JPH01189901A - 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体及びその製造方法Info
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- JPH01189901A JPH01189901A JP63015657A JP1565788A JPH01189901A JP H01189901 A JPH01189901 A JP H01189901A JP 63015657 A JP63015657 A JP 63015657A JP 1565788 A JP1565788 A JP 1565788A JP H01189901 A JPH01189901 A JP H01189901A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体から
成る電圧非直線抵抗体とその製造方法に関する。
成る電圧非直線抵抗体とその製造方法に関する。
[従来の技術]
近年、酸化亜鉛(ZnO)素子が非オーム性素子(オー
ムの法則に従わない非直線的な電圧−電流特性を示す素
子)として開発され、電子機器に用いられる半導体素子
や電力施設をサージ電圧(落雷やスイッチの開閉によっ
て生ずる過渡的な異常高電圧)から保護することを目的
として広く実用に供されている。
ムの法則に従わない非直線的な電圧−電流特性を示す素
子)として開発され、電子機器に用いられる半導体素子
や電力施設をサージ電圧(落雷やスイッチの開閉によっ
て生ずる過渡的な異常高電圧)から保護することを目的
として広く実用に供されている。
このようにZnO素子、例えば送電用のZnO素子は、
非直線開始電圧(V S2)、即ち、電流を1mA流し
た時に素子両端に発生する電圧、が高く、且つ素子の小
型化のため放電耐量が大きいことが必要である。
非直線開始電圧(V S2)、即ち、電流を1mA流し
た時に素子両端に発生する電圧、が高く、且つ素子の小
型化のため放電耐量が大きいことが必要である。
ZnO素子の微細構造は、ZnO粒子、Bi2O3等添
加成分の相および粒界に局在するスピネル粒子の3つの
結晶相から成っている。この構造において、粒界部には
高抵抗のエネルギー障壁が存在し、加えられた電圧は殆
どが粒界に集中して強電界を生じ、顕著な非オーム性を
発現している。従って、■1□は単位厚さ当りの粒界の
数に比例し、換言すればZnO粒子の粒径の大きさに反
比例する。
加成分の相および粒界に局在するスピネル粒子の3つの
結晶相から成っている。この構造において、粒界部には
高抵抗のエネルギー障壁が存在し、加えられた電圧は殆
どが粒界に集中して強電界を生じ、顕著な非オーム性を
発現している。従って、■1□は単位厚さ当りの粒界の
数に比例し、換言すればZnO粒子の粒径の大きさに反
比例する。
従って、高い非直線開始電圧(v12)を得るためには
ZnO粒子の成長を抑制すればよい。そのための方法と
して、従来、焼成温度を下げること(例えば、特開昭5
6−101714号公報参照)、または粒子成長を抑制
する添加剤としてSin、を添加すること(例えば、特
公昭55−13124号公報参照)が行われていた。
ZnO粒子の成長を抑制すればよい。そのための方法と
して、従来、焼成温度を下げること(例えば、特開昭5
6−101714号公報参照)、または粒子成長を抑制
する添加剤としてSin、を添加すること(例えば、特
公昭55−13124号公報参照)が行われていた。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来の焼成温度を下げる方法にあっ
ては、焼結不足のため気孔が残存し、得られる焼結体の
嵩密度が低下する結果、曲げ強度が低下したり、放電耐
量が低下するという問題か生じる。
ては、焼結不足のため気孔が残存し、得られる焼結体の
嵩密度が低下する結果、曲げ強度が低下したり、放電耐
量が低下するという問題か生じる。
一方、Sin、を添加する場合にあっては、焼成温度を
上げる必要かあり、また絶縁体である5in2の粒界相
、即ちZn、Sin、などを生成し、焼結体の電気的な
均一性が失われる、という問題かあった。
上げる必要かあり、また絶縁体である5in2の粒界相
、即ちZn、Sin、などを生成し、焼結体の電気的な
均一性が失われる、という問題かあった。
[課題を解決するための手段]
そこで、本発明者は上記従来の問題点に鑑み、Sin、
を必要以上に添加せず、しかも焼成温度を下げずに高い
非直線開始電圧(v 、2)が得られる酸化亜鉛電圧非
直線抵抗体とその製造方法を見出すべく鋭意検討した結
果、本発明に到達した。
を必要以上に添加せず、しかも焼成温度を下げずに高い
非直線開始電圧(v 、2)が得られる酸化亜鉛電圧非
直線抵抗体とその製造方法を見出すべく鋭意検討した結
果、本発明に到達した。
即ち、本発明によれば、酸化ジルコニウム(ZrO2)
結晶相を含有する、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする
焼結体から成ることを特徴とする酸化亜鉛電圧非直線抵
抗体、および、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする原料
粉末に対し、平均粒径が0.1〜lJLmの酸化ジルコ
ニウム(ZrO2)粉末を5〜20vol%添加した後
、混合・成形し、次いて焼成することを特徴とする酸化
亜鉛電圧非直線抵抗体の製造方法、が提供される。
結晶相を含有する、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする
焼結体から成ることを特徴とする酸化亜鉛電圧非直線抵
抗体、および、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする原料
粉末に対し、平均粒径が0.1〜lJLmの酸化ジルコ
ニウム(ZrO2)粉末を5〜20vol%添加した後
、混合・成形し、次いて焼成することを特徴とする酸化
亜鉛電圧非直線抵抗体の製造方法、が提供される。
本発明の酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は、母材料である酸
化亜鉛(ZnO)焼結体中に酸化ジルコニウム(ZrO
2)結晶相を、粉末X線回折においてZnOの(102
)ピークに対するZrO□の(111)ピークの強度比
か好ましくは0.06〜0.75の範囲で含有すること
を特徴としている。
化亜鉛(ZnO)焼結体中に酸化ジルコニウム(ZrO
2)結晶相を、粉末X線回折においてZnOの(102
)ピークに対するZrO□の(111)ピークの強度比
か好ましくは0.06〜0.75の範囲で含有すること
を特徴としている。
酸化ジルコニウム結晶相の含有割合が上記0.06より
低い場合には、高V1++aA化が達成できず、一方、
酸化ジルコニウム結晶相の含有割合が上記0.75を超
えると、曲げ強度が低下し始め放電耐量などの特性が悪
化する、という欠点がある。
低い場合には、高V1++aA化が達成できず、一方、
酸化ジルコニウム結晶相の含有割合が上記0.75を超
えると、曲げ強度が低下し始め放電耐量などの特性が悪
化する、という欠点がある。
ここで、粉末X線回折において、ZnOの(102)ピ
ーク、ZrO□の(111)ピークの強度をそれぞれ求
めるに当り、(ピークの高さ)X(ピークの半価幅)と
して計算した。この時、粉末X線回折において、ZrO
,の(111)ピークか図のフルスケールをオーバーし
た場合、またZnOの(102)ピークZrO□の(1
11)ピークと比べて小さ過ぎる場合には、フルスケー
ルを適宜縮小あるいは拡大してピークの高さを調節し、
フルスケールの比例関係をもとにピークの高さを求めた
。
ーク、ZrO□の(111)ピークの強度をそれぞれ求
めるに当り、(ピークの高さ)X(ピークの半価幅)と
して計算した。この時、粉末X線回折において、ZrO
,の(111)ピークか図のフルスケールをオーバーし
た場合、またZnOの(102)ピークZrO□の(1
11)ピークと比べて小さ過ぎる場合には、フルスケー
ルを適宜縮小あるいは拡大してピークの高さを調節し、
フルスケールの比例関係をもとにピークの高さを求めた
。
上記のような組成を有する酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は
、230V/膜層以上という高い非直線開始電圧(V
12)が得られるとともに、強度か向上して4点曲げ強
度が120 M P a以上の値を示し、その結果、放
電耐量も従来品に比し向上したものである。
、230V/膜層以上という高い非直線開始電圧(V
12)が得られるとともに、強度か向上して4点曲げ強
度が120 M P a以上の値を示し、その結果、放
電耐量も従来品に比し向上したものである。
このような酸化亜鉛電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛(Z
nO)を主成分とし、添加剤として公知のB i20
s等を添加混合してなる平均粒径が約0.5〜2終mで
ある原料粉末に対して、平均粒径か0.1−1μm、好
ましくは0.3〜0.61Lmである酸化ジルコニウム
(ZrO2)を5〜20vol%添加した後、混合・成
形し、次いて焼成することにより製造される。
nO)を主成分とし、添加剤として公知のB i20
s等を添加混合してなる平均粒径が約0.5〜2終mで
ある原料粉末に対して、平均粒径か0.1−1μm、好
ましくは0.3〜0.61Lmである酸化ジルコニウム
(ZrO2)を5〜20vol%添加した後、混合・成
形し、次いて焼成することにより製造される。
酸化ジルコニウム(ZrO2)の添加割合が5vol%
未満では、ZnO焼結体中のZrO2の粉末X線回折強
度が非常に小さく、添加の効果が小さく、また20vo
l%を超えると曲げ強度が低下し始め、放電耐量などの
特性が悪化する。
未満では、ZnO焼結体中のZrO2の粉末X線回折強
度が非常に小さく、添加の効果が小さく、また20vo
l%を超えると曲げ強度が低下し始め、放電耐量などの
特性が悪化する。
酸化ジルコニウム(ZrO2)の平均粒径が0.1gm
より小さい場合には、焼結性が悪化して焼結体の嵩密度
が低下し、1μmより大きい場合には、曲げ強度か低下
し、しかもV1+++Aか低下するので、好ましくない
。
より小さい場合には、焼結性が悪化して焼結体の嵩密度
が低下し、1μmより大きい場合には、曲げ強度か低下
し、しかもV1+++Aか低下するので、好ましくない
。
このように、酸化ジルコニウムか添加されるとZnO焼
結体の粒成長が抑制される理由は未だ明確ではないが、
次のように推察される。
結体の粒成長が抑制される理由は未だ明確ではないが、
次のように推察される。
即ち、酸化ジルコニウムの添加により、焼結時に生成し
だ液相の粘性が高くなり、その液相がZnO粒子を囲む
結果、ZnO粒子の成長を抑制するものと推察される。
だ液相の粘性が高くなり、その液相がZnO粒子を囲む
結果、ZnO粒子の成長を抑制するものと推察される。
従って、添加される酸化ジルコニウム粒子は、上記の生
成した液相に溶解せずに酸化ジルコニウム結晶として焼
結体中に残留することが必要と考えられる。このような
作用から考え、本発明の完成、達成は酸化ジルコニウム
の結晶系(立方晶・正方晶・単斜晶)に無関係であるこ
とはいうまでもない [実施例] 以下、本発明を実施例に基すき、更に詳細に説明するが
、本発明がこれら実施例に限定されないことは明らかで
あろう。
成した液相に溶解せずに酸化ジルコニウム結晶として焼
結体中に残留することが必要と考えられる。このような
作用から考え、本発明の完成、達成は酸化ジルコニウム
の結晶系(立方晶・正方晶・単斜晶)に無関係であるこ
とはいうまでもない [実施例] 以下、本発明を実施例に基すき、更に詳細に説明するが
、本発明がこれら実施例に限定されないことは明らかで
あろう。
(実施例)
ZrO2を除く原料粉末として、表−1に示す組成を有
するものを用いた。その平均粒径は約1pmてあった。
するものを用いた。その平均粒径は約1pmてあった。
ZrO2としては部分安定化ジルコニア(Y z O:
sを3mo1%含有)を用いた。
sを3mo1%含有)を用いた。
表−1
ZrOaの添加量は表−2に示すように、6水準(0,
2,5,10,15,20VO1%)とした。
2,5,10,15,20VO1%)とした。
表−2
(wt%は、ZrO□、ZnO素子原料の比重をそれぞ
れ6.05,5.75としてvol%より換算した値、
) 次に、試料の成形、焼成条件を表−3に示した。
れ6.05,5.75としてvol%より換算した値、
) 次に、試料の成形、焼成条件を表−3に示した。
表−3
金1ツブレス100kg/cm2 1210
℃ φ24x h22.5(n=5)+ 7t/
cm2cIP s+4間保持以上の条件下、以下
の製造プロセスに従って電圧非直線抵抗体を作製した。
℃ φ24x h22.5(n=5)+ 7t/
cm2cIP s+4間保持以上の条件下、以下
の製造プロセスに従って電圧非直線抵抗体を作製した。
なお、調合量は600gであった。
まず、ZrO2を除く原料粉末を湿式ボールミルを用い
、蒸留水を使用して、粉末:水:ボール=l;2.5:
2.5の重量割合で48時間、粉砕した。一方、ZrO
2については粉末:水:ボール=1:1:2.5の重量
割合で30時間、粉砕した。
、蒸留水を使用して、粉末:水:ボール=l;2.5:
2.5の重量割合で48時間、粉砕した。一方、ZrO
2については粉末:水:ボール=1:1:2.5の重量
割合で30時間、粉砕した。
次に、上記の再粉砕物を混合した。得られた生成物を乾
燥器により乾燥した。
燥器により乾燥した。
次いで、得られた粉体を粉体;水:ボリビニルアルコー
ル=78:21.4:0.6の重量割合にて調合、混合
、造粒した後、成形した。成形は100 k g /
c m ”の圧力でコールドプレス、及び7トン/ c
m 2の圧力によるラバープレスによって行った。
ル=78:21.4:0.6の重量割合にて調合、混合
、造粒した後、成形した。成形は100 k g /
c m ”の圧力でコールドプレス、及び7トン/ c
m 2の圧力によるラバープレスによって行った。
次に、得られた成形体を500°Cて5時間保持し、バ
インダーを揮発させた後、900℃で2時間仮焼した。
インダーを揮発させた後、900℃で2時間仮焼した。
次いで、焼成により高抵抗層となる側面剤を側面に塗布
した後、1210℃にて5時間焼成を行った。次に焼結
体の側面にガラスを焼付けた後、厚さ22.5mmに研
磨し、両面に金スパツタリングと銀ペーストの焼付を行
い、電極を付すことにより非直線抵抗体を作製した。
した後、1210℃にて5時間焼成を行った。次に焼結
体の側面にガラスを焼付けた後、厚さ22.5mmに研
磨し、両面に金スパツタリングと銀ペーストの焼付を行
い、電極を付すことにより非直線抵抗体を作製した。
このようにして得られたZnO素子の粉末X線回折図(
CuKαターゲット)を第1図及び第2図に示す。この
図から明らかなように、5vol%以上では、Z r
O2は結晶相としてZnO焼結体中に存在していること
がわかる。
CuKαターゲット)を第1図及び第2図に示す。この
図から明らかなように、5vol%以上では、Z r
O2は結晶相としてZnO焼結体中に存在していること
がわかる。
また、得られた6種(その中の一つはZrO2無添加)
のZnO素子の微構造写真(走査型電子顕微鏡)を第3
図乃至第8図に示す。ここで、第3図(a)(b)はZ
rO2無添加、第4図(a)(b)はZrO,のZrO
1%添加、第5図(a)(b)はZ r O2の5vo
l%添加、第6図(a)(b)はZ r O2の10v
ol%添加、第7図(a)(b)はZrO2の15vo
l%添加、第8図(a)(b)はZ r O2の20v
ol%添加を示しており、また第3図〜第8図における
(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8図
における(b)は倍率が927倍の写真である。
のZnO素子の微構造写真(走査型電子顕微鏡)を第3
図乃至第8図に示す。ここで、第3図(a)(b)はZ
rO2無添加、第4図(a)(b)はZrO,のZrO
1%添加、第5図(a)(b)はZ r O2の5vo
l%添加、第6図(a)(b)はZ r O2の10v
ol%添加、第7図(a)(b)はZrO2の15vo
l%添加、第8図(a)(b)はZ r O2の20v
ol%添加を示しており、また第3図〜第8図における
(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8図
における(b)は倍率が927倍の写真である。
これらの写真から、添加するZrO2の量か2.5,1
0,15,20vol%と増加する程、焼結体中のZn
O粒子の成長か抑制されていることが明らかである。
0,15,20vol%と増加する程、焼結体中のZn
O粒子の成長か抑制されていることが明らかである。
更に、これらのZnO素子について、非直線開始電圧(
V+−A)と粉末X線回折におけるZnOの(102)
ピークに対するZrO,の(111)ピークの強度比と
の関係、および4点曲げ強度との関係を測定した。結果
を表−4と第9図〜第10図に示す、この結果から、Z
rO2添加量が大きくなればなる程、ZnO素子の非直
線開始電圧(V12)は高くなる。また、ZrO,添加
量が5vol%未満の如く低くなるとZnO焼結体中の
ZrO2の粉末X線回折強度が非常に小さくなることが
わかる。一方、曲げ強度はZrO2添加量が17〜18
vol%までは増加するが、それを超えると逆に減少す
ることがわかる。
V+−A)と粉末X線回折におけるZnOの(102)
ピークに対するZrO,の(111)ピークの強度比と
の関係、および4点曲げ強度との関係を測定した。結果
を表−4と第9図〜第10図に示す、この結果から、Z
rO2添加量が大きくなればなる程、ZnO素子の非直
線開始電圧(V12)は高くなる。また、ZrO,添加
量が5vol%未満の如く低くなるとZnO焼結体中の
ZrO2の粉末X線回折強度が非常に小さくなることが
わかる。一方、曲げ強度はZrO2添加量が17〜18
vol%までは増加するが、それを超えると逆に減少す
ることがわかる。
表−4
[発明の効果]
本発明は以上説明したような構成を有しているので、次
に記載されるような効果を奏する。
に記載されるような効果を奏する。
酸化ジルコニウム(ZrO2)結晶相を酸化亜鉛(Zn
O)を主成分とする焼結体に含有させることにより、高
い非直線開始電圧が得られるとともに、曲げ強度も大き
い酸化亜鉛電圧非直線抵抗体を得ることができる。従っ
て、送電用などに用いる場合、ZnO素子の小型化が可
能となり、装備全体を小さくでき、経済的にも有利とな
るものである。
O)を主成分とする焼結体に含有させることにより、高
い非直線開始電圧が得られるとともに、曲げ強度も大き
い酸化亜鉛電圧非直線抵抗体を得ることができる。従っ
て、送電用などに用いる場合、ZnO素子の小型化が可
能となり、装備全体を小さくでき、経済的にも有利とな
るものである。
この場合、ZrO2結晶相を、粉末X線回折においてZ
nOの(102)ピークに対するZrO2の(111)
ピークツ強度比が0.06〜0.75M)範囲で含有さ
せると、上記の効果は更に顕著となる。
nOの(102)ピークに対するZrO2の(111)
ピークツ強度比が0.06〜0.75M)範囲で含有さ
せると、上記の効果は更に顕著となる。
また、この電圧非直線抵抗体の製造方法として、前記し
た製造方法を採用することにより、非直線開始電圧が高
く、しかも曲げ強度が大きい酸化亜鉛電圧非直線抵抗体
を得ることがてきる。
た製造方法を採用することにより、非直線開始電圧が高
く、しかも曲げ強度が大きい酸化亜鉛電圧非直線抵抗体
を得ることがてきる。
第1図及び第2図はZnO素子の粉末X線回折図形を示
すグラフ、第3図〜第8図は夫々6種のZnO素子の結
晶構造を示す走査型電子顕微鏡写真で、第3図〜第8図
の(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8
図の(b)は倍率が927倍の写真である。第9図はZ
rO2添加量と、ZnO素子の非直線開始電圧(V t
2)との関係および粉末X線回折におけるZnOの(1
02)ピークに対するZrO2の(111)ピークの強
度比との関係を示すグラフ、第1O図はZrO□添加量
とZnO素子の4点曲げ強度との関係を示すグラフであ
る。
すグラフ、第3図〜第8図は夫々6種のZnO素子の結
晶構造を示す走査型電子顕微鏡写真で、第3図〜第8図
の(a)は倍率が325倍の写真であり、第3図〜第8
図の(b)は倍率が927倍の写真である。第9図はZ
rO2添加量と、ZnO素子の非直線開始電圧(V t
2)との関係および粉末X線回折におけるZnOの(1
02)ピークに対するZrO2の(111)ピークの強
度比との関係を示すグラフ、第1O図はZrO□添加量
とZnO素子の4点曲げ強度との関係を示すグラフであ
る。
Claims (2)
- (1)酸化ジルコニウム(ZrO_2)結晶相を含有す
る、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする焼結体から成る
ことを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - (2)酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする原料粉末に対
し、平均粒径が0.1〜1μmの酸化ジルコニウム(Z
rO_2)を5〜20vol%添加した後、混合・成形
し、次いで焼成することを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63015657A JPH01189901A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63015657A JPH01189901A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01189901A true JPH01189901A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11894801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63015657A Pending JPH01189901A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 電圧非直線抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01189901A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0497566A2 (en) * | 1991-01-29 | 1992-08-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Voltage non-linear resistor |
JP2014167170A (ja) * | 2014-04-25 | 2014-09-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5124794A (ja) * | 1974-08-23 | 1976-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki |
JPS55158603A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-10 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of manufacturing voltage nonnlinear resistor |
JPS62136802A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 株式会社日立製作所 | 酸化物抵抗体 |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP63015657A patent/JPH01189901A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5124794A (ja) * | 1974-08-23 | 1976-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hyomenshohekigatadenatsuhichokusenteikoki |
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US5277843A (en) * | 1991-01-29 | 1994-01-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Voltage non-linear resistor |
JP2014167170A (ja) * | 2014-04-25 | 2014-09-11 | Mitsubishi Materials Corp | 酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
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