JPH05301766A - チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法Info
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- JPH05301766A JPH05301766A JP4109595A JP10959592A JPH05301766A JP H05301766 A JPH05301766 A JP H05301766A JP 4109595 A JP4109595 A JP 4109595A JP 10959592 A JP10959592 A JP 10959592A JP H05301766 A JPH05301766 A JP H05301766A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はチタン酸バリウム系半導体磁器およ
びその製造方法に関し、低比抵抗、高耐電圧性を同時に
実現するとともに、比抵抗値に比較して耐電圧の高いチ
タン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体化のための微量添加物を含有するＡＢ
Ｏ3 型チタン酸バリウム系半導体磁器において、焼結後
の比抵抗が３０Ωcm以下で、平均結晶粒径が6.０μｍ以
下になるように構成する。また原料混合時に平均粒径が
4.０μｍ以下のＳｉＯ2 を混合して製造する。
びその製造方法に関し、低比抵抗、高耐電圧性を同時に
実現するとともに、比抵抗値に比較して耐電圧の高いチ
タン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体化のための微量添加物を含有するＡＢ
Ｏ3 型チタン酸バリウム系半導体磁器において、焼結後
の比抵抗が３０Ωcm以下で、平均結晶粒径が6.０μｍ以
下になるように構成する。また原料混合時に平均粒径が
4.０μｍ以下のＳｉＯ2 を混合して製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は正の抵抗温度特性を有す
るチタン酸バリウム系半導体磁器に係り、特に必要な耐
電圧を確保しながら、常温における比抵抗を小さくする
ことにより、低抵抗回路素子として有用なチタン酸バリ
ウム系半導体磁器およびその製造方法に関する。
るチタン酸バリウム系半導体磁器に係り、特に必要な耐
電圧を確保しながら、常温における比抵抗を小さくする
ことにより、低抵抗回路素子として有用なチタン酸バリ
ウム系半導体磁器およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にチタン酸バリウム系半導体磁器
は、主成分としてのチタン酸バリウム磁器にＬａ、Ｃ
ａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｄｙ等の半導体化剤を添加して焼成する
ことにより、正の温度係数を有する半導体磁器となるこ
とは周知の通りである。これらのチタン酸バリウム系半
導体磁器は発熱用素子、電流制限用素子、温度制御用素
子として使用されている。
は、主成分としてのチタン酸バリウム磁器にＬａ、Ｃ
ａ、Ｙ、Ｂｉ、Ｄｙ等の半導体化剤を添加して焼成する
ことにより、正の温度係数を有する半導体磁器となるこ
とは周知の通りである。これらのチタン酸バリウム系半
導体磁器は発熱用素子、電流制限用素子、温度制御用素
子として使用されている。
【０００３】ところでチタン酸バリウム系半導体磁器
は、その主成分であるチタン酸バリウムのＢａの一部を
Ｓｒ又はＰｂで置換し、またＴｉの一部をＺｒ、Ｓｎ等
で置換することにより、所望のキュリー点温度が得られ
ることもこれまた知られている。
は、その主成分であるチタン酸バリウムのＢａの一部を
Ｓｒ又はＰｂで置換し、またＴｉの一部をＺｒ、Ｓｎ等
で置換することにより、所望のキュリー点温度が得られ
ることもこれまた知られている。
【０００４】さらにこれらのチタン酸バリウム系半導体
磁器にＭｎを微量添加することにより、キュリー点を超
えた後の抵抗温度変化率を著しく増大させることが可能
なこともこれまた知られている。
磁器にＭｎを微量添加することにより、キュリー点を超
えた後の抵抗温度変化率を著しく増大させることが可能
なこともこれまた知られている。
【０００５】ところがチタン酸バリウム系半導体磁器
を、例えばカラーテレビの消磁回路やモータ起動用素子
として使用する場合、突入大電流に耐え得る高耐電圧、
低比抵抗の回路素子が要求される。
を、例えばカラーテレビの消磁回路やモータ起動用素子
として使用する場合、突入大電流に耐え得る高耐電圧、
低比抵抗の回路素子が要求される。
【０００６】そのため、従来ではこのようなチタン酸バ
リウム系半導体磁器の高耐電圧性、低比抵抗化を図るた
めに、主成分のチタン酸バリウムのＢａの一部をＣａ又
はＳｒで置換し、添加物としてＭｎ、Ｓｉ等を添加した
ものや、Ｂａの一部をＰｂ、Ｓｒ、Ｃａで同時置換した
ものが提案されている。
リウム系半導体磁器の高耐電圧性、低比抵抗化を図るた
めに、主成分のチタン酸バリウムのＢａの一部をＣａ又
はＳｒで置換し、添加物としてＭｎ、Ｓｉ等を添加した
ものや、Ｂａの一部をＰｂ、Ｓｒ、Ｃａで同時置換した
ものが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のチタン酸バリウム系半導体磁器において、上述したＢ
ａの一部をＣａまたはＳｒで置換したものは、比抵抗で
は２０Ω・cmと低い値が得られるものの耐電圧は最高で
も２００Ｖ／mm程度であり実用的には不充分な値であ
る。
のチタン酸バリウム系半導体磁器において、上述したＢ
ａの一部をＣａまたはＳｒで置換したものは、比抵抗で
は２０Ω・cmと低い値が得られるものの耐電圧は最高で
も２００Ｖ／mm程度であり実用的には不充分な値であ
る。
【０００８】また、上述したＢａの一部をＰｂ、Ｓｒ、
Ｃａで同時置換したものは比較的高耐電圧が得られる
が、比抵抗は最低でも５０Ω・cm程度と高く、実用的に
は不充分であった。
Ｃａで同時置換したものは比較的高耐電圧が得られる
が、比抵抗は最低でも５０Ω・cm程度と高く、実用的に
は不充分であった。
【０００９】即ち、従来のチタン酸バリウム系半導体磁
器では低比抵抗性あるいは高耐電圧性のいずれか一方に
ついては実用的ではあるもののその両方を満すものは得
られなかった。
器では低比抵抗性あるいは高耐電圧性のいずれか一方に
ついては実用的ではあるもののその両方を満すものは得
られなかった。
【００１０】一方、半導体磁器の結晶を微細化すれば耐
電圧は改善されるが比抵抗を上げずに結晶粒径を小さく
することは困難であった。従って本発明の目的は、低比
抵抗性と高耐電圧性を同時に実現するとともに、比抵抗
の値に比較して耐電圧の高いＡＢＯ3 型チタン酸バリウ
ム系半導体磁器を提供することである。
電圧は改善されるが比抵抗を上げずに結晶粒径を小さく
することは困難であった。従って本発明の目的は、低比
抵抗性と高耐電圧性を同時に実現するとともに、比抵抗
の値に比較して耐電圧の高いＡＢＯ3 型チタン酸バリウ
ム系半導体磁器を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、ＡＢＯ3 型チタン酸
バリウム系半導体磁器において、Ａ／Ｂ（モル比）を選
定し、更に添加物のＳｉＯ2 の原料粒径の微細なものを
適正量添加することにより、焼成後の磁器結晶も均一微
細化し、高耐電圧、低比抵抗化という目標を達成するこ
とを見出した。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、ＡＢＯ3 型チタン酸
バリウム系半導体磁器において、Ａ／Ｂ（モル比）を選
定し、更に添加物のＳｉＯ2 の原料粒径の微細なものを
適正量添加することにより、焼成後の磁器結晶も均一微
細化し、高耐電圧、低比抵抗化という目標を達成するこ
とを見出した。
【００１２】一般的に知られているように、ＡＢＯ3 型
チタン酸バリウム系半導体磁器において、Ａは２価の元
素Ｂａ、Ｃａ、Ｐｂ等を表し、Ｂは４価の元素Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ等を表わす。本発明ではＡ／Ｂモル比を0.９７
０〜0.９９０に選定し、焼成後の半導体磁器の結晶粒径
が6.０μm 以下とした。
チタン酸バリウム系半導体磁器において、Ａは２価の元
素Ｂａ、Ｃａ、Ｐｂ等を表し、Ｂは４価の元素Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｓｎ等を表わす。本発明ではＡ／Ｂモル比を0.９７
０〜0.９９０に選定し、焼成後の半導体磁器の結晶粒径
が6.０μm 以下とした。
【００１３】
【作用】これにより低比抵抗で、かつ高耐電圧であり、
実用上有用な、比抵抗値に比較して耐電圧の高いチタン
酸バリウム系半導体磁器が得られる。
実用上有用な、比抵抗値に比較して耐電圧の高いチタン
酸バリウム系半導体磁器が得られる。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例にもとづき説明する。主成分
原料のＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＳｒＣＯ3 及び添加物原
料Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｍｎ、ＳｉＯ2 を準備し、こ
れら各原料を、後掲の表１に示す組成のチタン酸バリウ
ム系半導体磁器組成物が得られるように配合、混合す
る。
原料のＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＳｒＣＯ3 及び添加物原
料Ｙ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｍｎ、ＳｉＯ2 を準備し、こ
れら各原料を、後掲の表１に示す組成のチタン酸バリウ
ム系半導体磁器組成物が得られるように配合、混合す
る。
【００１５】次いで上記原料を脱水乾燥し、１１００℃
１時間仮焼成する。次にこの仮焼成物を粉砕し、バイン
ダーを加えて造粒し、1.５トン／cm2 の圧力で円板上に
成形する。それからこの成形体を４００℃／時の加熱速
度で昇温し、１３４０℃で２時間保持した後、４００℃
／時の冷却速度で冷却し、直径１６mm、厚さ２mmの半導
体磁器を得た。
１時間仮焼成する。次にこの仮焼成物を粉砕し、バイン
ダーを加えて造粒し、1.５トン／cm2 の圧力で円板上に
成形する。それからこの成形体を４００℃／時の加熱速
度で昇温し、１３４０℃で２時間保持した後、４００℃
／時の冷却速度で冷却し、直径１６mm、厚さ２mmの半導
体磁器を得た。
【００１６】そしてこの半導体磁器の両面にＮｉ電極を
付与して実験試料とし、これら実験試料の電気的特性、
即ち比抵抗と耐電圧を測定し、更らにこれら実験試料で
ある半導体磁器の結晶粒径を測定した。その結果を表１
及び図１に示す。
付与して実験試料とし、これら実験試料の電気的特性、
即ち比抵抗と耐電圧を測定し、更らにこれら実験試料で
ある半導体磁器の結晶粒径を測定した。その結果を表１
及び図１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】なお、図１における各点の番号は表１にお
ける試料Ｎo.と一致する。そして図１における●印の点
と、表１における※印を付与された試料Ｎo.のものは本
発明の範囲外のものであり、本発明の実施例のものと比
較のために提示したものである。
ける試料Ｎo.と一致する。そして図１における●印の点
と、表１における※印を付与された試料Ｎo.のものは本
発明の範囲外のものであり、本発明の実施例のものと比
較のために提示したものである。
【００１９】表１及び図１から明らかなように、本発明
のチタン酸バリウム系半導体磁器は、比抵抗が３０Ω・
cm以下であり、耐電圧が１３０Ｖ／mm以上であるととも
に、比抵抗に比較して耐電圧の高いものが得られる。即
ち図１において、点線ではさまれた領域の、低比抵抗、
高耐電圧のものが得られる。例えば、従来例のものは、
上記の如く、比抵抗が２０Ω・cmの場合耐電圧は２００
Ｖ／mm程度であったのに対し、本発明では比抵抗が２０
Ω・cm程度の場合は耐電圧は２６０Ｖ／mm程度（試料Ｎ
o.２１参照）であり、耐電圧が２００Ｖ／mm程度の場合
は比抵抗を１４Ω・cm程度（試料Ｎo.３参照）にするこ
とができる。
のチタン酸バリウム系半導体磁器は、比抵抗が３０Ω・
cm以下であり、耐電圧が１３０Ｖ／mm以上であるととも
に、比抵抗に比較して耐電圧の高いものが得られる。即
ち図１において、点線ではさまれた領域の、低比抵抗、
高耐電圧のものが得られる。例えば、従来例のものは、
上記の如く、比抵抗が２０Ω・cmの場合耐電圧は２００
Ｖ／mm程度であったのに対し、本発明では比抵抗が２０
Ω・cm程度の場合は耐電圧は２６０Ｖ／mm程度（試料Ｎ
o.２１参照）であり、耐電圧が２００Ｖ／mm程度の場合
は比抵抗を１４Ω・cm程度（試料Ｎo.３参照）にするこ
とができる。
【００２０】次に本発明の各数値限定の理由について説
明する。Ａ／Ｂモル比が0.９９０を超えると比抵抗が３
０Ω・cm以下とはいえ、その値に比較して耐電圧が低下
し、実用的な値に達しない（例えば表１、図１に示す試
料Ｎo.１、２、７、１８参照）。
明する。Ａ／Ｂモル比が0.９９０を超えると比抵抗が３
０Ω・cm以下とはいえ、その値に比較して耐電圧が低下
し、実用的な値に達しない（例えば表１、図１に示す試
料Ｎo.１、２、７、１８参照）。
【００２１】またＡ／Ｂモル比が0.９７０未満である
と、比抵抗が大きな値となり好ましくない（例えば表
１、図１の試料Ｎo.５、２０参照）。ＳｉＯ2 の添加量
が0.１５重量％未満であると、比抵抗が大きな値となり
実用的でない（例えば表１、図１の試料Ｎo.１３参
照）。
と、比抵抗が大きな値となり好ましくない（例えば表
１、図１の試料Ｎo.５、２０参照）。ＳｉＯ2 の添加量
が0.１５重量％未満であると、比抵抗が大きな値となり
実用的でない（例えば表１、図１の試料Ｎo.１３参
照）。
【００２２】またＳｉＯ2 の添加量が2.０重量％を超え
ると、これまた比抵抗が上昇し、実用的でなくなる（例
えば表１、図１の試料Ｎo.１５参照）。更に、ＳｉＯ2
の粒径の影響も、後述するように明らかであり、ＳｉＯ
2 の平均粒径の小さい程、焼成後の磁器結晶の粒径も小
さくなり、比抵抗も小さく、又、比抵抗比較での耐電圧
も高くなる（試料Ｎo.８〜１２参照）。
ると、これまた比抵抗が上昇し、実用的でなくなる（例
えば表１、図１の試料Ｎo.１５参照）。更に、ＳｉＯ2
の粒径の影響も、後述するように明らかであり、ＳｉＯ
2 の平均粒径の小さい程、焼成後の磁器結晶の粒径も小
さくなり、比抵抗も小さく、又、比抵抗比較での耐電圧
も高くなる（試料Ｎo.８〜１２参照）。
【００２３】しかもＳｉＯ2 の平均粒径が4.0 μｍを超
えると焼成後の磁器結晶の粒径が大きくなり、比抵抗が
増大して実用的でなくなったり( 例えば表１、図１の試
料Ｎo.１１、１２参照）、比抵抗の値に比較して耐電圧
が低くなったり（例えば表１、図１の試料Ｎo.６、７参
照）、また耐電圧が極端に小さくなったりする（例えば
表１、図１の試料Ｎo.２２参照）。
えると焼成後の磁器結晶の粒径が大きくなり、比抵抗が
増大して実用的でなくなったり( 例えば表１、図１の試
料Ｎo.１１、１２参照）、比抵抗の値に比較して耐電圧
が低くなったり（例えば表１、図１の試料Ｎo.６、７参
照）、また耐電圧が極端に小さくなったりする（例えば
表１、図１の試料Ｎo.２２参照）。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、焼成後の比抵抗が低
く、かつ耐電圧が高く、比抵抗に比較して耐電圧の高い
チタン酸バリウム系半導体磁器が得られ、例えば比抵抗
が２０Ω・cmであり、かつ耐電圧が２５０Ｖ／mm程度の
高耐電圧のものを得ることができ、その結果低抵抗で高
耐電圧の半導体回路素子の製造が可能になった。
く、かつ耐電圧が高く、比抵抗に比較して耐電圧の高い
チタン酸バリウム系半導体磁器が得られ、例えば比抵抗
が２０Ω・cmであり、かつ耐電圧が２５０Ｖ／mm程度の
高耐電圧のものを得ることができ、その結果低抵抗で高
耐電圧の半導体回路素子の製造が可能になった。
【００２５】例えばカラーテレビ消磁回路用ＰＴＣ素子
において、素子抵抗値が３Ω〜５Ωとすることが可能と
なり、この結果消磁コイルのコストダウンが容易になっ
た。さらにモータ起動用ＰＴＣ素子にも応用が可能であ
り、大幅な品質及びコスト改善が実現できる。
において、素子抵抗値が３Ω〜５Ωとすることが可能と
なり、この結果消磁コイルのコストダウンが容易になっ
た。さらにモータ起動用ＰＴＣ素子にも応用が可能であ
り、大幅な品質及びコスト改善が実現できる。
【図１】本発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の電気
的特性図である。
的特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｂ 1/08 7244−5Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体化のための微量添加物を含有する
ＡＢＯ3 型チタン酸バリウム系半導体磁器において、 焼結後の比抵抗が３０Ωcm以下で、平均結晶粒径が6.０
μｍ以下であることを特徴とするチタン酸バリウム系半
導体磁器。 - 【請求項２】 前記ＡＢＯ3 型チタン酸バリウム系半導
体磁器において、 Ａ／Ｂ比が0.９７０〜0.９９０であり、ＳｉＯ2 を0.１
５〜2.０重量％含有することを特徴とする請求項１記載
のチタン酸バリウム系半導体磁器。 - 【請求項３】 焼結後の比抵抗が３０Ωcm以下で、平均
結晶粒径が6.０μｍ以下であるＡＢＯ3 型チタン酸バリ
ウム系半導体磁器の製造方法において、 原料混合時に平均粒径が4.０μｍ以下のＳｉＯ2 を混合
することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の
製造方法。 - 【請求項４】 Ａ／Ｂ比が0.９７０〜0.９９０であり、
ＳｉＯ2 を0.１５〜2.０重量％含有するＡＢＯ3 型チタ
ン酸バリウム系半導体磁器の製造方法において、 原料混合時に平均粒径が4.０μｍ以下のＳｉＯ2 を混合
することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109595A JPH05301766A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4109595A JPH05301766A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05301766A true JPH05301766A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14514257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4109595A Pending JPH05301766A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | チタン酸バリウム系半導体磁器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05301766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014168056A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-09-11 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、積層圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、および電子機器 |
| WO2018186315A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | デンカ株式会社 | 粉末混合物 |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4109595A patent/JPH05301766A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014168056A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-09-11 | Canon Inc | 圧電材料、圧電素子、積層圧電素子、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、超音波モータ、光学機器、振動装置、塵埃除去装置、撮像装置、および電子機器 |
| WO2018186315A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | デンカ株式会社 | 粉末混合物 |
| JPWO2018186315A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2020-04-23 | デンカ株式会社 | 粉末混合物 |
| US11352503B2 (en) | 2017-04-04 | 2022-06-07 | Denka Company Limited | Powder mixture |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |