JPH03103357A - Ｐｔｃセラミックスの製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃセラミックスの製造方法Info
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- JPH03103357A JPH03103357A JP1124490A JP12449089A JPH03103357A JP H03103357 A JPH03103357 A JP H03103357A JP 1124490 A JP1124490 A JP 1124490A JP 12449089 A JP12449089 A JP 12449089A JP H03103357 A JPH03103357 A JP H03103357A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は定温発熱体、温度センサー、電流制限素子など
に応用されているＰＴＣセラミックスの製造方法に関す
るものである。
に応用されているＰＴＣセラミックスの製造方法に関す
るものである。
［従来の技術１
正の抵抗温度係数（Ｐｏｓｌｔ１ｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａ
ｔｕｒｅＣｏｅｆＴＩｃ１ｅｎｔ ： Ｐ Ｔ Ｃ ）
をもつ半導体セラミックス（以下ＰＴＣセラミックスと
称する）の最も代表的なものはチタン酸バリウム（Ｂａ
Ｔ１０ ａ ） 系セラミックスである。
ｔｕｒｅＣｏｅｆＴＩｃ１ｅｎｔ ： Ｐ Ｔ Ｃ ）
をもつ半導体セラミックス（以下ＰＴＣセラミックスと
称する）の最も代表的なものはチタン酸バリウム（Ｂａ
Ｔ１０ ａ ） 系セラミックスである。
従来、このＢａＴｉＯ３系のＰＴＣセラミックスを製造
するに当っては、主成分であるＢａＯとＴＩＯ２の他に
、キュリ一点シフターとして、ＳｒＯ ， ＰｂＯ ，
原子価制御剤としてＳｂＯ，ＮｂＯ，希土類２ ３
２ ５ 元素など′、抵抗温度係数の改良剤としてＭｎＯ、更に
焼結助剤としてＳｉＯ ，Ａｉ！２０３などを添加２ して、粉砕混合したのち、１０００〜１２００℃程度の
温度で仮焼し、これを再度、粉砕混合したのち、所望の
形状に成型して、通常１３００〜ｌ４００℃の温度で本
焼或してＰＴＣセラミヅクスを得ている。
するに当っては、主成分であるＢａＯとＴＩＯ２の他に
、キュリ一点シフターとして、ＳｒＯ ， ＰｂＯ ，
原子価制御剤としてＳｂＯ，ＮｂＯ，希土類２ ３
２ ５ 元素など′、抵抗温度係数の改良剤としてＭｎＯ、更に
焼結助剤としてＳｉＯ ，Ａｉ！２０３などを添加２ して、粉砕混合したのち、１０００〜１２００℃程度の
温度で仮焼し、これを再度、粉砕混合したのち、所望の
形状に成型して、通常１３００〜ｌ４００℃の温度で本
焼或してＰＴＣセラミヅクスを得ている。
上記の如くして、得られたＰＴＣセラミックスの特性は
、一般に第５図のＰＴＣセラミックスの比抵抗（Ωｃ＋
ｎ）と温度（℃）との関係グラフに示す如く、キュリー
点まではその抵抗値は半導体的性質（ＮＴＣ領域）即ち
、温度が上昇するにつれて、抵抗値は減少傾向を示し、
キュリ一点を超えると急激に抵抗値が上昇し、その抵抗
変化幅は一般に１０３〜１０７程度に及ぶ（ＰＴＣ領域
）。
、一般に第５図のＰＴＣセラミックスの比抵抗（Ωｃ＋
ｎ）と温度（℃）との関係グラフに示す如く、キュリー
点まではその抵抗値は半導体的性質（ＮＴＣ領域）即ち
、温度が上昇するにつれて、抵抗値は減少傾向を示し、
キュリ一点を超えると急激に抵抗値が上昇し、その抵抗
変化幅は一般に１０３〜１０７程度に及ぶ（ＰＴＣ領域
）。
そして、更に温度が上昇すると再び半導体的性質（ＮＴ
Ｃ領域）となる。
Ｃ領域）となる。
ＰＴＣセラミックスが、定温発熱体−、温度センサー、
電流制限素子などに応用されていることは周知の通りで
ある。
電流制限素子などに応用されていることは周知の通りで
ある。
とりわけ、電流制限素子として応用されるＰＴＣセラミ
ックスに求められる特性の１つに、耐電圧が高いことが
上げられる。
ックスに求められる特性の１つに、耐電圧が高いことが
上げられる。
なぜなら、耐電圧が高ければ、同一定格電圧の素子とし
ては、より小さく、薄く出来るばかりでなく、より高電
圧回路にも適用出来るためである。
ては、より小さく、薄く出来るばかりでなく、より高電
圧回路にも適用出来るためである。
ＰＴＣセラミックスの耐電圧が高いということは、第５
図に示した抵抗一温度特性の電圧依存性が小さいという
ことであり、この耐電圧の向上は、セラミックスの結晶
粒径を可及的小さくすることによって達成出来ることが
知られている。
図に示した抵抗一温度特性の電圧依存性が小さいという
ことであり、この耐電圧の向上は、セラミックスの結晶
粒径を可及的小さくすることによって達成出来ることが
知られている。
このセラミックスの結晶粒の微粒化に関して、従来の方
法では、 ■粒成長抑制効果をもつ成分を添加する。
法では、 ■粒成長抑制効果をもつ成分を添加する。
■本焼成温度を可能な限り低く抑え、粒成長を抑制する
。
。
等のことが行なわれている。
しかしながら、一般に粒或長抑制効果をもつ成分一例え
ばＣａＯ ， ８１０ ２などを適当量添加すると、結
晶粒は微粒化するものの、常温でのＰＴＣセラミックス
の抵抗値が高くなって、むしろ好ましくない。
ばＣａＯ ， ８１０ ２などを適当量添加すると、結
晶粒は微粒化するものの、常温でのＰＴＣセラミックス
の抵抗値が高くなって、むしろ好ましくない。
また、本焼成温度を低く抑えるに従って、一般に粒成長
は抑制出来るもののＰＴＣ特性が不良となり、更に低く
するとＰＴＣ効果を示さなくなる欠点がある。
は抑制出来るもののＰＴＣ特性が不良となり、更に低く
するとＰＴＣ効果を示さなくなる欠点がある。
従来の焼成方法では結晶粒径を２０１Ｊｆｆｉ以上に成
長させる程度の焼成条件にしないと、満足なＰＴＣ効果
をもつセラミックス素体が得られないのが普通である。
長させる程度の焼成条件にしないと、満足なＰＴＣ効果
をもつセラミックス素体が得られないのが普通である。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
ＢａＴ１０ ａ系ＰＴＣセラミックスを焼成する場合の
要点は、（｛）結晶化、（２）半導体化、（３〉焼結化
の３点である。
要点は、（｛）結晶化、（２）半導体化、（３〉焼結化
の３点である。
従来、実施されてきたＰＴＣセラミックスの焼成方法で
は、仮焼工程でｌ０００〜１２００℃の温度で結晶化さ
れ、次の本焼成工程で１３００〜１４００℃の温度で半
導体化と焼結化を行なっているものである。
は、仮焼工程でｌ０００〜１２００℃の温度で結晶化さ
れ、次の本焼成工程で１３００〜１４００℃の温度で半
導体化と焼結化を行なっているものである。
即ち、半導体化温度と焼結化温度は等しく、これらを、
一般には１３６０℃×２時間の本焼成工程で同時に行な
っている。
一般には１３６０℃×２時間の本焼成工程で同時に行な
っている。
これは、良好な半導体ＢａＴｉＯ ａを得るには一般に
１３００℃以上好ましくは、１３５０℃以上の温度での
本焼成が必要で、充分半導体化せしめることが、良好な
ＰＴＣ効果をもつセラミックスを得ることにつながるか
らである。
１３００℃以上好ましくは、１３５０℃以上の温度での
本焼成が必要で、充分半導体化せしめることが、良好な
ＰＴＣ効果をもつセラミックスを得ることにつながるか
らである。
ところが、充分半導体化せしめる温度、即ち１３００℃
以上好ましくは１３５０℃以上で本焼成すると、同時に
結晶粒の成長も促進されて、結果的に焼成したセラミッ
クスの結晶粒径が、どうしても２ ０ ｕｓよりも大き
くならざるを得ないのである。
以上好ましくは１３５０℃以上で本焼成すると、同時に
結晶粒の成長も促進されて、結果的に焼成したセラミッ
クスの結晶粒径が、どうしても２ ０ ｕｓよりも大き
くならざるを得ないのである。
逆に、結晶粒の成長を抑制せしめるべく本焼成温度を下
げていくと、粒成長は抑制されるものの、半導体化が充
分でなくなり、高抵抗化すると共にＰＴＣ効果が不良と
なるのである。
げていくと、粒成長は抑制されるものの、半導体化が充
分でなくなり、高抵抗化すると共にＰＴＣ効果が不良と
なるのである。
本発明は、上記のような従来のＢａＴ１０ ８系ＰＴＣ
セラミックスの焼成法の問題点を解決し、粒成長抑制効
果をもつ成分を特に添加することなく、結晶粒径をＩＯ
μ以下に抑制しつつ、充分なＰＴＣ効果をもつＰＴＣセ
ラミックスの製造方法特に焼成方法を提供することを目
的とする。
セラミックスの焼成法の問題点を解決し、粒成長抑制効
果をもつ成分を特に添加することなく、結晶粒径をＩＯ
μ以下に抑制しつつ、充分なＰＴＣ効果をもつＰＴＣセ
ラミックスの製造方法特に焼成方法を提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記従来法の問題点を解決すべくなされたも
ので、本焼成工程で従来行なわれている半導体化と焼結
化を分離して、先ず（従来法で１０００〜１２００℃で
実施していた）仮焼工程を、従来法の本焼成温度に相当
する（１３００〜１４５０℃）温度で、結晶化と半導体
化を同時にせしめ、本焼或工程では、温度を少なくとも
仮焼温度以下で実施して焼結化だけを行なわしめること
を特徴とするものである。
ので、本焼成工程で従来行なわれている半導体化と焼結
化を分離して、先ず（従来法で１０００〜１２００℃で
実施していた）仮焼工程を、従来法の本焼成温度に相当
する（１３００〜１４５０℃）温度で、結晶化と半導体
化を同時にせしめ、本焼或工程では、温度を少なくとも
仮焼温度以下で実施して焼結化だけを行なわしめること
を特徴とするものである。
即ち本発明は
ＢａＴＩＯ ３系ＰＴＣセラミックス製造方法において
、仮焼工程を前記セラミックス成分の結晶化および半導
体化せしめる温度にて仮焼し、次いで少なくとも前紀仮
焼温度以下の温度で本焼成し粒成長を抑制しつづ、焼結
化することを特徴とする１３ａＴＩＯ ａ系微細粒ＰＴ
Ｃセラミックスの製造方法であり、具体的には前記仮焼
温度を１３００℃〜１４５０℃とし、前記本焼成温度を
１２００℃〜１３ＢＯ℃とすることを特徴とする上記の
ＰＴＣセラミックスの製造方法である。
、仮焼工程を前記セラミックス成分の結晶化および半導
体化せしめる温度にて仮焼し、次いで少なくとも前紀仮
焼温度以下の温度で本焼成し粒成長を抑制しつづ、焼結
化することを特徴とする１３ａＴＩＯ ａ系微細粒ＰＴ
Ｃセラミックスの製造方法であり、具体的には前記仮焼
温度を１３００℃〜１４５０℃とし、前記本焼成温度を
１２００℃〜１３ＢＯ℃とすることを特徴とする上記の
ＰＴＣセラミックスの製造方法である。
［作用］
本発明方法によって、従来本焼成工程を１３００℃以上
、好ましくは１３５０℃以上の温度で、実施しないと、
充分に半導体せず、且つ良好なＰＴＣ効果が得られなか
ったＢａＴ１０ ３系ＰＴＣセラミックスが、ＩＨＯ℃
以下の本焼成温度で粒成長を極めて抑制しつつ、良好な
ＰＴＣ効果が得られることが明らかとなった。
、好ましくは１３５０℃以上の温度で、実施しないと、
充分に半導体せず、且つ良好なＰＴＣ効果が得られなか
ったＢａＴ１０ ３系ＰＴＣセラミックスが、ＩＨＯ℃
以下の本焼成温度で粒成長を極めて抑制しつつ、良好な
ＰＴＣ効果が得られることが明らかとなった。
本発明は、仮焼工程を、本焼成温度に相当する高温度で
実施し、先ず充分な導電性をもつ半導体焼結物を得て、
これを粉砕し、本焼成工程時には、粒成長を抑制するた
め仮焼温度より低温で焼結させるものである。これによ
って、従来法では１３００℃以上の本焼成温度で、ある
程度粒成長を促進させないと、充分な半導体化およびＰ
ＴＣ効果が得られないにも拘らず、本発明の方法では、
本焼成温度が１３００℃以下の温度でも、粒成長を抑制
しつつ、充分なＰＴＣ効果が得られるものである。
実施し、先ず充分な導電性をもつ半導体焼結物を得て、
これを粉砕し、本焼成工程時には、粒成長を抑制するた
め仮焼温度より低温で焼結させるものである。これによ
って、従来法では１３００℃以上の本焼成温度で、ある
程度粒成長を促進させないと、充分な半導体化およびＰ
ＴＣ効果が得られないにも拘らず、本発明の方法では、
本焼成温度が１３００℃以下の温度でも、粒成長を抑制
しつつ、充分なＰＴＣ効果が得られるものである。
本発明による方法では、高温での仮焼工程で結晶化と半
導体化を行なわしめるため、粉砕後の仮焼粉の活性度が
、従来法に比べて低下しているものと考えられ、これに
よって次の本焼成工程での焼結化に伴なう粒成長が極め
て抑制出来るものと思われる。
導体化を行なわしめるため、粉砕後の仮焼粉の活性度が
、従来法に比べて低下しているものと考えられ、これに
よって次の本焼成工程での焼結化に伴なう粒成長が極め
て抑制出来るものと思われる。
これにより、従来法で調製したＢａＴｌＯ ａ系セラミ
ックスと比べて、室温での比抵抗値は概ね同等かむしろ
低くて、結晶粒径の極めて小さなＰＴＣセラミックスを
得ることが出来る。
ックスと比べて、室温での比抵抗値は概ね同等かむしろ
低くて、結晶粒径の極めて小さなＰＴＣセラミックスを
得ることが出来る。
したがって、ＰＴＣ効果の電圧依存性が小さくなると共
に、耐電圧が向上するので、より軽薄化およびより高電
圧化への応用が可能となるものである。
に、耐電圧が向上するので、より軽薄化およびより高電
圧化への応用が可能となるものである。
次に本発明の実施例について述べる。
［実施例］
［比較例］
先ず比較のため従来法によるＰＴＣセラミックスについ
て述べる。
て述べる。
成分配合を
（Ｂａ Ｓｒ ） Ｔ１０ ＋〇．００１Ｓ
ｂ ２ ０ ａ ＋０．９ ０．１ ３ ０．００２５８１０ となるように、ＢａＣＯａ ，
ＳｒＣＯａ ，２ ＴｉＯ ，Ｓｂ Ｏ ，３１０２を秤量し、ボー
ルミル２ ２ ３ にて１０時間粉砕混合したのち、脱水乾燥した。
ｂ ２ ０ ａ ＋０．９ ０．１ ３ ０．００２５８１０ となるように、ＢａＣＯａ ，
ＳｒＣＯａ ，２ ＴｉＯ ，Ｓｂ Ｏ ，３１０２を秤量し、ボー
ルミル２ ２ ３ にて１０時間粉砕混合したのち、脱水乾燥した。
これに６％ポリビニルアルコールＰＶＡを加えて１次成
型したのち、通常の１ｌ５０℃、２時間仮焼した。
型したのち、通常の１ｌ５０℃、２時間仮焼した。
仮焼成後、３ＩＩＩＩｌφのジルコニアボールによりボ
ールミルにて１０時間粉砕し、脱水乾燥したのち６％Ｐ
ＶＡを粉砕試料１（１０ｇに対して３ｃｃ程度加えて、
１５＋ｏ＋ｓφ、厚さ２ ｍｍに成型した。
ールミルにて１０時間粉砕し、脱水乾燥したのち６％Ｐ
ＶＡを粉砕試料１（１０ｇに対して３ｃｃ程度加えて、
１５＋ｏ＋ｓφ、厚さ２ ｍｍに成型した。
次いで成型物の本焼或を行なった。
本焼成は、昇温速度１５０℃／時間とし、焼成温度１１
５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５
０℃に各２時間保持したのち、炉内にて自然冷却した。
５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５
０℃に各２時間保持したのち、炉内にて自然冷却した。
こうして得られたＰＴＣセラミックスにオーミックコン
タクト良好なＡｇ電極を焼付けて比抵抗測定試料とした
。
タクト良好なＡｇ電極を焼付けて比抵抗測定試料とした
。
この試料の比抵抗（Ωｃｍ）と温度（”Ｃ）との関係グ
ラフを第１図に示す。
ラフを第１図に示す。
第１図より、従来の焼成法では、１３００℃以上の本焼
成温度では、ＰＴＣ効果が発現するものの、それ以下で
は、半導体化せず、ＰＴＣ効果が発現しないことが分か
る。
成温度では、ＰＴＣ効果が発現するものの、それ以下で
は、半導体化せず、ＰＴＣ効果が発現しないことが分か
る。
又、第２ａ図，第２ｂ図．第２Ｃ図，第２ｄ図，第２ｅ
図は夫々１ｌ５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３０
０℃、１３５０℃の焼成温度における試料表面の焼結体
の結晶組織写真である。
図は夫々１ｌ５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３０
０℃、１３５０℃の焼成温度における試料表面の焼結体
の結晶組織写真である。
これら第２ａ図〜第２ｅ図より、従来法ではＰＴＣ効果
が発現しない１２５０℃以下では、焼結粒径が１四程度
と、微粒であるものの、ＰＴＣ効果が発現する１３００
℃以上では３〇一程度、また１３５０℃では６０１Ｊ＋
！１以上となることが分かる。
が発現しない１２５０℃以下では、焼結粒径が１四程度
と、微粒であるものの、ＰＴＣ効果が発現する１３００
℃以上では３〇一程度、また１３５０℃では６０１Ｊ＋
！１以上となることが分かる。
［実施例］
次に本発明による方法について述べる。
成分配合は、前述の比較例の従来法と同じものを全く同
様の方法にて、１次成型したのち、成型物を１３５０℃
、２時間仮焼した。
様の方法にて、１次成型したのち、成型物を１３５０℃
、２時間仮焼した。
仮焼成後、３關φおよび１ｌＩＩＩφのジルコニアボー
ルによりボールミルにて２４時間粉砕し、脱水乾燥した
。ここで、従来法と、粉砕条件が異なるのは、粉砕後の
粒度を従来法の比較例の場合と同一にするためであり、
平均拉径は、約０，３−である。
ルによりボールミルにて２４時間粉砕し、脱水乾燥した
。ここで、従来法と、粉砕条件が異なるのは、粉砕後の
粒度を従来法の比較例の場合と同一にするためであり、
平均拉径は、約０，３−である。
これを比較例と全く同様にして、脱水乾燥したのち、６
％ＰＶＡを粉砕試料１００ｇに対して３ｃｃ程度加え１
５ｍｍφ、厚さ２ ｍｍに成型した。
％ＰＶＡを粉砕試料１００ｇに対して３ｃｃ程度加え１
５ｍｍφ、厚さ２ ｍｍに成型した。
次いで戊型物の本焼成を行なった。
本焼成は、昇温速度１５０℃／時間とし、焼成温度１１
５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５
０℃に各２時間保持したのち、炉内にて自然冷却した。
５０℃、１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５
０℃に各２時間保持したのち、炉内にて自然冷却した。
これに、比較例と同様にして、Ａｇ電極を焼付けて比抵
抗測定試料とした。
抗測定試料とした。
この試料の比抵抗（ΩｃＩＩ＋）と温度（℃）との関係
グラフを第３図に示す。
グラフを第３図に示す。
第３図より、本発明による方法では、従来法ではＰＴＣ
効果の発現しなかった１２５０℃以下でもＰＴＣ効果が
現われ、室温付近の比抵抗も、同等か、むしろより低く
なることが分かる。
効果の発現しなかった１２５０℃以下でもＰＴＣ効果が
現われ、室温付近の比抵抗も、同等か、むしろより低く
なることが分かる。
又、第４ａ図，第４ｂ図．第４Ｃ図，第４ｄ図は、夫々
１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃の焼
成温度における試料表面の焼結体の結晶組織写真である
。
１２００℃、１２５０℃、１３００℃、１３５０℃の焼
成温度における試料表面の焼結体の結晶組織写真である
。
これら第４ａ図〜第４ｄ図より、ＰＴＣ効果の発現する
１２００℃ではＩＩａ１以下、ｌ２５０℃で５１Ｊｆｌ
１以下、また、１３００〜ｉ３５０℃でも２〇一程度と
、粒成長が抑制されていることが分かる。
１２００℃ではＩＩａ１以下、ｌ２５０℃で５１Ｊｆｌ
１以下、また、１３００〜ｉ３５０℃でも２〇一程度と
、粒成長が抑制されていることが分かる。
第１表に、従来法の比較例と本発明の実施例における各
本焼或温度に対する焼結体の結晶粒径とＰＴＣ効果発現
の有無について、まとめて示す。
本焼或温度に対する焼結体の結晶粒径とＰＴＣ効果発現
の有無について、まとめて示す。
本発明による方法は、本実施例のＢａＴＩＯ ａ系ＰＴ
Ｃセラミックスのみならず、電子セラミックスの主とし
て粒界の作用を利用するバリスタ、半導体コンデンサー
材料など、広く応用出来るものと考えられる。
Ｃセラミックスのみならず、電子セラミックスの主とし
て粒界の作用を利用するバリスタ、半導体コンデンサー
材料など、広く応用出来るものと考えられる。
第１表
［発明の効果］
以上のように、本発明のＰＴＣセラミックス製造方法に
よれば、 ＢａＴＩＯ ａ系ＰＴＣセラミックスの調製において、
仮焼工程を１３００〜１４５０℃の焼成温度で結晶化と
、半導体化を実施せしめ、本焼成工程を、少なくとも仮
焼温度以下で実施して、焼結化だけを行なわしめるとい
う、従来法とは全く異なる製造方法にて行なった結果、
従来法に比べて、 室温での比抵抗値は概ね同等かむしろ低くて、結晶粒径
の極めて小さなＰＴＣセラミックスを得ることが出来る
ため、ＰＴＣ効果の電圧依存性が小さくなると共に、耐
電圧が向上するので、より軽薄化および高電圧化への応
用が可能となる等の効果を奏するものである。
よれば、 ＢａＴＩＯ ａ系ＰＴＣセラミックスの調製において、
仮焼工程を１３００〜１４５０℃の焼成温度で結晶化と
、半導体化を実施せしめ、本焼成工程を、少なくとも仮
焼温度以下で実施して、焼結化だけを行なわしめるとい
う、従来法とは全く異なる製造方法にて行なった結果、
従来法に比べて、 室温での比抵抗値は概ね同等かむしろ低くて、結晶粒径
の極めて小さなＰＴＣセラミックスを得ることが出来る
ため、ＰＴＣ効果の電圧依存性が小さくなると共に、耐
電圧が向上するので、より軽薄化および高電圧化への応
用が可能となる等の効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第ｌ図及び第３図は、実施例における比抵抗と温度との
関係グラフ、第２ａ図，第２ｂ図，第２Ｃ図，第２ｄ図
．第２ｅ図及び第４ａ図，第４ｂ図，第４ｃ図，第４ｄ
図は夫々従来法の比較例及び本発明の実施例における結
晶組織構造を示す写真、第５図は、従来法の場合のＰＴ
Ｃセラミックスの抵抗と温度との関係グラフである。
関係グラフ、第２ａ図，第２ｂ図，第２Ｃ図，第２ｄ図
．第２ｅ図及び第４ａ図，第４ｂ図，第４ｃ図，第４ｄ
図は夫々従来法の比較例及び本発明の実施例における結
晶組織構造を示す写真、第５図は、従来法の場合のＰＴ
Ｃセラミックスの抵抗と温度との関係グラフである。
Claims (3)
- （１） ＢａＴｉＯ＿３系ＰＴＣセラミックス製造方法
において、仮焼工程を前記セラミックス成分の結晶化お
よび半導体化せしめる温度にて仮焼し、次いで、少なく
とも前記仮焼温度以下の温度で本焼成し、粒成長を抑制
しつつ焼結化することを特徴とするＰＴＣセラミックス
の製造方法。 - （２） 前記仮焼するに当っての温度を１３００℃〜１
４５０℃とすることを特徴とする請求項１記載のＰＴＣ
セラミックスの製造方法。 - （３） 前記本焼成するに当っての温度を１２００℃〜
１３６０℃とすることを特徴とする請求項１記載のＰＴ
Ｃセラミックスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10174389 | 1989-04-24 | ||
| JP1-101743 | 1989-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03103357A true JPH03103357A (ja) | 1991-04-30 |
| JPH0561221B2 JPH0561221B2 (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=14308728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1124490A Granted JPH03103357A (ja) | 1989-04-24 | 1989-05-19 | Ｐｔｃセラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03103357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7754385B2 (en) | 2004-04-23 | 2010-07-13 | Lg Chem, Ltd. | Anode active material with improved electrochemical properties and electrochemical device comprising the same |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1124490A patent/JPH03103357A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7754385B2 (en) | 2004-04-23 | 2010-07-13 | Lg Chem, Ltd. | Anode active material with improved electrochemical properties and electrochemical device comprising the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0561221B2 (ja) | 1993-09-03 |
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