JPH0590063A - 半導体セラミツクコンデンサ及びその製法 - Google Patents
半導体セラミツクコンデンサ及びその製法Info
- Publication number
- JPH0590063A JPH0590063A JP27475791A JP27475791A JPH0590063A JP H0590063 A JPH0590063 A JP H0590063A JP 27475791 A JP27475791 A JP 27475791A JP 27475791 A JP27475791 A JP 27475791A JP H0590063 A JPH0590063 A JP H0590063A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 面積容量が大きく温度特性に優れた半導体セ
ラミックコンデンサ及びその製法を提供する。 【構成】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．０５
≦ｘ≦０．２）からなる主成分に、Ｌａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2
Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくとも１
種以上を主成分１００モルに対し合計で０．２〜４モ
ル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少な
くとも１種以上を主成分１００モルに対し各０．０１〜
０．２モル、Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択さ
れる少なくとも１種以上を主成分１００モルに対し各
０．０１〜０．１モル、添加された組成を有し、半導体
コンデンサを構成する粒子の粒径が５μｍ以下で、且つ
このコンデンサの表面から３０〜５０μｍの深さまでの
粒界部分が絶縁化されている。
ラミックコンデンサ及びその製法を提供する。 【構成】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．０５
≦ｘ≦０．２）からなる主成分に、Ｌａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2
Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくとも１
種以上を主成分１００モルに対し合計で０．２〜４モ
ル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少な
くとも１種以上を主成分１００モルに対し各０．０１〜
０．２モル、Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択さ
れる少なくとも１種以上を主成分１００モルに対し各
０．０１〜０．１モル、添加された組成を有し、半導体
コンデンサを構成する粒子の粒径が５μｍ以下で、且つ
このコンデンサの表面から３０〜５０μｍの深さまでの
粒界部分が絶縁化されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超小型化の可能な高性能
半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する
ものである。
半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体セラミックコンデンサには、代表
的なものとして粒界型と表層型があり、一般的に粒界型
は小型で誘電特性に優れ、表層型は小型大容量とするこ
とができるという特徴がある。しかしながら例えば特開
平２−１５３８６３号で提案されている粒界型は tanδ
（誘電正接）と温度特性には優れるが、誘電率は１４万
足らずで満足できるものではなかった。また例えば特開
平２−１４３４０９号で提案されている表層型は、その
面積容量が０．８μＦ／cm2 （見掛け上の誘電率は３４
万に相当）と大きいにもかかわらず、面積容量を同じ材
料でこれ以上大きくしようとすると表層絶縁体層を薄く
しなければならず絶縁抵抗が小さくなる等の障害があ
り、実用上無理があった。また表層絶縁体層自体の誘電
率を大きくして容量を大きくしようとしてもバルクの誘
電率が１０万を越えるようなものは現在なお見つかって
おらず実現は困難視されている。
的なものとして粒界型と表層型があり、一般的に粒界型
は小型で誘電特性に優れ、表層型は小型大容量とするこ
とができるという特徴がある。しかしながら例えば特開
平２−１５３８６３号で提案されている粒界型は tanδ
（誘電正接）と温度特性には優れるが、誘電率は１４万
足らずで満足できるものではなかった。また例えば特開
平２−１４３４０９号で提案されている表層型は、その
面積容量が０．８μＦ／cm2 （見掛け上の誘電率は３４
万に相当）と大きいにもかかわらず、面積容量を同じ材
料でこれ以上大きくしようとすると表層絶縁体層を薄く
しなければならず絶縁抵抗が小さくなる等の障害があ
り、実用上無理があった。また表層絶縁体層自体の誘電
率を大きくして容量を大きくしようとしてもバルクの誘
電率が１０万を越えるようなものは現在なお見つかって
おらず実現は困難視されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
着目してなされたものであって、面積容量が大きく温度
特性にも優れた半導体セラミックコンデンサ及びその製
法を提供しようとするものである。
着目してなされたものであって、面積容量が大きく温度
特性にも優れた半導体セラミックコンデンサ及びその製
法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明とは、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．０５≦
ｘ≦０．２）を主成分とし、これに、Ｌａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくとも１
種以上を前記主成分１００モルに対し合計で０．２〜４
モル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少
なくとも１種以上を前記主成分１００モルに対し各０．
０１〜０．２モル、更にＢ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群
から選択される少なくとも１種以上を前記主成分１００
モルに対し各０．０１〜０．１モル、夫々添加された組
成を有し、半導体コンデンサを構成する粒子の粒径が５
μｍ以下で、且つ該コンデンサの表面から３０〜５０μ
ｍの深さまでの粒子における粒界部分が絶縁化されてい
るものであることを要旨とするものである。
明とは、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．０５≦
ｘ≦０．２）を主成分とし、これに、Ｌａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ
5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくとも１
種以上を前記主成分１００モルに対し合計で０．２〜４
モル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少
なくとも１種以上を前記主成分１００モルに対し各０．
０１〜０．２モル、更にＢ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群
から選択される少なくとも１種以上を前記主成分１００
モルに対し各０．０１〜０．１モル、夫々添加された組
成を有し、半導体コンデンサを構成する粒子の粒径が５
μｍ以下で、且つ該コンデンサの表面から３０〜５０μ
ｍの深さまでの粒子における粒界部分が絶縁化されてい
るものであることを要旨とするものである。
【０００５】また上記半導体セラミックコンデンサを製
造するに当っては、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し
０．０５≦ｘ≦０．２）を主成分とし、これに、Ｌａ2
Ｏ5，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ
3 ，Ｓｂ2 Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される
少なくとも１種以上を前記主成分１００モルに対し合計
で０．２〜４モル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から
選択される少なくとも１種以上を前記主成分１００モル
に対し各０．０１〜０．２モル、更にＢ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ
2 よりなる群から選択される少なくとも１種以上を前記
主成分１００モルに対し各０．０１〜０．１モル夫々添
加されてなる混合物を焼結した後、１０００〜１３４５
℃で還元処理し、その後１０００〜１２００℃で再酸化
処理するか、または（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し
０．０５≦ｘ≦０．２）からなる主成分に、Ｌａ2 Ｏ
5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，
Ｓｂ2Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少な
くとも１種以上を該主成分１００モルに対し合計で０．
２〜４モル添加されてなる混合物を焼結した後、１００
０〜１３４５℃で還元処理し、その後ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ
3 よりなる群から選択される少なくとも１種以上を前記
主成分１００モルに対し各０．０１〜０．２モル及びＢ
2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択される少なくとも
１種以上を該主成分１００モルに対し各０．０１〜０．
１モルを、夫々ドーピングして１０００〜１２００℃で
再酸化処理すれば良い。
造するに当っては、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し
０．０５≦ｘ≦０．２）を主成分とし、これに、Ｌａ2
Ｏ5，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ
3 ，Ｓｂ2 Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される
少なくとも１種以上を前記主成分１００モルに対し合計
で０．２〜４モル、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から
選択される少なくとも１種以上を前記主成分１００モル
に対し各０．０１〜０．２モル、更にＢ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ
2 よりなる群から選択される少なくとも１種以上を前記
主成分１００モルに対し各０．０１〜０．１モル夫々添
加されてなる混合物を焼結した後、１０００〜１３４５
℃で還元処理し、その後１０００〜１２００℃で再酸化
処理するか、または（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し
０．０５≦ｘ≦０．２）からなる主成分に、Ｌａ2 Ｏ
5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，
Ｓｂ2Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少な
くとも１種以上を該主成分１００モルに対し合計で０．
２〜４モル添加されてなる混合物を焼結した後、１００
０〜１３４５℃で還元処理し、その後ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ
3 よりなる群から選択される少なくとも１種以上を前記
主成分１００モルに対し各０．０１〜０．２モル及びＢ
2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択される少なくとも
１種以上を該主成分１００モルに対し各０．０１〜０．
１モルを、夫々ドーピングして１０００〜１２００℃で
再酸化処理すれば良い。
【０００６】
【作用】主成分である（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 のｘ
を０．０５≦ｘ≦０．２の範囲に限定した理由は、０．
０５＞ｘの場合室温での面積容量は大きくなるが温度特
性と tanδが悪化するからである。また０．２＜ｘの場
合は室温での面積容量が小さくなるからである。原子価
制御剤（半導体化剤）としてのＬａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ5 ，
Ｓｍ2 Ｏ3 を前記主成分に固溶して、Ｔｉイオンの価数
に影響することにより半導体化を促進する。これらの添
加量を限定したのは、０．２モル未満の場合には十分半
導体化されず、面積容量が低下し、さらに tanδが悪化
するから、また４モルを超えると主成分に均一に固溶し
きれなくなって面積容量が低下するためである。Ｃｕ
Ｏ，Ｂｉ2 Ｏ3は粒界絶縁化剤であり、粒界に偏析して
粒界の選択的な絶縁体化を促進する。これらの添加量を
限定したのは、０．０１モル未満の場合には絶縁化の際
に粒界だけでなく粒内まで絶縁化されて面積容量が低下
し、また０．２モルを超えると粒界絶縁層の幅が広くな
って面積容量が低下するからである。Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ
2 は絶縁抵抗を大きくするもので絶縁抵抗改良剤として
作用する。これらの添加量を限定したのは、０．０１モ
ル未満の場合には絶縁抵抗が少なくなり、０．１モルを
超えると絶縁抵抗は大きくなるが面積容量が低下するた
めである。また半導体コンデンサを構成する粒子の粒径
が５μｍより大きいと絶縁抵抗が低くなってしまう。
を０．０５≦ｘ≦０．２の範囲に限定した理由は、０．
０５＞ｘの場合室温での面積容量は大きくなるが温度特
性と tanδが悪化するからである。また０．２＜ｘの場
合は室温での面積容量が小さくなるからである。原子価
制御剤（半導体化剤）としてのＬａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2 Ｏ5 ，
Ｓｍ2 Ｏ3 を前記主成分に固溶して、Ｔｉイオンの価数
に影響することにより半導体化を促進する。これらの添
加量を限定したのは、０．２モル未満の場合には十分半
導体化されず、面積容量が低下し、さらに tanδが悪化
するから、また４モルを超えると主成分に均一に固溶し
きれなくなって面積容量が低下するためである。Ｃｕ
Ｏ，Ｂｉ2 Ｏ3は粒界絶縁化剤であり、粒界に偏析して
粒界の選択的な絶縁体化を促進する。これらの添加量を
限定したのは、０．０１モル未満の場合には絶縁化の際
に粒界だけでなく粒内まで絶縁化されて面積容量が低下
し、また０．２モルを超えると粒界絶縁層の幅が広くな
って面積容量が低下するからである。Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ
2 は絶縁抵抗を大きくするもので絶縁抵抗改良剤として
作用する。これらの添加量を限定したのは、０．０１モ
ル未満の場合には絶縁抵抗が少なくなり、０．１モルを
超えると絶縁抵抗は大きくなるが面積容量が低下するた
めである。また半導体コンデンサを構成する粒子の粒径
が５μｍより大きいと絶縁抵抗が低くなってしまう。
【０００７】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
りにおいて、実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
りにおいて、実施例に限定されるものではない。
【０００８】実施例１〜８ ＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ3 を表１に示す量だけ秤量
し、これらの合計量１００モルに対して原子価制御剤、
粒界絶縁化剤および絶縁抵抗改良剤を表１に示す量だけ
秤量した。これらを湿式ボールミルで２０時間混合粉砕
した後、大気中で乾燥した。この混合物を大気中１１０
０〜１２００℃で１〜２時間仮焼した後、１μｍ以下に
微粉砕した。得られた粉末にバインダーを加え、圧力
１．５ton/cm2 で直径１０×０．５mmの円盤に金型成形
した。該成形品を大気中５００〜１０００℃で２〜４時
間脱脂してバインダーを除いた後、大気中１３００〜１
４００℃で２〜４時間焼結した。ここで、焼結温度が１
３００℃未満の場合には焼結不十分となり、１４００℃
を超えると粒成長しすぎて絶縁抵抗が低下する。次に該
成形品をＨ2:５〜１５容量％のＮ2 気流中１０００〜１
３４５℃で２〜４時間還元処理した。ここで、還元温度
が１０００℃未満の場合には還元不十分のため tanδが
悪化し、１３４５℃を超えると、粒成長が過大となる。
さらに、該成形品を大気中１０００〜１２００℃で１〜
２時間再酸化処理を行なった。ここで、再酸化温度が１
０００℃未満の場合には、再酸化不十分で表面層が薄く
なり従って絶縁抵抗が小さくなり、１２００℃を超える
と表面層が厚くなり面積容量が低下する。最後に大気中
７００〜８００℃で１０〜３０分間銀電極を焼付けて、
半導体セラミックコンデンサができ上がる。
し、これらの合計量１００モルに対して原子価制御剤、
粒界絶縁化剤および絶縁抵抗改良剤を表１に示す量だけ
秤量した。これらを湿式ボールミルで２０時間混合粉砕
した後、大気中で乾燥した。この混合物を大気中１１０
０〜１２００℃で１〜２時間仮焼した後、１μｍ以下に
微粉砕した。得られた粉末にバインダーを加え、圧力
１．５ton/cm2 で直径１０×０．５mmの円盤に金型成形
した。該成形品を大気中５００〜１０００℃で２〜４時
間脱脂してバインダーを除いた後、大気中１３００〜１
４００℃で２〜４時間焼結した。ここで、焼結温度が１
３００℃未満の場合には焼結不十分となり、１４００℃
を超えると粒成長しすぎて絶縁抵抗が低下する。次に該
成形品をＨ2:５〜１５容量％のＮ2 気流中１０００〜１
３４５℃で２〜４時間還元処理した。ここで、還元温度
が１０００℃未満の場合には還元不十分のため tanδが
悪化し、１３４５℃を超えると、粒成長が過大となる。
さらに、該成形品を大気中１０００〜１２００℃で１〜
２時間再酸化処理を行なった。ここで、再酸化温度が１
０００℃未満の場合には、再酸化不十分で表面層が薄く
なり従って絶縁抵抗が小さくなり、１２００℃を超える
と表面層が厚くなり面積容量が低下する。最後に大気中
７００〜８００℃で１０〜３０分間銀電極を焼付けて、
半導体セラミックコンデンサができ上がる。
【０００９】実施例９ 粒界絶縁化剤と絶縁抵抗改良剤を最初から混合せずに再
酸化処理工程でドーピングした以外は実施例１〜８と同
じである。このドーピング方法は、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ
3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2の夫々の所定量を溶解した硝酸
溶液を予め作製しておき、還元したセラミックス円盤成
形品を該溶液に浸漬し、取り出して乾燥し、再酸化処理
して、各元素を拡散させようとするものである。
酸化処理工程でドーピングした以外は実施例１〜８と同
じである。このドーピング方法は、ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ
3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2の夫々の所定量を溶解した硝酸
溶液を予め作製しておき、還元したセラミックス円盤成
形品を該溶液に浸漬し、取り出して乾燥し、再酸化処理
して、各元素を拡散させようとするものである。
【００１０】比較例１〜４ 比較例１〜４は夫々製造条件が本特許請求の範囲外のも
ので、比較例１は表面絶縁層が薄すぎるもの、比較例２
は表面絶縁層が厚すぎるもの、比較例３はＳｒＴｉＯ3
が多過ぎるもの、比較例４はＳｒＴｉＯ3 を入れずＢａ
ＴｉＯ3 のみからなるものである。
ので、比較例１は表面絶縁層が薄すぎるもの、比較例２
は表面絶縁層が厚すぎるもの、比較例３はＳｒＴｉＯ3
が多過ぎるもの、比較例４はＳｒＴｉＯ3 を入れずＢａ
ＴｉＯ3 のみからなるものである。
【００１１】以上のようにして得られた半導体セラミッ
クコンデンサを用いて諸特性の測定を行なった。面積容
量は２０℃、１０kHz の時の値で、絶縁抵抗は１０VDC
で測定、温度特性は２０℃の値を基準にしたときの各温
度での面積容量の変化率である。組成はモルで表わして
ある。結果を表１に示す。
クコンデンサを用いて諸特性の測定を行なった。面積容
量は２０℃、１０kHz の時の値で、絶縁抵抗は１０VDC
で測定、温度特性は２０℃の値を基準にしたときの各温
度での面積容量の変化率である。組成はモルで表わして
ある。結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】比較例１は面積容量は大きいが絶縁抵抗が
小さい。比較例２は絶縁抵抗は大きいが面積容量が小さ
い。比較例３は面積容量が小さい。比較例４は面積容量
は大きいが温度特性が悪い。これに対して実施例１〜９
はいずれも面積容量は大きく、 tanδは小さく、絶縁抵
抗は大きく、温度特性に優れている。表２に従来技術と
の比較を示したが面積容量と温度特性はかなり向上して
いる。
小さい。比較例２は絶縁抵抗は大きいが面積容量が小さ
い。比較例３は面積容量が小さい。比較例４は面積容量
は大きいが温度特性が悪い。これに対して実施例１〜９
はいずれも面積容量は大きく、 tanδは小さく、絶縁抵
抗は大きく、温度特性に優れている。表２に従来技術と
の比較を示したが面積容量と温度特性はかなり向上して
いる。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されているの
で、面積容量が大きく温度特性に優れた半導体セラミッ
クコンデンサ及びその製法が提供できることとなった。
で、面積容量が大きく温度特性に優れた半導体セラミッ
クコンデンサ及びその製法が提供できることとなった。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．
０５≦ｘ≦０．２）を主成分とし、これにＬａ2 Ｏ5 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成分１００モルに対し合計で０．２
〜４モル、 ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成分１００モルに対し各０．０１〜
０．２モル、 Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成分１００モルに対し各０．０１〜
０．１モル、 が夫々添加されてなる組成を有し、半導体コンデンサを
構成する粒子の粒径が５μｍ以下で、且つ該コンデンサ
の表面から３０〜５０μｍの深さまでの粒子における粒
界部分が絶縁化されているものであることを特徴とする
半導体セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．
０５≦ｘ≦０．２）を主成分とし、これにＬａ2 Ｏ5 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成分１００モルに対し合計で０．２
〜４モル、 ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成 分１００モルに対し各０．０１〜０．２モル、Ｂ2 Ｏ
3 ，ＭｎＯ2 よりなる群から選択される少なくとも１種
以上を前記主成分１００モルに対し各０．０１〜０．１
モル、 が添加されてなる混合物を焼結した後、１０００〜１３
４５℃で還元処理し、その後１０００〜１２００℃で再
酸化処理することを特徴とする請求項１記載の半導体セ
ラミックコンデンサの製法。 - 【請求項３】 （Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 （但し０．
０５≦ｘ≦０．２）を主成分とし、これにＬａ2 Ｏ5 ，
Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｂ
2 Ｏ5 ，Ｓｍ2 Ｏ3 よりなる群から選択される少なくと
も１種以上を前記主成分１００モルに対し合計で０．２
〜４モル、 が添加されてなる混合物を焼結した後、１０００〜１３
４５℃で還元処理し、その後ＣｕＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 よりな
る群から選択される少なくとも１種以上を前記主成分１
００モルに対し各０．０１〜０．２モル及びＢ2 Ｏ3 ，
ＭｎＯ2 よりなる群から選択される少なくとも１種以上
を前記主成分１００モルに対し各０．０１〜０．１モル
を夫々ドーピングした後１０００〜１２００℃で再酸化
処理することを特徴とする請求項１記載の半導体セラミ
ックコンデンサの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27475791A JPH0590063A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体セラミツクコンデンサ及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27475791A JPH0590063A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体セラミツクコンデンサ及びその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590063A true JPH0590063A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17546160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27475791A Withdrawn JPH0590063A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 半導体セラミツクコンデンサ及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590063A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100333498B1 (ko) * | 1999-11-01 | 2002-04-25 | 박호군 | 저온 소성용 초미립 유전체 세라믹 조성물 |
| KR101158925B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2012-06-21 | 페터 카스퍼 담 | 체크 밸브 |
| CN108689708A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-10-23 | 韶关学院 | 一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料及制备方法 |
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| US10184235B2 (en) | 2013-05-28 | 2019-01-22 | Falcon Waterfree Technologies, Llc | Directional fluid inlet |
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1991
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