JPH10294203A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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- JPH10294203A JPH10294203A JP9104475A JP10447597A JPH10294203A JP H10294203 A JPH10294203 A JP H10294203A JP 9104475 A JP9104475 A JP 9104475A JP 10447597 A JP10447597 A JP 10447597A JP H10294203 A JPH10294203 A JP H10294203A
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- positive temperature
- coefficient thermistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 室温での比抵抗が低い正特性サーミスタを提
供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする正特性
サーミスタ材料の５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除
く）を第一の還元雰囲気で熱処理する。次にこれと残り
の正特性サーミスタ材料とを用いて成形体を形成する。
次いで、この成形体を第１の還元雰囲気よりも酸素分圧
が高い第２の還元雰囲気で熱処理して焼結体を得た後、
電極を形成する。
供することを目的とする。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする正特性
サーミスタ材料の５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除
く）を第一の還元雰囲気で熱処理する。次にこれと残り
の正特性サーミスタ材料とを用いて成形体を形成する。
次いで、この成形体を第１の還元雰囲気よりも酸素分圧
が高い第２の還元雰囲気で熱処理して焼結体を得た後、
電極を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の正特性サーミスタの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００３】まずチタン酸バリウムを主成分とした原料
を混合して、これらの混合粉末を空気中で仮焼する。次
に、この仮焼粉末を所望の形状に成形した後、空気中で
焼成し、得られた焼結体に電極を形成して正特性サーミ
スタを得ていた。
を混合して、これらの混合粉末を空気中で仮焼する。次
に、この仮焼粉末を所望の形状に成形した後、空気中で
焼成し、得られた焼結体に電極を形成して正特性サーミ
スタを得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】正特性サーミスタは小
型化を図るため、室温での比抵抗が小さいことが要望さ
れている。上記方法で製造した正特性サーミスタは、室
温での比抵抗が低いものは耐電圧が低く、耐電圧が高い
ものは比抵抗が高いという問題点を有していた。
型化を図るため、室温での比抵抗が小さいことが要望さ
れている。上記方法で製造した正特性サーミスタは、室
温での比抵抗が低いものは耐電圧が低く、耐電圧が高い
ものは比抵抗が高いという問題点を有していた。
【０００５】そこで本発明は、室温での比抵抗が低く、
耐電圧の高い正特性サーミスタを提供することを目的と
するものである。
耐電圧の高い正特性サーミスタを提供することを目的と
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、チタン酸バ
リウムを主成分とする正特性サーミスタ材料の５０ｗｔ
％以下（但し０ｗｔ％を除く）を還元雰囲気で熱処理す
る第１の工程と、次に前記正特性サーミスタ材料の残り
と前記第１の工程で還元処理した正特性サーミスタ材料
とを用いて成形体を形成する第２の工程と、次いで前記
成形体を還元雰囲気で熱処理して焼結体を得る第３の工
程と、その後前記焼結体の表面に電極を形成する第４の
工程とを備え、前記第１の工程の還元雰囲気よりも前記
第３の工程の雰囲気の方が酸素分圧が高いことを特徴と
するものである。
に本発明の正特性サーミスタの製造方法は、チタン酸バ
リウムを主成分とする正特性サーミスタ材料の５０ｗｔ
％以下（但し０ｗｔ％を除く）を還元雰囲気で熱処理す
る第１の工程と、次に前記正特性サーミスタ材料の残り
と前記第１の工程で還元処理した正特性サーミスタ材料
とを用いて成形体を形成する第２の工程と、次いで前記
成形体を還元雰囲気で熱処理して焼結体を得る第３の工
程と、その後前記焼結体の表面に電極を形成する第４の
工程とを備え、前記第１の工程の還元雰囲気よりも前記
第３の工程の雰囲気の方が酸素分圧が高いことを特徴と
するものである。
【０００７】この方法によると、第１の工程の還元雰囲
気中での熱処理により酸素欠陥に伴い伝導電子が生成
し、比抵抗が低い正特性サーミスタ材料が得られるが、
この正特性サーミスタ材料のみでは抵抗温度係数が低く
耐電圧が低い。そこで第１の工程の還元雰囲気中での熱
処理した正特性サーミスタ材料と残りの正特性サーミス
タ材料とを用いることで、抵抗値の低い部分を有するた
め比抵抗は低くなるが、残りの正特性サーミスタ材料の
特性により抵抗温度係数が高く、耐電圧の高い焼結体を
得ることができるので上記目的を達成することができ
る。
気中での熱処理により酸素欠陥に伴い伝導電子が生成
し、比抵抗が低い正特性サーミスタ材料が得られるが、
この正特性サーミスタ材料のみでは抵抗温度係数が低く
耐電圧が低い。そこで第１の工程の還元雰囲気中での熱
処理した正特性サーミスタ材料と残りの正特性サーミス
タ材料とを用いることで、抵抗値の低い部分を有するた
め比抵抗は低くなるが、残りの正特性サーミスタ材料の
特性により抵抗温度係数が高く、耐電圧の高い焼結体を
得ることができるので上記目的を達成することができ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、チタン酸バリウムを主成分とする正特性サーミスタ
材料の５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除く）を還元雰
囲気で熱処理する第１の工程と、次に前記正特性サーミ
スタ材料の残りと前記第１の工程で還元処理した正特性
サーミスタ材料とを用いて成形体を形成する第２の工程
と、次いで前記成形体を熱処理して焼結体を得る第３の
工程と、その後前記焼結体の表面に電極を形成する第４
の工程とを備え、前記第１の工程の還元雰囲気よりも前
記第３の工程の雰囲気の方が酸素分圧が高いことを特徴
とする正特性サーミスタの製造方法であり、室温での比
抵抗の低い正特性サーミスタを得ることができる。
は、チタン酸バリウムを主成分とする正特性サーミスタ
材料の５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除く）を還元雰
囲気で熱処理する第１の工程と、次に前記正特性サーミ
スタ材料の残りと前記第１の工程で還元処理した正特性
サーミスタ材料とを用いて成形体を形成する第２の工程
と、次いで前記成形体を熱処理して焼結体を得る第３の
工程と、その後前記焼結体の表面に電極を形成する第４
の工程とを備え、前記第１の工程の還元雰囲気よりも前
記第３の工程の雰囲気の方が酸素分圧が高いことを特徴
とする正特性サーミスタの製造方法であり、室温での比
抵抗の低い正特性サーミスタを得ることができる。
【０００９】請求項２に記載の発明は、第１の工程の還
元雰囲気よりも第３の工程における雰囲気の方が酸素分
圧が１０3倍以上高いことを特徴とする請求項１に記載
の正特性サーミスタの製造方法であり、室温での比抵抗
の低い正特性サーミスタを得ることができる。
元雰囲気よりも第３の工程における雰囲気の方が酸素分
圧が１０3倍以上高いことを特徴とする請求項１に記載
の正特性サーミスタの製造方法であり、室温での比抵抗
の低い正特性サーミスタを得ることができる。
【００１０】請求項３に記載の発明は、第１の工程の熱
処理温度は、第３の工程における熱処理温度よりも高い
ことを特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの
製造方法であり、室温での比抵抗の低い正特性サーミス
タを得ることができる。
処理温度は、第３の工程における熱処理温度よりも高い
ことを特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの
製造方法であり、室温での比抵抗の低い正特性サーミス
タを得ることができる。
【００１１】請求項４に記載の発明は、第４の工程の前
に、第３の工程で得た焼結体を空気中で熱処理すること
を特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、還元雰囲気中の熱処理により比抵抗が低く
なった焼結体の結晶粒子の粒界を高抵抗化することで抵
抗温度係数が高くなり、比抵抗が低く耐電圧の高い正特
性サーミスタを得ることができる。
に、第３の工程で得た焼結体を空気中で熱処理すること
を特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、還元雰囲気中の熱処理により比抵抗が低く
なった焼結体の結晶粒子の粒界を高抵抗化することで抵
抗温度係数が高くなり、比抵抗が低く耐電圧の高い正特
性サーミスタを得ることができる。
【００１２】請求項５に記載の発明は、空気中での熱処
理時間は第３の工程における熱処理時間よりも短いこと
を特徴とする請求項３に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、熱処理によって結晶粒子全体が酸化され比
抵抗が高くなることを防ぎ、比抵抗が低く耐電圧の高い
正特性サーミスタを得ることができる。
理時間は第３の工程における熱処理時間よりも短いこと
を特徴とする請求項３に記載の正特性サーミスタの製造
方法であり、熱処理によって結晶粒子全体が酸化され比
抵抗が高くなることを防ぎ、比抵抗が低く耐電圧の高い
正特性サーミスタを得ることができる。
【００１３】請求項６に記載の発明は、第２の工程にお
いて、還元処理した正特性サーミスタ材料の平均粒子径
を還元処理していない正特性サーミスタ材料の平均粒子
径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の正特
性サーミスタの製造方法であり、第３の工程の還元雰囲
気での熱処理により、還元処理した正特性サーミスタ材
料を核として還元処理していない正特性サーミスタ材料
が粒成長するため、室温での抵抗値の低い正特性サーミ
スタを得ることができる。
いて、還元処理した正特性サーミスタ材料の平均粒子径
を還元処理していない正特性サーミスタ材料の平均粒子
径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の正特
性サーミスタの製造方法であり、第３の工程の還元雰囲
気での熱処理により、還元処理した正特性サーミスタ材
料を核として還元処理していない正特性サーミスタ材料
が粒成長するため、室温での抵抗値の低い正特性サーミ
スタを得ることができる。
【００１４】以下本発明の一実施の形態について説明す
る。 （実施の形態１）まず、チタン酸バリウムを主成分とす
る正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ 0.90Ｓｒ0.10）
ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００１ＭｎＯ2＋０．
００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3、ＳｒＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2の各原料をそ
れぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合する。次に、こ
の正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を酸素分圧１×１
０-15ａｔｍの還元雰囲気中、１３５０℃で３時間熱処
理し、粉砕して平均粒子径３μｍとなるように平均粒子
径を調整する。また、残りの正特性サーミスタ材料を空
気中、１１００℃で２時間熱処理し、粉砕して還元処理
した正特性サーミスタ材料の平均粒子径よりも小さい、
平均粒子径１．２μｍとなるように調整する。次いでこ
の還元雰囲気で熱処理した正特性サーミスタ材料と空気
中で熱処理した正特性サーミスタ材料とを混合して、ポ
リビニルアルコールからなるバインダーを添加し造粒
し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力で直径
２０mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、この成形
体を、正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気
で熱処理した酸素分圧よりも高い、酸素分圧１×１０-6
ａｔｍの還元雰囲気中、１３００℃で２時間熱処理し焼
結体を得た。その後、この焼結体を空気中、９００℃で
１時間熱処理した。次いで、このようにして得られた焼
結体の上、下両面にＮｉメッキを形成した後、銀ペース
トを印刷塗布、焼き付けして電極を形成し、正特性サー
ミスタを得た。
る。 （実施の形態１）まず、チタン酸バリウムを主成分とす
る正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ 0.90Ｓｒ0.10）
ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００１ＭｎＯ2＋０．
００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣＯ3、ＳｒＣ
Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2の各原料をそ
れぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合する。次に、こ
の正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を酸素分圧１×１
０-15ａｔｍの還元雰囲気中、１３５０℃で３時間熱処
理し、粉砕して平均粒子径３μｍとなるように平均粒子
径を調整する。また、残りの正特性サーミスタ材料を空
気中、１１００℃で２時間熱処理し、粉砕して還元処理
した正特性サーミスタ材料の平均粒子径よりも小さい、
平均粒子径１．２μｍとなるように調整する。次いでこ
の還元雰囲気で熱処理した正特性サーミスタ材料と空気
中で熱処理した正特性サーミスタ材料とを混合して、ポ
リビニルアルコールからなるバインダーを添加し造粒
し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力で直径
２０mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、この成形
体を、正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気
で熱処理した酸素分圧よりも高い、酸素分圧１×１０-6
ａｔｍの還元雰囲気中、１３００℃で２時間熱処理し焼
結体を得た。その後、この焼結体を空気中、９００℃で
１時間熱処理した。次いで、このようにして得られた焼
結体の上、下両面にＮｉメッキを形成した後、銀ペース
トを印刷塗布、焼き付けして電極を形成し、正特性サー
ミスタを得た。
【００１５】（実施の形態２）まず、チタン酸バリウム
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ
0.90Ｓｒ0.10）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００１
ＭｎＯ2＋０．００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣ
Ｏ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2
の各原料をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合す
る。次にこの正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を酸素
分圧１０-15ａｔｍの還元雰囲気中、１３５０℃で３時
間熱処理し、粉砕して平均粒子径３μｍとなるように平
均粒子径を調整する。また残りの正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、粉砕して還元
処理した正特性サーミスタ材料の平均粒子径よりも小さ
い、平均粒子径１．２μｍとなるように調整する。次い
で、この還元雰囲気で熱処理した正特性サーミスタ材料
と空気中で熱処理した正特性サーミスタ材料とを混合し
て、ポリビニルアルコールからなるバインダーを添加し
造粒し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力で
直径２０mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、この
成形体を空気中、１３００℃で２時間熱処理し焼結体を
得た。次いで、このようにして得られた焼結体の上、下
両面にＮｉメッキを形成した後、銀ペーストを印刷塗
布、焼き付けし電極を形成して正特性サーミスタを得
た。
を主成分とする正特性サーミスタ材料として、（Ｂａ
0.90Ｓｒ0.10）ＴｉＯ3＋０．０２ＳｉＯ2＋０．００１
ＭｎＯ2＋０．００２Ｙ2Ｏ3の組成となるようにＢａＣ
Ｏ3、ＳｒＣＯ3、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2
の各原料をそれぞれ秤量し、ボールミルにて湿式混合す
る。次にこの正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を酸素
分圧１０-15ａｔｍの還元雰囲気中、１３５０℃で３時
間熱処理し、粉砕して平均粒子径３μｍとなるように平
均粒子径を調整する。また残りの正特性サーミスタ材料
を空気中、１１００℃で２時間熱処理し、粉砕して還元
処理した正特性サーミスタ材料の平均粒子径よりも小さ
い、平均粒子径１．２μｍとなるように調整する。次い
で、この還元雰囲気で熱処理した正特性サーミスタ材料
と空気中で熱処理した正特性サーミスタ材料とを混合し
て、ポリビニルアルコールからなるバインダーを添加し
造粒し、１平方センチメートル当たり８００kgの圧力で
直径２０mm、厚さ２mmの円板状に成形した。次に、この
成形体を空気中、１３００℃で２時間熱処理し焼結体を
得た。次いで、このようにして得られた焼結体の上、下
両面にＮｉメッキを形成した後、銀ペーストを印刷塗
布、焼き付けし電極を形成して正特性サーミスタを得
た。
【００１６】本実施の形態においては、得られた成形体
を正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気で熱
処理した時の酸素分圧よりも、高い酸素分圧の空気中で
熱処理し焼結体を得るため、（実施の形態１）よりも比
抵抗は高くなるが、抵抗温度係数が高くなり耐電圧の高
い正特性サーミスタを得ることができる。
を正特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気で熱
処理した時の酸素分圧よりも、高い酸素分圧の空気中で
熱処理し焼結体を得るため、（実施の形態１）よりも比
抵抗は高くなるが、抵抗温度係数が高くなり耐電圧の高
い正特性サーミスタを得ることができる。
【００１７】以上（実施の形態１）、（実施の形態２）
によると、従来の製造方法で得られた正特性サーミスタ
より、室温での比抵抗が低く、耐電圧の高い正特性サー
ミスタを得ることができる。
によると、従来の製造方法で得られた正特性サーミスタ
より、室温での比抵抗が低く、耐電圧の高い正特性サー
ミスタを得ることができる。
【００１８】なお（実施の形態１）、（実施の形態２）
では、第１の工程でチタン酸バリウムを主成分とする正
特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気中で熱処
理したが、５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除く）なら
ば効果が認められるが、１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下
の範囲が好ましい。なぜなら、１０ｗｔ％よりも少ない
と比抵抗が高くなり、３０ｗｔ％よりも多いと抵抗温度
係数の低下により耐電圧が低くなる傾向がみられるから
である。
では、第１の工程でチタン酸バリウムを主成分とする正
特性サーミスタ材料の２０ｗｔ％を還元雰囲気中で熱処
理したが、５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除く）なら
ば効果が認められるが、１０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下
の範囲が好ましい。なぜなら、１０ｗｔ％よりも少ない
と比抵抗が高くなり、３０ｗｔ％よりも多いと抵抗温度
係数の低下により耐電圧が低くなる傾向がみられるから
である。
【００１９】また、（実施の形態１）、（実施の形態
２）では、はじめに正特性サーミスタ材料を酸素分圧が
１×１０-15ａｔｍの還元雰囲気で熱処理（請求項１に
おける第１の工程であり、以降第１の工程という）を行
ったが、１×１０-5ａｔｍ以下の酸素分圧で熱処理する
ことが望ましく、特に１×１０-8ａｔｍ以下の酸素分圧
であることが好ましい。なぜなら、最初の熱処理の還元
雰囲気の酸素分圧が高いと、第１の工程での熱処理によ
り還元された正特性サーミスタ材料が、成形体を熱処理
して焼結体を得る際（請求項１における第３の工程であ
り、以降第３の工程という）、酸化され比抵抗が高くな
るからである。
２）では、はじめに正特性サーミスタ材料を酸素分圧が
１×１０-15ａｔｍの還元雰囲気で熱処理（請求項１に
おける第１の工程であり、以降第１の工程という）を行
ったが、１×１０-5ａｔｍ以下の酸素分圧で熱処理する
ことが望ましく、特に１×１０-8ａｔｍ以下の酸素分圧
であることが好ましい。なぜなら、最初の熱処理の還元
雰囲気の酸素分圧が高いと、第１の工程での熱処理によ
り還元された正特性サーミスタ材料が、成形体を熱処理
して焼結体を得る際（請求項１における第３の工程であ
り、以降第３の工程という）、酸化され比抵抗が高くな
るからである。
【００２０】また、（実施の形態１）では、第１の工程
の還元雰囲気に比べ、第３の工程における還元雰囲気の
酸素分圧が１０9倍高かったが、１０2倍以上高いと効果
が認められるが、１０5倍以上高いことが好ましい。な
ぜなら、第１の工程と第３の工程の酸素分圧の差が小さ
いと、第１の工程での熱処理により還元されたサーミス
タ材料が、第３の工程における熱処理により酸化され比
抵抗が高くなるからである。
の還元雰囲気に比べ、第３の工程における還元雰囲気の
酸素分圧が１０9倍高かったが、１０2倍以上高いと効果
が認められるが、１０5倍以上高いことが好ましい。な
ぜなら、第１の工程と第３の工程の酸素分圧の差が小さ
いと、第１の工程での熱処理により還元されたサーミス
タ材料が、第３の工程における熱処理により酸化され比
抵抗が高くなるからである。
【００２１】また、（実施の形態１）、（実施の形態
２）では、第１の工程で、１３５０℃、３時間熱処理を
行ったが、熱処理温度は１３００℃以上１４５０℃以
下、熱処理時間は２時間以上５時間以下が好ましい。第
３の工程では、１３００℃、２時間熱処理を行ったが、
熱処理温度は１２５０℃以上１４００℃以下、熱処理時
間は１時間以上３時間以下が好ましい。なぜなら、第１
の工程と第３の工程の熱処理温度と時間がこの範囲外で
あると、第１の工程の熱処理で還元されたサーミスタ材
料が第３の工程における熱処理により酸化され、比抵抗
が高くなるからである。
２）では、第１の工程で、１３５０℃、３時間熱処理を
行ったが、熱処理温度は１３００℃以上１４５０℃以
下、熱処理時間は２時間以上５時間以下が好ましい。第
３の工程では、１３００℃、２時間熱処理を行ったが、
熱処理温度は１２５０℃以上１４００℃以下、熱処理時
間は１時間以上３時間以下が好ましい。なぜなら、第１
の工程と第３の工程の熱処理温度と時間がこの範囲外で
あると、第１の工程の熱処理で還元されたサーミスタ材
料が第３の工程における熱処理により酸化され、比抵抗
が高くなるからである。
【００２２】また、還元処理した正特性サーミスタ材料
と還元処理していない正特性サーミスタ材料とを用いて
成形体を形成する際（請求項１における第２の工程であ
り、以下第２の工程という）、（実施の形態１）、（実
施の形態２）では還元処理した正特性サーミスタ材料の
平均粒子径は３μｍであり、残りの正特性サーミスタ材
料は１．２μｍだったが、還元処理した正特性サーミス
タ材料の平均粒子径は２μｍ以上５μｍ以下であり、残
りの正特性サーミスタ材料は１．５μｍ以下の範囲が好
ましい。
と還元処理していない正特性サーミスタ材料とを用いて
成形体を形成する際（請求項１における第２の工程であ
り、以下第２の工程という）、（実施の形態１）、（実
施の形態２）では還元処理した正特性サーミスタ材料の
平均粒子径は３μｍであり、残りの正特性サーミスタ材
料は１．２μｍだったが、還元処理した正特性サーミス
タ材料の平均粒子径は２μｍ以上５μｍ以下であり、残
りの正特性サーミスタ材料は１．５μｍ以下の範囲が好
ましい。
【００２３】また、（実施の形態１）では第３の工程で
得た焼結体を空気中、９００℃で１時間熱処理を行った
が、熱処理温度は８００℃以上１２００℃以下で、熱処
理時間は３０分以上２時間以下が好ましい。なぜなら、
第１の工程の熱処理により還元された正特性サーミスタ
材料が空気中の熱処理によって酸化され比抵抗が高くな
るからである。
得た焼結体を空気中、９００℃で１時間熱処理を行った
が、熱処理温度は８００℃以上１２００℃以下で、熱処
理時間は３０分以上２時間以下が好ましい。なぜなら、
第１の工程の熱処理により還元された正特性サーミスタ
材料が空気中の熱処理によって酸化され比抵抗が高くな
るからである。
【００２４】なお、（実施の形態１）、（実施の形態
２）においては、主成分チタン酸バリウム系組成物とし
て（Ｂａ0.90Ｓｒ0.10）ＴｉＯ3を用いたが、他のチタ
ン酸バリウム系組成物を用いたとしても同様の効果が得
られる。
２）においては、主成分チタン酸バリウム系組成物とし
て（Ｂａ0.90Ｓｒ0.10）ＴｉＯ3を用いたが、他のチタ
ン酸バリウム系組成物を用いたとしても同様の効果が得
られる。
【００２５】また、半導体化元素としてＹ2Ｏ3を用いた
が、Ｌａ、Ｓｍなどのランタノイド系元素あるいは、Ｎ
ｂ、Ｓｂ、Ｂｉ等の酸化物の中から少なくとも１種類を
用いても同等の効果が得られるものである。
が、Ｌａ、Ｓｍなどのランタノイド系元素あるいは、Ｎ
ｂ、Ｓｂ、Ｂｉ等の酸化物の中から少なくとも１種類を
用いても同等の効果が得られるものである。
【００２６】さらに、半導体化元素量は主成分１モルに
対して０．１〜０．４モル％、ＳｉＯ2量は１〜５モル
％、ＭｎＯ2量は０．０１〜０．２モル％の範囲で添加
するのが好ましい。なぜなら、これらの範囲外であると
室温での抵抗値が大きく上昇したり、抵抗温度係数が低
くなるため本発明の目的が達成されないためである。
対して０．１〜０．４モル％、ＳｉＯ2量は１〜５モル
％、ＭｎＯ2量は０．０１〜０．２モル％の範囲で添加
するのが好ましい。なぜなら、これらの範囲外であると
室温での抵抗値が大きく上昇したり、抵抗温度係数が低
くなるため本発明の目的が達成されないためである。
【００２７】
【発明の効果】以上本発明によると、還元雰囲気中で熱
処理した正特性サーミスタ材料と残りの正特性サーミス
タ材料を用いることにより、抵抗値の低い部分を有する
ため焼結体の比抵抗は低くなり、残りの正特性サーミス
タ材料の特性により抵抗温度係数が高く、耐電圧の高い
焼結体を得ることができるので上記目的を達成すること
ができる。
処理した正特性サーミスタ材料と残りの正特性サーミス
タ材料を用いることにより、抵抗値の低い部分を有する
ため焼結体の比抵抗は低くなり、残りの正特性サーミス
タ材料の特性により抵抗温度係数が高く、耐電圧の高い
焼結体を得ることができるので上記目的を達成すること
ができる。
Claims (6)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とする正特性
サーミスタ材料の５０ｗｔ％以下（但し０ｗｔ％を除
く）を還元雰囲気で熱処理する第１の工程と、次に前記
正特性サーミスタ材料の残りと前記第１の工程で還元処
理した正特性サーミスタ材料とを用いて成形体を形成す
る第２の工程と、次いで前記成形体を熱処理して焼結体
を得る第３の工程と、その後前記焼結体の表面に電極を
形成する第４の工程とを備え、前記第１の工程の還元雰
囲気よりも前記第３の工程の雰囲気の方が酸素分圧が高
いことを特徴とする正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項２】 第１の工程の還元雰囲気よりも第３の工
程における雰囲気の酸素分圧が１０3倍以上高いことを
特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造方
法。 - 【請求項３】 第１の工程の熱処理温度は、第３の工程
における熱処理温度よりも高いことを特徴とする請求項
１に記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項４】 第４の工程の前に、第３の工程で得た焼
結体を空気中で熱処理することを特徴とする請求項１に
記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項５】 空気中での熱処理時間は、第３の工程に
おける熱処理時間よりも短いことを特徴とする請求項３
に記載の正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項６】 第２の工程において、還元処理した正特
性サーミスタ材料の平均粒子径は、還元処理していない
正特性サーミスタ材料の平均粒子径よりも大きいことを
特徴とする請求項１に記載の正特性サーミスタの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104475A JPH10294203A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104475A JPH10294203A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294203A true JPH10294203A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14381606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104475A Pending JPH10294203A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9104475A patent/JPH10294203A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
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