JPH0891925A - チタン酸バリウム系半導体磁器 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器Info
- Publication number
- JPH0891925A JPH0891925A JP6230867A JP23086794A JPH0891925A JP H0891925 A JPH0891925 A JP H0891925A JP 6230867 A JP6230867 A JP 6230867A JP 23086794 A JP23086794 A JP 23086794A JP H0891925 A JPH0891925 A JP H0891925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- ceramic
- barium titanate
- composition
- based semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛を吸着しないサヤで焼成しても鉛の揮散が
なく一定の電気特性をもつチタン酸バリウム系半導体磁
器を提供する。 【構成】 本発明では、チタン酸バリウム系半導体磁器
組成物のバリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を
１０ｍｏｌ％以下としたことを特徴とするチタン酸バリ
ウム系半導体磁器。
なく一定の電気特性をもつチタン酸バリウム系半導体磁
器を提供する。 【構成】 本発明では、チタン酸バリウム系半導体磁器
組成物のバリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を
１０ｍｏｌ％以下としたことを特徴とするチタン酸バリ
ウム系半導体磁器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チタン酸バリウム系半
導体磁器の組成に関する。
導体磁器の組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウム系半導体磁器は、温度
変化に対して正の抵抗変化を示す性質をもっており、常
温付近にくらべて、高温時の抵抗値が著しく増加するた
め、温度制御、電流制限などの用途に利用されている。
そして、その高温の特定温度、所謂キュリー点を上昇さ
せるため、含有するバリウムの一部を１０〜６０ｍｏｌ
％の鉛で置換することがおこなわれている。また、半導
体磁器成分の粒成長を抑えるためにキュリー点を下げる
ストロンチウムの添加もおこなわれている。
変化に対して正の抵抗変化を示す性質をもっており、常
温付近にくらべて、高温時の抵抗値が著しく増加するた
め、温度制御、電流制限などの用途に利用されている。
そして、その高温の特定温度、所謂キュリー点を上昇さ
せるため、含有するバリウムの一部を１０〜６０ｍｏｌ
％の鉛で置換することがおこなわれている。また、半導
体磁器成分の粒成長を抑えるためにキュリー点を下げる
ストロンチウムの添加もおこなわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】チタン酸バリウム系半
導体磁器を焼成する場合において、半導体磁器に含まれ
ている鉛が多い場合には、蒸気圧の高い鉛が焼成時に揮
散してしまう。そのため焼成用のサヤに鉛を吸着させ鉛
の揮散を抑えていた。しかし、サヤに吸着させる鉛は定
量的に制御することができず、そのため焼成した磁器自
体の電気特性にバラツキがでるという問題点があった。
また、サヤに鉛を吸着させると、鉛によってサヤが腐食
され耐用年数が短くなるという欠点があった。本発明は
前記事情に鑑みえなされたもので、前記問題点を解消し
たチタン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的
とする。
導体磁器を焼成する場合において、半導体磁器に含まれ
ている鉛が多い場合には、蒸気圧の高い鉛が焼成時に揮
散してしまう。そのため焼成用のサヤに鉛を吸着させ鉛
の揮散を抑えていた。しかし、サヤに吸着させる鉛は定
量的に制御することができず、そのため焼成した磁器自
体の電気特性にバラツキがでるという問題点があった。
また、サヤに鉛を吸着させると、鉛によってサヤが腐食
され耐用年数が短くなるという欠点があった。本発明は
前記事情に鑑みえなされたもので、前記問題点を解消し
たチタン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的に添い、本発明
は、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物のバリウムを
鉛で置換する場合に、鉛の置換量を１０ｍｏｌ％以下と
したことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器で
ある。また、本発明は、前記鉛の置換量を１０ｍｏｌ％
以下としたものに、半導体化剤添加量を０．１〜０．５
ｍｏｌ％、マンガン添加量を０．００５〜０．０３ｍｏ
ｌ％としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体
磁器である。本発明によって鉛を吸着しないサヤで焼成
しても、鉛の揮散がなく一定の電気特性がえられる。
は、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物のバリウムを
鉛で置換する場合に、鉛の置換量を１０ｍｏｌ％以下と
したことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器で
ある。また、本発明は、前記鉛の置換量を１０ｍｏｌ％
以下としたものに、半導体化剤添加量を０．１〜０．５
ｍｏｌ％、マンガン添加量を０．００５〜０．０３ｍｏ
ｌ％としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体
磁器である。本発明によって鉛を吸着しないサヤで焼成
しても、鉛の揮散がなく一定の電気特性がえられる。
【０００５】以下、本発明について図面を参照しながら
詳細に説明する。本発明は、チタン酸バリウム系半導体
磁器組成物において、鉛の置換量を１０ｍｏｌ％以下に
特定することにより、鉛を吸着しないサヤで焼成をおこ
なっても含まれている鉛の揮散が殆どなく、常に一定の
電気特性を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の組成を
提供するものである。なおこの半導体磁器は慣用の方法
に従って原料を混合、仮焼、粉砕、成形、焼成して製作
したものである。
詳細に説明する。本発明は、チタン酸バリウム系半導体
磁器組成物において、鉛の置換量を１０ｍｏｌ％以下に
特定することにより、鉛を吸着しないサヤで焼成をおこ
なっても含まれている鉛の揮散が殆どなく、常に一定の
電気特性を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の組成を
提供するものである。なおこの半導体磁器は慣用の方法
に従って原料を混合、仮焼、粉砕、成形、焼成して製作
したものである。
【０００６】
【実施例】原料として主成分であるＢａＣＯ3 、ＳｒＣ
Ｏ3 、ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、半導体化剤であるＹ2 Ｏ3 、
添加物であるＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ3 を用い、第１表に示
す比率の半導体磁器組成物が得られるように配合し、こ
れをポリエチレン製ポットミルにて約２０時間湿式混合
し、脱水乾燥後、１１００℃にて２時間仮焼成を行っ
た。次に仮焼成を行った混合物を、前記ポットミルにて
約２０時間湿式粉砕後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）を約１ｗｔ％加えて造粒した。これらを圧力２ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 で油圧成形して直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの
円板とし、ＭｇＯ（マグネシア）製多孔質サヤを用い１
３００℃で２時間焼成した。このようにして得られた試
料の両面にＮｉ無電解メッキにより電極を施して、２５
℃における室温比抵抗ρ25、抵抗温度係数α、キュリー
温度Ｔｃを測定した。なお、サヤを用いた焼成方法は、
Ｐｂ吸着の場合はＭｇＯ多孔質サヤにＰｂＯ粉末約１０
ｇを入れて、１３００℃で２時間処理した物を用い、Ｐ
ｂ吸着ナシの場合はＭｇＯ多孔質サヤをそのまま用い
た。チタン酸バリウム系半導体磁器組成物〔(Bax Pby S
rz)TiO3 〕において、サヤの鉛吸着の有無と、鉛の置換
量と電気特性との関係について検討した結果を表１に示
す。表１の上半部に鉛の置換量５．０〜２０．０ｍｏｌ
％の場合の各試料についての組成を示し、その下半部に
鉛吸着なしのサヤと鉛吸着ありのサヤの場合の各電気特
性を示す。
Ｏ3 、ＰｂＯ、ＴｉＯ2 、半導体化剤であるＹ2 Ｏ3 、
添加物であるＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ3 を用い、第１表に示
す比率の半導体磁器組成物が得られるように配合し、こ
れをポリエチレン製ポットミルにて約２０時間湿式混合
し、脱水乾燥後、１１００℃にて２時間仮焼成を行っ
た。次に仮焼成を行った混合物を、前記ポットミルにて
約２０時間湿式粉砕後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）を約１ｗｔ％加えて造粒した。これらを圧力２ｔｏ
ｎ／ｃｍ2 で油圧成形して直径２０ｍｍ、厚さ５ｍｍの
円板とし、ＭｇＯ（マグネシア）製多孔質サヤを用い１
３００℃で２時間焼成した。このようにして得られた試
料の両面にＮｉ無電解メッキにより電極を施して、２５
℃における室温比抵抗ρ25、抵抗温度係数α、キュリー
温度Ｔｃを測定した。なお、サヤを用いた焼成方法は、
Ｐｂ吸着の場合はＭｇＯ多孔質サヤにＰｂＯ粉末約１０
ｇを入れて、１３００℃で２時間処理した物を用い、Ｐ
ｂ吸着ナシの場合はＭｇＯ多孔質サヤをそのまま用い
た。チタン酸バリウム系半導体磁器組成物〔(Bax Pby S
rz)TiO3 〕において、サヤの鉛吸着の有無と、鉛の置換
量と電気特性との関係について検討した結果を表１に示
す。表１の上半部に鉛の置換量５．０〜２０．０ｍｏｌ
％の場合の各試料についての組成を示し、その下半部に
鉛吸着なしのサヤと鉛吸着ありのサヤの場合の各電気特
性を示す。
【０００７】
【表１】 表１によれば、鉛置換量（Ｙｍｏｌ％）が１０ｍｏｌ％
以下では、電気特性はサヤの鉛吸着の有無に関係なく殆
ど変わらない。しかし、鉛置換量が１０ｍｏｌ％を越え
ると、鉛を吸着しないサヤの場合、室温比抵抗ρ25が高
くなり、さらに鉛置換量が多くなるにつれて、それがさ
らに高くなっていく。
以下では、電気特性はサヤの鉛吸着の有無に関係なく殆
ど変わらない。しかし、鉛置換量が１０ｍｏｌ％を越え
ると、鉛を吸着しないサヤの場合、室温比抵抗ρ25が高
くなり、さらに鉛置換量が多くなるにつれて、それがさ
らに高くなっていく。
【０００８】図１に鉛置換量が７．５ｍｏｌ％の場合の
抵抗−温度特性を、図２に同じく１５ｍｏｌ％の場合の
抵抗−温度特性を示す。図１によれば、鉛吸着のサヤも
鉛吸着なしのサヤも、抵抗−温度特性は殆ど変らない。
また、図２によれば、鉛吸着などのサヤを用いた場合、
鉛吸着有のサヤを用いた場合に比較して全体的に高比抵
抗値側にシフトしていることが判る。以上の結果から、
鉛置換量が１０ｍｏｌ％以下の場合には、鉛を吸着しな
いサヤで焼成しても、鉛を吸着したサヤで焼成した場合
と同等の電気特性を示していることが判る。よって鉛置
換量は１０ｍｏｌ％以下の組成とすることが好ましい。
なお、前記各データは下記による。 Ｒ1 ：温度Ｔ1 （℃）における抵抗値（Ω） Ｒ2 ：温度Ｔ2 （℃）における抵抗値（Ω） ・キュリー温度Ｔc ＝抵抗値が室温抵抗値の２倍になる
温度（℃）
抵抗−温度特性を、図２に同じく１５ｍｏｌ％の場合の
抵抗−温度特性を示す。図１によれば、鉛吸着のサヤも
鉛吸着なしのサヤも、抵抗−温度特性は殆ど変らない。
また、図２によれば、鉛吸着などのサヤを用いた場合、
鉛吸着有のサヤを用いた場合に比較して全体的に高比抵
抗値側にシフトしていることが判る。以上の結果から、
鉛置換量が１０ｍｏｌ％以下の場合には、鉛を吸着しな
いサヤで焼成しても、鉛を吸着したサヤで焼成した場合
と同等の電気特性を示していることが判る。よって鉛置
換量は１０ｍｏｌ％以下の組成とすることが好ましい。
なお、前記各データは下記による。 Ｒ1 ：温度Ｔ1 （℃）における抵抗値（Ω） Ｒ2 ：温度Ｔ2 （℃）における抵抗値（Ω） ・キュリー温度Ｔc ＝抵抗値が室温抵抗値の２倍になる
温度（℃）
【０００９】次に、前記に関連して、表２に、該表に示
す比率で配合した後、前記実施例と同様に混合、成形、
焼成、電極付与を行なったものについて、半導体化剤添
加量と電気特性の関係について検討した結果を示す。
す比率で配合した後、前記実施例と同様に混合、成形、
焼成、電極付与を行なったものについて、半導体化剤添
加量と電気特性の関係について検討した結果を示す。
【００１０】
【表２】 表２によれば、半導体化剤の添加量は、０．６ｍｏｌ％
から室温比抵抗ρ25が急激に上昇し、０．１〜０．５ｍ
ｏｌ％の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と抵抗−温度係数
αの値がえられた。よって、半導体化剤添加量は０．１
〜０．５ｍｏｌ％が好ましい。次に、前記結果にもとづ
き、前記実施例と同じ要領で作成したものについて、表
３にマンガン添加量と電気特性との関係について検討し
た結果を示す。
から室温比抵抗ρ25が急激に上昇し、０．１〜０．５ｍ
ｏｌ％の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と抵抗−温度係数
αの値がえられた。よって、半導体化剤添加量は０．１
〜０．５ｍｏｌ％が好ましい。次に、前記結果にもとづ
き、前記実施例と同じ要領で作成したものについて、表
３にマンガン添加量と電気特性との関係について検討し
た結果を示す。
【００１１】
【表３】 表３によればマンガン添加量は０．００５〜０．０３ｍ
ｏｌ％の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と良好な抵抗−温
度係数αを示した。よってマンガン添加量は０．００５
〜０．０３ｍｏｌ％に限定することが好ましい。
ｏｌ％の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と良好な抵抗−温
度係数αを示した。よってマンガン添加量は０．００５
〜０．０３ｍｏｌ％に限定することが好ましい。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係るチタン酸バリウム系半導体
磁器によれば、焼成時に鉛を吸着しないサヤで焼成して
も鉛の揮散が殆どないため、常に一定の電気特性のもの
がえられる。したがってサヤに鉛を吸着させる工程を省
略することができる。また、サヤに鉛を吸着させないた
め、サヤの腐食がなくなり、耐用年数が長くなるという
効果がえられる。
磁器によれば、焼成時に鉛を吸着しないサヤで焼成して
も鉛の揮散が殆どないため、常に一定の電気特性のもの
がえられる。したがってサヤに鉛を吸着させる工程を省
略することができる。また、サヤに鉛を吸着させないた
め、サヤの腐食がなくなり、耐用年数が長くなるという
効果がえられる。
【図１】チタン酸バリウム系半導体磁器において、鉛置
換量が７．５ｍｏｌ％の場合における抵抗−温度特性の
関係を示すグラフである。
換量が７．５ｍｏｌ％の場合における抵抗−温度特性の
関係を示すグラフである。
【図２】同じく、鉛置換量が１５ｍｏｌ％の場合におけ
る抵抗−温度特性の関係を示すグラフである。
る抵抗−温度特性の関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物の
バリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を１０ｍｏ
ｌ％以下としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半
導体磁器。 - 【請求項２】 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物に
おいて、半導体化剤添加量を０．１〜０．５ｍｏｌ％、
マンガン添加量を０．００５〜０．０３ｍｏｌ％とした
ことを特徴とする請求項１に記載のチタン酸バリウム系
半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230867A JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230867A JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0891925A true JPH0891925A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=16914555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6230867A Pending JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0891925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2277363A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-26 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
| GB2296959A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means having torque transmitting dowels |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6230867A patent/JPH0891925A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2277363A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-26 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
| GB2296959A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means having torque transmitting dowels |
| GB2296958A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means including an adhesive |
| GB2277363B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
| GB2296959B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
| GB2296958B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
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