JPH11292622A - 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 - Google Patents
半導体セラミックおよび半導体セラミック素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電圧強度が８００V／mm以上、室温比抵抗
が１００Ω・cm以下であり、かつ室温比抵抗の経時変化
がほとんど起こらない半導体セラミックを提供する。 【解決手段】 チタン酸バリウムを含む半導体材料を焼
結してなる半導体セラミックであって、半導体セラミッ
クの平均粒径が１．０μｍ以下であり、かつ半導体セラ
ミックの表面は、ＸＰＳによって算出されるＢａＣＯ3
／ＢａＯの相対強度比が０．５０以下であることを特徴
とする。
が１００Ω・cm以下であり、かつ室温比抵抗の経時変化
がほとんど起こらない半導体セラミックを提供する。 【解決手段】 チタン酸バリウムを含む半導体材料を焼
結してなる半導体セラミックであって、半導体セラミッ
クの平均粒径が１．０μｍ以下であり、かつ半導体セラ
ミックの表面は、ＸＰＳによって算出されるＢａＣＯ3
／ＢａＯの相対強度比が０．５０以下であることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体セラミック、
特にチタン酸バリウム系の半導体セラミックに関する。
特にチタン酸バリウム系の半導体セラミックに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする問題点】従来
より、温度制御、電流制限、定温度発熱などに用いられ
る電子部品素子には、キュリー温度を超えると急激に抵
抗が上昇する正の抵抗温度特性（以下、ＰＴＣ特性とす
る）を有する半導体セラミック素子が用いられている。
この半導体セラミックとしては、チタン酸バリウム系の
ものが広く用いられている。
より、温度制御、電流制限、定温度発熱などに用いられ
る電子部品素子には、キュリー温度を超えると急激に抵
抗が上昇する正の抵抗温度特性（以下、ＰＴＣ特性とす
る）を有する半導体セラミック素子が用いられている。
この半導体セラミックとしては、チタン酸バリウム系の
ものが広く用いられている。
【０００３】近年、上記のような用途で用いられる半導
体セラミック素子に対して、高い電圧でも使用可能な耐
電圧の高い（耐電圧強度が高い）ものが要望されてい
る。特に、回路用過電流保護素子に用いられている半導
体セラミック素子に対する高耐電圧化の要求が高まって
いる。
体セラミック素子に対して、高い電圧でも使用可能な耐
電圧の高い（耐電圧強度が高い）ものが要望されてい
る。特に、回路用過電流保護素子に用いられている半導
体セラミック素子に対する高耐電圧化の要求が高まって
いる。
【０００４】一般に、半導体セラミックの粒子を小さく
すると耐電圧強度が上昇することが知られている。この
ため、チタン酸バリウム系半導体セラミックの高耐電圧
化を目的として、半導体セラミックの微粒子化の研究が
行われてきた。例えば、特開平４−２６１０１号公報に
は、ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｎＯ2を含有した
ＢａＴｉＯ3とＳｒＴｉＯ3とからなる半導体セラミック
にＤｙ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3を含有させることによって、耐電
圧が高く、比抵抗が低い半導体セラミックが得られるこ
とが開示されている。しかしながら、その比抵抗は５０
Ω・cmと低いものの、耐電圧強度は２００V／mm前後と満
足できるものではない。また、その粒径も６〜１５μｍ
と大きいという問題がある。
すると耐電圧強度が上昇することが知られている。この
ため、チタン酸バリウム系半導体セラミックの高耐電圧
化を目的として、半導体セラミックの微粒子化の研究が
行われてきた。例えば、特開平４−２６１０１号公報に
は、ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｎＯ2を含有した
ＢａＴｉＯ3とＳｒＴｉＯ3とからなる半導体セラミック
にＤｙ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3を含有させることによって、耐電
圧が高く、比抵抗が低い半導体セラミックが得られるこ
とが開示されている。しかしながら、その比抵抗は５０
Ω・cmと低いものの、耐電圧強度は２００V／mm前後と満
足できるものではない。また、その粒径も６〜１５μｍ
と大きいという問題がある。
【０００５】また、特公昭６０−２５００４号公報に
は、チタン酸バリウムと、半導体化剤としてＳｂ酸化物
とを粉砕混合して仮焼した粉体を用い、その仮焼条件や
成形圧等を制御し、１３５０℃で焼成することによっ
て、半導体セラミックの粒径が１〜５μｍであり、耐電
圧強度が最高値で５００V／mmの半導体セラミックが得
られることが開示されている。しかしながら、この耐電
圧強度では、近年の高耐電圧化の要求には十分応えられ
るものではなく、より耐電圧強度の高い半導体セラミッ
クが望まれている。
は、チタン酸バリウムと、半導体化剤としてＳｂ酸化物
とを粉砕混合して仮焼した粉体を用い、その仮焼条件や
成形圧等を制御し、１３５０℃で焼成することによっ
て、半導体セラミックの粒径が１〜５μｍであり、耐電
圧強度が最高値で５００V／mmの半導体セラミックが得
られることが開示されている。しかしながら、この耐電
圧強度では、近年の高耐電圧化の要求には十分応えられ
るものではなく、より耐電圧強度の高い半導体セラミッ
クが望まれている。
【０００６】一方、より耐電圧強度を高めるために、半
導体セラミックの粒径を１．０μｍ以下にする試みがな
されている。しかしながら、半導体セラミックの平均粒
径を小さくすることによって、半導体セラミックの室温
比抵抗が時間と共に増大するという問題があった。
導体セラミックの粒径を１．０μｍ以下にする試みがな
されている。しかしながら、半導体セラミックの平均粒
径を小さくすることによって、半導体セラミックの室温
比抵抗が時間と共に増大するという問題があった。
【０００７】本発明の目的は、耐電圧強度が８００V／m
m以上、室温比抵抗が１００Ω・cm以下であり、かつ室温
比抵抗の経時変化がほとんど起こらない半導体セラミッ
クおよび半導体セラミック素子を提供することにある。
m以上、室温比抵抗が１００Ω・cm以下であり、かつ室温
比抵抗の経時変化がほとんど起こらない半導体セラミッ
クおよび半導体セラミック素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記のような
目的に鑑みてなされたものである。第１の発明の半導体
セラミックは、チタン酸バリウムを含む半導体材料を焼
結してなる半導体セラミックであって、前記半導体セラ
ミックの平均粒径が１．０μｍ以下であり、かつ前記半
導体セラミックの表面は、ＸＰＳによって算出されるＢ
ａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が０．５０以下であるこ
とを特徴とする。
目的に鑑みてなされたものである。第１の発明の半導体
セラミックは、チタン酸バリウムを含む半導体材料を焼
結してなる半導体セラミックであって、前記半導体セラ
ミックの平均粒径が１．０μｍ以下であり、かつ前記半
導体セラミックの表面は、ＸＰＳによって算出されるＢ
ａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が０．５０以下であるこ
とを特徴とする。
【０００９】このような構成にすることによって、耐電
圧強度が８００V／mm以上、室温比抵抗が１００Ω・cm以
下であり、かつ室温比抵抗の経時変化の起こらない半導
体セラミックとすることができる。
圧強度が８００V／mm以上、室温比抵抗が１００Ω・cm以
下であり、かつ室温比抵抗の経時変化の起こらない半導
体セラミックとすることができる。
【００１０】ここで、ＢａＣＯ3／ＢａＯの値と室温比
抵抗の経時変化との関係について説明する。通常、炭酸
バリウムと酸化チタンを用いてチタン酸バリウムを合成
する際、チタン酸バリウム粒子の表面には、極微量の未
反応の炭酸バリウムが存在している。この未反応の炭酸
バリウムが過剰に存在する場合、この炭酸バリウムは、
焼成直後では酸化バリウムとして磁器粒子内に存在して
いるものの、空気中で放置しておくと、空気中の二酸化
炭素と反応し、粒界に高抵抗の炭酸バリウム相として偏
析する。本発明者らは、この粒界に形成された炭酸バリ
ウム相が半導体セラミックの室温比抵抗が上昇する原因
であることを発見した。そして、チタン酸バリウム系半
導体セラミックの表面のＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度
比を上記の範囲に調整することによって、半導体セラミ
ックの室温比抵抗が上昇することを防止できることを見
いだし、本発明を成すに至った。
抵抗の経時変化との関係について説明する。通常、炭酸
バリウムと酸化チタンを用いてチタン酸バリウムを合成
する際、チタン酸バリウム粒子の表面には、極微量の未
反応の炭酸バリウムが存在している。この未反応の炭酸
バリウムが過剰に存在する場合、この炭酸バリウムは、
焼成直後では酸化バリウムとして磁器粒子内に存在して
いるものの、空気中で放置しておくと、空気中の二酸化
炭素と反応し、粒界に高抵抗の炭酸バリウム相として偏
析する。本発明者らは、この粒界に形成された炭酸バリ
ウム相が半導体セラミックの室温比抵抗が上昇する原因
であることを発見した。そして、チタン酸バリウム系半
導体セラミックの表面のＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度
比を上記の範囲に調整することによって、半導体セラミ
ックの室温比抵抗が上昇することを防止できることを見
いだし、本発明を成すに至った。
【００１１】また、第２の発明の半導体セラミック素子
は、請求項１に記載の半導体セラミックの両主面に電極
を形成したことを特徴とする。
は、請求項１に記載の半導体セラミックの両主面に電極
を形成したことを特徴とする。
【００１２】このような構成にすることによって、室温
比抵抗の経時変化のない半導体セラミック素子とするこ
とができる。また、チタン酸バリウムの平均粒径が１．
０μｍ以下であるので、耐電圧強度を高めることができ
る。また、従来の素子の高さが約２mmであったのに対
し、０．７〜１．０mmまで素子の高さを小さくすること
ができる。
比抵抗の経時変化のない半導体セラミック素子とするこ
とができる。また、チタン酸バリウムの平均粒径が１．
０μｍ以下であるので、耐電圧強度を高めることができ
る。また、従来の素子の高さが約２mmであったのに対
し、０．７〜１．０mmまで素子の高さを小さくすること
ができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の半導体セラミックに用い
られるチタン酸バリウムは、ＢａＴｉＯ3に限らず、Ｂ
ａの一部をＳｒ，Ｃａ，Ｐｂ，Ｙ，希土類元素等で置換
したものや、Ｔｉの一部をＳｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ
等で置換したものでもよい。
られるチタン酸バリウムは、ＢａＴｉＯ3に限らず、Ｂ
ａの一部をＳｒ，Ｃａ，Ｐｂ，Ｙ，希土類元素等で置換
したものや、Ｔｉの一部をＳｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ
等で置換したものでもよい。
【００１４】また、本発明の半導体セラミックの半導体
材料には、チタン酸バリウムの他に、ＭｎＯ2，Ｓｉ
Ｏ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等を適宜量含有させてもよい。
材料には、チタン酸バリウムの他に、ＭｎＯ2，Ｓｉ
Ｏ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3等を適宜量含有させてもよい。
【００１５】また、本発明の半導体セラミックの平均粒
径は１．０μｍ以下でなければならないが、一部粒径が
１．０μｍを超える粒子が存在しても、平均で１．０μ
ｍ以下になればよい。
径は１．０μｍ以下でなければならないが、一部粒径が
１．０μｍを超える粒子が存在しても、平均で１．０μ
ｍ以下になればよい。
【００１６】また、本発明の半導体セラミックの表面の
ＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比は０．５０以下である
必要がある。なお、ここでいう表面とは、半導体セラミ
ックのうち、空気に触れる部分を指すものであり、破断
面なども含むものである。
ＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比は０．５０以下である
必要がある。なお、ここでいう表面とは、半導体セラミ
ックのうち、空気に触れる部分を指すものであり、破断
面なども含むものである。
【００１７】また、本発明において経時変化がほとんど
起こらないというのは、焼成直後から１０００時間後の
室温比抵抗値を焼成直後の室温比抵抗値で除したものを
経時変化率として、その値が１．０５以下のものであ
る。
起こらないというのは、焼成直後から１０００時間後の
室温比抵抗値を焼成直後の室温比抵抗値で除したものを
経時変化率として、その値が１．０５以下のものであ
る。
【００１８】次に、本発明を実施例を用いてさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１９】
【実施例】Ｂａが含有された水酸化バリウム水溶液と、
Ｔｉが２．６５５mol含有されたＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）4で
表せられるＴｉアルコキシドのイソプロピルアルコール
（以下、ＩＰＡとする）溶液をそれぞれ調整した。さら
に、ＬａＣｌ3・６．３Ｈ2Ｏで表せられる塩化ランタン
を２．３８５ｇエタノールに溶解させたエタノール溶液
１００cc（溶液中のＬａ量は０．００６６４mol）をＴ
ｉアルコキシドのＩＰＡ溶液中に均一に混合させた。
Ｔｉが２．６５５mol含有されたＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）4で
表せられるＴｉアルコキシドのイソプロピルアルコール
（以下、ＩＰＡとする）溶液をそれぞれ調整した。さら
に、ＬａＣｌ3・６．３Ｈ2Ｏで表せられる塩化ランタン
を２．３８５ｇエタノールに溶解させたエタノール溶液
１００cc（溶液中のＬａ量は０．００６６４mol）をＴ
ｉアルコキシドのＩＰＡ溶液中に均一に混合させた。
【００２０】次に、水酸化バリウム水溶液と、塩化ラン
タンのエタノール溶液を混合させたＴｉアルコキシドの
ＩＰＡ溶液とを混合、反応せしめてスラリーとし、この
スラリーを熟成槽に投入した。次に、熟成後のスラリー
を脱水し、得られた脱水ケーキを１１０℃で３時間乾燥
させた。乾燥後、解砕してＬａ含有チタン酸バリウム粉
末を得た。
タンのエタノール溶液を混合させたＴｉアルコキシドの
ＩＰＡ溶液とを混合、反応せしめてスラリーとし、この
スラリーを熟成槽に投入した。次に、熟成後のスラリー
を脱水し、得られた脱水ケーキを１１０℃で３時間乾燥
させた。乾燥後、解砕してＬａ含有チタン酸バリウム粉
末を得た。
【００２１】上記のようにして得られたＬａ含有チタン
酸バリウム粉末、あるいはこの粉末を８００〜１０００
℃で２時間仮焼したものに、酢酸ビニル等のバインダー
を添加して造粒粉を作製し、得られた造粒粉に一軸加圧
プレス成形を施すことによって、直径１０mm、厚さ１mm
の円板状の成形体を得た。次に、得られた成形体を１２
００〜１３００℃で２時間、大気中で焼成し、半導体セ
ラミックを得た。さらに、半導体セラミックの両主面に
Ｉｎ−Ｇａ電極ペーストを塗布した後、焼き付けて電極
を形成し、半導体セラミック素子とした。
酸バリウム粉末、あるいはこの粉末を８００〜１０００
℃で２時間仮焼したものに、酢酸ビニル等のバインダー
を添加して造粒粉を作製し、得られた造粒粉に一軸加圧
プレス成形を施すことによって、直径１０mm、厚さ１mm
の円板状の成形体を得た。次に、得られた成形体を１２
００〜１３００℃で２時間、大気中で焼成し、半導体セ
ラミックを得た。さらに、半導体セラミックの両主面に
Ｉｎ−Ｇａ電極ペーストを塗布した後、焼き付けて電極
を形成し、半導体セラミック素子とした。
【００２２】上記のようにして作製する半導体セラミッ
ク素子の水酸化バリウム水溶液のＢａ含有量を変化さ
せ、それぞれの室温比抵抗、耐電圧強度、半導体セラミ
ック表面のＢａＣＯ3／ＢａＯ比、室温比抵抗の経時変
化率を測定した。その結果を表１に示す。なお、表１中
の※印は本発明の範囲外である。また、室温比抵抗は、
２５℃においてデジタルボルトメーターを用い、４端子
法で測定した。また、耐電圧強度は、試料に破壊が起こ
る寸前の最高印加電圧を測定し、試料の電極間厚みで除
したものである。また、半導体セラミック表面のＢａＣ
Ｏ3／ＢａＯ比は、半導体セラミック表面および破断面
をＸＰＳ分析による相対強度比として算出した。また、
室温比抵抗の経時変化率は、焼成直後から１０００時間
後の室温比抵抗値を焼成直後の室温比抵抗値で除したも
のである。
ク素子の水酸化バリウム水溶液のＢａ含有量を変化さ
せ、それぞれの室温比抵抗、耐電圧強度、半導体セラミ
ック表面のＢａＣＯ3／ＢａＯ比、室温比抵抗の経時変
化率を測定した。その結果を表１に示す。なお、表１中
の※印は本発明の範囲外である。また、室温比抵抗は、
２５℃においてデジタルボルトメーターを用い、４端子
法で測定した。また、耐電圧強度は、試料に破壊が起こ
る寸前の最高印加電圧を測定し、試料の電極間厚みで除
したものである。また、半導体セラミック表面のＢａＣ
Ｏ3／ＢａＯ比は、半導体セラミック表面および破断面
をＸＰＳ分析による相対強度比として算出した。また、
室温比抵抗の経時変化率は、焼成直後から１０００時間
後の室温比抵抗値を焼成直後の室温比抵抗値で除したも
のである。
【００２３】また、表１中の比較例は、上記のようにし
て作製する半導体セラミック素子の水酸化バリウム水溶
液のＢａ含有量を変化させたものを用い、比較例は、焼
成条件を１３５０℃で２時間としたものを用いた。
て作製する半導体セラミック素子の水酸化バリウム水溶
液のＢａ含有量を変化させたものを用い、比較例は、焼
成条件を１３５０℃で２時間としたものを用いた。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示すように、半導体セラミックの平
均粒径が１．０μｍ以下であり、表面のＢａＣＯ3／Ｂ
ａＯの相対強度比が０．５０以下であるものは、室温比
抵抗が１００Ω・cm以下、耐電圧強度が８００V／mm以
上、経時変化率が１．０５以下であることが確認でき
る。
均粒径が１．０μｍ以下であり、表面のＢａＣＯ3／Ｂ
ａＯの相対強度比が０．５０以下であるものは、室温比
抵抗が１００Ω・cm以下、耐電圧強度が８００V／mm以
上、経時変化率が１．０５以下であることが確認でき
る。
【００２６】ここで、請求項１において、半導体セラミ
ックの平均粒径と、半導体セラミックの表面のＢａＣＯ
3／ＢａＯの相対強度比を限定した理由を説明する。
ックの平均粒径と、半導体セラミックの表面のＢａＣＯ
3／ＢａＯの相対強度比を限定した理由を説明する。
【００２７】半導体セラミックの平均粒径を１．０μｍ
以下に限定したのは、比較例のように、半導体セラミッ
クの平均粒径が１．０μｍより大きい場合には、耐電圧
強度が低く好ましくないからである。
以下に限定したのは、比較例のように、半導体セラミッ
クの平均粒径が１．０μｍより大きい場合には、耐電圧
強度が低く好ましくないからである。
【００２８】また、半導体セラミックの表面のＢａＣＯ
3／ＢａＯの相対強度比を０．５０以下に限定したの
は、試料番号４，５のように、半導体セラミックの表面
のＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が０．５０より大き
い場合には、経時変化率が大きくなり好ましくないから
である。
3／ＢａＯの相対強度比を０．５０以下に限定したの
は、試料番号４，５のように、半導体セラミックの表面
のＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が０．５０より大き
い場合には、経時変化率が大きくなり好ましくないから
である。
【００２９】本実施例においては、半導体化剤としてＬ
ａを用いたが、本発明の半導体セラミックにおいては、
特にこれに限定するものではなく、例えば、Ｙ，Ｓｍ，
Ｃｅ，Ｄｙ，Ｇａ等の希土類や、Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓ
ｂ，Ｗ等の遷移元素を用いてもよい。また、チタン酸バ
リウムの合成方法としては、本実施例では加水分解法を
用いているが、この他にもゾルゲル法、水熱法、共沈
法、固相法等を用いてもよい。
ａを用いたが、本発明の半導体セラミックにおいては、
特にこれに限定するものではなく、例えば、Ｙ，Ｓｍ，
Ｃｅ，Ｄｙ，Ｇａ等の希土類や、Ｎｂ，Ｔａ，Ｂｉ，Ｓ
ｂ，Ｗ等の遷移元素を用いてもよい。また、チタン酸バ
リウムの合成方法としては、本実施例では加水分解法を
用いているが、この他にもゾルゲル法、水熱法、共沈
法、固相法等を用いてもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体セラミックは、チタン酸
バリウムを含む半導体材料を焼結してなる半導体セラミ
ックであって、半導体セラミックの平均粒径が１．０μ
ｍ以下であり、かつ半導体セラミックの表面は、ＸＰＳ
によって算出されるＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が
０．５０以下であるので、耐電圧強度が８００V／mm以
上、室温比抵抗が１００Ω・cm以下であり、かつ室温比
抵抗の経時変化がほとんど起こらないようにすることが
できる。
バリウムを含む半導体材料を焼結してなる半導体セラミ
ックであって、半導体セラミックの平均粒径が１．０μ
ｍ以下であり、かつ半導体セラミックの表面は、ＸＰＳ
によって算出されるＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が
０．５０以下であるので、耐電圧強度が８００V／mm以
上、室温比抵抗が１００Ω・cm以下であり、かつ室温比
抵抗の経時変化がほとんど起こらないようにすることが
できる。
【００３１】また、本発明の半導体セラミック素子は、
上記半導体セラミックの両主面に電極を形成しているの
で、素子の高さを０．７mm〜１．０mm程度にまで低くす
ることができる。
上記半導体セラミックの両主面に電極を形成しているの
で、素子の高さを０．７mm〜１．０mm程度にまで低くす
ることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを含む半導体材料を焼
結してなる半導体セラミックであって、 前記半導体セラミックの平均粒径が１．０μｍ以下であ
り、かつ前記半導体セラミックの表面は、ＸＰＳによっ
て算出されるＢａＣＯ3／ＢａＯの相対強度比が０．５
０以下であることを特徴とする半導体セラミック。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体セラミックの両
主面に電極を形成したことを特徴とする半導体セラミッ
ク素子。
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|---|---|---|---|
| JP10101156A JP3039511B2 (ja) | 1998-04-13 | 1998-04-13 | 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子 |
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| TW088104057A TW565542B (en) | 1998-04-13 | 1999-03-16 | Semiconducting ceramic and semiconducting ceramic electronic element |
| US09/281,343 US6376079B1 (en) | 1998-04-13 | 1999-03-30 | Semiconducting ceramic and semiconducting ceramic electronic element |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP3039511B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1999-03-10 SG SG1999001085A patent/SG76596A1/en unknown
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- 1999-03-30 US US09/281,343 patent/US6376079B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-31 CN CN99104910A patent/CN1093104C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-12 KR KR1019990012792A patent/KR100312605B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205343A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Tdk Corp | 積層型サーミスタの製造方法 |
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| CN1093104C (zh) | 2002-10-23 |
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