JPS58103117A - コンデンサ用半導体磁器 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器Info
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- JPS58103117A JPS58103117A JP56201695A JP20169581A JPS58103117A JP S58103117 A JPS58103117 A JP S58103117A JP 56201695 A JP56201695 A JP 56201695A JP 20169581 A JP20169581 A JP 20169581A JP S58103117 A JPS58103117 A JP S58103117A
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Classifications
-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明を１、粒界１ｍｌ！ｍｌ内縁ｒＴｉＯ，糸コンデ
ンサ用半導体ａ器及びその製造方法に関し、更に詳細に
は、見損けの比誘電率Ｃｔ）が大きく、その比誘電率の
ｍ１ＩＬ変化亭（優）が小さく、しかも籾電体偵矢（ｔ
ａｎ Ｊ鳴）が少ない半導体磁器及びその製造方法に関
する。
ンサ用半導体ａ器及びその製造方法に関し、更に詳細に
は、見損けの比誘電率Ｃｔ）が大きく、その比誘電率の
ｍ１ＩＬ変化亭（優）が小さく、しかも籾電体偵矢（ｔ
ａｎ Ｊ鳴）が少ない半導体磁器及びその製造方法に関
する。
特公昭５５−４４４４５号公報に、５ｒＴｉＯａ、Ｎｂ
、Ｕ、、ＣｕＯから成る半導体磁器ｆ）結晶粒界にＰｂ
０２Ｈｊ、０．、Ｈ，０１ｊ’含有させた粒界絶縁ｆＪ
ＩＦ） ５ｒＴｉＯ，糸３７デンサ用半導体ａ器即ち
半導体磁器組成物が開示されている。このａ器組成物の
見摺けの比誘電率（ｇｌは４７．０００〜６２．０００
であり、この比誘電率の温度特性は土１５１（−２５℃
〜＋８５℃）以内であり、自電体損失ｔａｎ Ｉは０．
９参以下であるので、比戦的％注の優れた磁器コンデン
サＶ提供することができる。しかし、半導体ａ ｓ ＃
） １ｊｆｊ晶粒子の平均粒＠は４ｏ〜６０１ｍであり
、これに対応した見殉けの比誘電率しか得られない。こ
のため。
、Ｕ、、ＣｕＯから成る半導体磁器ｆ）結晶粒界にＰｂ
０２Ｈｊ、０．、Ｈ，０１ｊ’含有させた粒界絶縁ｆＪ
ＩＦ） ５ｒＴｉＯ，糸３７デンサ用半導体ａ器即ち
半導体磁器組成物が開示されている。このａ器組成物の
見摺けの比誘電率（ｇｌは４７．０００〜６２．０００
であり、この比誘電率の温度特性は土１５１（−２５℃
〜＋８５℃）以内であり、自電体損失ｔａｎ Ｉは０．
９参以下であるので、比戦的％注の優れた磁器コンデン
サＶ提供することができる。しかし、半導体ａ ｓ ＃
） １ｊｆｊ晶粒子の平均粒＠は４ｏ〜６０１ｍであり
、これに対応した見殉けの比誘電率しか得られない。こ
のため。
今日要求されている見ａｈの比鋳Ｓ率の極めて高いａ＠
組成物ン提供することができない。
組成物ン提供することができない。
そこで、本発明の目的は、見！Ｉけの比誘電率（＠）が
極めて高い５ｒＴｉ０１系コンデンサ用牛導体ｍ器及び
その製造方法Ｖ提供することにある。
極めて高い５ｒＴｉ０１系コンデンサ用牛導体ｍ器及び
その製造方法Ｖ提供することにある。
上記目的な達成するための本願の第１番目の発明を１．
８ｒ’ｌ’ｉ０．９３−３８〜９９．８５富貴畳とＮｂ
、０゜０．１３〜５．３２電量部とＣｕＯＯ，０２〜］
−５０電量部とで３００３１量鳴となる主成分１００
重量部、ＳｉＯ，０，０２〜０．１０菖量部、ＡＩ、０
．０．０３〜０．０３ｍ童部、（但し、前記Ｓｉｎ、の
電量部及び前記ＡＩ、Ｏ。
８ｒ’ｌ’ｉ０．９３−３８〜９９．８５富貴畳とＮｂ
、０゜０．１３〜５．３２電量部とＣｕＯＯ，０２〜］
−５０電量部とで３００３１量鳴となる主成分１００
重量部、ＳｉＯ，０，０２〜０．１０菖量部、ＡＩ、０
．０．０３〜０．０３ｍ童部、（但し、前記Ｓｉｎ、の
電量部及び前記ＡＩ、Ｏ。
の電量部は、Ｓ ｊ Ｏ，の電量部／ Ａｌ、０．の重
量部が１．５〜５．０となる範囲内である）ｉ−含有し
、更に、前記主成分と前記Ｓ；０．と前記ＡＩ、０．と
の合計重量に対して０−０３〜２．７５ Ｎ量１１ （
１） ＰｂＯト、０．１２〜４．２３１［ｉ［のＢｉ、
０１と、０．００１〜０．１８菖量鳴のＨ，０，とＹ含
有していることＶ％黴とするコンデンサ用半導体ａ器に
係わるものηある。
量部が１．５〜５．０となる範囲内である）ｉ−含有し
、更に、前記主成分と前記Ｓ；０．と前記ＡＩ、０．と
の合計重量に対して０−０３〜２．７５ Ｎ量１１ （
１） ＰｂＯト、０．１２〜４．２３１［ｉ［のＢｉ、
０１と、０．００１〜０．１８菖量鳴のＨ，０，とＹ含
有していることＶ％黴とするコンデンサ用半導体ａ器に
係わるものηある。
上記発明によれば、見損けの比誘電率が約ｇ ｏ、ｏ
ｏ ｏ以上、檀ｉが１憾以下、抵抗率が１・ＯＸ ３０
（１・ｃｍ以上のような良品基準Ｙ上回るコンデンサ
用半導体磁器を得ることができる。
ｏ ｏ以上、檀ｉが１憾以下、抵抗率が１・ＯＸ ３０
（１・ｃｍ以上のような良品基準Ｙ上回るコンデンサ
用半導体磁器を得ることができる。
本願の第２番目の発明は、半導体磁器ｔ’［造する方法
に保わるものであり、第１番目の発明と同一の組成比で
ｓｒ’ｔ’ｉｏ、 、 Ｎｂ、０．、ＣｕＯ１ａｌｔ）
、、 ＡＩ、０１を含む円職又を１円筒等の半導体磁器
を作製し、しカル後、Ｐｂ０２Ｈｊ、０．及びＢ、Ｏ，
又に’Ｘ Ｃｎ等Ｙ得ることが出来る＠質？含むｉｉ！
３縁化物質（拡散物質）を半導体ａ器の表面に何着させ
、こｔ’Ｌｖ熱拡散することによって半導体ｍ器の結晶
粒界にＰｂＯ、Ｂｉ。
に保わるものであり、第１番目の発明と同一の組成比で
ｓｒ’ｔ’ｉｏ、 、 Ｎｂ、０．、ＣｕＯ１ａｌｔ）
、、 ＡＩ、０１を含む円職又を１円筒等の半導体磁器
を作製し、しカル後、Ｐｂ０２Ｈｊ、０．及びＢ、Ｏ，
又に’Ｘ Ｃｎ等Ｙ得ることが出来る＠質？含むｉｉ！
３縁化物質（拡散物質）を半導体ａ器の表面に何着させ
、こｔ’Ｌｖ熱拡散することによって半導体ｍ器の結晶
粒界にＰｂＯ、Ｂｉ。
（）い及びＨ，０，Ｖ含有させることな％値とするｔσ
）である。この方法によれば、本発明で目的とする見徊
けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得ることができ
る。
）である。この方法によれば、本発明で目的とする見徊
けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得ることができ
る。
次に本発明の好ましい実施例について述べる。
実施例 １
工業用のＳｒ’Ｉ’ｊ０１ （不純物として、Ｂａ 、
Ｆｅ ％Ｍｎ 。
Ｆｅ ％Ｍｎ 。
Ｃａ 、 Ｎａ ％に等ｖ微量含有） 、Ｎｂ、ｏ、、
ＣｕＯｌＳｉｎｇ及びＡｍ、０． Ｙ ％ １表に示す
組成となるように配合し、こｎ等に不純物が混入するこ
とｔ防止するためにゴムライニングボール使用のゴムラ
イニングミルで湿式混合をし、乾燥させた後、有機ノ（
インダとしてポリビニルアルコールを加え、加圧成形機
にて円板状に成形し、１００００℃、１時間σ）熱処理
によりバインダを除去した後、９９憾Ｎ、−１鳴Ｈ１の
弱還元性の雰囲気中に８いて、１３５０〜１４５０℃、
２〜４時間焼結し、大きさがそれぞれ直径約８ ｍｍ
、厚さ約０．４ｍｍの円板状半導体ａ器馨作表した。な
お、原料ンゴムライニングミルで混合しｆｃＩ）で、磁
器製ボール轡のメディアから不純物が混入することが阻
止さｎ％ＳｉｎｇとＡＩ、０．との量のコントロールを
正確に行うことが可能になった。
ＣｕＯｌＳｉｎｇ及びＡｍ、０． Ｙ ％ １表に示す
組成となるように配合し、こｎ等に不純物が混入するこ
とｔ防止するためにゴムライニングボール使用のゴムラ
イニングミルで湿式混合をし、乾燥させた後、有機ノ（
インダとしてポリビニルアルコールを加え、加圧成形機
にて円板状に成形し、１００００℃、１時間σ）熱処理
によりバインダを除去した後、９９憾Ｎ、−１鳴Ｈ１の
弱還元性の雰囲気中に８いて、１３５０〜１４５０℃、
２〜４時間焼結し、大きさがそれぞれ直径約８ ｍｍ
、厚さ約０．４ｍｍの円板状半導体ａ器馨作表した。な
お、原料ンゴムライニングミルで混合しｆｃＩ）で、磁
器製ボール轡のメディアから不純物が混入することが阻
止さｎ％ＳｉｎｇとＡＩ、０．との量のコントロールを
正確に行うことが可能になった。
次に、ＰｂＯ粉禾粉床菖童参、Ｂ１１０１粉禾４５１蓋
番、Ｂ、０１粉末５ム蓋畳で】００電ｉｔ優となるよう
に配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチル
カルピトールを加えてペーストを作製し、こｔｔＶ前の
工程で作表した円板状半導体磁器ｖ片生面にスクリーン
印刷で塗布した。なお、１００ｍｇの円職状牛導体磁器
に対して絶縁化物質ＹＩＯｍｇ（］Ｏ重量張）塗布した
。
番、Ｂ、０１粉末５ム蓋畳で】００電ｉｔ優となるよう
に配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチル
カルピトールを加えてペーストを作製し、こｔｔＶ前の
工程で作表した円板状半導体磁器ｖ片生面にスクリーン
印刷で塗布した。なお、１００ｍｇの円職状牛導体磁器
に対して絶縁化物質ＹＩＯｍｇ（］Ｏ重量張）塗布した
。
次に、絶縁化物質を塗布した半導体ｍ器を酸化雰囲気中
において】１５０〜１３００℃σ）範囲の一足温度で２
時間加熱処理し、半導体ｍ器の粒界層にＰｂｏ ％ＢＩ
ＩＯ１％及びＨ，０，ｖ拡散させ、粒界層グ）絶縁体化
ン図った。これにより、第】図に模式的に示す半導体結
晶粒子ｉｌ＋と絶縁化された粒界層（２）とから成る半
導体ｍ器（３：が得らｎた。しかる後、こσ）半導体ｍ
器（３；の両主面に銀ペーストｖｍ布し、焼付けること
によって一対のコンデンサｔ 極１４１ ＋５１？形成
し、半導体ｍ器コンデンサを完成させた。
において】１５０〜１３００℃σ）範囲の一足温度で２
時間加熱処理し、半導体ｍ器の粒界層にＰｂｏ ％ＢＩ
ＩＯ１％及びＨ，０，ｖ拡散させ、粒界層グ）絶縁体化
ン図った。これにより、第】図に模式的に示す半導体結
晶粒子ｉｌ＋と絶縁化された粒界層（２）とから成る半
導体ｍ器（３：が得らｎた。しかる後、こσ）半導体ｍ
器（３；の両主面に銀ペーストｖｍ布し、焼付けること
によって一対のコンデンサｔ 極１４１ ＋５１？形成
し、半導体ｍ器コンデンサを完成させた。
上述のような磁器コンデンサｆ）製造に於いて、生成分
、ＳｉＯい及びＡＩ、０．１２原料の組成比の状態で完
成し７１Ｂ器に含まするが、絶縁化物質とじてのＰｂＯ
１Ｈｉ、０．及びＢ、０１ゴ塗布後の加熱処理の工程で
全部拡散されない。即ち拡散のため＃）加熱処理時の蒸
発等のために、塗布した絶縁化物質の一部ｆ）みが磁器
中に残存する。ｌｏｏｍｇのａＳに対する絶縁化物質の
拡散量（残存量） １２成分によつ１異なり、Ｐ ｂＯ
を１約０．２８〜０．８６ｍｍ［１１％（０，２８〜ｏ
、ｓ ｅ ｍｇ ）の範囲、Ｂｉ、０１ｔ２０．４９〜
１．５０３１量畳（０，４９〜１．５ ｏｍｇ ）の範
囲、Ｂｉ、０．・）０．０）〜０．０６菖量４ （０，
０１〜０．０６ ｍｇ ） ＩＦ）範囲である。
、ＳｉＯい及びＡＩ、０．１２原料の組成比の状態で完
成し７１Ｂ器に含まするが、絶縁化物質とじてのＰｂＯ
１Ｈｉ、０．及びＢ、０１ゴ塗布後の加熱処理の工程で
全部拡散されない。即ち拡散のため＃）加熱処理時の蒸
発等のために、塗布した絶縁化物質の一部ｆ）みが磁器
中に残存する。ｌｏｏｍｇのａＳに対する絶縁化物質の
拡散量（残存量） １２成分によつ１異なり、Ｐ ｂＯ
を１約０．２８〜０．８６ｍｍ［１１％（０，２８〜ｏ
、ｓ ｅ ｍｇ ）の範囲、Ｂｉ、０１ｔ２０．４９〜
１．５０３１量畳（０，４９〜１．５ ｏｍｇ ）の範
囲、Ｂｉ、０．・）０．０）〜０．０６菖量４ （０，
０１〜０．０６ ｍｇ ） ＩＦ）範囲である。
このようにして得られた４！ｒ臥科について、見知けの
比誘電率ε、銹電体損失ｔａｎｋ、抵抗率−Ｖ欄足した
ところ、第１表に示す結果が得られた。尚、εとｔａｎ
Ｉ ｔ２ ］ ｋＨｚで６１Ｊ足し、−をゴ直ｆｉ５
０Ｖｖ印加して１分間経過した後に御１足した。ｆ次第
】表に於いて、主成分のＳｒ’ｌ’１０． トＮｂ、ｏ
、とＣｕＯとの菖置部σ）酩和が１００菖量醤である。
比誘電率ε、銹電体損失ｔａｎｋ、抵抗率−Ｖ欄足した
ところ、第１表に示す結果が得られた。尚、εとｔａｎ
Ｉ ｔ２ ］ ｋＨｚで６１Ｊ足し、−をゴ直ｆｉ５
０Ｖｖ印加して１分間経過した後に御１足した。ｆ次第
】表に於いて、主成分のＳｒ’ｌ’１０． トＮｂ、ｏ
、とＣｕＯとの菖置部σ）酩和が１００菖量醤である。
また副成分’） Ｓｔｏ、とＡ１鵞Ｏ易とｔｌ、主成分
１００重量部に対する１量部で示されている。また、電
気的特性は同一試料３０情の平均値で示８ｒしている。
１００重量部に対する１量部で示されている。また、電
気的特性は同一試料３０情の平均値で示８ｒしている。
第１表から明らかなように、主成分の組成比がＳｒｌ’
ｉ０＠ ９３．１８−９９．８５電量１ｊｌｋ％Ｎｂ、
０．０．１３〜５．３２電童惨、ＣｕＯＯ，１２〜１．
５０菖量畳の範囲にあり、且つ１００菖量部の主成分に
対してＳｉｎ。
ｉ０＠ ９３．１８−９９．８５電量１ｊｌｋ％Ｎｂ、
０．０．１３〜５．３２電童惨、ＣｕＯＯ，１２〜１．
５０菖量畳の範囲にあり、且つ１００菖量部の主成分に
対してＳｉｎ。
が０．０２〜０．１０直重ｓ％ Ａｌ諺Ｏａが０．０１
〜０．０３菖量部（但し、Ｓｌｕｇ ／ ＡｌＢ１２の
重量比は１．５〜５．０）のａｍにある試料番号８〜１
】、１３〜１６％１８．２０〜２２．２５〜２７．２９
、及び３０の磁器によｎは、結晶の平均粒径が６０〜１
２０μ、εが８２．０００〜１３ＬＯＯＯ，ｔａｎδが
０．５曝以下、Ｐが１．３Ｘ］０Ω・ｃｍ以上となり、
前述の良品基準Ｙよ励るコンデンサＶ得ることが出来る
。
〜０．０３菖量部（但し、Ｓｌｕｇ ／ ＡｌＢ１２の
重量比は１．５〜５．０）のａｍにある試料番号８〜１
】、１３〜１６％１８．２０〜２２．２５〜２７．２９
、及び３０の磁器によｎは、結晶の平均粒径が６０〜１
２０μ、εが８２．０００〜１３ＬＯＯＯ，ｔａｎδが
０．５曝以下、Ｐが１．３Ｘ］０Ω・ｃｍ以上となり、
前述の良品基準Ｙよ励るコンデンサＶ得ることが出来る
。
一方、不発明り）範囲外である試料番号１〜７゜】２、
】７、】９．２３．２４．２８．３】〜３４比が１．５
未満範囲でを工ｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上の＃を得ること
が出来ず、また上記比が５ｖ越えた範囲で會１ｔａｎ
ａが１．０４以上又ｔ’ｓ ｐが］、ＯＸ］０Ω−ｃｍ
以下と愚くなる。Ｓまた、Ｓｉｎ、が】００重量部の主
成分に＊Ｌ、て０．０２菖量部未満であるとεＶ８００
００以上にすることが出来ず、ｆたこれが０．１菖量部
を越丁と、大きなＣが得られなくなる。またＡＩ、０゜
が０．０１重量部未満であると、８０．０００以上のε
Ｖ得ることが不可能になり、これが０．０３菖量ｓｖ越
えると％εがｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以下になる。従って、
８ｉ０．及びＡＩ、０．の好ｆしい範囲を１、ＳｉＯ，
／Ａｌ。
】７、】９．２３．２４．２８．３】〜３４比が１．５
未満範囲でを工ｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上の＃を得ること
が出来ず、また上記比が５ｖ越えた範囲で會１ｔａｎ
ａが１．０４以上又ｔ’ｓ ｐが］、ＯＸ］０Ω−ｃｍ
以下と愚くなる。Ｓまた、Ｓｉｎ、が】００重量部の主
成分に＊Ｌ、て０．０２菖量部未満であるとεＶ８００
００以上にすることが出来ず、ｆたこれが０．１菖量部
を越丁と、大きなＣが得られなくなる。またＡＩ、０゜
が０．０１重量部未満であると、８０．０００以上のε
Ｖ得ることが不可能になり、これが０．０３菖量ｓｖ越
えると％εがｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以下になる。従って、
８ｉ０．及びＡＩ、０．の好ｆしい範囲を１、ＳｉＯ，
／Ａｌ。
０、の］ｉ［量比が１．５〜５であると共に、Ｓ ｉＯ
，が０．０２へ０．１菖菫部、Ａ１雪０１が０，０１〜
０．０３菖量部Ｃ）範囲である。
，が０．０２へ０．１菖菫部、Ａ１雪０１が０，０１〜
０．０３菖量部Ｃ）範囲である。
なお、主成分子）組成比を本発明の範囲外にした場合に
′４ｂ、勿論良勿論率’に’ｓ：回るコンデンサケ得る
ことが不可能になる。
′４ｂ、勿論良勿論率’に’ｓ：回るコンデンサケ得る
ことが不可能になる。
１ｓ１表に於いて、不発１ｊｌｉ ＩＦ）範囲に入る試
料の見損けの比誘電率ｇｏ）ｓ変時性を測定したところ
、総ての試料の兇纏けの比誘電率Ｃの温度変化率を１第
２図σ）斜線領域に含まれた。 Ｉｌｌも、２０℃σ）
比誘電率を基準にして、−２５℃〜＋８５℃σ）範囲で
の比誘電率の変化率管１±】５優以内であった。
料の見損けの比誘電率ｇｏ）ｓ変時性を測定したところ
、総ての試料の兇纏けの比誘電率Ｃの温度変化率を１第
２図σ）斜線領域に含まれた。 Ｉｌｌも、２０℃σ）
比誘電率を基準にして、−２５℃〜＋８５℃σ）範囲で
の比誘電率の変化率管１±】５優以内であった。
実施例 ２
央ｍ例１に於ける絶縁化物質（拡散物質）としてのｐｂ
ｕ、Ｂｉ、０１、及びＢ鵞０１の比率σ）みＹ第２表に
示すように変化させ、製造方法ｔ１実施？ｌｌ］と同一
として半導体釦器コンデンサＹ作刺し、電気的特性Ｖ測
定したところ、第２表に示す結果が得られた。なお、第
２表に於けるＩＰ）欄を１絶畿化物質を塗布する半導体
縫器ン示す。また絶縁化物質１２１１１！（］ＯＯｍｇ
）に対して】０菖量鳴（］Ｏｍｇ）塗布した。
ｕ、Ｂｉ、０１、及びＢ鵞０１の比率σ）みＹ第２表に
示すように変化させ、製造方法ｔ１実施？ｌｌ］と同一
として半導体釦器コンデンサＹ作刺し、電気的特性Ｖ測
定したところ、第２表に示す結果が得られた。なお、第
２表に於けるＩＰ）欄を１絶畿化物質を塗布する半導体
縫器ン示す。また絶縁化物質１２１１１！（］ＯＯｍｇ
）に対して】０菖量鳴（］Ｏｍｇ）塗布した。
この第２表の試料番号３６〜４０，４２．４３．４５〜
５０．５３〜５６．５８〜６４、及び６７〜６９から明
らかなように、ＰｂＯが３５〜５４１１を憾、Ｈｉ１０
５が４０〜５８菖量鳴、Ｂ、０．が２〜】０菖１１憾の
＠咄で會工大きな＃を有し、ｔａｎｋ及びＰも優れてい
るａ養を得ることが出来る。一方、本発明の範囲外であ
る試料番号３５．４】、４４．５】、５２．５７．６５
．６６、及び７０から明らかなように、ｐｂｏ、Ｂｉ、
ｏｌ、Ｂ、０．の比が上記の範囲外となれば所望の特性
Ｖ得ることが不可能になる。従って、塗布する絶縁化物
質の好ましい組成比は、ｐｂｏが３５〜５４菖量囁、Ｂ
ｉ、０１が４０〜５８Ｊ［Ｊｉ４．Ｂ鵞０１が２〜］０
菖量参である。
５０．５３〜５６．５８〜６４、及び６７〜６９から明
らかなように、ＰｂＯが３５〜５４１１を憾、Ｈｉ１０
５が４０〜５８菖量鳴、Ｂ、０．が２〜】０菖１１憾の
＠咄で會工大きな＃を有し、ｔａｎｋ及びＰも優れてい
るａ養を得ることが出来る。一方、本発明の範囲外であ
る試料番号３５．４】、４４．５】、５２．５７．６５
．６６、及び７０から明らかなように、ｐｂｏ、Ｂｉ、
ｏｌ、Ｂ、０．の比が上記の範囲外となれば所望の特性
Ｖ得ることが不可能になる。従って、塗布する絶縁化物
質の好ましい組成比は、ｐｂｏが３５〜５４菖量囁、Ｂ
ｉ、０１が４０〜５８Ｊ［Ｊｉ４．Ｂ鵞０１が２〜］０
菖量参である。
この実施例２に於ける不発明り】範囲内のに科の磁器に
対するＰｂＯ１Ｂｉ、０１、及びＢ、Ｕ、 ＩＦ）拡散
量ｌ求めたところ、ＰｂＯ１２０，０７〜］ ７６］Ｌ
量鳴、Ｂ１１０１１２ ０．２ ４ 〜２．７ ０
Ｉｌｌ 量 僑 、 Ｂ諺０１１寥 ０．０ ０
２ 〜０．１２真倉鳴の範囲であった。
対するＰｂＯ１Ｂｉ、０１、及びＢ、Ｕ、 ＩＦ）拡散
量ｌ求めたところ、ＰｂＯ１２０，０７〜］ ７６］Ｌ
量鳴、Ｂ１１０１１２ ０．２ ４ 〜２．７ ０
Ｉｌｌ 量 僑 、 Ｂ諺０１１寥 ０．０ ０
２ 〜０．１２真倉鳴の範囲であった。
′！Ｊ！施Ｍ３
実施例２で示した本発明の範囲内の組成比の絶縁ｆヒ物
質の塗布量ヶ半導体ａ器（重量約１００ｍｍｇ）に対し
て】電量４ （］ ｍｍｇ ）〜】５重量鳴く１５ｍｍ
ｇ）の範囲で変化させ、加熱温度Ｖ］］５０〜】３００
℃、加熱時間ｔ】〜４時間の範囲で変化させることによ
って絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁鮨ン作製し、
εがｓｏ、ｏｏｏ以上、匈ｎｉが１畳以下、−が１．Ｏ
Ｘ］ＯΩ・ｃｍ以上の半導体磁樹′４Ｉ′得ることが可
能な絶縁化物質の拡散量を求めたところ、半導体磁器の
ｌ量（３００３に量醤）に対してＰｂＯが０．０３〜２
．７５菖量鳴、Ｂ１１０ｇがｍ憾であった。
質の塗布量ヶ半導体ａ器（重量約１００ｍｍｇ）に対し
て】電量４ （］ ｍｍｇ ）〜】５重量鳴く１５ｍｍ
ｇ）の範囲で変化させ、加熱温度Ｖ］］５０〜】３００
℃、加熱時間ｔ】〜４時間の範囲で変化させることによ
って絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁鮨ン作製し、
εがｓｏ、ｏｏｏ以上、匈ｎｉが１畳以下、−が１．Ｏ
Ｘ］ＯΩ・ｃｍ以上の半導体磁樹′４Ｉ′得ることが可
能な絶縁化物質の拡散量を求めたところ、半導体磁器の
ｌ量（３００３に量醤）に対してＰｂＯが０．０３〜２
．７５菖量鳴、Ｂ１１０ｇがｍ憾であった。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限足されるもので１１な（、更に変形可能なものであ
る。例えば、本発明の％像Ｖ阻害しない範囲で他の特注
改畳物ｌｘｖ付加して％差支えない。また、ＰｂＰｂ０
１ｋ３ｉいＢ、０１の粉末にてペーストＶ作製せずに、
絶縁化のための拡散加熱でＰＰｂｏｌＢｆｌｏ、ＨＩＯ
，に変換される例えばｐｂ、ｏいＰｂＦいＰｂ （８０
，）、、ＢｉＦｌ等の物質ｖｉｓ器の一万又を１両方の
主面にｍ布して、最終的に磁器の中に： ）’ｂＯ、Ｂ
ｊ。
に限足されるもので１１な（、更に変形可能なものであ
る。例えば、本発明の％像Ｖ阻害しない範囲で他の特注
改畳物ｌｘｖ付加して％差支えない。また、ＰｂＰｂ０
１ｋ３ｉいＢ、０１の粉末にてペーストＶ作製せずに、
絶縁化のための拡散加熱でＰＰｂｏｌＢｆｌｏ、ＨＩＯ
，に変換される例えばｐｂ、ｏいＰｂＦいＰｂ （８０
，）、、ＢｉＦｌ等の物質ｖｉｓ器の一万又を１両方の
主面にｍ布して、最終的に磁器の中に： ）’ｂＯ、Ｂ
ｊ。
０１１Ｂ冨０１ン偏在させてもよい。また、ＰｂＯ、Ｂ
１，０．、Ｂ、０１に変換することが出来る物質の配合
物ケ作り、これ′Ｉｋ′例えば１０００℃で焼成し、Ｐ
ｂＯ−Ｂ ｉ、０．−Ｂ、０１の組成物を作り、こｒＬ
ｔ粉砕した粉本ペーストな作って塗布してもよい。また
絶縁化物質を蒸着又慴浸漬尋で磁器に付着させてもよい
、また、鍛伸の原料ｖＳｒＴｉ０１ ％Ｎｂ、ｏ、、Ｃ
ｕｂ％Ｓｉｎ＠、ＡＩ、０゜と甘ずに、これ尋Ｙ得るた
めの物質を原料としてもよい。例えばＳｒｌ’ｉ０．ｖ
脚酸ストロンチウム°と酸化チタンとから得るようにし
てもよい、またゴムライニングボールに限らずに、Ｓｉ
Ｏ２とＡｌ、Ｏ，とが不純物として混入する恐れのない
他の容器を使用して主成分と副成分との原料を混合する
ようＫしてもよい。
１，０．、Ｂ、０１に変換することが出来る物質の配合
物ケ作り、これ′Ｉｋ′例えば１０００℃で焼成し、Ｐ
ｂＯ−Ｂ ｉ、０．−Ｂ、０１の組成物を作り、こｒＬ
ｔ粉砕した粉本ペーストな作って塗布してもよい。また
絶縁化物質を蒸着又慴浸漬尋で磁器に付着させてもよい
、また、鍛伸の原料ｖＳｒＴｉ０１ ％Ｎｂ、ｏ、、Ｃ
ｕｂ％Ｓｉｎ＠、ＡＩ、０゜と甘ずに、これ尋Ｙ得るた
めの物質を原料としてもよい。例えばＳｒｌ’ｉ０．ｖ
脚酸ストロンチウム°と酸化チタンとから得るようにし
てもよい、またゴムライニングボールに限らずに、Ｓｉ
Ｏ２とＡｌ、Ｏ，とが不純物として混入する恐れのない
他の容器を使用して主成分と副成分との原料を混合する
ようＫしてもよい。
第１図ａ本発明′の実施例に保わる磁器コンデンサヶ模
式的に示す断面図、Ｉｓ２図はｉｌｉｌ変度に対する比
鋳電率！示す特性図である。 尚図ｍＫ用いられている符号に於いて、＋１１１２粒子
、１２１４２粒界層、（３１ｔ２ａ！、 １４＋＋５１
ｅＸＩＨｊｃ’ア４＃代理人 高野則次 手続補正書（１尭） 昭和５７年１１月 １日 １、事件の表示 昭和ｓ６年特 許 願第８０１６１１１号２、ｌａＨ
の名称 ＝ンデシ葉用４に部体１ｌＩＩＩＩｋ及びその
纏造方法３、 補正をする者 事件との関係 出 願 人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 働 ６、 補正により増加する発明の数 Ｕｌ 明細＠＠１２員第１表囚の試料誉号２０引偽の
欄の「０．０１４ Ｊを「０，０２４ Ｊに補正する。 （２）明細書＄１１４員第１表００試料省号２６の８ｒ
Ｔ１０．の―の「９３１１８Ｊｔ−［９３，１８Ｊに補
正する。 （３） 明＃ｉｔｌ＊ｇ１９負１１Ｅ２表（１’ＪＫ
Ｎ１１１３９のＢ輸０．の禰のｒ６６４ｔｒ５８Ｊに補
正する。
式的に示す断面図、Ｉｓ２図はｉｌｉｌ変度に対する比
鋳電率！示す特性図である。 尚図ｍＫ用いられている符号に於いて、＋１１１２粒子
、１２１４２粒界層、（３１ｔ２ａ！、 １４＋＋５１
ｅＸＩＨｊｃ’ア４＃代理人 高野則次 手続補正書（１尭） 昭和５７年１１月 １日 １、事件の表示 昭和ｓ６年特 許 願第８０１６１１１号２、ｌａＨ
の名称 ＝ンデシ葉用４に部体１ｌＩＩＩＩｋ及びその
纏造方法３、 補正をする者 事件との関係 出 願 人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 働 ６、 補正により増加する発明の数 Ｕｌ 明細＠＠１２員第１表囚の試料誉号２０引偽の
欄の「０．０１４ Ｊを「０，０２４ Ｊに補正する。 （２）明細書＄１１４員第１表００試料省号２６の８ｒ
Ｔ１０．の―の「９３１１８Ｊｔ−［９３，１８Ｊに補
正する。 （３） 明＃ｉｔｌ＊ｇ１９負１１Ｅ２表（１’ＪＫ
Ｎ１１１３９のＢ輸０．の禰のｒ６６４ｔｒ５８Ｊに補
正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１＃５ｒＴｊ０１９３−４８〜９９．８５１ｊｌ’ｌ
ｔとＮｂ、０．０．１３〜５．３２重量鳴トＣｕ００．
０２〜Ｌ、５０７ｇ＠ ４６とで１００’ＪＩＩｔ噛と
なる主成分］００菖量電量Ｓｉｎｇ ０．０２〜０．
１０重量部、ＡＩ、０．０．０ ］〜０．０３重量部、
（但し、前記別０倉の１童部及び前記ＡＩ、Ｏ，の重量
Ｎ、は、５ｉ（Ｊｌの電量部／ Ａｌ、０１σ）電量部
が１．５〜５・０となる範囲内である） を含有し、更に、前記主成分と前記８４０．と前記Ａｌ
、０．との合計１重に対して０．０３〜２．７５ ｌ量
暢のｐｂｏと、０．１２〜４．２３１１童畳のＨｉ曾（
）１と、０．００１〜０．１８ ）ｉ：量憾のｉｓ、Ｏ
，とｖｔ有していることＶ％黴とするコンデンサ用半導
体ａｍ！。 （２） ５ｒＴｉＯ，９３、１８〜９９．８５菖量鳴ト
Ｎｂ、０゜０．１３〜５．３２１量僑とＣｕ００．０２
〜１．５０Ｘ量憾とで３００電量憾となる主成分】００
菖量部、Ｓｉｎ、 ０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ
、θ、０．０］ 〜０．０３菖量部、電量し、前記Ｓｔ
偽の電量部及び前記ＡＩ、０．の電量部を１％Ｓｉｎｇ
の電量部／ Ａｔ、０．の電量部が１．５〜５．０とか
らなる範囲内である） から成る半導体−器を作シすること、 前記半導体礎鮨の少なくとも一万の主面に、ｐｂＯ又ｔ
１加熱処理によって）’ｂＯになる物質と、 Ｈｉ、０
゜又を１加熱処理によってＢ１１０１ Ｋなる物質と、
Ｈ，０゜又を１加熱処珈によってＢ、０．になる物質と
を、Ｐｂ０に換算して３５〜５４］１量鳴、Ｂｉ、０．
に換算して４０〜５８ｊｌ［ｔ４、Ｂ、０．に換算（、
て２〜１０ｇ量畳で１００重量電量部るような比で含む
絶縁化物質ｔ、１００７ＩＩＬ量部の前記半導体ａ器に
対して］〜】５電量部の割合で付着させ、しかる後加熱
処理することによって前記半導体磁器の結晶粒界にＰｂ
Ｏ１８５０ｇ、ｋ ヒＨ，０，Ｖ拡散サセルコト、から
成るコンデンサ用半導体ａ器の製造方法。 （３１前記半導体＆８器に前記絶縁化物質を付′ｙ＃さ
せること１１、前記絶縁化物質を含むペーストを塗布す
ることである％肝請釆の範囲第２項記載ｔＩ）コンデン
サ用牛専体磁器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201695A JPS58103117A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
| EP82108979A EP0076456B1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| DE8282108979T DE3274734D1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| US06/443,783 US4405480A (en) | 1981-12-16 | 1982-11-22 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201695A JPS58103117A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103117A true JPS58103117A (ja) | 1983-06-20 |
| JPS6242368B2 JPS6242368B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=16445374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201695A Granted JPS58103117A (ja) | 1981-10-01 | 1981-12-16 | コンデンサ用半導体磁器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4405480A (ja) |
| JP (1) | JPS58103117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01216293A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Kanda Tsushin Kogyo Co Ltd | 時刻誤差補正方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2614228B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1997-05-28 | キヤノン株式会社 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
| US5888102A (en) * | 1996-11-25 | 1999-03-30 | Strickland; John | Surface mount carrier for electronic components |
| US8178456B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-05-15 | Ian Burn Consulting, Inc. | Sintered dielectric ceramic, composition for making, and use thereof in multilayer capacitor and energy storage device |
| WO2013161765A1 (ja) * | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 東邦チタニウム株式会社 | リチウムランタンチタン酸化物焼結体、前記酸化物を含む固体電解質、及び前記固体電解質を備えたリチウム空気電池及び全固体リチウム電池 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP56201695A patent/JPS58103117A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,783 patent/US4405480A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01216293A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Kanda Tsushin Kogyo Co Ltd | 時刻誤差補正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242368B2 (ja) | 1987-09-08 |
| US4405480A (en) | 1983-09-20 |
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