JPH05267005A - 正特性サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタ及びその製造方法Info
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- JPH05267005A JPH05267005A JP4174143A JP17414392A JPH05267005A JP H05267005 A JPH05267005 A JP H05267005A JP 4174143 A JP4174143 A JP 4174143A JP 17414392 A JP17414392 A JP 17414392A JP H05267005 A JPH05267005 A JP H05267005A
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- calcium
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- positive temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃａの置換によって耐電圧、バリスタ特性を
向上させるとともに、公称ゼロ負荷抵抗値を減少させ
る。 【構成】 （Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 （ただし、Ｍ
は、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒの場合には、０≦
ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜０．７であ
る。）からなる組成物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，Ｍ
X ）をＣａにて一部置換し、１０５０〜１２００℃で仮
焼した仮焼粉末１ｍｏｌに対し、Ｃａの化合物を０．０
５ｍｏｌ％以上添加、１３００〜１４００℃にて焼成す
る。
向上させるとともに、公称ゼロ負荷抵抗値を減少させ
る。 【構成】 （Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 （ただし、Ｍ
は、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒの場合には、０≦
ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜０．７であ
る。）からなる組成物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，Ｍ
X ）をＣａにて一部置換し、１０５０〜１２００℃で仮
焼した仮焼粉末１ｍｏｌに対し、Ｃａの化合物を０．０
５ｍｏｌ％以上添加、１３００〜１４００℃にて焼成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正の抵抗温度特性（以
下、ＰＴＣ特性と略す）を有するサーミスタに関し、特
に公称ゼロ負荷抵抗値（２５℃における規格抵抗値）を
利用目的に応じ、自由に減少させることのできる製造方
法に関するものである。
下、ＰＴＣ特性と略す）を有するサーミスタに関し、特
に公称ゼロ負荷抵抗値（２５℃における規格抵抗値）を
利用目的に応じ、自由に減少させることのできる製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チタン酸バリウムにＹ，Ｌａなどの３価
の希土類金属元素やＳｂ、或いはＮｂ等の５価の遷移金
属元素を微量添加し焼成することによりキュリー点以上
においてＰＴＣ特性を示す事が知られている。この特性
を利用して、温度センサー、消磁回路用素子、過電流防
止回路用素子、自己温度制御発熱体など、様々な物に使
われている。
の希土類金属元素やＳｂ、或いはＮｂ等の５価の遷移金
属元素を微量添加し焼成することによりキュリー点以上
においてＰＴＣ特性を示す事が知られている。この特性
を利用して、温度センサー、消磁回路用素子、過電流防
止回路用素子、自己温度制御発熱体など、様々な物に使
われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＰＴＣサー
ミスタとしては、高耐電圧であり、抵抗値が電圧によっ
て不連続的に著しく変化することがない低バリスタ特性
のものが求められる。この点、サーミスタ原料の組成の
一部をＣａで置換することにより、高耐電圧化を図り、
バリスタ特性を向上させることが試みられているが、公
称ゼロ負荷抵抗値の上昇を招いてしまっていた。
ミスタとしては、高耐電圧であり、抵抗値が電圧によっ
て不連続的に著しく変化することがない低バリスタ特性
のものが求められる。この点、サーミスタ原料の組成の
一部をＣａで置換することにより、高耐電圧化を図り、
バリスタ特性を向上させることが試みられているが、公
称ゼロ負荷抵抗値の上昇を招いてしまっていた。
【０００４】本発明は、Ｃａの置換によって耐電圧及び
バリスタ特性を向上させた時に起こる公称ゼロ負荷抵抗
値の上昇を簡単な製造上の方法によって解決できる正特
性サーミスタの製造方法を提供することを目的とする。
バリスタ特性を向上させた時に起こる公称ゼロ負荷抵抗
値の上昇を簡単な製造上の方法によって解決できる正特
性サーミスタの製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の正特性サーミス
タは、正特性サーミスタ組成物（Ｂａ1-X，ＭX ）Ｔｉ
Ｏ3 （ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒ
の場合には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０
≦ｘ＜０．７である。）のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX
）がＣａにて一部置換されるとともに、炭酸カルシウ
ム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カル
シウム等のカルシウム化合物が０．０５ｍｏｌ％以上添
加されていることを特徴とする。
タは、正特性サーミスタ組成物（Ｂａ1-X，ＭX ）Ｔｉ
Ｏ3 （ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒ
の場合には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０
≦ｘ＜０．７である。）のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX
）がＣａにて一部置換されるとともに、炭酸カルシウ
ム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カル
シウム等のカルシウム化合物が０．０５ｍｏｌ％以上添
加されていることを特徴とする。
【０００６】また、本発明の正特性サーミスタの製造方
法は、（Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3（ただし、Ｍは、Ｓｒ
またはＰｂであり、ＭがＳｒの場合には、０≦ｘ≦０．
３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜０．７である。）か
らなる組成物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａ
にて一部置換し、１０５０〜１２００℃で仮焼した仮焼
粉末１ｍｏｌに対し、カルシウム化合物が、炭酸カルシ
ウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カ
ルシウム等のカルシウム化合物を０．０５ｍｏｌ％以上
添加し、１３００〜１４００℃にて焼成することを特徴
とする。
法は、（Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3（ただし、Ｍは、Ｓｒ
またはＰｂであり、ＭがＳｒの場合には、０≦ｘ≦０．
３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜０．７である。）か
らなる組成物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａ
にて一部置換し、１０５０〜１２００℃で仮焼した仮焼
粉末１ｍｏｌに対し、カルシウム化合物が、炭酸カルシ
ウム、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カ
ルシウム等のカルシウム化合物を０．０５ｍｏｌ％以上
添加し、１３００〜１４００℃にて焼成することを特徴
とする。
【０００７】
【作用】本発明の製造方法により、耐電圧、バリスタ特
性の向上のためＣａの置換を行ったＰＴＣサーミスタ原
料に対し、さらにＣａを添加し、基本成分比を変えるこ
となくその公称ゼロ負荷抵抗値を低抵抗側へ自由に変化
させることができる。
性の向上のためＣａの置換を行ったＰＴＣサーミスタ原
料に対し、さらにＣａを添加し、基本成分比を変えるこ
となくその公称ゼロ負荷抵抗値を低抵抗側へ自由に変化
させることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。 実施例１ （Ｂａ0.8 ，Ｓｒ0.2 ）ＴｉＯ3 に０．００１５Ｙ2 Ｏ
3 ＋０．００５ＴｉＯ2 を添加したものをベース配合と
し、これに対し、Ｂａの一部をＣａで、０、０．０１、
０．０２、０．０４、０．０８、０．１５ｍｏｌ置換し
た組成となるように配合した後、ナイロン玉石を使用し
ゴムライニングボールミルにて、湿式混練を行った。乾
燥後、１１５０℃で仮焼を行い、この仮焼成分１ｍｏｌ
に対し、０．０００７ＭｎＯ2 ＋０．０２５ＳｉＯ2 を
添加、さらに、ＣａＣＯ3 を０、０．０００５、０．０
０１、０．００５、０．０１、０．０２、０．０４、
０．０８ｍｏｌ添加し、ボールミルにて湿式混合粉砕し
た後、１５％ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）水溶液
を原料に対し１０ｗｔ％添加し造粒を行った。これらの
原料を直径１６ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの円板状に１００
０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力にて成形し、大気中にて、１３５
０℃で２時間の焼成を行った。これらの焼結体にオーミ
ック性銀電極を両面に焼き付けて、本発明のＰＴＣサー
ミスタを得た。表１に、Ｃａの置換及び添加量と、公称
ゼロ負荷抵抗値を示す。
3 ＋０．００５ＴｉＯ2 を添加したものをベース配合と
し、これに対し、Ｂａの一部をＣａで、０、０．０１、
０．０２、０．０４、０．０８、０．１５ｍｏｌ置換し
た組成となるように配合した後、ナイロン玉石を使用し
ゴムライニングボールミルにて、湿式混練を行った。乾
燥後、１１５０℃で仮焼を行い、この仮焼成分１ｍｏｌ
に対し、０．０００７ＭｎＯ2 ＋０．０２５ＳｉＯ2 を
添加、さらに、ＣａＣＯ3 を０、０．０００５、０．０
０１、０．００５、０．０１、０．０２、０．０４、
０．０８ｍｏｌ添加し、ボールミルにて湿式混合粉砕し
た後、１５％ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）水溶液
を原料に対し１０ｗｔ％添加し造粒を行った。これらの
原料を直径１６ｍｍ、厚さ２．５ｍｍの円板状に１００
０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力にて成形し、大気中にて、１３５
０℃で２時間の焼成を行った。これらの焼結体にオーミ
ック性銀電極を両面に焼き付けて、本発明のＰＴＣサー
ミスタを得た。表１に、Ｃａの置換及び添加量と、公称
ゼロ負荷抵抗値を示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】（Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 のＭ位置をＳ
ｒとしたＰＴＣサーミスタにＣａの添加を行うと、Ｃａ
無置換ではＣａ添加により公称ゼロ負荷抵抗値が上昇す
るのに対し、Ｃａを置換したものでは、Ｃａの添加に従
い減少することが認められる。また、実施例１の組成で
はＣａを１５ｍｏｌ％置換した場合には、半導体化した
ものが得られていないが、組成式からはＣａをそれ以上
置換することが可能であり、半導体化剤としてＤｙ2 Ｏ
3 を使用して半導体化した場合についてみると、Ｃａ無
添加（＊４）で１４７Ω・ｃｍ、添加量０．１ｍｏｌ％
（＊５）、４ｍｏｌ％（＊６）でそれぞれ１２５Ω・ｃ
ｍ、１００Ω・ｃｍとなり、公称ゼロ負荷抵抗値の減少
が認められた。
ｒとしたＰＴＣサーミスタにＣａの添加を行うと、Ｃａ
無置換ではＣａ添加により公称ゼロ負荷抵抗値が上昇す
るのに対し、Ｃａを置換したものでは、Ｃａの添加に従
い減少することが認められる。また、実施例１の組成で
はＣａを１５ｍｏｌ％置換した場合には、半導体化した
ものが得られていないが、組成式からはＣａをそれ以上
置換することが可能であり、半導体化剤としてＤｙ2 Ｏ
3 を使用して半導体化した場合についてみると、Ｃａ無
添加（＊４）で１４７Ω・ｃｍ、添加量０．１ｍｏｌ％
（＊５）、４ｍｏｌ％（＊６）でそれぞれ１２５Ω・ｃ
ｍ、１００Ω・ｃｍとなり、公称ゼロ負荷抵抗値の減少
が認められた。
【００１１】耐電圧に関しては、例えばＣａ置換量２ｍ
ｏｌ％、Ｃａ無添加、Ｃａ添加量２ｍｏｌ％を比較して
みると、公称ゼロ負荷抵抗値が３８Ω・ｃｍから２５Ω
・ｃｍと約３０％減少しているのに対して、耐電圧はＣ
ａ無置換、無添加の場合（＊１）１４０Ｖ／ｍｍ、Ｃａ
置換量２ｍｏｌ％でＣａ無添加（＊２）、Ｃａ添加量２
ｍｏｌ％（＊３）のときそれぞれ１７５Ｖ／ｍｍ、１６
７Ｖ／ｍｍであり、Ｃａ置換により大幅に耐電圧が大き
くなるとともに、Ｃａ２ｍｏｌ％の添加により耐電圧は
５％以内の低下範囲で収まっているため、従来のものに
比べ低抵抗かつ高耐圧であることが認められる。
ｏｌ％、Ｃａ無添加、Ｃａ添加量２ｍｏｌ％を比較して
みると、公称ゼロ負荷抵抗値が３８Ω・ｃｍから２５Ω
・ｃｍと約３０％減少しているのに対して、耐電圧はＣ
ａ無置換、無添加の場合（＊１）１４０Ｖ／ｍｍ、Ｃａ
置換量２ｍｏｌ％でＣａ無添加（＊２）、Ｃａ添加量２
ｍｏｌ％（＊３）のときそれぞれ１７５Ｖ／ｍｍ、１６
７Ｖ／ｍｍであり、Ｃａ置換により大幅に耐電圧が大き
くなるとともに、Ｃａ２ｍｏｌ％の添加により耐電圧は
５％以内の低下範囲で収まっているため、従来のものに
比べ低抵抗かつ高耐圧であることが認められる。
【００１２】また、仮焼粉に添加するＣａ源は、炭酸カ
ルシウムのほかに酸化カルシウム、水酸化カルシウム、
シュウ酸カルシウムなどを用いても、同様な結果が得ら
れた。
ルシウムのほかに酸化カルシウム、水酸化カルシウム、
シュウ酸カルシウムなどを用いても、同様な結果が得ら
れた。
【００１３】図２に示すように、（Ｂａ1-X，ＭX ）Ｔ
ｉＯ3 のＭ位置をＳｒとしたＰＴＣサーミスタに対し、
単に耐電圧及びバリスタ特性向上のために、Ｃａ置換量
を増加させると公称ゼロ負荷抵抗値が増大する。しかし
図１に示すように、Ｃａ無置換時の公称ゼロ負荷抵抗特
性Ａに対して、Ｃａ８モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗
特性Ｂ、Ｃａ４モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性
Ｃ、Ｃａ１モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性Ｄ、Ｃ
ａ２モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性Ｅのように、
Ｃａの添加量を選択することにより公称ゼロ負荷抵抗値
を減少させることができる。
ｉＯ3 のＭ位置をＳｒとしたＰＴＣサーミスタに対し、
単に耐電圧及びバリスタ特性向上のために、Ｃａ置換量
を増加させると公称ゼロ負荷抵抗値が増大する。しかし
図１に示すように、Ｃａ無置換時の公称ゼロ負荷抵抗特
性Ａに対して、Ｃａ８モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗
特性Ｂ、Ｃａ４モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性
Ｃ、Ｃａ１モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性Ｄ、Ｃ
ａ２モル％置換時の公称ゼロ負荷抵抗特性Ｅのように、
Ｃａの添加量を選択することにより公称ゼロ負荷抵抗値
を減少させることができる。
【００１４】実施例２ （Ｂａ0.93，Ｐｂ0.07）ＴｉＯ3 からなるチタン酸バリ
ウムに対し、０．００１５Ｎｂ2 Ｏ5 ＋０．００８Ｔｉ
Ｏ2 ＋０．０００７ＭｎＣＯ3 を添加したものをベース
配合とし、これに対し、Ｂａの一部をＣａで、０．０
１、０．０２、０．０４、０．０８、０．１５ｍｏｌ置
換した組成となるように配合した後、ナイロン玉石を使
用しゴムライニングボールミルにて、湿式混練を行っ
た。乾燥後、１１５０℃で仮焼を行い、この仮焼成分１
ｍｏｌに対し、０．０１２ｍｏｌのＳｉＯ2 を添加、さ
らにＣａＣＯ3 を０、０．０００５、０．００１、０．
００５、０．０１、０．０２ｍｏｌ添加し、ボールミル
にて湿式混合粉砕した後、１５％ＰＶＡ（ポリビニール
アルコール）水溶液を原料に対し１０ｗｔ％添加し造粒
を行った。これらの原料を直径１３ｍｍ厚さ２．５ｍｍ
の円板状に１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力にて成形し、大
気中にて１３５０℃で２時間の焼成を行った。これらの
焼結体にオーミック性銀電極を両面に焼き付けて、本発
明の正特性サーミスタを得た。表２に、Ｃａの置換及び
添加量と、公称ゼロ負荷抵抗値を示す。
ウムに対し、０．００１５Ｎｂ2 Ｏ5 ＋０．００８Ｔｉ
Ｏ2 ＋０．０００７ＭｎＣＯ3 を添加したものをベース
配合とし、これに対し、Ｂａの一部をＣａで、０．０
１、０．０２、０．０４、０．０８、０．１５ｍｏｌ置
換した組成となるように配合した後、ナイロン玉石を使
用しゴムライニングボールミルにて、湿式混練を行っ
た。乾燥後、１１５０℃で仮焼を行い、この仮焼成分１
ｍｏｌに対し、０．０１２ｍｏｌのＳｉＯ2 を添加、さ
らにＣａＣＯ3 を０、０．０００５、０．００１、０．
００５、０．０１、０．０２ｍｏｌ添加し、ボールミル
にて湿式混合粉砕した後、１５％ＰＶＡ（ポリビニール
アルコール）水溶液を原料に対し１０ｗｔ％添加し造粒
を行った。これらの原料を直径１３ｍｍ厚さ２．５ｍｍ
の円板状に１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力にて成形し、大
気中にて１３５０℃で２時間の焼成を行った。これらの
焼結体にオーミック性銀電極を両面に焼き付けて、本発
明の正特性サーミスタを得た。表２に、Ｃａの置換及び
添加量と、公称ゼロ負荷抵抗値を示す。
【００１５】
【表２】
【００１６】（Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 のＭ位置をＰ
ｂとしたＰＴＣサーミスタにＣａ添加を行うとＣａ無置
換では、Ｃａ添加により公称ゼロ負荷抵抗値が上昇する
のに対し、Ｃａを置換したものでは、Ｃａの添加にした
がい減少することが認められる。また、本実施例の組成
ではＣａを８ｍｏｌ％以上置換した場合には、半導体化
剤として、酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）を使用して半
導体化した場合についてみると、Ｃａ無添加（＊４）で
６５３Ω・ｃｍ、添加量０．１ｍｏｌ％（＊５）、２ｍ
ｏｌ（＊６）でそれぞれ５５５Ω・ｃｍ、４４４Ω・ｃ
ｍとなり、公称ゼロ負荷抵抗値の減少が認められた。
ｂとしたＰＴＣサーミスタにＣａ添加を行うとＣａ無置
換では、Ｃａ添加により公称ゼロ負荷抵抗値が上昇する
のに対し、Ｃａを置換したものでは、Ｃａの添加にした
がい減少することが認められる。また、本実施例の組成
ではＣａを８ｍｏｌ％以上置換した場合には、半導体化
剤として、酸化イットリウム（Ｙ2 Ｏ3 ）を使用して半
導体化した場合についてみると、Ｃａ無添加（＊４）で
６５３Ω・ｃｍ、添加量０．１ｍｏｌ％（＊５）、２ｍ
ｏｌ（＊６）でそれぞれ５５５Ω・ｃｍ、４４４Ω・ｃ
ｍとなり、公称ゼロ負荷抵抗値の減少が認められた。
【００１７】耐電圧に関しては、例えばＣａ置換量１ｍ
ｏｌ％でＣａ無添加、Ｃａを０．５ｍｏｌ％添加したも
のを比較してみると、公称ゼロ負荷抵抗値が１．８２ｋ
Ω・ｃｍから６００Ω・ｃｍと６０％以上減少している
のに対して、耐電圧はＣａ無置換、無添加の場合（＊
１）２１０Ｖ／ｍｍ、Ｃａ置換量１ｍｏｌ％でＣａ無置
換（＊２）、Ｃａ添加量０．５ｍｏｌ％のとき、それぞ
れ３００Ｖ／ｍｍ以上であり、Ｃａ置換により耐電圧の
向上が認められ、かつＣａ添加による耐電圧の低下は認
められないため、従来のものに比べ低抵抗かつ高耐圧で
ある。
ｏｌ％でＣａ無添加、Ｃａを０．５ｍｏｌ％添加したも
のを比較してみると、公称ゼロ負荷抵抗値が１．８２ｋ
Ω・ｃｍから６００Ω・ｃｍと６０％以上減少している
のに対して、耐電圧はＣａ無置換、無添加の場合（＊
１）２１０Ｖ／ｍｍ、Ｃａ置換量１ｍｏｌ％でＣａ無置
換（＊２）、Ｃａ添加量０．５ｍｏｌ％のとき、それぞ
れ３００Ｖ／ｍｍ以上であり、Ｃａ置換により耐電圧の
向上が認められ、かつＣａ添加による耐電圧の低下は認
められないため、従来のものに比べ低抵抗かつ高耐圧で
ある。
【００１８】また、仮焼粉に添加するカルシウム源は、
ＣａＣＯ3 のほかにＣａＯ、Ｃａ（ＯＨ）2 、ＣａＣ2
Ｏ4 などを用いても、同様な結果が得られた。
ＣａＣＯ3 のほかにＣａＯ、Ｃａ（ＯＨ）2 、ＣａＣ2
Ｏ4 などを用いても、同様な結果が得られた。
【００１９】図４に示すように、単に耐電圧及びバリス
タ特性向上のために、Ｃａ置換を増加させると公称ゼロ
負荷抵抗値が増大する。
タ特性向上のために、Ｃａ置換を増加させると公称ゼロ
負荷抵抗値が増大する。
【００２０】しかし、図３に示すように、Ｃａ無置換時
の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ａに対して、Ｃａ１ｍｏｌ％
置換時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｂ、Ｃａ４ｍｏｌ％置
換時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｃ、Ｃａ２ｍｏｌ％置換
時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｄのように、Ｃａの添加量
を選択することにより、公称ゼロ負荷抵抗値を減少させ
ることができる。
の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ａに対して、Ｃａ１ｍｏｌ％
置換時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｂ、Ｃａ４ｍｏｌ％置
換時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｃ、Ｃａ２ｍｏｌ％置換
時の公称ゼロ負荷抵抗値特性Ｄのように、Ｃａの添加量
を選択することにより、公称ゼロ負荷抵抗値を減少させ
ることができる。
【００２１】実施例１においては、（Ｂａ0.8 ，Ｓｒ
0.2 ）ＴｉＯ3 、実施例２において（Ｂａ0.93，Ｐｂ
0.07）ＴｉＯ3 という組成のものを用いたが、（Ｂａ
1-X，ＭX）ＴｉＯ3 からなる正特性サーミスタのＭ位置
をＳｒとした組成は、０≦ｘ≦０．３、実施例２におい
ては、ＭをＰｂとした組成は、０≦ｘ＜０．７であれ
ば、同様の効果が得られる。
0.2 ）ＴｉＯ3 、実施例２において（Ｂａ0.93，Ｐｂ
0.07）ＴｉＯ3 という組成のものを用いたが、（Ｂａ
1-X，ＭX）ＴｉＯ3 からなる正特性サーミスタのＭ位置
をＳｒとした組成は、０≦ｘ≦０．３、実施例２におい
ては、ＭをＰｂとした組成は、０≦ｘ＜０．７であれ
ば、同様の効果が得られる。
【００２２】また、Ｓｒ量を０．３より多くした場合
や、Ｐｂ量を０．７以上とした組成では、大気中での焼
成により半導体化した試料を得ることができなかった。
や、Ｐｂ量を０．７以上とした組成では、大気中での焼
成により半導体化した試料を得ることができなかった。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、（Ｂａ
1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 （ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂ
であり、ＭがＳｒの場合には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰ
ｂの場合には、０≦ｘ＜０．７である。）からなる組成
物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａにて置換し
たチタン酸バリウム系ＰＴＣサーミスタにＣａを添加す
ることで従来からの基本成分を操作することなく公称ゼ
ロ負荷抵抗値を自由に減少させることが出来るという効
果が得られた。
1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 （ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂ
であり、ＭがＳｒの場合には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰ
ｂの場合には、０≦ｘ＜０．７である。）からなる組成
物のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａにて置換し
たチタン酸バリウム系ＰＴＣサーミスタにＣａを添加す
ることで従来からの基本成分を操作することなく公称ゼ
ロ負荷抵抗値を自由に減少させることが出来るという効
果が得られた。
【図１】各Ｃａ置換量におけるＣａ添加量と公称ゼロ負
荷抵抗値の変化を対数で示す図である。
荷抵抗値の変化を対数で示す図である。
【図２】Ｃａ無添加時でのＣａ置換量と公称ゼロ負荷抵
抗値の変化を対数で示す図である。
抗値の変化を対数で示す図である。
【図３】各Ｃａ置換量におけるＣａ添加量の対数に対す
る公称ゼロ負荷抵抗値の変化を対数で示す図である。
る公称ゼロ負荷抵抗値の変化を対数で示す図である。
【図４】Ｃａ無添加時でのＣａ置換量と公称ゼロ負荷抵
抗値の変化を対数で示す図である。
抗値の変化を対数で示す図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の正特性サーミスタ組成物のＡサイ
ト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）がＣａにて一部置換されると
ともに、カルシウム化合物を０．０５ｍｏｌ％以上添加
して焼成したものであることを特徴とする正特性サーミ
スタ。 （Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒの場合
には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜
０．７である。 - 【請求項２】 カルシウム化合物が、炭酸カルシウム、
酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カルシウ
ムであることを特徴とする請求項１または２記載の正特
性サーミスタ。 - 【請求項３】 下記の正特性サーミスタ組成物のＡサイ
ト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａにて一部置換した仮焼
粉１ｍｏｌに対し、カルシウム化合物を０．０５ｍｏｌ
％以上添加し焼成することにより公称ゼロ負荷抵抗値を
低抵抗側へ変化させるようにしたことを特徴とする正特
性サーミスタの製造方法。 （Ｂａ1-X，ＭX ）ＴｉＯ3 ただし、Ｍは、ＳｒまたはＰｂであり、ＭがＳｒの場合
には、０≦ｘ≦０．３、ＭがＰｂの場合には、０≦ｘ＜
０．７である。 - 【請求項４】 正特性サーミスタ組成物（Ｂａ1-X，ＭX
）ＴｉＯ3 のＡサイト位置（Ｂａ1-X，ＭX ）をＣａに
て０．０１ｍｏｌ以上置換することを特徴とする請求項
４記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項５】 カルシウム化合物が、炭酸カルシウム、
酸化カルシウム、水酸化カルシウム、シュウ酸カルシウ
ムであることを特徴とする請求項４または５記載の正特
性サーミスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-9268 | 1992-01-22 | ||
| JP926892 | 1992-01-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267005A true JPH05267005A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=11715705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4174143A Pending JPH05267005A (ja) | 1992-01-22 | 1992-07-01 | 正特性サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190318853A1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Avx Corporation | Varistor for High Temperature Applications |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP4174143A patent/JPH05267005A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190318853A1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Avx Corporation | Varistor for High Temperature Applications |
| WO2019204430A1 (en) * | 2018-04-17 | 2019-10-24 | Avx Corporation | Varistor for high temperature applications |
| US10790075B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-09-29 | Avx Corporation | Varistor for high temperature applications |
| CN111971759A (zh) * | 2018-04-17 | 2020-11-20 | 阿维科斯公司 | 用于高温应用的变阻器 |
| US10998114B2 (en) | 2018-04-17 | 2021-05-04 | Avx Corporation | Varistor for high temperature applications |
| CN111971759B (zh) * | 2018-04-17 | 2023-05-02 | 京瓷Avx元器件公司 | 用于高温应用的变阻器 |
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