JP2614228B2 - セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー - Google Patents
セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサーInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 16
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title description 37
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はセラミツク形成組成物及びこれを用いた半導
体磁器基体、誘電体磁器基体並びにコンデンサーに関す
る。
体磁器基体、誘電体磁器基体並びにコンデンサーに関す
る。
結晶粒界に絶縁層を形成した半導体磁器は、一般に大
きな誘電率を有する。この様な半導体磁器を用いて大き
な容量を有するコンデンサーを構成し得ることが知られ
ている。従来、この種の半導体磁器としては、チタン酸
バリウムを主体成分とする磁器が多用されていた。この
ものは、誘電率が70.000と大きいものの、誘電損失（ta
nδ）が５〜６％（1kHz）と大きく、また、誘電率の温
度変化も＋20℃を基準として−25〜＋85℃の範囲で±50
％と大きいものである。
きな誘電率を有する。この様な半導体磁器を用いて大き
な容量を有するコンデンサーを構成し得ることが知られ
ている。従来、この種の半導体磁器としては、チタン酸
バリウムを主体成分とする磁器が多用されていた。この
ものは、誘電率が70.000と大きいものの、誘電損失（ta
nδ）が５〜６％（1kHz）と大きく、また、誘電率の温
度変化も＋20℃を基準として−25〜＋85℃の範囲で±50
％と大きいものである。
一方、チタン酸バリウムのtanδや誘電率の温度変化
を改良する磁器としてチタン酸ストロンチウムを主体成
分とする磁器が知られている。例えば特公昭60−48897
で試料番号５としてSrTiO397.5モル％から成る主成分に
MnO21.7モル％、Y2O30.8モル％を添加せしめた磁器で、
tanδが0.6％、−25〜＋85℃の誘電率の温度変化が−７
〜＋６％以内と良好であるが、誘電率が51000程度と低
い。
を改良する磁器としてチタン酸ストロンチウムを主体成
分とする磁器が知られている。例えば特公昭60−48897
で試料番号５としてSrTiO397.5モル％から成る主成分に
MnO21.7モル％、Y2O30.8モル％を添加せしめた磁器で、
tanδが0.6％、−25〜＋85℃の誘電率の温度変化が−７
〜＋６％以内と良好であるが、誘電率が51000程度と低
い。
本発明は、前記従来の問題点を解決し、誘電率が大き
く、且つ温度特性も良好であり、誘電損失の小さなコン
デンサーを構成することのできるセラミツク形成組成
物、及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体
並びにコンデンサーを提供すべくなされたものである。
く、且つ温度特性も良好であり、誘電損失の小さなコン
デンサーを構成することのできるセラミツク形成組成
物、及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体
並びにコンデンサーを提供すべくなされたものである。
本発明によって提供されるセラミック形成組成物（以
下、本発明のセラミック形成組成物という）は、TiO2と
SrOとの量比がTiO2過剰側になるようにTiO250.20〜53.5
0モル％及びSrO49.80〜46.50モル％から成る主成分100
モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル部及びY2O30.05〜0.30
モル部が含有されていることを特徴とするものである。
下、本発明のセラミック形成組成物という）は、TiO2と
SrOとの量比がTiO2過剰側になるようにTiO250.20〜53.5
0モル％及びSrO49.80〜46.50モル％から成る主成分100
モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル部及びY2O30.05〜0.30
モル部が含有されていることを特徴とするものである。
本発明によって提供される半導体磁器基体（以下、本
発明の半導体磁器基体という）は、本発明のセラミック
形成組成物の焼成体から成ることを特徴とするものであ
る。
発明の半導体磁器基体という）は、本発明のセラミック
形成組成物の焼成体から成ることを特徴とするものであ
る。
本発明によって提供される誘電体磁器基体（以下、本
発明の誘電体磁器基体という）は、本発明のセラミック
形成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結晶粒界に絶
縁層が存在していることを特徴とするものである。
発明の誘電体磁器基体という）は、本発明のセラミック
形成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結晶粒界に絶
縁層が存在していることを特徴とするものである。
本発明によって提供されるコンデンサー（以下、本発
明のコンデンサーという）は、一対の電極と；該電極に
挟持された本発明のセラミツク形成組成物の焼成体から
成る半導体磁器の結晶粒界に絶縁層が存在している誘電
体磁器と；を有していることを特徴とするものである。
明のコンデンサーという）は、一対の電極と；該電極に
挟持された本発明のセラミツク形成組成物の焼成体から
成る半導体磁器の結晶粒界に絶縁層が存在している誘電
体磁器と；を有していることを特徴とするものである。
本発明のセラミツク形成組成物には、前記TiO2,SrO,M
nO2及びY2O3以外の成分としてSiO2が含有され得る。SiO
2の好適な含量は、前記TiO250.20〜53.50モル％及びSrO
49.80〜46.50モル％から成る主成分100モル部に対して
0.01〜2.00モル部である。
nO2及びY2O3以外の成分としてSiO2が含有され得る。SiO
2の好適な含量は、前記TiO250.20〜53.50モル％及びSrO
49.80〜46.50モル％から成る主成分100モル部に対して
0.01〜2.00モル部である。
以下、本発明の構成について更に詳しく説明する。
本発明のセラミツク形成用組成物において、主成分で
あるTiO2とSrOは、固溶体等の複合酸化物、TiO2,SrO夫
々の単独酸化物、あるいはこれらの混合物として組成物
中に存在し得る。組成物中におけるTiO2とSrOの量比
を、TiO250.20〜53.50モル％に対しSrO49.80〜46.50モ
ル％としたのは、TiO2の量が多くなると、即ちSrOの量
が少なくなると、所望する誘電体磁器の誘電率が低下
し、誘電損失と誘電率の温度変化が大きくなり、しかも
磁器の絶縁抵抗が減少する。TiO2の量が少なくなると、
即ちSrOの量が多くなると、所望する誘電体磁器の誘電
率が低下し、誘電率の温度変化が大きくなる。本発明組
成物中におけるTiO2とSrOの量比は、これらの誘電率、
誘電損失、誘電率の温度変化、磁器の絶縁抵抗、半導体
可能といった所望特性をバランス良く最適に発現させる
ために決定される。
あるTiO2とSrOは、固溶体等の複合酸化物、TiO2,SrO夫
々の単独酸化物、あるいはこれらの混合物として組成物
中に存在し得る。組成物中におけるTiO2とSrOの量比
を、TiO250.20〜53.50モル％に対しSrO49.80〜46.50モ
ル％としたのは、TiO2の量が多くなると、即ちSrOの量
が少なくなると、所望する誘電体磁器の誘電率が低下
し、誘電損失と誘電率の温度変化が大きくなり、しかも
磁器の絶縁抵抗が減少する。TiO2の量が少なくなると、
即ちSrOの量が多くなると、所望する誘電体磁器の誘電
率が低下し、誘電率の温度変化が大きくなる。本発明組
成物中におけるTiO2とSrOの量比は、これらの誘電率、
誘電損失、誘電率の温度変化、磁器の絶縁抵抗、半導体
可能といった所望特性をバランス良く最適に発現させる
ために決定される。
このように本発明では、TiO2とSrOの量比を特にTiO2
過剰側の一定範囲内に設定することを１つの特徴とす
る。
過剰側の一定範囲内に設定することを１つの特徴とす
る。
本発明のセラミツク形成組成物においてMnO2は磁器を
形成するための燒結助剤の役割を有するものであり、そ
の使用量を前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル部に
対して2.0モル部以上に限定したのは、MnO2が2.0モル部
未満であると所望する誘電体磁器の誘電率が低下すると
共に誘電率の温度変化が大きくなるからである。前記Ti
O2及びSrOから成る主成分100モル部に対して5.0モル部
以下に限定したのは、MnO2が5.0モル部を越えると誘電
損失の増加が顕著となるためである。
形成するための燒結助剤の役割を有するものであり、そ
の使用量を前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル部に
対して2.0モル部以上に限定したのは、MnO2が2.0モル部
未満であると所望する誘電体磁器の誘電率が低下すると
共に誘電率の温度変化が大きくなるからである。前記Ti
O2及びSrOから成る主成分100モル部に対して5.0モル部
以下に限定したのは、MnO2が5.0モル部を越えると誘電
損失の増加が顕著となるためである。
以上のように本発明ではTiO2とSrOの量比をTiO2過剰
側に設定しかつ、多量（２モル部以上）のMnO2を添加す
ることにより、燒結が促進され、更には、過剰TiO2によ
り還元されやすい状態が作り出されているものと思われ
る。
側に設定しかつ、多量（２モル部以上）のMnO2を添加す
ることにより、燒結が促進され、更には、過剰TiO2によ
り還元されやすい状態が作り出されているものと思われ
る。
次に、本発明のセラミツク形成組成物において、Y2O3
は磁器の半導体化に効果を有するものであり、その使用
量を前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル部に対して
0.05モル部以上に限定したのは、Y2O3が0.05モル部未満
であると磁器の半導体が不十分となり、誘電率が低下す
るためである。前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル
部に対して0.3モル部以下に限定したのは、Y2O3が0.3モ
ル部を越えると結晶の粒成長が抑制され、誘電率が低下
し、誘電損失が大きくなるためである。
は磁器の半導体化に効果を有するものであり、その使用
量を前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル部に対して
0.05モル部以上に限定したのは、Y2O3が0.05モル部未満
であると磁器の半導体が不十分となり、誘電率が低下す
るためである。前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル
部に対して0.3モル部以下に限定したのは、Y2O3が0.3モ
ル部を越えると結晶の粒成長が抑制され、誘電率が低下
し、誘電損失が大きくなるためである。
このように本発明は、前記特公昭60−48897号に比較
し、多量のMnO2と比較的微量のY2O3を添加することが特
異点の１つである。つまり本発明では、MnO2とY2O3更に
は前述の過剰TiO2との相互作用により粒径、粒界に関す
る特性が制御され極めて大きな誘電率と良好な誘電損失
特性等が得られるものと考えられる。
し、多量のMnO2と比較的微量のY2O3を添加することが特
異点の１つである。つまり本発明では、MnO2とY2O3更に
は前述の過剰TiO2との相互作用により粒径、粒界に関す
る特性が制御され極めて大きな誘電率と良好な誘電損失
特性等が得られるものと考えられる。
また、本発明のセラミツク形成組成物に所望により加
えられる成分であるSiO2は半導体磁器の粒界面改良剤と
しての作用を有するものである。
えられる成分であるSiO2は半導体磁器の粒界面改良剤と
しての作用を有するものである。
この粒界面改良剤とは、半導体磁器の表面に結晶粒界
への拡散成分となる添加剤を添布した後、空気等の酸化
雰囲気中で焼成し、結晶粒界に添加剤を拡散させる際
に、該添加剤の粒界面への拡散を均一にすることによ
り、絶縁抵抗の向上、誘電損失の低下に寄与する。但
し、この様な効果を期待して、SiO2を使用する場合に、
SiO2の使用量が前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル
部に対し0.01モル部未満であると効果が十分に発現され
ず、2.00モル部を越えると結晶粒界の絶縁層の厚みが増
し所望する誘電体磁器の誘電率が低下し、好ましくな
い。SiO2の使用量のより好ましくは、前記TiO2及びSrO
か成る主成分100モル部に対し0.20〜2.00モル部であ
る。
への拡散成分となる添加剤を添布した後、空気等の酸化
雰囲気中で焼成し、結晶粒界に添加剤を拡散させる際
に、該添加剤の粒界面への拡散を均一にすることによ
り、絶縁抵抗の向上、誘電損失の低下に寄与する。但
し、この様な効果を期待して、SiO2を使用する場合に、
SiO2の使用量が前記TiO2及びSrOから成る主成分100モル
部に対し0.01モル部未満であると効果が十分に発現され
ず、2.00モル部を越えると結晶粒界の絶縁層の厚みが増
し所望する誘電体磁器の誘電率が低下し、好ましくな
い。SiO2の使用量のより好ましくは、前記TiO2及びSrO
か成る主成分100モル部に対し0.20〜2.00モル部であ
る。
この様に構成される本発明のセラミツク形成組成物を
用いて本発明の半導体磁器基体を得るには、本発明のセ
ラミツク形成組成物の成形体（圧粉体）を調製し、これ
を焼成する方法が一般的である。例えば、TiO2,SrO,MnO
2,Y2O3及び所望に応じて加えられるSiO2の各成分を含む
原料粉末にポリビニルアルコールなどのバインダーを加
え造粒を行いプレス成形にて成形体（圧粉体）を得る。
次いで、この成形体からバインダーを除くため酸化雰囲
気中600〜1200℃で仮焼する。この仮焼体を、次いで水
素と窒素の混合ガス、水素とアルゴンの混合ガス等の還
元雰囲気あるいは窒素、アルゴン等の中性雰囲気中、よ
り好ましくは還元雰囲気中、望ましくは1320℃〜1450℃
で焼成して半導体磁器基体を得る。
用いて本発明の半導体磁器基体を得るには、本発明のセ
ラミツク形成組成物の成形体（圧粉体）を調製し、これ
を焼成する方法が一般的である。例えば、TiO2,SrO,MnO
2,Y2O3及び所望に応じて加えられるSiO2の各成分を含む
原料粉末にポリビニルアルコールなどのバインダーを加
え造粒を行いプレス成形にて成形体（圧粉体）を得る。
次いで、この成形体からバインダーを除くため酸化雰囲
気中600〜1200℃で仮焼する。この仮焼体を、次いで水
素と窒素の混合ガス、水素とアルゴンの混合ガス等の還
元雰囲気あるいは窒素、アルゴン等の中性雰囲気中、よ
り好ましくは還元雰囲気中、望ましくは1320℃〜1450℃
で焼成して半導体磁器基体を得る。
また、例えば前述した方法により得られる本発明のセ
ラミツク形成組成物を用いた半導体磁器の結晶粒界に絶
縁層を形成することにより、本発明の絶縁体磁器基体を
得ることができる。絶縁層の形成方法としては、結晶粒
界への拡散成分となる添加剤を半導体磁器基体の表面に
塗布して焼成する方法が挙げられる。焼成は酸化雰囲気
中で1100〜1300℃で行うのが望ましい。
ラミツク形成組成物を用いた半導体磁器の結晶粒界に絶
縁層を形成することにより、本発明の絶縁体磁器基体を
得ることができる。絶縁層の形成方法としては、結晶粒
界への拡散成分となる添加剤を半導体磁器基体の表面に
塗布して焼成する方法が挙げられる。焼成は酸化雰囲気
中で1100〜1300℃で行うのが望ましい。
添加剤としては、半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を形
成するための従来公知の添加剤の何れをも使用すること
ができる。例えば、鉄、コバルト、ビスマス、バナジウ
ム、クロム、鉛等の酸化物のほか、特に本発明において
好適に用いられるのは、酸化ビスマス及び酸化ナトリウ
ムであり、これらを用いた場合本発明の目的とする誘電
体磁器の誘電率、温度特性、並びに誘電損失の改良効果
に関して良好な結果が得られる。添加剤は、焼成の結果
としてこれら酸化物の形態をとればよく、半導体磁器表
面に供給するときは、例えば酸化物、窒化物、炭酸塩等
の形態でよい。
成するための従来公知の添加剤の何れをも使用すること
ができる。例えば、鉄、コバルト、ビスマス、バナジウ
ム、クロム、鉛等の酸化物のほか、特に本発明において
好適に用いられるのは、酸化ビスマス及び酸化ナトリウ
ムであり、これらを用いた場合本発明の目的とする誘電
体磁器の誘電率、温度特性、並びに誘電損失の改良効果
に関して良好な結果が得られる。添加剤は、焼成の結果
としてこれら酸化物の形態をとればよく、半導体磁器表
面に供給するときは、例えば酸化物、窒化物、炭酸塩等
の形態でよい。
更に、例えば前述した方法により得られる本発明のセ
ラミツク形成組成物を用いた誘電体磁器を一対の電極に
挟持することにより、本発明のコンデンサーを構成する
ことができる。
ラミツク形成組成物を用いた誘電体磁器を一対の電極に
挟持することにより、本発明のコンデンサーを構成する
ことができる。
第１図及び第２図には、本発明のコンデンサーの一例
が示されている。第１図はコンデンサーの模式的斜視
図、第２図は模式的切断面部分図である。
が示されている。第１図はコンデンサーの模式的斜視
図、第２図は模式的切断面部分図である。
図に示したコンデンサーは、例えば円板状の誘電体磁
器層12の上下の面に、夫々Al,Au,Ag,Ni等で構成される
電極11（図には、上面の電極しか示されてない）が設け
られて構成されている。誘電体磁器層12は、半導体磁器
の結晶粒22の多数を粒界に形成された絶縁層21を介在し
た形で含有している。
器層12の上下の面に、夫々Al,Au,Ag,Ni等で構成される
電極11（図には、上面の電極しか示されてない）が設け
られて構成されている。誘電体磁器層12は、半導体磁器
の結晶粒22の多数を粒界に形成された絶縁層21を介在し
た形で含有している。
結晶粒22の大きさは、要求される電気的特性と構成材
料の配合量、焼成条件等によって適宜決定されるが、通
常の場合１μｍ〜100μｍ、好ましくは40μｍ〜80μｍ
とされるのが望ましい。
料の配合量、焼成条件等によって適宜決定されるが、通
常の場合１μｍ〜100μｍ、好ましくは40μｍ〜80μｍ
とされるのが望ましい。
以下に具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説
明する。
明する。
実施例１ 第１表に示す組成比率の半導体磁器が得られるよう
に、TiO2,SrO,MnO2,Y2O3,SiO2の各原料を秤取し、湿式
ボールミルで12時間粉砕混合を行った。このものを乾燥
後少量のポリビニルアルコールをバインダーとして加え
24〜80メツシユに造粒し油圧プレスによって直径20mm、
厚さ0.7mmの円板に成型した。次いで、この成形円板を
大気中950℃で１時間仮焼してバインダーを燃焼させ
た。これを室温まで冷却後、水素10容量％、窒素90容量
％からなる還元雰囲気中で1400℃で４時間焼成した。
に、TiO2,SrO,MnO2,Y2O3,SiO2の各原料を秤取し、湿式
ボールミルで12時間粉砕混合を行った。このものを乾燥
後少量のポリビニルアルコールをバインダーとして加え
24〜80メツシユに造粒し油圧プレスによって直径20mm、
厚さ0.7mmの円板に成型した。次いで、この成形円板を
大気中950℃で１時間仮焼してバインダーを燃焼させ
た。これを室温まで冷却後、水素10容量％、窒素90容量
％からなる還元雰囲気中で1400℃で４時間焼成した。
こうして得られた半導体磁器に、重量比がエチルアル
コール:Bi2O3又はNa2O＝10:1となる懸濁液にドブ浸け
後、1250℃0.5時間、酸化雰囲気にて焼成して結晶粒界
に絶縁層を形成した。
コール:Bi2O3又はNa2O＝10:1となる懸濁液にドブ浸け
後、1250℃0.5時間、酸化雰囲気にて焼成して結晶粒界
に絶縁層を形成した。
かくして得られた誘電体磁器の円板（試料No.1〜25）
の両面に銀ペーストを塗布し、850℃、30分焼付して電
極を形成しコンデンサーを作製した。
の両面に銀ペーストを塗布し、850℃、30分焼付して電
極を形成しコンデンサーを作製した。
こうして得られたコンデンサーを構成する誘電体磁器
の誘電率（ε）、誘電損失（tanδ）、絶縁抵抗（IR）
および誘電率の温度特性（25℃を基準とする−25℃、＋
85℃における温度変化率）を測定し、その結果を第２表
に示した。測定条件は25℃、周波数1kHzである。なお表
1,2中の＊は本発明の範囲外にある試料である。第１
表，第２表に示される通り本発明のコンデンサー用のセ
ラミツク形成組成物を用いた誘電体磁器は、従来のもの
と比較して、誘電率が101000〜144000以上と高く、tan
δが１％以内であり、絶縁抵抗3000MΩ以上あり、25℃
基準の−25℃〜＋85℃の誘電率の温度変化率が±10％以
内であり極めて良好な特性を示した。
の誘電率（ε）、誘電損失（tanδ）、絶縁抵抗（IR）
および誘電率の温度特性（25℃を基準とする−25℃、＋
85℃における温度変化率）を測定し、その結果を第２表
に示した。測定条件は25℃、周波数1kHzである。なお表
1,2中の＊は本発明の範囲外にある試料である。第１
表，第２表に示される通り本発明のコンデンサー用のセ
ラミツク形成組成物を用いた誘電体磁器は、従来のもの
と比較して、誘電率が101000〜144000以上と高く、tan
δが１％以内であり、絶縁抵抗3000MΩ以上あり、25℃
基準の−25℃〜＋85℃の誘電率の温度変化率が±10％以
内であり極めて良好な特性を示した。
〔発明の効果〕 前記実施例から明らかな様に、本発明のセラミツク形
成組成物によれば、誘電率（ε）が101000以上と高く、
誘電損失（tanδ）１％以下、絶縁抵抗3000MΩ以上とい
った高特性にもかかわらず、誘電率の温度変化が−25℃
〜＋85℃において±10％以内と良好な高特性の誘電体磁
器を構成することができる。
成組成物によれば、誘電率（ε）が101000以上と高く、
誘電損失（tanδ）１％以下、絶縁抵抗3000MΩ以上とい
った高特性にもかかわらず、誘電率の温度変化が−25℃
〜＋85℃において±10％以内と良好な高特性の誘電体磁
器を構成することができる。
この様に、本発明のセラミツク形成組成物、半導体磁
器基体、誘電体磁器基体は、高性能のコンデンサーを構
成し得る。
器基体、誘電体磁器基体は、高性能のコンデンサーを構
成し得る。
第１図は本発明のコンデンサーの一例を示した模式的斜
視図、第２図はその模式的切断面部分図である。 11……電極,12……誘電体磁器
視図、第２図はその模式的切断面部分図である。 11……電極,12……誘電体磁器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 道明 北海道岩見沢市南町４条２―21 (56)参考文献 特開 昭63−2310（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−46811（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭59−10004（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭60−48897（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (8)
- 【請求項１】TiO2とSrOとの量比がTiO2過剰側になるよ
うにTiO250.20〜53.50モル％及びSrO49.80〜46.50モル
％から成る主成分100モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル
部及びY2O30.05〜0.30モル部が含有されていることを特
徴とするセラミック形成組成物。 - 【請求項２】セラミック形成組成物の主成分100モル部
に対し、更にSiO20.01〜2.00モル部が含有されている特
許請求の範囲第（１）項記載のセラミック形成組成物。 - 【請求項３】TiO2とSrOとの量比がTiO2過剰側になるよ
うにTiO250.20〜53.50モル％及びSrO49.80〜46.50モル
％から成る主成分100モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル
部及びY2O30.05〜0.30モル部が含有されているセラミッ
ク形成組成物の焼成体からなることを特徴とする半導体
磁器基体。 - 【請求項４】セラミック形成組成物の主成分100モル部
に対し、更にSiO20.01〜2.00モル部が含有されている特
許請求の範囲第（３）項記載の半導体磁器基体。 - 【請求項５】TiO2とSrOとの量比がTiO2過剰側になるよ
うにTiO250.20〜53.50モル％及びSrO49.80〜46.50モル
％から成る主成分100モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル
部及びY2O30.05〜0.30モル部が含有されているセラミッ
ク形成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結晶粒界に
絶縁層が存在していることを特徴とする誘導体磁器基
体。 - 【請求項６】セラミック形成組成物の主成分100モル部
に対し、更にSiO20.01〜2.00モル部が含有されている特
許請求の範囲第（５）項記載の誘電体磁器基体。 - 【請求項７】一対の電極と；該電極に挟持され、TiO2と
SrOとの量比がTiO2過剰側になるようにTiO250.20〜53.5
0モル％及びSrO49.80〜46.50モル％から成る主成分100
モル部に対し、MnO22.0〜5.0モル部及びY2O30.05〜0.30
モル部が含有されているセラミック形成組成物の焼成体
から成る半導体磁器の結晶粒界に絶縁層が存在している
誘導体磁器と；を有していることを特徴とするコンデン
サー。 - 【請求項８】セラミック形成組成物の主成分100モル部
に対し、更にSiO20.01〜2.00モル部が含有されている特
許請求の範囲第（７）項記載のコンデンサー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124530A JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
| US07/534,354 US5006957A (en) | 1987-05-20 | 1990-06-07 | Semiconductor porcelain substrate, dielectric porcelain substrate and capacitor employing the composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124530A JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289706A JPS63289706A (ja) | 1988-11-28 |
| JP2614228B2 true JP2614228B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14887756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124530A Expired - Fee Related JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5006957A (ja) |
| JP (1) | JP2614228B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418214A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-23 | Northwestern University | Cuprate-titanate superconductor and method for making |
| US5378667A (en) * | 1993-12-10 | 1995-01-03 | Korea Institute Of Science And Technology | Intercrystalline semiconductive ceramic capacitor |
| US5931795A (en) * | 1997-11-07 | 1999-08-03 | Manly; Philip | Method for evaluating human bone strength |
| US6171988B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Low loss glass ceramic composition with modifiable dielectric constant |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2648804A (en) * | 1951-02-01 | 1953-08-11 | Erie Resistor Corp | Multiple element circuit components |
| JPS56144522A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition |
| JPS5735303A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Taiyo Yuden Kk | Voltage vs current characteristic nonlinear semiconductor porcelain composition and method of producing same |
| US4545929A (en) * | 1981-07-22 | 1985-10-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance |
| JPS58103117A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ用半導体磁器 |
| JPS5935402A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 |
| JPS6088401A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS60107804A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS60107803A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| EP0155366B1 (en) * | 1983-11-30 | 1988-11-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| EP0155365B1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-02-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| DE3563610D1 (de) * | 1984-03-30 | 1988-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| JPS60249386A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | キヤノン株式会社 | 機能性基板及びこれを用いた電子回路基板 |
| JPS61240622A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | キヤノン株式会社 | 半導体磁器用組成物及び該組成物を用いた半導体磁器並びにコンデンサ− |
| US4759965A (en) * | 1985-08-06 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic, preparation thereof and electronic circuit substrate by use thereof |
| JPH0734415B2 (ja) * | 1986-06-23 | 1995-04-12 | 茂 和久 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62124530A patent/JP2614228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-07 US US07/534,354 patent/US5006957A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63289706A (ja) | 1988-11-28 |
| US5006957A (en) | 1991-04-09 |
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