JPS58101415A - コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法Info
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- JPS58101415A JPS58101415A JP56200499A JP20049981A JPS58101415A JP S58101415 A JPS58101415 A JP S58101415A JP 56200499 A JP56200499 A JP 56200499A JP 20049981 A JP20049981 A JP 20049981A JP S58101415 A JPS58101415 A JP S58101415A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、粒界絶縁型の８ｒＴｉＯｓ系コンデンサ用半
導体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細には、見掛
けの比誘電率（−）が大きく、その比誘電率の温度変化
率（％）が小さく、しかも誘電体損失（−１％）が少な
い半導体磁器及びその製造方法に関する。
導体磁器及びその製造方法に関し、更に詳細には、見掛
けの比誘電率（−）が大きく、その比誘電率の温度変化
率（％）が小さく、しかも誘電体損失（−１％）が少な
い半導体磁器及びその製造方法に関する。
特公昭５５−２２９３３号公報に％８ｒＴｉＯｈＮｂ。
０１、ＺｎＯから成る半導体磁器の結晶粒界にＰｂＯ１
れている。この磁器組成物の見掛けの比−電率（Ｃ）は
５０，０００°〜６３，０００であり、この比誘電率の
温度特性は±１５％（−２５Ｃ〜＋８５Ｃ）以内であり
、誘電体損失ｔａｎＪは０．９以下であるので、比較的
特性の優れた磁器コンデンサを提供することが出来る。
れている。この磁器組成物の見掛けの比−電率（Ｃ）は
５０，０００°〜６３，０００であり、この比誘電率の
温度特性は±１５％（−２５Ｃ〜＋８５Ｃ）以内であり
、誘電体損失ｔａｎＪは０．９以下であるので、比較的
特性の優れた磁器コンデンサを提供することが出来る。
しかし、半導体磁器の結晶粒子の平均粒径は４０〜６０
μｍであり、これに対応した見掛けの比誘電率しか得ら
れない、このため、今日要求されている見掛けの比誘電
率の極めて高いＷＩｉ器組成物を提供することができな
い。
μｍであり、これに対応した見掛けの比誘電率しか得ら
れない、このため、今日要求されている見掛けの比誘電
率の極めて高いＷＩｉ器組成物を提供することができな
い。
そこで、本発明の目的は、見掛けの比誘電率（−）が極
めて高い８ ｒ Ｔ ｉ Ｏ，系コンデンす用半導体磁
器及びその製造方法を提供することにある。
めて高い８ ｒ Ｔ ｉ Ｏ，系コンデンす用半導体磁
器及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本願の第１番目の発明は、８
ｒＴｉＯ，９１，１８〜９９．８２重量％とＮ ｂ、０
゜０．１３〜５．３２重量％とＺｎ００．０５〜３．５
０重量％とで１００重量％となる主成分１００重量部、
８４０．０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０，０．０
１〜０．０３重量部、（但し、前記ＳｔＯ，の重量部及
び前記ＡＩ！０１の重量部は、８ｉ０宜の重量部／Ａｌ
、０口の重量部が１．５〜５．０となる範曲内である）
を含有し、更に、前記主成分と前記８ ｉ ０．と前記
ＡＩ。
ｒＴｉＯ，９１，１８〜９９．８２重量％とＮ ｂ、０
゜０．１３〜５．３２重量％とＺｎ００．０５〜３．５
０重量％とで１００重量％となる主成分１００重量部、
８４０．０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０，０．０
１〜０．０３重量部、（但し、前記ＳｔＯ，の重量部及
び前記ＡＩ！０１の重量部は、８ｉ０宜の重量部／Ａｌ
、０口の重量部が１．５〜５．０となる範曲内である）
を含有し、更に、前記主成分と前記８ ｉ ０．と前記
ＡＩ。
０、どの合計重責に対して０．０３〜２．９０重１％の
ＰｂＯと、０．１１〜４．２８重量％のＢｉ、０．と、
０．００１〜０．１８重量％のＢ、０．とを含有してい
ることを特徴とするコンデンサ用半導体磁器に係わるも
のである。
ＰｂＯと、０．１１〜４．２８重量％のＢｉ、０．と、
０．００１〜０．１８重量％のＢ、０．とを含有してい
ることを特徴とするコンデンサ用半導体磁器に係わるも
のである。
上記本発明によれば、見掛は比誘電率が約（資）、００
０以上、−一が１％以下、抵抗率が１．ＯＸ １０”Ω
・１以上のような良品基準を上回るコンデンす用半導体
磁器を得ることが出来る。
０以上、−一が１％以下、抵抗率が１．ＯＸ １０”Ω
・１以上のような良品基準を上回るコンデンす用半導体
磁器を得ることが出来る。
本願の第２査目の発明は、半導体磁器を製造する方法に
係わるものであり、第１番目の発明と同一の組成比で８
ｒＴ ｉＯ，、Ｎｂ、Ｏ＠ 、 ＺｎＯ，８１０，、
ＡＩ、０゜を含む円板又は円筒の半導体磁器を作製し、
しかる後、ＰｂＯ，Ｂｉ、０．及びＢ、０．又はこれ等
な得ることが出来る物質を含む絶縁化物質（拡散物質）
を半導体磁器の表面に付着させ、これを熱拡散するとと
によって半導体磁器の結晶粒界Ｋ ＰｂＯ％Ｂ輸０．、
及びＢｓｕｍを含有させることを＊＊とするものである
。この方法によれば、本発明で目的とする見掛けの比誘
電率の高い半導体磁器を容易に得ることが出来る。
係わるものであり、第１番目の発明と同一の組成比で８
ｒＴ ｉＯ，、Ｎｂ、Ｏ＠ 、 ＺｎＯ，８１０，、
ＡＩ、０゜を含む円板又は円筒の半導体磁器を作製し、
しかる後、ＰｂＯ，Ｂｉ、０．及びＢ、０．又はこれ等
な得ることが出来る物質を含む絶縁化物質（拡散物質）
を半導体磁器の表面に付着させ、これを熱拡散するとと
によって半導体磁器の結晶粒界Ｋ ＰｂＯ％Ｂ輸０．、
及びＢｓｕｍを含有させることを＊＊とするものである
。この方法によれば、本発明で目的とする見掛けの比誘
電率の高い半導体磁器を容易に得ることが出来る。
次に本発明の好ましい実施例について述べる。
実施例 １
工業用の８ｒＴＬＯ，（不純物トシテ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｍ
ｎ ％Ｃａ％Ｎａ、Ｋ等を含有）、Ｎｂ、Ｏ，、ＺｎＯ
，８１０゜及びＡ ｌｌＯｓをｇ１ｍｌＫ示す組成とな
るように配合し、これ等に不純物が混入することを防止
するためにゴムライニングボール使用のゴムライニング
オルで湿式混合をし、乾燥させた後、有機バインダとし
てポリビニルアルコールを加え、加圧成形層によりバイ
ンダを除去した後、９９ＸＮ、−ＩＸ鶴の弱還元性の雰
囲気中において、 １３５０〜１４５０Ｃ，２〜４時
間焼結し、大きさがそれぞれ直径約８■、厚さ約０．４
−の円板状半導体ａＳを作製した。なお、原料をゴムラ
イニングオルで混合したので、磁器製ボール等のメディ
アから不純物が混入することが阻止され、８１０．とＡ
Ｉ、０． との倉のコントロールを正確に行うことが
可能になった。
ｎ ％Ｃａ％Ｎａ、Ｋ等を含有）、Ｎｂ、Ｏ，、ＺｎＯ
，８１０゜及びＡ ｌｌＯｓをｇ１ｍｌＫ示す組成とな
るように配合し、これ等に不純物が混入することを防止
するためにゴムライニングボール使用のゴムライニング
オルで湿式混合をし、乾燥させた後、有機バインダとし
てポリビニルアルコールを加え、加圧成形層によりバイ
ンダを除去した後、９９ＸＮ、−ＩＸ鶴の弱還元性の雰
囲気中において、 １３５０〜１４５０Ｃ，２〜４時
間焼結し、大きさがそれぞれ直径約８■、厚さ約０．４
−の円板状半導体ａＳを作製した。なお、原料をゴムラ
イニングオルで混合したので、磁器製ボール等のメディ
アから不純物が混入することが阻止され、８１０．とＡ
Ｉ、０． との倉のコントロールを正確に行うことが
可能になった。
次ｙ、ｐｂｏ 粉末５０１ｉ１１％、Ｈ４，０，粉末４
５１量％、へＯ８粉末５重量％で１００重量％となるよ
うに配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチ
ルカルピトールを加えてペーストを作製し、これを前の
工程で作製した円板状半導体磁器の片主面にスクリーン
印刷で塗布した。なお、１００ｍｇの円板状半導体磁器
に対して絶縁化物質を１０ｍｇ （１０重量％）塗布し
た。
５１量％、へＯ８粉末５重量％で１００重量％となるよ
うに配合された絶縁化物質にニトロセルロース及びブチ
ルカルピトールを加えてペーストを作製し、これを前の
工程で作製した円板状半導体磁器の片主面にスクリーン
印刷で塗布した。なお、１００ｍｇの円板状半導体磁器
に対して絶縁化物質を１０ｍｇ （１０重量％）塗布し
た。
次に、絶縁化物質を塗布した半導体磁器を酸化雰囲気中
において１１５０〜１３００ｔ：’の範囲の一定温度で
２時間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ１Ｂ輸
Ｏ８、及びＢ、０．を拡散させ、粒界層の絶縁体化を図
った。これＫより、ｇ１図に模式的に示す半導体結晶粒
子＋１１と絶縁化された粒界層（２）とから成る半導体
Ｍｉｍ ＋３）が得られた。しかる後、この半導体ｍ
＠ １３＋の両主面に蒙ベースドを塗布し、焼付けると
とによって一対のコンデンサ電極＋４１ （５１を形成
し、半導体ｉｌｌ器コンデンサを完成させた。
において１１５０〜１３００ｔ：’の範囲の一定温度で
２時間加熱処理し、半導体磁器の粒界層にＰｂＯ１Ｂ輸
Ｏ８、及びＢ、０．を拡散させ、粒界層の絶縁体化を図
った。これＫより、ｇ１図に模式的に示す半導体結晶粒
子＋１１と絶縁化された粒界層（２）とから成る半導体
Ｍｉｍ ＋３）が得られた。しかる後、この半導体ｍ
＠ １３＋の両主面に蒙ベースドを塗布し、焼付けると
とによって一対のコンデンサ電極＋４１ （５１を形成
し、半導体ｉｌｌ器コンデンサを完成させた。
上述のような磁器コンデンサの製造に於いて、主成分、
８ｉ０ｈ及びＡＩ、０．は原料の組成比の状態で完成し
た磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてのＰｂＯ，Ｂ輸
０．及びに０．は塗布後の加熱処理の工程で全部拡散さ
れない、即ち拡散のための加熱処理時の蒸発等のために
％塗布した絶縁化物質の一部のみが磁器中に残存する。
８ｉ０ｈ及びＡＩ、０．は原料の組成比の状態で完成し
た磁器に含まれるが、絶縁化物質とじてのＰｂＯ，Ｂ輸
０．及びに０．は塗布後の加熱処理の工程で全部拡散さ
れない、即ち拡散のための加熱処理時の蒸発等のために
％塗布した絶縁化物質の一部のみが磁器中に残存する。
１００ｍｇのＭｎ器に対する絶縁化物質の拡散量（残存
量）は成分によッテ１４ｔｘｔ）、Ｐｂ０１ｔｔｌｆＪ
Ｏ，２７〜０．７９重１’Ｘ（０゜２７〜０．７９
ｍｇ）の範囲、Ｂｊ、０．は０，５１〜１．４８重１１
１Ｘ（０，５１〜１．４８ ｍｇ）の範囲、Ｂ、０．は
０，０１〜０．０４重ｆ％ （０，０１〜０．０４ ｆ
ｆｊｇ）Ｏ範囲である。
量）は成分によッテ１４ｔｘｔ）、Ｐｂ０１ｔｔｌｆＪ
Ｏ，２７〜０．７９重１’Ｘ（０゜２７〜０．７９
ｍｇ）の範囲、Ｂｊ、０．は０，５１〜１．４８重１１
１Ｘ（０，５１〜１．４８ ｍｇ）の範囲、Ｂ、０．は
０，０１〜０．０４重ｆ％ （０，０１〜０．０４ ｆ
ｆｊｇ）Ｏ範囲である。
このようにして得られた各試料について、見掛けの比誘
電率ε、誘電体損失−一、抵抗率ｐを測定したところ、
［１！！！に示す結果が得られた。尚、−とｍＪは１ｋ
Ｈｚで側足し、ρは直流５ｏｖを印加して１分間経過し
た後に測定した。また第１表に於いて、主成分）８ｒＴ
ｉＯ，とＮｂ、０．とＺｎＯとの重量％の総和が１００
重量％である。また刷成分の８ｉＵ、とＡ１＊Ｏｓとは
、主成分１００重量部に対する重量部で示されている。
電率ε、誘電体損失−一、抵抗率ｐを測定したところ、
［１！！！に示す結果が得られた。尚、−とｍＪは１ｋ
Ｈｚで側足し、ρは直流５ｏｖを印加して１分間経過し
た後に測定した。また第１表に於いて、主成分）８ｒＴ
ｉＯ，とＮｂ、０．とＺｎＯとの重量％の総和が１００
重量％である。また刷成分の８ｉＵ、とＡ１＊Ｏｓとは
、主成分１００重量部に対する重量部で示されている。
また、電気的特性は同一試料３０個の平均値で示されて
いる。
いる。
第１表から明らかなよ５に、主成分の組成比が８ｒＴｉ
Ｏ，９１，１８〜９９．８２重量％、Ｎｂ、０．０．１
３〜５．３２重量％、Ｚｎ００．０５〜３．５０重量％
の＃！囲にあり、且つ１００重量部の主成分に対して８
ｉ０．が０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０．が０．
０１〜０．０３重量部（但し、８ム０ヨ／Ａ １．Ｏｓ
の重量比は１．５〜５．０）の範囲にある試料番号８〜
１１．１３〜１６．１８．２０〜２２．２５〜２７．２
９．３０、の磁器によれば、結晶の平均粒径が６０〜１
２０μ、１が８４，０００〜１３３．０００、−一が０
．５〜０．７％、ｐがｌＸｌ０”０６３以上となり、前
述した良品基準を上回るコンデンサを得ることが出来る
。
Ｏ，９１，１８〜９９．８２重量％、Ｎｂ、０．０．１
３〜５．３２重量％、Ｚｎ００．０５〜３．５０重量％
の＃！囲にあり、且つ１００重量部の主成分に対して８
ｉ０．が０．０２〜０．１０重量部、ＡＩ、０．が０．
０１〜０．０３重量部（但し、８ム０ヨ／Ａ １．Ｏｓ
の重量比は１．５〜５．０）の範囲にある試料番号８〜
１１．１３〜１６．１８．２０〜２２．２５〜２７．２
９．３０、の磁器によれば、結晶の平均粒径が６０〜１
２０μ、１が８４，０００〜１３３．０００、−一が０
．５〜０．７％、ｐがｌＸｌ０”０６３以上となり、前
述した良品基準を上回るコンデンサを得ることが出来る
。
一方、本発明の範ｄ外である試料番号１〜７．１２．１
７％１９．２３．２４．２８，３１〜３４の磁器から明
らかなように、 ＳｉＯ，／Ａｌ、０．の重量比が１．
５未満範囲では８００００以上の−を得ることが出来ず
、また上記比が５を越えた範囲では、−一が０゜１％以
上となるか又はｔが１．ＯＸ １０”Ω・１以下と悪く
なる。また、８１０．が１００重量部の主成分に対して
０．０２重量部未満であるとＣを５ｏｏｏｏ以上にする
ことが出来ず、またこれが０．１重量部な越すと、大き
なＣが得られなくなる。
７％１９．２３．２４．２８，３１〜３４の磁器から明
らかなように、 ＳｉＯ，／Ａｌ、０．の重量比が１．
５未満範囲では８００００以上の−を得ることが出来ず
、また上記比が５を越えた範囲では、−一が０゜１％以
上となるか又はｔが１．ＯＸ １０”Ω・１以下と悪く
なる。また、８１０．が１００重量部の主成分に対して
０．０２重量部未満であるとＣを５ｏｏｏｏ以上にする
ことが出来ず、またこれが０．１重量部な越すと、大き
なＣが得られなくなる。
またＡＩ、０．が０．０１重量部未満であると、５ｏｏ
ｏ。
ｏ。
以上のｅを得ることが不可能になり、これ力＜’０．０
３重量部を越えると、ｅが５ｏｏｏｏ以下になる。従っ
て、ＳｊＯ，及びＡＩ、０．の好ましい範囲は、８！０
゜／Ａｔ、偽の重量比が１．５〜Ｉｓであると共に、１
９１０゜が０．０２〜０．１重量部、ＡＩ、０．が０．
０１〜０．０３重量部の範囲である。
３重量部を越えると、ｅが５ｏｏｏｏ以下になる。従っ
て、ＳｊＯ，及びＡＩ、０．の好ましい範囲は、８！０
゜／Ａｔ、偽の重量比が１．５〜Ｉｓであると共に、１
９１０゜が０．０２〜０．１重量部、ＡＩ、０．が０．
０１〜０．０３重量部の範囲である。
第１表に於いて本発明の範囲に入る試料の見掛けの比誘
電率ｅの温度特性を測定したところ、総ての試料の見掛
けの比誘電率Ｃの温度変化率は第２図の斜線領域に含ま
れた。即ち、２０Ｃの比誘電率を基準にして、−２５Ｃ
〜＋８５Ｃの範囲での比誘電率は±１５％以内であった
。
電率ｅの温度特性を測定したところ、総ての試料の見掛
けの比誘電率Ｃの温度変化率は第２図の斜線領域に含ま
れた。即ち、２０Ｃの比誘電率を基準にして、−２５Ｃ
〜＋８５Ｃの範囲での比誘電率は±１５％以内であった
。
実施例 ２
実施例１に於ける絶縁化物質（拡散物質）としてのＰｂ
Ｏ１Ｂ輸０１、及びＢ、０．の比率のみを第２表に示す
ように変化させ、製造方法は実施例１と同一として半導
体磁器コンデンサを作製し、電気的特性を測定したとこ
ろ、９２表に示す結果が得られた。なお、第２表に於け
る磁器の欄には絶縁化物質を塗布する半導体磁器を示す
、また絶縁化物質４１ 感ｉ （１００ｍｇ）Ｋ対して
１０重量％ （１０ｍｇ） ＩＩ！［布した。
Ｏ１Ｂ輸０１、及びＢ、０．の比率のみを第２表に示す
ように変化させ、製造方法は実施例１と同一として半導
体磁器コンデンサを作製し、電気的特性を測定したとこ
ろ、９２表に示す結果が得られた。なお、第２表に於け
る磁器の欄には絶縁化物質を塗布する半導体磁器を示す
、また絶縁化物質４１ 感ｉ （１００ｍｇ）Ｋ対して
１０重量％ （１０ｍｇ） ＩＩ！［布した。
この第２表の試料番号３５〜３６．３８〜４１．４３〜
４５．４７〜４９．５２〜５６．５９．６０．６２〜６
４．６６−６８から明らかなように、ＰｂＯが３０〜６
１重量％、Ｂ輸０．が３５〜６０重量％ｓ ＢＩＯｍが
２〜１０重量％の範囲では大きなｅを有し、−一及びｐ
も優れている磁器を得ることが出来る。一方１本発明の
範囲外である試料番号３７．４２．４６．５０．５１，
５７．５８．６１．６５、から明らかなように、ＰｂＯ
１Ｂｉ、０． 、 Ｂ！０．の比が上記の範囲外となれ
ば所望の特性を得ることが不可能になる。従って、塗布
すゐ絶縁化智質の好ましい組成比は、ｐｂｏが３０〜６
１重量％、Ｈｔ、ｏ。
４５．４７〜４９．５２〜５６．５９．６０．６２〜６
４．６６−６８から明らかなように、ＰｂＯが３０〜６
１重量％、Ｂ輸０．が３５〜６０重量％ｓ ＢＩＯｍが
２〜１０重量％の範囲では大きなｅを有し、−一及びｐ
も優れている磁器を得ることが出来る。一方１本発明の
範囲外である試料番号３７．４２．４６．５０．５１，
５７．５８．６１．６５、から明らかなように、ＰｂＯ
１Ｂｉ、０． 、 Ｂ！０．の比が上記の範囲外となれ
ば所望の特性を得ることが不可能になる。従って、塗布
すゐ絶縁化智質の好ましい組成比は、ｐｂｏが３０〜６
１重量％、Ｈｔ、ｏ。
が３５〜６０重量％、Ｂ、Ｏ，が２〜１０重量％である
。
。
この実施例２に於ける本発明の範囲内の試料の磁器に対
するＰｂＯ，Ｂ輸Ｏ１、及びＢ、０．０拡散量を求めた
ところ、ｐｂｏは０．０６〜１．４５重量％、Ｂ輸Ｏ１
は０．２３〜２．１４重量％、Ｂ１０．は０，００２〜
０．０９重量％の範囲であった。
するＰｂＯ，Ｂ輸Ｏ１、及びＢ、０．０拡散量を求めた
ところ、ｐｂｏは０．０６〜１．４５重量％、Ｂ輸Ｏ１
は０．２３〜２．１４重量％、Ｂ１０．は０，００２〜
０．０９重量％の範囲であった。
実施例３
実施例２で示した本発明の範囲内の組成比の絶縁化物質
の塗布量を半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）に対して
１重量％（１ｍｍｇ） 〜１５重量％ （１５ｍｍｇ）
の範囲で変イヒさせ、また加熱温度を１１５０〜１３０
０ｔｌｌ’、加熱時開な１〜４時間の範囲で変化させる
ととｋよって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁器を
作製し、Ｃがｓｏ、ｏｏｏ以上、−一が１％以下、−が
１．ＯＸ １０”Ω・１以上の半導体磁器を得ることが
可能な絶縁化物質の拡散量を求めたところ、半導体磁器
の重量（１００重量重量Ｋ対してｉ’ｂｏが０．０３〜
２．９０重蓋％、Ｂ輸０．が０．１１〜４．２８重量％
、Ｂ、０．が０，００１〜０．１８重量％であった。
の塗布量を半導体磁器（重量約１００ｍｍｇ）に対して
１重量％（１ｍｍｇ） 〜１５重量％ （１５ｍｍｇ）
の範囲で変イヒさせ、また加熱温度を１１５０〜１３０
０ｔｌｌ’、加熱時開な１〜４時間の範囲で変化させる
ととｋよって絶縁化物質の拡散量が異なる多数の磁器を
作製し、Ｃがｓｏ、ｏｏｏ以上、−一が１％以下、−が
１．ＯＸ １０”Ω・１以上の半導体磁器を得ることが
可能な絶縁化物質の拡散量を求めたところ、半導体磁器
の重量（１００重量重量Ｋ対してｉ’ｂｏが０．０３〜
２．９０重蓋％、Ｂ輸０．が０．１１〜４．２８重量％
、Ｂ、０．が０，００１〜０．１８重量％であった。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものではな（、更に変形可能なものである
０例えば、本発明の特徴を阻害しない範囲で他の特性改
善物質を付加しても差支えない、また、ＰｂＯ１Ｂ１ヨ
０□、 Ｂ、０．の粉末にてペーストを作製せずに、絶
縁化のための拡散加熱でＰｂＯ，Ｂ輸Ｏ，、八〇、 Ｋ
変換される例えば、ｐｂ、ｏ４、ＰｂＦ、、 Ｐｂ（Ｂ
Ｏｍ）ｍ、ＢｊＦ、等ノ物質４ｔａｓｏ一方又は両方の
主面に塗布して、最終的に磁器の中ＫＰｂＯ１Ｂｉ、０
． 、 Ｈ，０，を偏在させてもよい、また、ＰｂＯ１
Ｂ輸０．、 Ｂ、０．に変換することが出来る物質の配
合物を作り、これを例えばｔｏｏｏｃで焼成し、ＰｂＯ
−Ｂ輸ｏｓ −Ｂ１０８の組成物を作り、これな粉砕し
た粉末でペーストを作って塗布してもよい。
に限定されるものではな（、更に変形可能なものである
０例えば、本発明の特徴を阻害しない範囲で他の特性改
善物質を付加しても差支えない、また、ＰｂＯ１Ｂ１ヨ
０□、 Ｂ、０．の粉末にてペーストを作製せずに、絶
縁化のための拡散加熱でＰｂＯ，Ｂ輸Ｏ，、八〇、 Ｋ
変換される例えば、ｐｂ、ｏ４、ＰｂＦ、、 Ｐｂ（Ｂ
Ｏｍ）ｍ、ＢｊＦ、等ノ物質４ｔａｓｏ一方又は両方の
主面に塗布して、最終的に磁器の中ＫＰｂＯ１Ｂｉ、０
． 、 Ｈ，０，を偏在させてもよい、また、ＰｂＯ１
Ｂ輸０．、 Ｂ、０．に変換することが出来る物質の配
合物を作り、これを例えばｔｏｏｏｃで焼成し、ＰｂＯ
−Ｂ輸ｏｓ −Ｂ１０８の組成物を作り、これな粉砕し
た粉末でペーストを作って塗布してもよい。
また絶縁物質を蒸着又は浸漬等でｍ器に付層させてもよ
い、また、最初の原料を８ｒＴｉＵ、、 Ｎｂ、０．。
い、また、最初の原料を８ｒＴｉＵ、、 Ｎｂ、０．。
ＺｎＯ，８ｉ０１、ＡＩ、Ｏ，とせずに、これ等を得る
ための物質を原料としてもよい。例えば８ｒＴｉＯ，を
炭酸ストロンチウムと酸化チタンとから得るようにして
もよい、またゴムライニングボールに＠らずに、ＳｔＯ
，とｉｔ、ｏ、とが不純物として混入する恐れのない他
の容器を使用して主成分と幅成分との原料を混合するよ
うにしてもよい。
ための物質を原料としてもよい。例えば８ｒＴｉＯ，を
炭酸ストロンチウムと酸化チタンとから得るようにして
もよい、またゴムライニングボールに＠らずに、ＳｔＯ
，とｉｔ、ｏ、とが不純物として混入する恐れのない他
の容器を使用して主成分と幅成分との原料を混合するよ
うにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係わるｆｆｌ器コンデンサを
模式的に示す断面図、第２図は温度変化に対する比誘１
１μＦ艷す特性図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、＋１１は粒子、
（２１は粒界層、（３）は磁器、（４１（５１は電極で
ある。 代理人 高野則次 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月１日 特許庁最盲 ｔｒ杉和貴 殿 １、事件の表示 昭和ｓ６ 年特 奸 願第２００４９１１号２．１１
＠の１称 ：Ｉｙデン紫用”Ｐ４体ａＳ及びその製造方
法３ 補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ｉｌ＋ 明細書第１６員第３行〜第４行の「０．１」
を１’−１，ＯＪに補正する。 １２＋ ＃４細書第１８員第２表囚の試料番号３９の
Ｂゑ、０．の禰のｒ５６Ｊｔ−ｒ５８Ｊに補正する。 （３） 明細１１１第２０員第２表Ωの試料書号６１
のＰｂＯの欄の「３３」を「３８」に補正する。
模式的に示す断面図、第２図は温度変化に対する比誘１
１μＦ艷す特性図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、＋１１は粒子、
（２１は粒界層、（３）は磁器、（４１（５１は電極で
ある。 代理人 高野則次 手続補正書（自発） 昭和５７年１１月１日 特許庁最盲 ｔｒ杉和貴 殿 １、事件の表示 昭和ｓ６ 年特 奸 願第２００４９１１号２．１１
＠の１称 ：Ｉｙデン紫用”Ｐ４体ａＳ及びその製造方
法３ 補正をする者 事件との関係 出願人 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 自 発 ６、 補正により増加する発明の数 ｉｌ＋ 明細書第１６員第３行〜第４行の「０．１」
を１’−１，ＯＪに補正する。 １２＋ ＃４細書第１８員第２表囚の試料番号３９の
Ｂゑ、０．の禰のｒ５６Ｊｔ−ｒ５８Ｊに補正する。 （３） 明細１１１第２０員第２表Ωの試料書号６１
のＰｂＯの欄の「３３」を「３８」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ ８ｒＴ１０．９１．１８〜９９．８２重量％
とＮｂ、０゜０．１３〜５．３２重量％ トＺｎ００，
０５〜３．５０重量％とで１００重量％となる主成分１
００重量部、８４０、 ０．０２〜０．１０ ｌｉｔ部
、ＡＩ、０． ０．０１〜０．０３重量部、（但し、前
記８１０．の重量部及び前記ＡＩ占の重量ｓは、Ｓ’Ｏ
ｓ ｆ）１１’１ｋｌｌＡ／ Ａ１ｍ０ａＣＤ１１１
ｍカ１．５〜５．０となるＳ回内である） を含有し、更に、前記生成分と前記８１０．と前記Ａｔ
、ｏ、との合計重量に対して０．０３〜２．９０重量％
ノ）’ｂＯト、０．１１〜４．２８重量％のＢｉ、０．
と、０．００１ＮＯ，１８重量％の４０１とを含有して
いることを％拳とするコンデンサ用半導体磁器。 （２１８ｒＴｉＯ，９１，１８〜９９．８２重量％とＮ
ｂ、 ０゜０．１３〜５．３２ ｊｉｉ１％とＺｎ０
０．０５〜３．５０重量％とで１００重量％となる主成
分１００重量部、８ｉ０． ０．０２〜０．１０重量部
、Ａｔ、０．０．０１〜０．０３重量部、（但し、＊記
ＳｔＯ，の重量部及び前記ＡＩ、０．の重量部は、Ｓｔ
Ｏ，の重量部／Ａｔ、０．の重量部が１．５〜５．０と
なる範囲内である） から成る半導体磁器な作製すること、 前記半導体１器の少なくとも一方の主面に、ＰｂＯ又は
加熱処理によって）’ｂＯＫなる物質ＩＢ輸０．又は加
熱処ｊｌｃよってＢｉ、０．になる物質とｓＢｌ’ｌ又
は加熱処理によってＢ、Ｏ，Ｋなｔ物質とを、ｐｂｏに
換算して３０〜６１重量％、Ｂｉ、０．に換算して３５
〜６０重量％、Ｂ、０．に換算して２〜ｌＯ重量％で１
００電童％となるような比で含む絶縁化物質Ｑ、１００
重量部の前記半導体磁器に対して１〜１５重量部の割合
で付着させ、しかる後加熱処理するととＫよって前記半
導体ａｌ器の結晶粒界にＰｂＯ１Ｂ輸０８、及びＢｔ（
ｈを拡散させること、 から成るコンデンを用半導体磁器の製造方法。 （３）前記半導体磁器に前記絶縁化物質を付着させるこ
とは、前記絶縁化物質を含むペーストを塗布することで
ある特許請求の範囲第２項記載のコンデンサ用半導体磁
器の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200499A JPS58101415A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法 |
| EP82108979A EP0076456B1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| DE8282108979T DE3274734D1 (en) | 1981-10-01 | 1982-09-28 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
| US06/443,776 US4405475A (en) | 1981-12-11 | 1982-11-22 | Dielectric ceramic materials with insulated boundaries between crystal grains, and process for preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56200499A JPS58101415A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101415A true JPS58101415A (ja) | 1983-06-16 |
| JPS6312374B2 JPS6312374B2 (ja) | 1988-03-18 |
Family
ID=16425332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56200499A Granted JPS58101415A (ja) | 1981-10-01 | 1981-12-11 | コンデンサ用半導体磁器及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4405475A (ja) |
| JP (1) | JPS58101415A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933668A (en) * | 1973-07-16 | 1976-01-20 | Sony Corporation | Intergranular insulation type polycrystalline ceramic semiconductive composition |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56200499A patent/JPS58101415A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-22 US US06/443,776 patent/US4405475A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6312374B2 (ja) | 1988-03-18 |
| US4405475A (en) | 1983-09-20 |
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