JPH01189901A - 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 - Google Patents

電圧非直線抵抗体及びその製造方法

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JPH01189901A
JPH01189901A JP63015657A JP1565788A JPH01189901A JP H01189901 A JPH01189901 A JP H01189901A JP 63015657 A JP63015657 A JP 63015657A JP 1565788 A JP1565788 A JP 1565788A JP H01189901 A JPH01189901 A JP H01189901A
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JP
Japan
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zno
zro2
zinc oxide
sintered body
powder
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English (en)
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Hiroshi Nemoto
宏 根本
Kouichi Umemoto
鍠一 梅本
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NGK Insulators Ltd
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体から
成る電圧非直線抵抗体とその製造方法に関する。
[従来の技術] 近年、酸化亜鉛(ZnO)素子が非オーム性素子(オー
ムの法則に従わない非直線的な電圧−電流特性を示す素
子)として開発され、電子機器に用いられる半導体素子
や電力施設をサージ電圧(落雷やスイッチの開閉によっ
て生ずる過渡的な異常高電圧)から保護することを目的
として広く実用に供されている。
このようにZnO素子、例えば送電用のZnO素子は、
非直線開始電圧(V S2)、即ち、電流を1mA流し
た時に素子両端に発生する電圧、が高く、且つ素子の小
型化のため放電耐量が大きいことが必要である。
ZnO素子の微細構造は、ZnO粒子、Bi2O3等添
加成分の相および粒界に局在するスピネル粒子の3つの
結晶相から成っている。この構造において、粒界部には
高抵抗のエネルギー障壁が存在し、加えられた電圧は殆
どが粒界に集中して強電界を生じ、顕著な非オーム性を
発現している。従って、■1□は単位厚さ当りの粒界の
数に比例し、換言すればZnO粒子の粒径の大きさに反
比例する。
従って、高い非直線開始電圧(v12)を得るためには
ZnO粒子の成長を抑制すればよい。そのための方法と
して、従来、焼成温度を下げること(例えば、特開昭5
6−101714号公報参照)、または粒子成長を抑制
する添加剤としてSin、を添加すること(例えば、特
公昭55−13124号公報参照)が行われていた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来の焼成温度を下げる方法にあっ
ては、焼結不足のため気孔が残存し、得られる焼結体の
嵩密度が低下する結果、曲げ強度が低下したり、放電耐
量が低下するという問題か生じる。
一方、Sin、を添加する場合にあっては、焼成温度を
上げる必要かあり、また絶縁体である5in2の粒界相
、即ちZn、Sin、などを生成し、焼結体の電気的な
均一性が失われる、という問題かあった。
[課題を解決するための手段] そこで、本発明者は上記従来の問題点に鑑み、Sin、
を必要以上に添加せず、しかも焼成温度を下げずに高い
非直線開始電圧(v 、2)が得られる酸化亜鉛電圧非
直線抵抗体とその製造方法を見出すべく鋭意検討した結
果、本発明に到達した。
即ち、本発明によれば、酸化ジルコニウム(ZrO2)
結晶相を含有する、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする
焼結体から成ることを特徴とする酸化亜鉛電圧非直線抵
抗体、および、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする原料
粉末に対し、平均粒径が0.1〜lJLmの酸化ジルコ
ニウム(ZrO2)粉末を5〜20vol%添加した後
、混合・成形し、次いて焼成することを特徴とする酸化
亜鉛電圧非直線抵抗体の製造方法、が提供される。
本発明の酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は、母材料である酸
化亜鉛(ZnO)焼結体中に酸化ジルコニウム(ZrO
2)結晶相を、粉末X線回折においてZnOの(102
)ピークに対するZrO□の(111)ピークの強度比
か好ましくは0.06〜0.75の範囲で含有すること
を特徴としている。
酸化ジルコニウム結晶相の含有割合が上記0.06より
低い場合には、高V1++aA化が達成できず、一方、
酸化ジルコニウム結晶相の含有割合が上記0.75を超
えると、曲げ強度が低下し始め放電耐量などの特性が悪
化する、という欠点がある。
ここで、粉末X線回折において、ZnOの(102)ピ
ーク、ZrO□の(111)ピークの強度をそれぞれ求
めるに当り、(ピークの高さ)X(ピークの半価幅)と
して計算した。この時、粉末X線回折において、ZrO
,の(111)ピークか図のフルスケールをオーバーし
た場合、またZnOの(102)ピークZrO□の(1
11)ピークと比べて小さ過ぎる場合には、フルスケー
ルを適宜縮小あるいは拡大してピークの高さを調節し、
フルスケールの比例関係をもとにピークの高さを求めた
上記のような組成を有する酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は
、230V/膜層以上という高い非直線開始電圧(V 
12)が得られるとともに、強度か向上して4点曲げ強
度が120 M P a以上の値を示し、その結果、放
電耐量も従来品に比し向上したものである。
このような酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛(Z
nO)を主成分とし、添加剤として公知のB i20 
s等を添加混合してなる平均粒径が約0.5〜2終mで
ある原料粉末に対して、平均粒径か0.1−1μm、好
ましくは0.3〜0.61Lmである酸化ジルコニウム
(ZrO2)を5〜20vol%添加した後、混合・成
形し、次いて焼成することにより製造される。
酸化ジルコニウム(ZrO2)の添加割合が5vol%
未満では、ZnO焼結体中のZrO2の粉末X線回折強
度が非常に小さく、添加の効果が小さく、また20vo
l%を超えると曲げ強度が低下し始め、放電耐量などの
特性が悪化する。
酸化ジルコニウム(ZrO2)の平均粒径が0.1gm
より小さい場合には、焼結性が悪化して焼結体の嵩密度
が低下し、1μmより大きい場合には、曲げ強度か低下
し、しかもV1+++Aか低下するので、好ましくない
このように、酸化ジルコニウムか添加されるとZnO焼
結体の粒成長が抑制される理由は未だ明確ではないが、
次のように推察される。
即ち、酸化ジルコニウムの添加により、焼結時に生成し
だ液相の粘性が高くなり、その液相がZnO粒子を囲む
結果、ZnO粒子の成長を抑制するものと推察される。
従って、添加される酸化ジルコニウム粒子は、上記の生
成した液相に溶解せずに酸化ジルコニウム結晶として焼
結体中に残留することが必要と考えられる。このような
作用から考え、本発明の完成、達成は酸化ジルコニウム
の結晶系(立方晶・正方晶・単斜晶)に無関係であるこ
とはいうまでもない [実施例] 以下、本発明を実施例に基すき、更に詳細に説明するが
、本発明がこれら実施例に限定されないことは明らかで
あろう。
(実施例) ZrO2を除く原料粉末として、表−1に示す組成を有
するものを用いた。その平均粒径は約1pmてあった。
ZrO2としては部分安定化ジルコニア(Y z O:
sを3mo1%含有)を用いた。
表−1 ZrOaの添加量は表−2に示すように、6水準(0,
2,5,10,15,20VO1%)とした。
表−2 (wt%は、ZrO□、ZnO素子原料の比重をそれぞ
れ6.05,5.75としてvol%より換算した値、
) 次に、試料の成形、焼成条件を表−3に示した。
表−3 金1ツブレス100kg/cm2    1210  
℃    φ24x h22.5(n=5)+ 7t/
cm2cIP    s+4間保持以上の条件下、以下
の製造プロセスに従って電圧非直線抵抗体を作製した。
なお、調合量は600gであった。
まず、ZrO2を除く原料粉末を湿式ボールミルを用い
、蒸留水を使用して、粉末:水:ボール=l;2.5:
2.5の重量割合で48時間、粉砕した。一方、ZrO
2については粉末:水:ボール=1:1:2.5の重量
割合で30時間、粉砕した。
次に、上記の再粉砕物を混合した。得られた生成物を乾
燥器により乾燥した。
次いで、得られた粉体を粉体;水:ボリビニルアルコー
ル=78:21.4:0.6の重量割合にて調合、混合
、造粒した後、成形した。成形は100 k g / 
c m ”の圧力でコールドプレス、及び7トン/ c
 m 2の圧力によるラバープレスによって行った。
次に、得られた成形体を500°Cて5時間保持し、バ
インダーを揮発させた後、900℃で2時間仮焼した。
次いで、焼成により高抵抗層となる側面剤を側面に塗布
した後、1210℃にて5時間焼成を行った。次に焼結
体の側面にガラスを焼付けた後、厚さ22.5mmに研
磨し、両面に金スパツタリングと銀ペーストの焼付を行
い、電極を付すことにより非直線抵抗体を作製した。
このようにして得られたZnO素子の粉末X線回折図(
CuKαターゲット)を第1図及び第2図に示す。この
図から明らかなように、5vol%以上では、Z r 
O2は結晶相としてZnO焼結体中に存在していること
がわかる。
また、得られた6種(その中の一つはZrO2無添加)
のZnO素子の微構造写真(走査型電子顕微鏡)を第3
図乃至第8図に示す。ここで、第3図(a)(b)はZ
rO2無添加、第4図(a)(b)はZrO,のZrO
1%添加、第5図(a)(b)はZ r O2の5vo
l%添加、第6図(a)(b)はZ r O2の10v
ol%添加、第7図(a)(b)はZrO2の15vo
l%添加、第8図(a)(b)はZ r O2の20v
ol%添加を示しており、また第3図〜第8図における
(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8図
における(b)は倍率が927倍の写真である。
これらの写真から、添加するZrO2の量か2.5,1
0,15,20vol%と増加する程、焼結体中のZn
O粒子の成長か抑制されていることが明らかである。
更に、これらのZnO素子について、非直線開始電圧(
V+−A)と粉末X線回折におけるZnOの(102)
ピークに対するZrO,の(111)ピークの強度比と
の関係、および4点曲げ強度との関係を測定した。結果
を表−4と第9図〜第10図に示す、この結果から、Z
rO2添加量が大きくなればなる程、ZnO素子の非直
線開始電圧(V12)は高くなる。また、ZrO,添加
量が5vol%未満の如く低くなるとZnO焼結体中の
ZrO2の粉末X線回折強度が非常に小さくなることが
わかる。一方、曲げ強度はZrO2添加量が17〜18
vol%までは増加するが、それを超えると逆に減少す
ることがわかる。
表−4 [発明の効果] 本発明は以上説明したような構成を有しているので、次
に記載されるような効果を奏する。
酸化ジルコニウム(ZrO2)結晶相を酸化亜鉛(Zn
O)を主成分とする焼結体に含有させることにより、高
い非直線開始電圧が得られるとともに、曲げ強度も大き
い酸化亜鉛電圧非直線抵抗体を得ることができる。従っ
て、送電用などに用いる場合、ZnO素子の小型化が可
能となり、装備全体を小さくでき、経済的にも有利とな
るものである。
この場合、ZrO2結晶相を、粉末X線回折においてZ
nOの(102)ピークに対するZrO2の(111)
ピークツ強度比が0.06〜0.75M)範囲で含有さ
せると、上記の効果は更に顕著となる。
また、この電圧非直線抵抗体の製造方法として、前記し
た製造方法を採用することにより、非直線開始電圧が高
く、しかも曲げ強度が大きい酸化亜鉛電圧非直線抵抗体
を得ることがてきる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はZnO素子の粉末X線回折図形を示
すグラフ、第3図〜第8図は夫々6種のZnO素子の結
晶構造を示す走査型電子顕微鏡写真で、第3図〜第8図
の(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8
図の(b)は倍率が927倍の写真である。第9図はZ
rO2添加量と、ZnO素子の非直線開始電圧(V t
2)との関係および粉末X線回折におけるZnOの(1
02)ピークに対するZrO2の(111)ピークの強
度比との関係を示すグラフ、第1O図はZrO□添加量
とZnO素子の4点曲げ強度との関係を示すグラフであ
る。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)酸化ジルコニウム(ZrO_2)結晶相を含有す
    る、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体から成る
    ことを特徴とする電圧非直線抵抗体。
  2. (2)酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする原料粉末に対
    し、平均粒径が0.1〜1μmの酸化ジルコニウム(Z
    rO_2)を5〜20vol%添加した後、混合・成形
    し、次いで焼成することを特徴とする電圧非直線抵抗体
    の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0497566A2 (en) * 1991-01-29 1992-08-05 Ngk Insulators, Ltd. Voltage non-linear resistor
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