JPS5897819A - コンデンサ用半導体磁器 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器Info
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明１１、粒界絶１１型の５ｒＴｉＯ，糸；ンデンサ
用半尋体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細には、
見！ｌＩけの比誘電率（＃］が大きく、その比Ｉ電車の
温度変化率ｔｑｂ）が小さく、シかも誘電体損失（ｔａ
ｎｌりが少ない半導体磁器及びその製造方法に関する。 特公昭５５−２２９３２号公報に、ＳｒＴｌ０ｇ、Ｔａ
ｇＯいＣｕＯから成る半導体ａ＠の結晶粒界にＰｂＯ１
Ｐｂ０１Ｂ１ ＢｍＯａ ｔ’金含有せ九粒界絶縁型の
５ｒＴｉ０１系コンデンサ用半導゛体ａｉｓＭＪち半導
体磁器ｆｆｉ成物が開示されている。この磁器組成物の
見拘けの比誘電率（＃）昏″Ｘ５０．０００〜６２．０
００であり、この比誘電率の温度特性１１ま］５％（−
２５℃〜＋８５℃）以内であり、誘電体損失ｔａｎ ａ
ｋ”Ｘ Ｏ−９憾 以下であるので、比軟的特性の優
れた磁器コンデンサな提供することができる。しかし、
半導体磁器の結晶粒子の平均粒径會１４０〜６０μｍで
あり、これに対応した見働けの比誘電率しか得られない
。 このたｔ１今日費求されている見損けの比誘電率の極め
て高い磁器組成物な提供することができないＯ そこで、本発明の目的は、見ｍけの比誘電率（ｇｌが極
めて高い５ｒＴｉ０１系コンデンサ用牛導体磁器及びそ
の製造方法を提供することにある。 上記目的を達成するための本願の第１番目の発明ｔ’ｚ
、５ｒＴｉＯ，９５，１８〜９９．６５重量部とＴａ１
Ｏ。 ０．３３〜３．３２重ｉｉ参とＣｕ００．０２〜１．５
０重量部とで】００重重量部なる主成分】００重量部、
ＳｔＯ。 ０−０２〜０．］ ＯＪ［ｆ １ｉｌＳ−ＡＩ宏０１０
−０３〜０−０３１量部、（但し、前記５ｉｎＨの重量
部及び前記ＡＩ、０．のｌｋ ｔ ｓ＆Ｘ、ＳｉＯ鵞〕
ＩＬｔｆｎ／ ＡｌｖＯｓ ノＮ置部ｉＥ ］−５〜５
．０となる範囲内である）を含有し、更に、前記主成分
と前記ｓｉｏ、と前記＾１，０．との合計重量に対して
、０．０３〜２．７５重量部のｐｂｏと、０．１１〜４
．２２重量部のＢｌ鵞０．と、０．００１〜０．１８重
重量部Ｂ、Ｏ，とを含有していること１％黴とするコン
デンサ用半導体磁器に係わるものである。 上記発明によれば、見ｍけの比誘電率が約ｓｏ、ｏｏｏ
以上％ｔａｎ Ｉが】４以下、抵抗率が１．０×】０Ω
・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ用半導
体磁器を得ることができる。 本願の第２１１１目の発明を１、半導体磁器Ｙ製造する
方法に係わるものであり、第１番目の発明と同一の組成
比でＳｒＴｌ０ｇ、 Ｔａ１Ｏ，、ＣｕＯ１Ｓｉｎ、
％ Ａｌ、０１を含む同職又は円筒等の半導体磁器を作
製し、しかるｍ ％ ）’ｂＵ 、Ｂ１１０．及びＢ、
Ｏ，又１１これ等を得ることができる物質を含む絶縁化
物質
用半尋体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細には、
見！ｌＩけの比誘電率（＃］が大きく、その比Ｉ電車の
温度変化率ｔｑｂ）が小さく、シかも誘電体損失（ｔａ
ｎｌりが少ない半導体磁器及びその製造方法に関する。 特公昭５５−２２９３２号公報に、ＳｒＴｌ０ｇ、Ｔａ
ｇＯいＣｕＯから成る半導体ａ＠の結晶粒界にＰｂＯ１
Ｐｂ０１Ｂ１ ＢｍＯａ ｔ’金含有せ九粒界絶縁型の
５ｒＴｉ０１系コンデンサ用半導゛体ａｉｓＭＪち半導
体磁器ｆｆｉ成物が開示されている。この磁器組成物の
見拘けの比誘電率（＃）昏″Ｘ５０．０００〜６２．０
００であり、この比誘電率の温度特性１１ま］５％（−
２５℃〜＋８５℃）以内であり、誘電体損失ｔａｎ ａ
ｋ”Ｘ Ｏ−９憾 以下であるので、比軟的特性の優
れた磁器コンデンサな提供することができる。しかし、
半導体磁器の結晶粒子の平均粒径會１４０〜６０μｍで
あり、これに対応した見働けの比誘電率しか得られない
。 このたｔ１今日費求されている見損けの比誘電率の極め
て高い磁器組成物な提供することができないＯ そこで、本発明の目的は、見ｍけの比誘電率（ｇｌが極
めて高い５ｒＴｉ０１系コンデンサ用牛導体磁器及びそ
の製造方法を提供することにある。 上記目的を達成するための本願の第１番目の発明ｔ’ｚ
、５ｒＴｉＯ，９５，１８〜９９．６５重量部とＴａ１
Ｏ。 ０．３３〜３．３２重ｉｉ参とＣｕ００．０２〜１．５
０重量部とで】００重重量部なる主成分】００重量部、
ＳｔＯ。 ０−０２〜０．］ ＯＪ［ｆ １ｉｌＳ−ＡＩ宏０１０
−０３〜０−０３１量部、（但し、前記５ｉｎＨの重量
部及び前記ＡＩ、０．のｌｋ ｔ ｓ＆Ｘ、ＳｉＯ鵞〕
ＩＬｔｆｎ／ ＡｌｖＯｓ ノＮ置部ｉＥ ］−５〜５
．０となる範囲内である）を含有し、更に、前記主成分
と前記ｓｉｏ、と前記＾１，０．との合計重量に対して
、０．０３〜２．７５重量部のｐｂｏと、０．１１〜４
．２２重量部のＢｌ鵞０．と、０．００１〜０．１８重
重量部Ｂ、Ｏ，とを含有していること１％黴とするコン
デンサ用半導体磁器に係わるものである。 上記発明によれば、見ｍけの比誘電率が約ｓｏ、ｏｏｏ
以上％ｔａｎ Ｉが】４以下、抵抗率が１．０×】０Ω
・ｃｍ以上のような良品基準を上回るコンデンサ用半導
体磁器を得ることができる。 本願の第２１１１目の発明を１、半導体磁器Ｙ製造する
方法に係わるものであり、第１番目の発明と同一の組成
比でＳｒＴｌ０ｇ、 Ｔａ１Ｏ，、ＣｕＯ１Ｓｉｎ、
％ Ａｌ、０１を含む同職又は円筒等の半導体磁器を作
製し、しかるｍ ％ ）’ｂＵ 、Ｂ１１０．及びＢ、
Ｏ，又１１これ等を得ることができる物質を含む絶縁化
物質
【拡散物質】な半導体磁器の表面に付着させ、これ
ｔ熱拡散することによって半導体磁器の結晶粒界にＰｂ
Ｏ、ＢｉｔＯ８及びＢ＊Ｏｓｔ’含有させることを特徴
とするものである。この方法によれば、本発明で巨・的
とするＭ、招けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得
ることができる。 次に本発明の好ましい実施例について述べる。 実施？！Ｉ ］ 工業用の５ｒＴｉ０１ （不純物として、Ｂａ ％Ｆｅ
ｓ Ｍｎ ｓＣｍ 、 Ｎａ 、 Ｋ等を微量含有）
、Ｔａ１Ｏ，、ＣｕＯ％Ｓｉｎｇ 。 及びＡｂｕｓ ’ｋ ＠ ］表に示す組成となるように
配合し、これ勢に不純物が混入することを防止するため
にゴムライニングボール使用のゴムライニングミルで湿
式混合をし、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビ
ニルアルコールを加え、加圧成形機にて内職状に成形し
、１０００℃１時間の熱処理によりバインダを除去し九
後、９９畳へ−】鳴Ｈ！ｔ′ＩＩＩ還元性の雰囲気中に
おいて、１３５０〜１４５０℃、２〜４時間焼結し、大
きさがそれぞれ直径約８ ｍｍ、厚さ約０．４ｍｍの内
職状半導体磁器を作製し九、な愈、原料をゴムライニン
グミルで混合し九ので、磁器製ボール等のメディアから
不純物が混入することが阻止され、Ｓｌｙ、とＡＩ、Ｏ
，との量のコントロールを正確に行うことが可能になっ
た。 次に、ｐｂｏ粉禾５０重量藝、Ｂ１１０ｇ粉末４５重量
鳴、Ｈ，０，粉末５重量鳴で１００重量醤となるように
配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペーストを作物し、これｔ前の工程
で作製した同職状半導体磁器の片主面にスクリーン印刷
で塗布した。なお、１００ｍｇの同職状半導体磁器に対
して絶縁化物質”ＹＩＯｍｇ （１０１１Ｌ’ｌ ）塗
布した。 次に、絶縁化物質を塗布した半導体磁器を酸化＃−気気
中おいて】】５０〜３３００℃の範囲の一足温度で２時
間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ、Ｂｉ、０
い及びＢ、０． ’１１拡散させ、粒界層の？縁体化を
図った。これにより、第１図に模式的に示す半導体結晶
粒子…と絶縁化された粒界層１２；とから成る半導体磁
器（３；が得られた。しかる後・この半導体磁器１３＋
の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることによつが
一対のコンデンサ電極１４１ （５）を形成し、半導体
磁器コンデンサを完成させた。 上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
Ｓｉｎ、、及びＡ１＊Ｏｓ ｋ”Ｘ原料の組成比の状態
で完成した磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてｎ ｐ
ｂｏ％Ｂｉ、０．及びＢ、０．は１１布後の加熱処理の
工程で全部拡散されない、即ち拡散の丸めの加熱処理時
の蒸発勢のために、塗布した絶縁化物質の一部のみが磁
器中に残存する。３００ｍｇｆ１ｉ１器に対する絶縁化
物質の拡散量（！！Ｉ存量目１成分によって異なり、ｐ
ｂｏ ｔΣ約０．２８〜０．８６電量鳴（０，２８〜０
．８６叫１の範囲、Ｂｉ、Ｏｊｔ〕０．４９〜１．５０
電量鳴（０，４９〜１．５０町１の範囲、Ｂ！０１を１
０．０１〜０．０６重量畳（０，０１〜０．０６ｍｇ
）の範囲である。 このようにして得られ九谷に科について、見輯けの比誘
電率Ｃ１誘電体搗失を抑ａ、抵抗率Ｐを糊足したところ
、第１表に示ｊ結果が得らｎた。 尚、−とｔ釦＃を）１ｋＨｚで調足し、−は［Ｒ５０■
を印加して１分間経過した後に調定した。また第１表に
於いて、主成分の５ｒＴｉ０１と１’ａＨＯ，とＣｕＯ
とのｉｊＬ蓄傷の総和が１００重量嗟である。まえ副成
分＋７） Ｓｉｎ、 トＡＩ、０． トｔ２、主成分１
００重量部に対する電を部で示されている。また、電気
的特性は同−試料３０個の半均櫃で示されている。 第】表から明らかなように、主成分の組成比が５ｒＴｉ
Ｏａ ９５−］ ８〜９９−６５１１１量４ 、Ｔａ１
Ｏ，０，３３〜３．３２菖量鳴、Ｃｕ００．０２〜１．
５０重置部の範囲にあり、且つ１００重量部の主成分に
対して別へが０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０．が
０．０３〜０．０３菖劃１但し、Ｓｓ’、／ Ａｌｌ０
． ノ菖量Ｊｔｔ２１．５〜５．０Ｊの範囲にある試料
番号８〜】】、１３〜】６゜１８．２０〜２２．２５〜
２７．２９及び３ｏの磁器によれば、結晶の平均粒径が
６０〜１２０μ、εが８２，０００〜３３６，０００、
ｔａｎ ａが０．５〜０．７憾、−が１．ＯＸ ］ ０
Ω”ｃｍ以上となり、前述した良品基準をよするコン
デンサを得ることが出来る。 一万、本発明の範囲外である試料番号１〜７．１２、】
７、】９．２３．２４．２８．３】へ３４の磁器から明
らかなように、８１０． ／ Ａｌ、０．の重量比が１
．５未満範囲でを２８０．０００以上のｇｖ得ることが
出来ず、また上記比が５を越えた範囲で＋１、ｔｗｌが
】、０憾以上となるか又を１−が１．ＯＸ １０”Ω−
ｃｍ以下と悪くなる＠を虎、Ｓ１０！が１００″ｍ童部
の主成分に対して０．０２重量−未満であるとＣをｓ
ｏ、ｏ ｏ ｏ以上にすることが出来ず、またこｎが０
・】１に置部を越すと、大きなＣが得られなくなる。ま
たＡＩ、０．が０．０１重量部未満であると、ｇｏ、ｏ
ｏｏ以上の−を得ることが不可能になり、これが０．０
３重量部を越えると、０が８０．０００以下になる。従
って、８ｉ０．及びＡＩ、Ｏ，の好ましい範囲は、Ｓ
ｉＯ＠ ／ Ａｌ ｍＯＢの１量比が１．５〜５である
１、 と共に、別（）、が０．０２〜０．１重量部、ＡＩ、０
．が０．０１〜０．０３重量部の範囲である。 なお、主成分の組成比を本発明の範囲外にした場合にも
、勿論良品基準音上回るコンデンサを得ることが不可能
になる。 第１表に於いて、本発明の範囲に入る試料の見如けの比
誘電率Ｃの温度特性を測定したところ、総てのに料の見
掛けの比誘電率ａＦ）温度変化率をゴ第２１５！ｃｌの
斜線領域に含まれた。即ち、２０’Ｃ’の比誘電率を基
準にして、−２５℃〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変
化率を１±１５憾以内であった。 実ｍＮ ２ 実施？ｌＪ］に於ける絶縁化物質（拡散物質）としテ１
７） ＰｂＯ１Ｂｔ、ｏ、、Ｂ、０．の比率のみを第２
表に示すように変化させ、製造方法は実施例】と同一と
して半導体ｉＢ器コンデンサを作製し、電気的特性’に
＃Ｊ足したところ、！［２表に示す結果が得らｎた。 なお、第２表に於ける磁器の―を１絶縁化物質奢塗布す
る半導体磁器・を示す、また絶縁化物質を１磁器（１０
０ｍｇ）に対して１００重量部１０ｎｎｇ）塗布した。 この＃！２表の試料番号３６〜４］、４３〜４８．５０
．５２．５４〜６４％ ６６．６７、６９〜７３から明
らかなように、 ＰｂＯが３５〜５４重量優、ａｔ、Ｏ
，が３７〜５８１量鳴、Ｂ、０．が２〜１０重量鳴重置
部でを；大きなＣを有し、ｔａｎ Ｉ及びＰも優れてい
る磁器を得ることが出来る。−万、本発明の範囲外であ
る試料番号３５．４２．４９．５】、５３．６５．６８
．７４から明らかなように、ｐｂＯｌＢｉ、０１％Ｂ、
０．の比が上記の範囲外となれば所Ｗ Ｆ）％性を得る
ことが不可能になる。従って、塗布する絶縁化物質の好
ましい組成比ｔｚ 、ｐｂｏが３８〜５４重量鳴、重置
部０．が３７〜５８重量参、重置部２が２〜１０″ＴＬ
ＩＩｋ参である。 この実施例２に於ける本発明の範囲内の試料のＳ器に対
するｐｂｏ、Ｂｉ、ＵいＢ、０．の拡散量を求め九とこ
ろ、ＰｂＯは０．０７〜１．６５電量参、Ｈｉ＠ ０１
は０．２３〜２．５３１量鳴、Ｂ、０．は０．００２〜
０．１】重置部の範囲であった。 実＃１例 ３ 実Ｊ１１１Ｒ１２で示し九本発明の範囲内の組成比の絶
縁化物質の塗布量な半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）
ＦＣ対して、】重量噛ｔ】ｍｍｇｔ〜】５重置部（１５
ｍｍｇ ）の範囲で変化させ、また加熱温度ｔ１１５０
〜１３００℃、加熱時間を１〜４時間の範囲で質化さぜ
ることによって絶縁化物質ｔＩ）拡散量が異なる多くの
磁器を作製し、Ｃがｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上、ｔＥＩが
】嗟以下、−が１．ＯＸ ］ ＯΩ−ｃｍ以上の半導体
磁器を得ることが可能な絶縁化物質の拡散量を求めたと
ころ、半導体磁器の重量（１００重量憾］に対してＰｂ
Ｏが０．０３〜２．７５電量参、Ｈｊ、０１が０．１１
〜４．２２電量参、Ｂ、０１が０．００３〜０．１８電
Ｉｌｉ畳であった。 以上、本発明の実施例について述べたが、本発ｆＩＡ目
これに限定されるものではなく、更に変形可ｔＩｅな％
ｇ）である。例えば、本発明の特徴を阻害しない範囲で
他の特性改善物質を付加しても差支えない。また、Ｐｂ
Ｏ％Ｂｉ、０．、Ｂ、０．の粉末にてペーストを作製せ
ずに、絶縁化の九めの拡散加熱でＰｂＯ１Ｈｉ、０．．
１３，０．に質換８ｎる例えば％Ｐｂ、ｏ、 ５ＰｂＦ
！、Ｐｂ （ＢＯ黛ｈ％ＢｉＦ１等の物質を磁器の一万
又１１両方の主面に塗布し′て、最終的に磁器の中に）
’ｂＵ ％Ｂｉ、ｏ１、Ｂ＊ Ｄｉ ’ｋ ４ａＨｔ！
ｆ テ％ ！ Ｖｓ。−ｆ７’ｊ、ＰｂＯ１Ｂ６０１
、Ｂｔｕｓ Ｋ ｆ換することが出来る物質の配合物を
作り、これｖｉＰＩＩえは】０００℃で焼成し、）’ｂ
Ｏ−Ｈ輸０．−８，０．の組成＠を作り、これを粉砕し
た粉末でペーストを作って塗布してもよい。また絶縁化
物質を蒸着又は浸漬等でａＩＩに付着させてもよめ、ま
九、最初のＩＩｊＬ料ｖＳｒＴｉ０ｇ、Ｔａ、０．、Ｃ
ｕＯ１Ｓｉｎ、、ｈｌ、ｏ、 ｓ ＰｂＯｓ Ｂｉ＊Ｏ
ａ、Ｂ１０．とせずに、これ等を得るための物質Ｖ原料
としてもよい。 Ｉ’ｌｌ ｔ ｋｔ ８ｒＴｉＯ，を炭酸ストロンチウ
ムと酸化チタンとから得るようにしてもよい。またゴム
ライニングボールに限らずに、別０．とＡＩ、Ｏ，とが
不純物とし℃混入する恐れのない他の容器を使用して主
成分と副成分との原料な混合するようにしてもよい。
ｔ熱拡散することによって半導体磁器の結晶粒界にＰｂ
Ｏ、ＢｉｔＯ８及びＢ＊Ｏｓｔ’含有させることを特徴
とするものである。この方法によれば、本発明で巨・的
とするＭ、招けの比誘電率の高い半導体磁器を容易に得
ることができる。 次に本発明の好ましい実施例について述べる。 実施？！Ｉ ］ 工業用の５ｒＴｉ０１ （不純物として、Ｂａ ％Ｆｅ
ｓ Ｍｎ ｓＣｍ 、 Ｎａ 、 Ｋ等を微量含有）
、Ｔａ１Ｏ，、ＣｕＯ％Ｓｉｎｇ 。 及びＡｂｕｓ ’ｋ ＠ ］表に示す組成となるように
配合し、これ勢に不純物が混入することを防止するため
にゴムライニングボール使用のゴムライニングミルで湿
式混合をし、乾燥させた後、有機バインダとしてポリビ
ニルアルコールを加え、加圧成形機にて内職状に成形し
、１０００℃１時間の熱処理によりバインダを除去し九
後、９９畳へ−】鳴Ｈ！ｔ′ＩＩＩ還元性の雰囲気中に
おいて、１３５０〜１４５０℃、２〜４時間焼結し、大
きさがそれぞれ直径約８ ｍｍ、厚さ約０．４ｍｍの内
職状半導体磁器を作製し九、な愈、原料をゴムライニン
グミルで混合し九ので、磁器製ボール等のメディアから
不純物が混入することが阻止され、Ｓｌｙ、とＡＩ、Ｏ
，との量のコントロールを正確に行うことが可能になっ
た。 次に、ｐｂｏ粉禾５０重量藝、Ｂ１１０ｇ粉末４５重量
鳴、Ｈ，０，粉末５重量鳴で１００重量醤となるように
配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチルカ
ルピトールを加えてペーストを作物し、これｔ前の工程
で作製した同職状半導体磁器の片主面にスクリーン印刷
で塗布した。なお、１００ｍｇの同職状半導体磁器に対
して絶縁化物質”ＹＩＯｍｇ （１０１１Ｌ’ｌ ）塗
布した。 次に、絶縁化物質を塗布した半導体磁器を酸化＃−気気
中おいて】】５０〜３３００℃の範囲の一足温度で２時
間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ、Ｂｉ、０
い及びＢ、０． ’１１拡散させ、粒界層の？縁体化を
図った。これにより、第１図に模式的に示す半導体結晶
粒子…と絶縁化された粒界層１２；とから成る半導体磁
器（３；が得られた。しかる後・この半導体磁器１３＋
の両主面に銀ペーストを塗布し、焼付けることによつが
一対のコンデンサ電極１４１ （５）を形成し、半導体
磁器コンデンサを完成させた。 上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
Ｓｉｎ、、及びＡ１＊Ｏｓ ｋ”Ｘ原料の組成比の状態
で完成した磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてｎ ｐ
ｂｏ％Ｂｉ、０．及びＢ、０．は１１布後の加熱処理の
工程で全部拡散されない、即ち拡散の丸めの加熱処理時
の蒸発勢のために、塗布した絶縁化物質の一部のみが磁
器中に残存する。３００ｍｇｆ１ｉ１器に対する絶縁化
物質の拡散量（！！Ｉ存量目１成分によって異なり、ｐ
ｂｏ ｔΣ約０．２８〜０．８６電量鳴（０，２８〜０
．８６叫１の範囲、Ｂｉ、Ｏｊｔ〕０．４９〜１．５０
電量鳴（０，４９〜１．５０町１の範囲、Ｂ！０１を１
０．０１〜０．０６重量畳（０，０１〜０．０６ｍｇ
）の範囲である。 このようにして得られ九谷に科について、見輯けの比誘
電率Ｃ１誘電体搗失を抑ａ、抵抗率Ｐを糊足したところ
、第１表に示ｊ結果が得らｎた。 尚、−とｔ釦＃を）１ｋＨｚで調足し、−は［Ｒ５０■
を印加して１分間経過した後に調定した。また第１表に
於いて、主成分の５ｒＴｉ０１と１’ａＨＯ，とＣｕＯ
とのｉｊＬ蓄傷の総和が１００重量嗟である。まえ副成
分＋７） Ｓｉｎ、 トＡＩ、０． トｔ２、主成分１
００重量部に対する電を部で示されている。また、電気
的特性は同−試料３０個の半均櫃で示されている。 第】表から明らかなように、主成分の組成比が５ｒＴｉ
Ｏａ ９５−］ ８〜９９−６５１１１量４ 、Ｔａ１
Ｏ，０，３３〜３．３２菖量鳴、Ｃｕ００．０２〜１．
５０重置部の範囲にあり、且つ１００重量部の主成分に
対して別へが０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０．が
０．０３〜０．０３菖劃１但し、Ｓｓ’、／ Ａｌｌ０
． ノ菖量Ｊｔｔ２１．５〜５．０Ｊの範囲にある試料
番号８〜】】、１３〜】６゜１８．２０〜２２．２５〜
２７．２９及び３ｏの磁器によれば、結晶の平均粒径が
６０〜１２０μ、εが８２，０００〜３３６，０００、
ｔａｎ ａが０．５〜０．７憾、−が１．ＯＸ ］ ０
Ω”ｃｍ以上となり、前述した良品基準をよするコン
デンサを得ることが出来る。 一万、本発明の範囲外である試料番号１〜７．１２、】
７、】９．２３．２４．２８．３】へ３４の磁器から明
らかなように、８１０． ／ Ａｌ、０．の重量比が１
．５未満範囲でを２８０．０００以上のｇｖ得ることが
出来ず、また上記比が５を越えた範囲で＋１、ｔｗｌが
】、０憾以上となるか又を１−が１．ＯＸ １０”Ω−
ｃｍ以下と悪くなる＠を虎、Ｓ１０！が１００″ｍ童部
の主成分に対して０．０２重量−未満であるとＣをｓ
ｏ、ｏ ｏ ｏ以上にすることが出来ず、またこｎが０
・】１に置部を越すと、大きなＣが得られなくなる。ま
たＡＩ、０．が０．０１重量部未満であると、ｇｏ、ｏ
ｏｏ以上の−を得ることが不可能になり、これが０．０
３重量部を越えると、０が８０．０００以下になる。従
って、８ｉ０．及びＡＩ、Ｏ，の好ましい範囲は、Ｓ
ｉＯ＠ ／ Ａｌ ｍＯＢの１量比が１．５〜５である
１、 と共に、別（）、が０．０２〜０．１重量部、ＡＩ、０
．が０．０１〜０．０３重量部の範囲である。 なお、主成分の組成比を本発明の範囲外にした場合にも
、勿論良品基準音上回るコンデンサを得ることが不可能
になる。 第１表に於いて、本発明の範囲に入る試料の見如けの比
誘電率Ｃの温度特性を測定したところ、総てのに料の見
掛けの比誘電率ａＦ）温度変化率をゴ第２１５！ｃｌの
斜線領域に含まれた。即ち、２０’Ｃ’の比誘電率を基
準にして、−２５℃〜＋８５℃の範囲での比誘電率の変
化率を１±１５憾以内であった。 実ｍＮ ２ 実施？ｌＪ］に於ける絶縁化物質（拡散物質）としテ１
７） ＰｂＯ１Ｂｔ、ｏ、、Ｂ、０．の比率のみを第２
表に示すように変化させ、製造方法は実施例】と同一と
して半導体ｉＢ器コンデンサを作製し、電気的特性’に
＃Ｊ足したところ、！［２表に示す結果が得らｎた。 なお、第２表に於ける磁器の―を１絶縁化物質奢塗布す
る半導体磁器・を示す、また絶縁化物質を１磁器（１０
０ｍｇ）に対して１００重量部１０ｎｎｇ）塗布した。 この＃！２表の試料番号３６〜４］、４３〜４８．５０
．５２．５４〜６４％ ６６．６７、６９〜７３から明
らかなように、 ＰｂＯが３５〜５４重量優、ａｔ、Ｏ
，が３７〜５８１量鳴、Ｂ、０．が２〜１０重量鳴重置
部でを；大きなＣを有し、ｔａｎ Ｉ及びＰも優れてい
る磁器を得ることが出来る。−万、本発明の範囲外であ
る試料番号３５．４２．４９．５】、５３．６５．６８
．７４から明らかなように、ｐｂＯｌＢｉ、０１％Ｂ、
０．の比が上記の範囲外となれば所Ｗ Ｆ）％性を得る
ことが不可能になる。従って、塗布する絶縁化物質の好
ましい組成比ｔｚ 、ｐｂｏが３８〜５４重量鳴、重置
部０．が３７〜５８重量参、重置部２が２〜１０″ＴＬ
ＩＩｋ参である。 この実施例２に於ける本発明の範囲内の試料のＳ器に対
するｐｂｏ、Ｂｉ、ＵいＢ、０．の拡散量を求め九とこ
ろ、ＰｂＯは０．０７〜１．６５電量参、Ｈｉ＠ ０１
は０．２３〜２．５３１量鳴、Ｂ、０．は０．００２〜
０．１】重置部の範囲であった。 実＃１例 ３ 実Ｊ１１１Ｒ１２で示し九本発明の範囲内の組成比の絶
縁化物質の塗布量な半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）
ＦＣ対して、】重量噛ｔ】ｍｍｇｔ〜】５重置部（１５
ｍｍｇ ）の範囲で変化させ、また加熱温度ｔ１１５０
〜１３００℃、加熱時間を１〜４時間の範囲で質化さぜ
ることによって絶縁化物質ｔＩ）拡散量が異なる多くの
磁器を作製し、Ｃがｓ ｏ、ｏ ｏ ｏ以上、ｔＥＩが
】嗟以下、−が１．ＯＸ ］ ＯΩ−ｃｍ以上の半導体
磁器を得ることが可能な絶縁化物質の拡散量を求めたと
ころ、半導体磁器の重量（１００重量憾］に対してＰｂ
Ｏが０．０３〜２．７５電量参、Ｈｊ、０１が０．１１
〜４．２２電量参、Ｂ、０１が０．００３〜０．１８電
Ｉｌｉ畳であった。 以上、本発明の実施例について述べたが、本発ｆＩＡ目
これに限定されるものではなく、更に変形可ｔＩｅな％
ｇ）である。例えば、本発明の特徴を阻害しない範囲で
他の特性改善物質を付加しても差支えない。また、Ｐｂ
Ｏ％Ｂｉ、０．、Ｂ、０．の粉末にてペーストを作製せ
ずに、絶縁化の九めの拡散加熱でＰｂＯ１Ｈｉ、０．．
１３，０．に質換８ｎる例えば％Ｐｂ、ｏ、 ５ＰｂＦ
！、Ｐｂ （ＢＯ黛ｈ％ＢｉＦ１等の物質を磁器の一万
又１１両方の主面に塗布し′て、最終的に磁器の中に）
’ｂＵ ％Ｂｉ、ｏ１、Ｂ＊ Ｄｉ ’ｋ ４ａＨｔ！
ｆ テ％ ！ Ｖｓ。−ｆ７’ｊ、ＰｂＯ１Ｂ６０１
、Ｂｔｕｓ Ｋ ｆ換することが出来る物質の配合物を
作り、これｖｉＰＩＩえは】０００℃で焼成し、）’ｂ
Ｏ−Ｈ輸０．−８，０．の組成＠を作り、これを粉砕し
た粉末でペーストを作って塗布してもよい。また絶縁化
物質を蒸着又は浸漬等でａＩＩに付着させてもよめ、ま
九、最初のＩＩｊＬ料ｖＳｒＴｉ０ｇ、Ｔａ、０．、Ｃ
ｕＯ１Ｓｉｎ、、ｈｌ、ｏ、 ｓ ＰｂＯｓ Ｂｉ＊Ｏ
ａ、Ｂ１０．とせずに、これ等を得るための物質Ｖ原料
としてもよい。 Ｉ’ｌｌ ｔ ｋｔ ８ｒＴｉＯ，を炭酸ストロンチウ
ムと酸化チタンとから得るようにしてもよい。またゴム
ライニングボールに限らずに、別０．とＡＩ、Ｏ，とが
不純物とし℃混入する恐れのない他の容器を使用して主
成分と副成分との原料な混合するようにしてもよい。
第１図ｔ″ｘ％発明の実施例に係わる磁器コンデンーＶ
−七換式的に示す断面図、第２図は温度変化に対する比
誘電率の変化率を水丁特性函である。 尚図面に用いられている符号に於いて、ｔｉ＋ｔ’ｚ粒
子、１２１を１粒界層、１３田ａ器、１４＋ １５１を
１電極である。 代理人 高野則次 第２図 （０ム） 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 １日 特許庁長官 −６−和犬 殿 ｌ 事件の表示 昭和５６年 豐 奸 願第１９７３１！ｉ 号２、
発明の名称 コンデンサ用半導体−器及びその勇造方法
３ 補正をする者 事件との関係 山 −人 ４、代理人 ５ 補正命令の日付 自 脅 ６ 補正により増加する発明の数 ７、補正の対電 （１）明細書第１２ｆ４第ｉＩＩ囚の試料番号４のＣｕ
Ｏの欄ノ「ｔ、ｔｏ Ｊ ｔ−「ｏ、ｌｏ Ｊ Ｋ補正
Ｔル。 １２１ ＋細書＄１１９員第２表（２）の試料番号３
５のＢ輸０．の欄のｒ ａ６ Ｊｔ−［５６ＪＫ補正す
る。 （３）明細書第１９貴第２表（２）の試料番号３６のＢ
輸０．の―のｒ３５Ｊｔｒ５５Ｊに補正する。 （４） 明細書Ｉｇ１９１１１１Ｅ２表囚の試料番号
４３０Ｂ輸Ｏ虐の欄の「５６」を「５８」に補正する。 Φ１ 明細書第２０員第２表（６）の試料番号４７のＢ
輸０．の欄の「５６」を「５８」に補正する。
−七換式的に示す断面図、第２図は温度変化に対する比
誘電率の変化率を水丁特性函である。 尚図面に用いられている符号に於いて、ｔｉ＋ｔ’ｚ粒
子、１２１を１粒界層、１３田ａ器、１４＋ １５１を
１電極である。 代理人 高野則次 第２図 （０ム） 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月 １日 特許庁長官 −６−和犬 殿 ｌ 事件の表示 昭和５６年 豐 奸 願第１９７３１！ｉ 号２、
発明の名称 コンデンサ用半導体−器及びその勇造方法
３ 補正をする者 事件との関係 山 −人 ４、代理人 ５ 補正命令の日付 自 脅 ６ 補正により増加する発明の数 ７、補正の対電 （１）明細書第１２ｆ４第ｉＩＩ囚の試料番号４のＣｕ
Ｏの欄ノ「ｔ、ｔｏ Ｊ ｔ−「ｏ、ｌｏ Ｊ Ｋ補正
Ｔル。 １２１ ＋細書＄１１９員第２表（２）の試料番号３
５のＢ輸０．の欄のｒ ａ６ Ｊｔ−［５６ＪＫ補正す
る。 （３）明細書第１９貴第２表（２）の試料番号３６のＢ
輸０．の―のｒ３５Ｊｔｒ５５Ｊに補正する。 （４） 明細書Ｉｇ１９１１１１Ｅ２表囚の試料番号
４３０Ｂ輸Ｏ虐の欄の「５６」を「５８」に補正する。 Φ１ 明細書第２０員第２表（６）の試料番号４７のＢ
輸０．の欄の「５６」を「５８」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 … Ｓｒｌ’１０１９５−１８〜９９．６５ ｇ量部と
Ｔａ ＠ ０゜０．３３〜３．３２３１量参とＣｕＯＯ
，０２〜］ 、５０重量部とで１００東量鳴となる主成
分１００］［置部、別０ヨ０．０２〜０．３０１［置部
、 ＡＩ、０１０．０ ］ 〜０．０３ ］ｉ［置部、（但
し・前記ＳｊＯ＊ＩＦ）重量部及び前記Ａ１１０ｇの１
童部ｔ１％ＳｉＯ鵞の電量部／ Ａｌ、Ｏ，の電量部が
１．５．５．０となる範囲内である） を含有し、更に、前記主成分と前記Ｓｉｎ、と前記ＡＩ
、Ｕ、とｅＩ）合計ＩＩ［ｉｌｔに対シテ、０．０３〜
２．７５ ｌｌ１ｓのＰｂＯと、０．１１〜４．２２１
１量１ｋ Ｆ） Ｈｊ、０．と、０．００１〜０．１８
８重量部Ｂ、Ｏ，とを含有していることＶ％黴とする；
ンデンサ用牛導体ａＳ。 （２） ５ｒＴｉＯ１９５，１８〜９９．６５重量鳴ト
Ｔａ１Ｏ。 ０．３３〜３．３２重量部とＣｕ００．０２〜１．５０
３１量鳴とで１００東量鳴となる主成分１００重量部、
Ｓｌへ０．０２〜０．３０重量部、 Ａ１ｍ０ｎ０．０１〜０．０３重量部、（但し、前記８
１もの重量部及び前記ＡＩ、０．の重量ｇ１２、ｓｉｏ
、ｎ重量部／ Ａ１鵞Ｏｉ’）重量部が１．５〜５．０
となる範囲内である】 から成る半導体１ｉｉｉｓを作１１ｊること、前記半導
体磁器の少なくとも−１の主面に、ＰｂＯ又は加熱処理
によってＰｂＯになる物質と、ｔ３ｉ、Ｏ，又１１加熱
処理によってＢｌ、０．になる物質と、Ｂ、０．又は加
熱処理によってＢ、Ｏｓになる物質と【、ＰｂＯに換Ｘ
して３５〜５４］［ｊｉｌ、Ｂｉ、０１に換３１１”ｔ
ｌ：３７〜５８Ｎ［量鳴、Ｂ、０．に換算して２〜１０
重量参重量００ｊｌｔ唾となるような比で含む絶縁化物
質を、１００Ｎ童部の前記半導体磁器に対して１〜１５
電重都の割合で付着させ、しかる後加熱処理することに
よって前記半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ。 Ｂｉ、０．、及びＢ、０．を拡散させること、から成る
コンデンサ用半導体磁器の製造方法。 （３１前記半導体磁器に前記絶縁化物質を付着させるこ
とｔｌ、前記絶縁化物質を含むペーストを塗Ｎｊること
である％肝請求の範囲ＪＩＺ項記載のコンデンサ用半導
体磁器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197312A JPS5897819A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
| EP82108979A EP0076456B1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| DE8282108979T DE3274734D1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| US06/443,773 US4405472A (en) | 1981-12-08 | 1982-11-22 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56197312A JPS5897819A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897819A true JPS5897819A (ja) | 1983-06-10 |
| JPS6242363B2 JPS6242363B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=16372357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56197312A Granted JPS5897819A (ja) | 1981-10-01 | 1981-12-08 | コンデンサ用半導体磁器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4405472A (ja) |
| JP (1) | JPS5897819A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6434797B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-08-20 | Susan Sagman | Pacifier cord retracting device |
| KR102183423B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2020-11-26 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56197312A patent/JPS5897819A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,773 patent/US4405472A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4405472A (en) | 1983-09-20 |
| JPS6242363B2 (ja) | 1987-09-08 |
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