JP2000003802A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 室温での抵抗値が低い正特性サーミスタを提
供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウム固溶体を主成分とする
正特性サーミスタ素子を窒素、炭酸ガスあるいは窒素と
炭酸ガスの混合ガス中で正特性サーミスタ素子の抵抗温
度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処理する。
供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウム固溶体を主成分とする
正特性サーミスタ素子を窒素、炭酸ガスあるいは窒素と
炭酸ガスの混合ガス中で正特性サーミスタ素子の抵抗温
度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は正特性サーミスタの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、まずチタン酸バリウムを主成分と
した原料粉末を所望の形状に成形した後、焼成して得ら
れた正特性サーミスタ素体の表面に電極を形成して正特
性サーミスタを得ていた。
した原料粉末を所望の形状に成形した後、焼成して得ら
れた正特性サーミスタ素体の表面に電極を形成して正特
性サーミスタを得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】正特性サーミスタは、
室温での比抵抗が小さく、耐電圧が高いものが望まれて
いる。上記方法で製造した正特性サーミスタにおいて、
室温での比抵抗が低いものは抵抗温度特性の抵抗値変化
が小さいため耐電圧が低く、耐電圧が高いものは比抵抗
が高いという問題点を有していた。そこで本発明は、室
温での比抵抗が小さく、抵抗温度特性の抵抗値変化の大
きい正特性サーミスタを提供することを目的とするもの
である。
室温での比抵抗が小さく、耐電圧が高いものが望まれて
いる。上記方法で製造した正特性サーミスタにおいて、
室温での比抵抗が低いものは抵抗温度特性の抵抗値変化
が小さいため耐電圧が低く、耐電圧が高いものは比抵抗
が高いという問題点を有していた。そこで本発明は、室
温での比抵抗が小さく、抵抗温度特性の抵抗値変化の大
きい正特性サーミスタを提供することを目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、正特性サー
ミスタ素子を窒素中あるいは炭酸ガス中あるいは窒素と
炭酸ガスの混合ガス中で前記正特性サーミスタ素子の抵
抗温度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処理す
ることを特徴とするものであり、正特性サーミスタ素子
を空気中より酸素濃度が低い雰囲気中で熱処理すること
により、酸素欠陥に伴う伝導電子が生成するため比抵抗
は低くなるが、窒素や炭酸ガス雰囲気は還元力が弱いの
で抵抗温度特性の低下は小さく、比抵抗は低いが耐電圧
の高い正特性サーミスタを得ることができ、上記目的を
達成することができる。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、正特性サー
ミスタ素子を窒素中あるいは炭酸ガス中あるいは窒素と
炭酸ガスの混合ガス中で前記正特性サーミスタ素子の抵
抗温度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処理す
ることを特徴とするものであり、正特性サーミスタ素子
を空気中より酸素濃度が低い雰囲気中で熱処理すること
により、酸素欠陥に伴う伝導電子が生成するため比抵抗
は低くなるが、窒素や炭酸ガス雰囲気は還元力が弱いの
で抵抗温度特性の低下は小さく、比抵抗は低いが耐電圧
の高い正特性サーミスタを得ることができ、上記目的を
達成することができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、正特性サーミスタ素子を窒素、炭酸ガスあるいは窒
素と炭酸ガスの混合ガス中で前記正特性サーミスタ素子
の抵抗温度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処
理することを特徴とする正特性サーミスタの製造方法で
あり、室温での抵抗値が低い正特性サーミスタを得るこ
とができる。
は、正特性サーミスタ素子を窒素、炭酸ガスあるいは窒
素と炭酸ガスの混合ガス中で前記正特性サーミスタ素子
の抵抗温度特性の最大抵抗値を示す温度より高温で熱処
理することを特徴とする正特性サーミスタの製造方法で
あり、室温での抵抗値が低い正特性サーミスタを得るこ
とができる。
【０００６】請求項２に記載の発明は、熱処理を酸素濃
度を０．０００１〜０．１ｖｏｌ％の雰囲気で行うこと
を特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、室温での抵抗値が低い正特性サーミスタを
得ることができる。
度を０．０００１〜０．１ｖｏｌ％の雰囲気で行うこと
を特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、室温での抵抗値が低い正特性サーミスタを
得ることができる。
【０００７】請求項３に記載の発明は、熱処理を正特性
サーミスタ素子に電極を設けた後に行うことを特徴とす
る請求項１あるいは請求項２に記載の正特性サーミスタ
の製造方法であり、例えば電極ペーストを焼付け時の熱
処理による正特性サーミスタ素子への影響を防ぐことが
できる。
サーミスタ素子に電極を設けた後に行うことを特徴とす
る請求項１あるいは請求項２に記載の正特性サーミスタ
の製造方法であり、例えば電極ペーストを焼付け時の熱
処理による正特性サーミスタ素子への影響を防ぐことが
できる。
【０００８】請求項４に記載の発明は、正特性サーミス
タ素子は、チタン酸バリウム０．４〜０．９９モル、チ
タン酸ストロンチウム０〜０．４モル、チタン酸鉛０〜
０．４モル、チタン酸カルシウム０．０１〜０．２モル
で合計１モルになるようにしたチタン酸バリウムの固溶
体を主成分とし、副成分として希土類元素あるいはＮ
ｂ，Ｂｉ，Ｓｂのうちから少なくとも１種類と、さらに
Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｎを含有させたものである請求項１から
請求項３のいずれか一つに記載の正特性サーミスタの製
造方法であり、還元雰囲気中の熱処理により抵抗温度特
性の低下が小さい正特性サーミスタを得ることができ
る。
タ素子は、チタン酸バリウム０．４〜０．９９モル、チ
タン酸ストロンチウム０〜０．４モル、チタン酸鉛０〜
０．４モル、チタン酸カルシウム０．０１〜０．２モル
で合計１モルになるようにしたチタン酸バリウムの固溶
体を主成分とし、副成分として希土類元素あるいはＮ
ｂ，Ｂｉ，Ｓｂのうちから少なくとも１種類と、さらに
Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｎを含有させたものである請求項１から
請求項３のいずれか一つに記載の正特性サーミスタの製
造方法であり、還元雰囲気中の熱処理により抵抗温度特
性の低下が小さい正特性サーミスタを得ることができ
る。
【０００９】以下本発明の実施の形態について説明す
る。 （実施の形態１）まず、チタン酸バリウムを主成分とす
る正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ 0.8Ｓｒ0.075Ｐ
ｂ0.075Ｃａ0.05）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．０
１Ａｌ2Ｏ 3＋０．０００５ＭｎＯ3＋０．００２Ｙ2Ｏ3
の組成となるようにＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＰｂＯ，Ｃ
ａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2の各原料
をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥す
る。次に、この正特性サーミスタ材料を空気中、１１０
０℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して乾燥する。この粉
砕粉をポリビニルアルコールからなるバインダーを添加
し造粒し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力
で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、こ
の成形体を、正特性サーミスタ材料１３００℃で２時間
焼成し焼結体を得た。次に、このようにして得られた焼
結体の上、下両面にＡｌペーストを印刷塗布後６００℃
で焼付けし、電極を形成して正特性サーミスタ素子を得
た。この正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性を測定し
たところ、最大抵抗値を示す温度は２５０℃であった。
次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを体積比で１：１に
混合した雰囲気中で、（表１）に示す温度で１時間熱処
理して正特性サーミスタを得た。
る。 （実施の形態１）まず、チタン酸バリウムを主成分とす
る正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ 0.8Ｓｒ0.075Ｐ
ｂ0.075Ｃａ0.05）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．０
１Ａｌ2Ｏ 3＋０．０００５ＭｎＯ3＋０．００２Ｙ2Ｏ3
の組成となるようにＢａＣＯ3，ＳｒＣＯ3，ＰｂＯ，Ｃ
ａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2の各原料
をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合し、乾燥す
る。次に、この正特性サーミスタ材料を空気中、１１０
０℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して乾燥する。この粉
砕粉をポリビニルアルコールからなるバインダーを添加
し造粒し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力
で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、こ
の成形体を、正特性サーミスタ材料１３００℃で２時間
焼成し焼結体を得た。次に、このようにして得られた焼
結体の上、下両面にＡｌペーストを印刷塗布後６００℃
で焼付けし、電極を形成して正特性サーミスタ素子を得
た。この正特性サーミスタ素子の抵抗温度特性を測定し
たところ、最大抵抗値を示す温度は２５０℃であった。
次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを体積比で１：１に
混合した雰囲気中で、（表１）に示す温度で１時間熱処
理して正特性サーミスタを得た。
【００１０】
【表１】
【００１１】この正特性サーミスタの熱処理前の常温抵
抗値（Ｒ25）は９．６Ω、抵抗温度係数（α）は１９．
５％／℃、抵抗値変化幅（Ψ）は３．７×１０5であっ
た。なお、常温抵抗値は２５℃における温度、抵抗温度
係数は下式により計算によって求めたもの、抵抗値変化
幅（Ψ）はΨ＝Ｌｏｇ10（最大抵抗値／最小抵抗値）で
ある。
抗値（Ｒ25）は９．６Ω、抵抗温度係数（α）は１９．
５％／℃、抵抗値変化幅（Ψ）は３．７×１０5であっ
た。なお、常温抵抗値は２５℃における温度、抵抗温度
係数は下式により計算によって求めたもの、抵抗値変化
幅（Ψ）はΨ＝Ｌｏｇ10（最大抵抗値／最小抵抗値）で
ある。
【００１２】〔Ｉｎ（Ｒ２／Ｒ１）／（Ｔ２−Ｔ１）〕
×１００（％／℃） ただし、Ｒ１：常温抵抗値を２倍した抵抗値 Ｔ１：抵抗温度特性におけるＲ１を示す時の温度 Ｔ２：Ｔ１＋３０℃ Ｒ２：抵抗温度特性における温度Ｔ２の時の抵抗値 熱処理後の常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、
抵抗値変化幅（Ψ）を（表１）に示した。
×１００（％／℃） ただし、Ｒ１：常温抵抗値を２倍した抵抗値 Ｔ１：抵抗温度特性におけるＲ１を示す時の温度 Ｔ２：Ｔ１＋３０℃ Ｒ２：抵抗温度特性における温度Ｔ２の時の抵抗値 熱処理後の常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、
抵抗値変化幅（Ψ）を（表１）に示した。
【００１３】（表１）の試料番号１は本発明の範囲外の
もの、２〜５は本発明の範囲内のものである。
もの、２〜５は本発明の範囲内のものである。
【００１４】（表１）から明らかなように試料番号２〜
５は熱処理前と比較し、抵抗値は低くなっている。
５は熱処理前と比較し、抵抗値は低くなっている。
【００１５】（実施の形態２）まず、チタン酸バリウム
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ
0.8Ｓｒ0.075Ｐｂ0.075Ｃａ0.05）ＴｉＯ3＋０．０２Ｓ
ｉＯ2＋０．０１Ａｌ2Ｏ 3＋０．０００５ＭｎＯ3＋０．
００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3，ＳｒＣ
Ｏ3，ＰｂＯ，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
ＭｎＯ2の各原料をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿
式混合し、乾燥する。次に、この正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して
乾燥する。この粉砕粉をポリビニルアルコールからなる
バインダーを添加し造粒し、１平方センチメートル当た
り８００kgの圧力で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成
形した。次に、この成形体を、正特性サーミスタ材料１
３００℃で２時間焼成し焼結体を得た。次に、このよう
にして得られた焼結体の上、下両面にＡｌペーストを印
刷塗布後６００℃で焼付けし、電極を形成して正特性サ
ーミスタ素子を得た。この正特性サーミスタ素子の抵抗
温度特性を測定したところ、最大抵抗値を示す温度は２
５０℃であった。次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを
単体または混合し、（表２）に示した酸素濃度にした雰
囲気中で、４００℃で１時間熱処理して正特性サーミス
タを得た。
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ
0.8Ｓｒ0.075Ｐｂ0.075Ｃａ0.05）ＴｉＯ3＋０．０２Ｓ
ｉＯ2＋０．０１Ａｌ2Ｏ 3＋０．０００５ＭｎＯ3＋０．
００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3，ＳｒＣ
Ｏ3，ＰｂＯ，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
ＭｎＯ2の各原料をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿
式混合し、乾燥する。次に、この正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して
乾燥する。この粉砕粉をポリビニルアルコールからなる
バインダーを添加し造粒し、１平方センチメートル当た
り８００kgの圧力で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成
形した。次に、この成形体を、正特性サーミスタ材料１
３００℃で２時間焼成し焼結体を得た。次に、このよう
にして得られた焼結体の上、下両面にＡｌペーストを印
刷塗布後６００℃で焼付けし、電極を形成して正特性サ
ーミスタ素子を得た。この正特性サーミスタ素子の抵抗
温度特性を測定したところ、最大抵抗値を示す温度は２
５０℃であった。次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを
単体または混合し、（表２）に示した酸素濃度にした雰
囲気中で、４００℃で１時間熱処理して正特性サーミス
タを得た。
【００１６】
【表２】
【００１７】この正特性サーミスタの熱処理前の常温抵
抗値（Ｒ25）は９．６Ω、抵抗温度係数（α）は１９．
５％／℃、抵抗値変化幅（Ψ）は３．７×１０5であっ
た。熱処理後の常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数
（α）、抵抗値変化幅（Ψ）を（表２）に示した。
抗値（Ｒ25）は９．６Ω、抵抗温度係数（α）は１９．
５％／℃、抵抗値変化幅（Ψ）は３．７×１０5であっ
た。熱処理後の常温抵抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数
（α）、抵抗値変化幅（Ψ）を（表２）に示した。
【００１８】試料番号６，１１は本発明の範囲外のも
の、試料番号７〜１０は本発明の範囲内のものである。
（表２）から明らかなように、本発明の範囲では、熱処
理によって低抵抗化するにもかかわらず、抵抗温度係数
がほとんど低下せず、抵抗変化幅は低下しない。試料番
号６に示すように、本発明の範囲より酸素濃度が低すぎ
ると、熱処理によって低抵抗化するが抵抗温度係数、抵
抗変化幅が著しく低下する。試料番号１１に示すよう
に、本発明の範囲より酸素濃度が高いと、熱処理によっ
て低抵抗化しない。
の、試料番号７〜１０は本発明の範囲内のものである。
（表２）から明らかなように、本発明の範囲では、熱処
理によって低抵抗化するにもかかわらず、抵抗温度係数
がほとんど低下せず、抵抗変化幅は低下しない。試料番
号６に示すように、本発明の範囲より酸素濃度が低すぎ
ると、熱処理によって低抵抗化するが抵抗温度係数、抵
抗変化幅が著しく低下する。試料番号１１に示すよう
に、本発明の範囲より酸素濃度が高いと、熱処理によっ
て低抵抗化しない。
【００１９】（実施の形態３）まず、チタン酸バリウム
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、
【００２０】
【化１】
【００２１】の組成となるようにＢａＣＯ3，ＳｒＣ
Ｏ3，ＰｂＯ，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
ＭｎＯ2の各原料を（表３）の組成になるように秤量し
た。
Ｏ3，ＰｂＯ，ＣａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｙ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
ＭｎＯ2の各原料を（表３）の組成になるように秤量し
た。
【００２２】
【表３】
【００２３】次いで、これらの原料をボールミルにて湿
式混合し、乾燥する。次に、この正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して
乾燥する。この粉砕粉をポリビニルアルコールからなる
バインダーを添加し造粒し、１平方センチメートル当た
り８００kgの圧力で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成
形した。次に、この成形体を、正特性サーミスタ材料１
３００℃で２時間焼成し焼結体を得た。次に、このよう
にして得られた焼結体の上、下両面にＡｌペーストを印
刷塗布後６００℃で焼付けし電極を形成して正特性サー
ミスタ素子を得た。この正特性サーミスタ素子のうち半
導体化したものについて抵抗温度特性を測定したとこ
ろ、最大抵抗値を示す温度は２００〜２６０℃であっ
た。次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを体積比で１：
１に混合した雰囲気中で、４００℃、１時間熱処理して
正特性サーミスタを得た。
式混合し、乾燥する。次に、この正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、湿式粉砕して
乾燥する。この粉砕粉をポリビニルアルコールからなる
バインダーを添加し造粒し、１平方センチメートル当た
り８００kgの圧力で直径１２mm、厚さ２mmの円板状に成
形した。次に、この成形体を、正特性サーミスタ材料１
３００℃で２時間焼成し焼結体を得た。次に、このよう
にして得られた焼結体の上、下両面にＡｌペーストを印
刷塗布後６００℃で焼付けし電極を形成して正特性サー
ミスタ素子を得た。この正特性サーミスタ素子のうち半
導体化したものについて抵抗温度特性を測定したとこ
ろ、最大抵抗値を示す温度は２００〜２６０℃であっ
た。次に、この焼結体を窒素と炭酸ガスを体積比で１：
１に混合した雰囲気中で、４００℃、１時間熱処理して
正特性サーミスタを得た。
【００２４】この正特性サーミスタの熱処理前の常温抵
抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、抵抗値変化幅
（Ψ）を（表４）に示した。
抗値（Ｒ25）、抵抗温度係数（α）、抵抗値変化幅
（Ψ）を（表４）に示した。
【００２５】
【表４】
【００２６】試料番号１２〜１４は本発明の範囲内のも
のであり、試料番号１５〜１８は本発明の範囲外のもの
である。（表４）から明らかなように、本発明の範囲内
組成の正特性サーミスタ素子は、熱処理によって低抵抗
化し、抵抗温度係数、抵抗変化幅はほとんど低下しな
い。試料番号１５，１６のようにＢａＴｉＯ3が０．４
モル未満の時やＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3が０．４を超
えるときや試料番号１８のようにＣａＴｉＯ3が０．２
モルを超えるとき、初期抵抗値が非常に高くなり、熱処
理によっても低抵抗化しない。また、試料番号１７のよ
うにＣａＴｉＯ3が含まれない場合、熱処理による抵抗
温度係数、抵抗変化幅が著しく低下する。
のであり、試料番号１５〜１８は本発明の範囲外のもの
である。（表４）から明らかなように、本発明の範囲内
組成の正特性サーミスタ素子は、熱処理によって低抵抗
化し、抵抗温度係数、抵抗変化幅はほとんど低下しな
い。試料番号１５，１６のようにＢａＴｉＯ3が０．４
モル未満の時やＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3が０．４を超
えるときや試料番号１８のようにＣａＴｉＯ3が０．２
モルを超えるとき、初期抵抗値が非常に高くなり、熱処
理によっても低抵抗化しない。また、試料番号１７のよ
うにＣａＴｉＯ3が含まれない場合、熱処理による抵抗
温度係数、抵抗変化幅が著しく低下する。
【００２７】なお、（実施の形態１）〜（実施の形態
３）においては、電極をＡｌペーストの印刷、焼付けに
より形成したが、Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎなど、オーミック性
を有する金属を主成分とし、印刷、溶射あるいは真空蒸
着により電極を形成しても、同様の効果を得ることがで
きる。また、本発明における半導体化元素量は、チタン
酸バリウムの固溶体１モルに対して０．００１から０．
００３モル、ＳｉＯ2量は０．０１〜０．０５モル、Ａ
ｌ2Ｏ3量は０．００１〜０．０２モル、ＭｎＯ2量は
０．０００１から０．００１５モルの範囲で添加するの
が好ましい。なぜなら、これらの範囲外であると、熱処
理前の室温抵抗値が非常に高くなったり、抵抗温度係数
と抵抗変化幅が小さくなるため耐電圧が低くなるためで
ある。また、正特性サーミスタの熱処理温度は３００℃
〜５００℃が好ましい。なぜなら、その温度範囲内では
熱処理によって抵抗温度係数、抵抗変化幅がほとんど変
化しないため耐電圧特性に優れているためである。
３）においては、電極をＡｌペーストの印刷、焼付けに
より形成したが、Ａｇ，Ｃｕ，Ｚｎなど、オーミック性
を有する金属を主成分とし、印刷、溶射あるいは真空蒸
着により電極を形成しても、同様の効果を得ることがで
きる。また、本発明における半導体化元素量は、チタン
酸バリウムの固溶体１モルに対して０．００１から０．
００３モル、ＳｉＯ2量は０．０１〜０．０５モル、Ａ
ｌ2Ｏ3量は０．００１〜０．０２モル、ＭｎＯ2量は
０．０００１から０．００１５モルの範囲で添加するの
が好ましい。なぜなら、これらの範囲外であると、熱処
理前の室温抵抗値が非常に高くなったり、抵抗温度係数
と抵抗変化幅が小さくなるため耐電圧が低くなるためで
ある。また、正特性サーミスタの熱処理温度は３００℃
〜５００℃が好ましい。なぜなら、その温度範囲内では
熱処理によって抵抗温度係数、抵抗変化幅がほとんど変
化しないため耐電圧特性に優れているためである。
【００２８】
【発明の効果】以上本発明によると、正特性サーミスタ
素子を、窒素や炭酸ガスといった低酸素分圧の雰囲気中
で熱処理することにより、正特性サーミスタ素子の比抵
抗は低くなるが、抵抗温度係数、抵抗変化幅は低下しな
いため、耐電圧の高い正特性サーミスタ素子を得ること
ができ、室温での比抵抗が小さく抵抗温度特性の抵抗値
変化の大きな正特性サーミスタを得ることができる。
素子を、窒素や炭酸ガスといった低酸素分圧の雰囲気中
で熱処理することにより、正特性サーミスタ素子の比抵
抗は低くなるが、抵抗温度係数、抵抗変化幅は低下しな
いため、耐電圧の高い正特性サーミスタ素子を得ること
ができ、室温での比抵抗が小さく抵抗温度特性の抵抗値
変化の大きな正特性サーミスタを得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 正特性サーミスタ素子を窒素、炭酸ガス
あるいは窒素と炭酸ガスの混合ガス中で前記正特性サー
ミスタ素子の抵抗温度特性の最大抵抗値を示す温度より
高温で熱処理することを特徴とする正特性サーミスタの
製造方法。 - 【請求項２】 熱処理の雰囲気は、酸素濃度を０．００
０１〜０．１ｖｏｌ％とすることを特徴とする請求項１
に記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項３】 熱処理は、正特性サーミスタ素子に電極
を設けた後に行うことを特徴とする請求項１あるいは請
求項２に記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項４】 正特性サーミスタ素子は、チタン酸バリ
ウム０．４〜０．９９モル、チタン酸ストロンチウム０
〜０．４モル、チタン酸鉛０〜０．４モル、チタン酸カ
ルシウム０．０１〜０．２モルで合計１モルになるよう
にしたチタン酸バリウムの固溶体を主成分とし、副成分
として希土類元素あるいはＮｂ，Ｂｉ，Ｓｂのうちから
少なくとも１種類と、さらにＳｉ，Ａｌ，Ｍｎを含有さ
せたものである請求項１から請求項３のいずれか一つに
記載の正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786698A JP2000003802A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786698A JP2000003802A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000003802A true JP2000003802A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15857543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16786698A Pending JP2000003802A (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000003802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014508A (ja) * | 2005-03-31 | 2013-01-24 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物の製造方法 |
| CN114709037A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-05 | 深圳安培龙科技股份有限公司 | 一种感温ptc热敏电阻器及其制备方法 |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP16786698A patent/JP2000003802A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013014508A (ja) * | 2005-03-31 | 2013-01-24 | Hitachi Metals Ltd | 半導体磁器組成物の製造方法 |
| CN114709037A (zh) * | 2022-04-20 | 2022-07-05 | 深圳安培龙科技股份有限公司 | 一种感温ptc热敏电阻器及其制备方法 |
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