JPH08162301A - 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 - Google Patents
正の抵抗温度特性を有する半導体磁器Info
- Publication number
- JPH08162301A JPH08162301A JP6306410A JP30641094A JPH08162301A JP H08162301 A JPH08162301 A JP H08162301A JP 6306410 A JP6306410 A JP 6306410A JP 30641094 A JP30641094 A JP 30641094A JP H08162301 A JPH08162301 A JP H08162301A
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- JP
- Japan
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- semiconductor porcelain
- temperature characteristic
- resistance
- semiconductor
- resistance temperature
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛を含有しない正の抵抗温度特性を有する半
導体磁器を提供することである。 【構成】 一般式ＢｉxＢａyＴｉzＭｄwＯα（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、Ｍｄは５価の元素、αは任意の値
である）で表される半導体磁器において、ｘ、ｙ、ｚ、
ｗがそれぞれ０．４０≦ｘ≦０．５５、０．０２≦ｙ≦
０．２０、０．３５≦ｚ≦０．５５、０．００５≦ｗ≦
０．１０の範囲にある半導体磁器である。また、前記Ｍ
ｄはＳｂ、Ｎｂ、Ｗの内の少なくとも一つを含む半導体
磁器である。
導体磁器を提供することである。 【構成】 一般式ＢｉxＢａyＴｉzＭｄwＯα（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、Ｍｄは５価の元素、αは任意の値
である）で表される半導体磁器において、ｘ、ｙ、ｚ、
ｗがそれぞれ０．４０≦ｘ≦０．５５、０．０２≦ｙ≦
０．２０、０．３５≦ｚ≦０．５５、０．００５≦ｗ≦
０．１０の範囲にある半導体磁器である。また、前記Ｍ
ｄはＳｂ、Ｎｂ、Ｗの内の少なくとも一つを含む半導体
磁器である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、正の抵抗温度特性を
有する半導体磁器に関する。
有する半導体磁器に関する。
【０００２】
【従来の技術】正の抵抗温度特性を有する半導体磁器
（以下、正特性半導体磁器という）は、キュリー点以上
で抵抗値が急激に増加する特性（以下、ＰＴＣ特性とい
う）を有している。
（以下、正特性半導体磁器という）は、キュリー点以上
で抵抗値が急激に増加する特性（以下、ＰＴＣ特性とい
う）を有している。
【０００３】この正特性半導体磁器に電極を形成した正
特性サーミスタ（以下、ＰＴＣサーミスタという）は、
電子回路の過電流保護用やテレビのブラウン管枠の消磁
用など、種々の電流制御素子として使用されている。正
特性半導体磁器としては、チタン酸バリウムを主成分と
するペロブスカイト構造をもつ強誘電体が広く知られて
いる。
特性サーミスタ（以下、ＰＴＣサーミスタという）は、
電子回路の過電流保護用やテレビのブラウン管枠の消磁
用など、種々の電流制御素子として使用されている。正
特性半導体磁器としては、チタン酸バリウムを主成分と
するペロブスカイト構造をもつ強誘電体が広く知られて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】チタン酸バリウムを主
成分とする半導体磁器は、抵抗急上昇温度の制御や耐圧
特性改善のために、鉛を含有させることがほとんどであ
る。ところが、近年の環境問題の深刻化に伴い、有害物
質である鉛の使用制限が検討されている。
成分とする半導体磁器は、抵抗急上昇温度の制御や耐圧
特性改善のために、鉛を含有させることがほとんどであ
る。ところが、近年の環境問題の深刻化に伴い、有害物
質である鉛の使用制限が検討されている。
【０００５】この発明の目的は、鉛を含有しない、正の
抵抗温度特性を有する半導体磁器を提供することであ
る。
抵抗温度特性を有する半導体磁器を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
一般式ＢｉxＢａyＴｉzＭｄwＯα（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＋ｗ＝１、Ｍｄは５価の元素、αは任意の値である）で
表される半導体磁器において、ｘ、ｙ、ｚ、ｗがそれぞ
れ０．４０≦ｘ≦０．５５、０．０２≦ｙ≦０．２０、
０．３５≦ｚ≦０．５５、０．００５≦ｗ≦０．１０の
範囲にある正の抵抗温度特性を有する半導体磁器であ
る。
一般式ＢｉxＢａyＴｉzＭｄwＯα（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＋ｗ＝１、Ｍｄは５価の元素、αは任意の値である）で
表される半導体磁器において、ｘ、ｙ、ｚ、ｗがそれぞ
れ０．４０≦ｘ≦０．５５、０．０２≦ｙ≦０．２０、
０．３５≦ｚ≦０．５５、０．００５≦ｗ≦０．１０の
範囲にある正の抵抗温度特性を有する半導体磁器であ
る。
【０００７】請求項２に係る発明は、ＭｄがＳｂ、Ｎ
ｂ、Ｗの内の少なくとも一つを含む正の抵抗温度特性を
有する半導体磁器である。
ｂ、Ｗの内の少なくとも一つを含む正の抵抗温度特性を
有する半導体磁器である。
【０００８】この発明の組成を請求範囲内に限定したの
は下記の理由による。ｘが０．４０未満であると室温抵
抗が大きく、０．５５を越えると耐電圧が小さくなる。
また、ｙが０．０２未満であると耐電圧が小さく、０．
２０を越えると室温抵抗が高くなる。さらに、ｚが０．
３５未満でも０．５５を越えても室温抵抗が大きくな
る。さらにまた、ｗが０．００５未満でも０．１０を越
えても、室温抵抗が大きくなる。
は下記の理由による。ｘが０．４０未満であると室温抵
抗が大きく、０．５５を越えると耐電圧が小さくなる。
また、ｙが０．０２未満であると耐電圧が小さく、０．
２０を越えると室温抵抗が高くなる。さらに、ｚが０．
３５未満でも０．５５を越えても室温抵抗が大きくな
る。さらにまた、ｗが０．００５未満でも０．１０を越
えても、室温抵抗が大きくなる。
【０００９】
【作用】この発明の正の抵抗温度特性を有する半導体磁
器によれば、有害物質の鉛を含まず、ＰＴＣ特性を有す
る半導体磁器が得られる。
器によれば、有害物質の鉛を含まず、ＰＴＣ特性を有す
る半導体磁器が得られる。
【００１０】
【実施例】Ｂｉ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＢａＣＯ3，Ｓｂ2Ｏ5を
原料とし、表１に示す組成比に調合し、ジルコニアボー
ル、水とともにポット中で５時間回転粉砕する。この混
合粉を大気中７５０℃で３時間仮焼する。得られた仮焼
粉に、バインダー混合した後、円板状に成形、加圧プレ
スし、アルゴン中で１１５０℃、２時間焼成した。得ら
れた焼結体の両主面にＮｉ電極をスパッタリングで形成
し正特性半導体磁器を得た。
原料とし、表１に示す組成比に調合し、ジルコニアボー
ル、水とともにポット中で５時間回転粉砕する。この混
合粉を大気中７５０℃で３時間仮焼する。得られた仮焼
粉に、バインダー混合した後、円板状に成形、加圧プレ
スし、アルゴン中で１１５０℃、２時間焼成した。得ら
れた焼結体の両主面にＮｉ電極をスパッタリングで形成
し正特性半導体磁器を得た。
【００１１】この正特性半導体磁器を用いて室温抵抗、
抵抗変化率、耐電圧を測定した。なお、室温抵抗は室温
での抵抗値、抵抗変化率は、抵抗が急上昇し再び下がり
始める間の抵抗最高値（Ｒmax）と室温抵抗（Ｒ25℃）
の比（Ｒmax／Ｒ25℃）を自然対数で表したものであ
る。その結果を表１に示す。表中の＊印はこの発明の請
求範囲外であり、それ以外は発明の範囲内である。
抵抗変化率、耐電圧を測定した。なお、室温抵抗は室温
での抵抗値、抵抗変化率は、抵抗が急上昇し再び下がり
始める間の抵抗最高値（Ｒmax）と室温抵抗（Ｒ25℃）
の比（Ｒmax／Ｒ25℃）を自然対数で表したものであ
る。その結果を表１に示す。表中の＊印はこの発明の請
求範囲外であり、それ以外は発明の範囲内である。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１より、この発明の正特性半導体磁器は
室温抵抗が低く、抵抗変化率も大きく、かつ、耐電圧も
高い特性を有するものである。
室温抵抗が低く、抵抗変化率も大きく、かつ、耐電圧も
高い特性を有するものである。
【００１４】上記の正特性半導体磁器において、添加元
素としてＳｂを用いた実施例を示したが、表１に示すよ
うにＮｂ，Ｗともに室温抵抗が低く、抵抗変化率が大き
く、耐電圧も高いことがわかる。表１にはＳｂ，Ｎｂ，
Ｗ単体のみを記載したが、これらの混合物を用いても同
じ効果が得られる。
素としてＳｂを用いた実施例を示したが、表１に示すよ
うにＮｂ，Ｗともに室温抵抗が低く、抵抗変化率が大き
く、耐電圧も高いことがわかる。表１にはＳｂ，Ｎｂ，
Ｗ単体のみを記載したが、これらの混合物を用いても同
じ効果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】この発明の正の抵抗温度特性を有する半
導体磁器によれば、有害物質の鉛を含まず、良好なＰＴ
Ｃ特性を有する半導体磁器が得られる。
導体磁器によれば、有害物質の鉛を含まず、良好なＰＴ
Ｃ特性を有する半導体磁器が得られる。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式ＢｉxＢａyＴｉzＭｄwＯα（ただ
し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１、Ｍｄは５価の元素、αは任意
の値である）で表される半導体磁器において、ｘ、ｙ、
ｚ、ｗがそれぞれ０．４０≦ｘ≦０．５５、０．０２≦
ｙ≦０．２０、０．３５≦ｚ≦０．５５、０．００５≦
ｗ≦０．１０の範囲にあることを特徴とする正の抵抗温
度特性を有する半導体磁器。 - 【請求項２】 前記ＭｄはＳｂ、Ｎｂ、Ｗの内の少なく
とも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の正の抵
抗温度特性を有する半導体磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306410A JPH08162301A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6306410A JPH08162301A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162301A true JPH08162301A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17956686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6306410A Pending JPH08162301A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 正の抵抗温度特性を有する半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162301A (ja) |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP6306410A patent/JPH08162301A/ja active Pending
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