同１：0.8）のとき、No.８はｙ＝0.05（同
１：１）のとき、No.９はｙ＝0.07（同１：1.4）の
とき、No.10はｙ＝0.1（同１：２）のとき、を示
す。 第３図から、正特性半導体磁器としてはNo.７〜
No.10が実用的であることが判る。この結果は３価
の金属元素と１価の金属元素の原子比を１：0.8
〜２にすべきことを示唆している。 実施例 ３ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2O3、K2CO3、CsCO3、RbNO3、Tl2Oを用
い、Ba0.8La0.05M0.05TiO2.9（但しＭは１価の金属
元素）となるように調合し、実施例１と同様の方
法でBaTiO3磁器を作成し、10〜180℃の各温度
における比抵抗を測定した。測定結果を第４図に
示す。 第４図から１価の金属元素は何れも正特性半導
体磁器を得るのに効果のあることが判る。 実施例 ４ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、
Na2CO3、Y2O3、Ce2O3、Dy2O3を用い、第１表
に示す組成に調合し、メタノールを溶媒としてポ
リエチレンポツトで24時間ボールミル混合を行な
つた。この混合物は空気中で1200℃で２時間仮焼
した。この仮焼物を粉砕し、プレス圧700Kg／cm3
で直径20mm、厚さ３mmの円盤状に成形し、空気中
で1300℃または1350℃で２時間焼成した。焼成磁
器は室温まで約３分で冷却した。各組成における
焼成温度、25℃における比抵抗および25℃におけ
る抵抗温度係数を第１表に示す。
有するチタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
に関するものである。 チタン酸バリウム（BaTiO3）に希土類元素等
を極く微量添加すると、比抵抗が10〜106Ω・cm
の一種の半導体となり、かつキユリー点に対応し
て異常な正の抵抗温度特性（Positive
Temperature Coefficient、以下PTCと略称す
る）を示すことが1950年代の初めに発見され、そ
の後種々のBaTiO3系半導体磁器材料が開発され
て現在PTCサーミスタ、PTCヒータとして種々
の分野に利用されている。 従来PTC半導体磁器材料として、BaTiO3の
Baサイトに微量の希土類、Ｙ、Bi、Sbなどの３
価の金属元素または１価の銀を置換したり、Ti
サイトにNb、Ta、Ｗなどの５価の金属元素を置
換したもの、或いはこれらのBaTiO3系磁器材料
に微量のAl2O3、SiO2、TiO2などを添加したも
のが知られている。また、抵抗変化が室温付近で
起るようにシフターとしてSrをBaサイトに、Sn
をTiサイトに置換したBaTiO3系半導体磁器材料
も知られている（たとえば特公昭41−17783号公
報及び特公昭41−17784号公報）。 しかるに従来の半導体磁器材料においては添加
剤の添加量が大変微量（たとえばBaTiO31モル
に対してCeの場合約0.001モル、Ag2Oで0.0005〜
0.05モル、Al2O3、SiO2、TiO2の場合それぞれ
0.005〜0.017モル、0.023〜0.05モル、0.0075〜
0.013モルである）で、しかも添加量の許容範囲
がAg2Oを除き極めて狭い。添加量が微量である
と微視的に均一混合することが大変困難であり、
添加量の許容範囲が狭いと混合の不均一が特性の
バラツキの原因となり易い。 本発明はこのような欠点を解消することを目的
とする。この目的を達成するため本発明は、３価
の金属元素の少なくとも１種と１価の金属元素の
少なくとも１種とを固溶限界以下に含有し、かつ
３価の金属元素対１価の金属元素の原子比１：
0.8〜２で含むチタン酸バリウム系磁器材料を所
望の形状に成形した後、空気中で焼成し、焼成完
了後急冷することを特徴とする。 以下に本発明を詳細に説明する。 特公昭42−6112号公報に、BaTiO3に希土類元
素を0.6原子％以上固溶限界までの量で添加し、
焼結後600℃以下の温度まで空気中で３分以内に
冷却すると半導体化したBaTiO3系磁器を得られ
ることが記載されている。しかしながらこの方法
で得られる半導体磁器は正の抵抗温度特性を示さ
ない。本発明者らはこの方法で得られる半導体磁
器の抵抗温度係数を変えるべく種々の添加剤につ
いて実験した結果、３価の金属元素とほぼ同量の
１価の金属元素を添加したBaTiO3系磁器が室温
付近で正の抵抗温度特性を示すことを見出し本発
明に到達した。 ３価の金属元素とは、たとえばイツトリウム、
希土類元素等であり、１価の金属元素とはアルカ
リ金属、タリウム等である。３価の金属元素と１
価の金属元素との原子比は１：0.8〜２が適当で
ある。３価の金属元素に対する１価の金属元素の
原子比率が0.8以下では抵抗温度係数はゼロかや
や負となり、２以上では室温付近の比抵抗が増大
して抵抗温度係数が低下する傾向がある。 本発明において３価の金属元素および１価の金
属元素はBaTiO3のBaサイトの格子点に置換固溶
する。これらの元素の含有量は固溶限界以下とす
る必要がある。固溶限界を超えて添加された元素
は磁器の粒界に析出し、耐湿性を悪化する虞れが
ある。これらの元素の添加は実用的な比抵抗の見
地から、Baサイトの２原子％以上とするのが望
ましい。一層好ましい添加量は５〜10原子％であ
る。 磁器材料の製造は通常のBaTiO3系磁器と全く
同様に行なうことができる。たとえばBaCO3、
TiO2、３価の金属元素の酸化物、１価の金属元
素の炭酸塩または酸化物を所定の割合で調合し、
湿式混合した後乾燥し、空気中で1200℃程度の温
度で予備焼成し、焼成塊を粉砕する。この粉末材
料を加圧成形し空気中で1300〜1400℃で本焼成す
れば焼結して磁器となる。 焼成が完了した磁器は破損しない程度に急冷す
る必要がある。この急冷処理によつて初めてかか
る磁器は半導体化する。この理由は、BaTiO3系
磁器の酸素解離温度が900℃付近にあり、焼成後
この温度を急速に通過するように冷却すれば酸素
欠陥がほぼそのまま保存されるからであると考え
られる。実際上1300〜1400℃の焼成温度領域から
２分以内に600〜700℃程度の温度領域へ焼成磁器
を移動することで充分半導体化し、室温付近で正
の抵抗温度特性を示すようになる。本発明のよう
に添加剤の量の多いBaTiO3系磁器を、焼成後徐
冷すると半導体化しないことは前記特公昭42−
6112号公報にも記載されており、本発明者らも実
験によりこれを確認した。 本発明により、従来に比べてかなり多量の添加
剤を用いることになるため、磁器組成が微視的に
見ても目標組成を逸脱することなく安定した製造
が可能になつた。 以下に比較例および実施例を示す。 比較例 特級試薬BaCO3を40モル部、TiO2（アナター
ゼ）を50モル部、La2O3を2.5モル部の割合で調
合し、メタノールを溶媒としてポリエチレンポツ
トにより24時間ボールミル混合を行なつた。使用
したボールは樹脂コーテイングしたものである。
この混合物の１部はN2ガス雰囲気で、残部は空
気中で1200℃で２時間仮焼し、仮焼物を粉砕し、
この粉末を用いてプレス圧1t／cm3で直径10mm、厚
さ約1.5mmの円盤に加圧成形した。この成形体の
うち、N2ガス雰囲気で仮焼したものはN2ガス中
で、空気中で仮焼したものは空気中で、1350℃で
２時間焼成した。空気中焼成物は焼成炉内で自然
放冷する方法と急冷する方法の２通りの冷却方法
を実験し、N2ガス中焼成物は急冷する方法で冷
却した。急冷は焼成物を焼成ゾーンから炉入口付
近（600〜700℃）に２分で移動させる方法で行な
つた。このようにして得られた焼成物は両面に
Ga−Inペーストを直径５mmの円形に塗布して電
極とし、電極間に10V印加して抵抗を測定し、そ
の比抵抗を算出した。10〜150℃における各焼成
物の比抵抗を第１図に示す。第１図において、No.
１は空気中で徐冷したもの、No.２は空気中で急冷
したもの、No.３はN2ガス中で急冷したものであ
る。 第１図から明らかなように、BaTiO3のBaサイ
トをLaで置換しただけでは急冷しない限り半導
化せず、急冷により半導体化はしても抵抗温度係
数は正にならないことが判る。 実施例 １ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3、Tl2Oを用い、Ba0.8
LaxMxTiO2.8+2x（但しＭは１価の金属元素）と
なるようにBaCO3を40モル部、TiO2を50モル部
で一定とし、La2O3及びNa2CO3、K2CO3、
Cs2CO3、Tl2Oのうちいずれか１種をｘ＝0.025、
0.05、0.075、0.1、0.125、0.15、0.175、0.2、
0.225となるように1.25、2.5、3.75、５、6.25、
7.5、8.75、10、11、25各モル部添加して生成
BaTiO3磁器の比抵抗を測定した。磁器の製造方
法は比較例と同様に行なつたが、仮焼成および本
焼成とも空気中で行ない、焼成後磁器は急冷し
た。ｘの値に対する比抵抗変化を１価の金属元素
毎の曲線として第２図に示す。 第２図の結果から、Laと１価の金属元素の原
子比が１：１の場合、かなり広い添加量範囲で半
導体化することが判る。なお、これらの磁器は全
て正の抵抗温度特性を示した。 実施例 ２ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2CO3をBa0.8La0.05NayTiO2.875+y/2となるよう
に調合し、実施例１と同様の方法でBaTiO3磁器
を作成し、10〜180℃の各温度における比抵抗を
測定した。測定結果を第３図に示す。 第３図において、No.４はｙ＝０のとき、No.５は
ｙ＝0.03（LaとNaの原子比は１：0.6）のとき、
No.６はｙ＝0.035（同１：0.7）のとき、No.７はｙ
＝0.04（同１：0.8）のとき、No.８はｙ＝0.05（同
１：１）のとき、No.９はｙ＝0.07（同１：1.4）の
とき、No.10はｙ＝0.1（同１：２）のとき、を示
す。 第３図から、正特性半導体磁器としてはNo.７〜
No.10が実用的であることが判る。この結果は３価
の金属元素と１価の金属元素の原子比を１：0.8
〜２にすべきことを示唆している。 実施例 ３ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、La2O3、
Na2O3、K2CO3、CsCO3、RbNO3、Tl2Oを用
い、Ba0.8La0.05M0.05TiO2.9（但しＭは１価の金属
元素）となるように調合し、実施例１と同様の方
法でBaTiO3磁器を作成し、10〜180℃の各温度
における比抵抗を測定した。測定結果を第４図に
示す。 第４図から１価の金属元素は何れも正特性半導
体磁器を得るのに効果のあることが判る。 実施例 ４ 特級試薬BaCO3、TiO2（アナターゼ）、
Na2CO3、Y2O3、Ce2O3、Dy2O3を用い、第１表
に示す組成に調合し、メタノールを溶媒としてポ
リエチレンポツトで24時間ボールミル混合を行な
つた。この混合物は空気中で1200℃で２時間仮焼
した。この仮焼物を粉砕し、プレス圧700Kg／cm3
で直径20mm、厚さ３mmの円盤状に成形し、空気中
で1300℃または1350℃で２時間焼成した。焼成磁
器は室温まで約３分で冷却した。各組成における
焼成温度、25℃における比抵抗および25℃におけ
る抵抗温度係数を第１表に示す。
【表】
第１表の結果から３価の金属元素は何れも本発
明に用い得ることが判る。
明に用い得ることが判る。
第１図は、比較例においてBaTiO3のBaサイト
をLaのみで置換した磁器の各温度における比抵
抗を示す図。第２図は、実施例１のBa0.8LaxMx
TiO2.8+2x（但しＭは１価の金属元素）で示される
組成の磁器のｘの値に対する比抵抗を示す図。第
３図は、実施例２のBa0.8La0.05NayTiO2.875+y/2で
示される組成の磁器の各温度における比抵抗を示
す図。第４図は、実施例３のBa0.8La0.05M0.05
TiO2.9（但しＭは１価の金属元素）で示される組
成の磁器の各温度における比抵抗を示す図であ
る。
をLaのみで置換した磁器の各温度における比抵
抗を示す図。第２図は、実施例１のBa0.8LaxMx
TiO2.8+2x（但しＭは１価の金属元素）で示される
組成の磁器のｘの値に対する比抵抗を示す図。第
３図は、実施例２のBa0.8La0.05NayTiO2.875+y/2で
示される組成の磁器の各温度における比抵抗を示
す図。第４図は、実施例３のBa0.8La0.05M0.05
TiO2.9（但しＭは１価の金属元素）で示される組
成の磁器の各温度における比抵抗を示す図であ
る。
Claims (1)
- １ ３価の金属元素の１種と１価の金属元素の１
種とをBaサイトの２原子％以上で且つ固溶限界
以下に含有しかつ３価の金属元素対１価の金属元
素の原子比１：0.8〜２で含むチタン酸バリウム
系磁器材料粉末を所望の形状に成形した後空気中
で焼成し、焼成完了後急冷することを特徴とする
正特性半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205302A JPS58107603A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 正特性半導体磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56205302A JPS58107603A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 正特性半導体磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58107603A JPS58107603A (ja) | 1983-06-27 |
| JPS6366401B2 true JPS6366401B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=16504700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56205302A Granted JPS58107603A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 正特性半導体磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58107603A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4765258B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2011-09-07 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物 |
| JP5267505B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2013-08-21 | 日立金属株式会社 | 半導体磁器組成物 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595673A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive ceramic material and production thereof |
| JPS5611669A (en) * | 1979-07-04 | 1981-02-05 | Toshiba Corp | Air flow mechanism in magnetic disc unit |
-
1981
- 1981-12-21 JP JP56205302A patent/JPS58107603A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595673A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductive ceramic material and production thereof |
| JPS5611669A (en) * | 1979-07-04 | 1981-02-05 | Toshiba Corp | Air flow mechanism in magnetic disc unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58107603A (ja) | 1983-06-27 |
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