JP3469911B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP3469911B2 JP3469911B2 JP29317192A JP29317192A JP3469911B2 JP 3469911 B2 JP3469911 B2 JP 3469911B2 JP 29317192 A JP29317192 A JP 29317192A JP 29317192 A JP29317192 A JP 29317192A JP 3469911 B2 JP3469911 B2 JP 3469911B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チタン酸バリウムを主
成分とする誘電体磁器組成物に関し、詳細には、積層型
磁器コンデンサに適し、高温での寿命性能に優れた誘電
体磁器組成物に関する。
成分とする誘電体磁器組成物に関し、詳細には、積層型
磁器コンデンサに適し、高温での寿命性能に優れた誘電
体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から、ＢａＴｉＯ3 は高誘電率を有す
る材料として知られており、コンデンサ材料として多用
されている。しかしながら、ＢａＴｉＯ3 は、それ自体
では比誘電率の温度依存性が大きいことや誘電損失が大
きいために実用的でないことから、ＢａＴｉＯ3 以外に
各種の金属酸化物を添加することにより特性の改善が行
われている。
る材料として知られており、コンデンサ材料として多用
されている。しかしながら、ＢａＴｉＯ3 は、それ自体
では比誘電率の温度依存性が大きいことや誘電損失が大
きいために実用的でないことから、ＢａＴｉＯ3 以外に
各種の金属酸化物を添加することにより特性の改善が行
われている。
【０００３】具体的には、特開平３−２８５２０９号に
記載されるように、ＢａＴｉＯ3 に対してＴａ2Ｏ5、Ｚ
ｎＯおよびＣａＺｒＯ3 を適量添加することにより誘電
損失を小さくでき、さらにＭｎＯの添加により誘電損失
がさらに改善されることが記載されている。
記載されるように、ＢａＴｉＯ3 に対してＴａ2Ｏ5、Ｚ
ｎＯおよびＣａＺｒＯ3 を適量添加することにより誘電
損失を小さくでき、さらにＭｎＯの添加により誘電損失
がさらに改善されることが記載されている。
【０００４】一方、積層型磁器コンデンサは、その小型
化が進むにつれて、誘電体層の厚みが小さくなる傾向に
あるが、誘電体層の厚みが小さくなると、電界の影響を
大きく受けるので誘電損失が増大する傾向にある。その
ために積層型磁器コンデンサに使用する誘電体材料は、
さらに誘電損失が小さいことが要求され、昨今、誘電体
層が数μｍにまでなると誘電体材料の誘電損失（ｔａｎ
δ）は、０．６％以下であることが必要とされる。ま
た、最近では、特性の経時的劣化の小さいことも望まれ
ている。
化が進むにつれて、誘電体層の厚みが小さくなる傾向に
あるが、誘電体層の厚みが小さくなると、電界の影響を
大きく受けるので誘電損失が増大する傾向にある。その
ために積層型磁器コンデンサに使用する誘電体材料は、
さらに誘電損失が小さいことが要求され、昨今、誘電体
層が数μｍにまでなると誘電体材料の誘電損失（ｔａｎ
δ）は、０．６％以下であることが必要とされる。ま
た、最近では、特性の経時的劣化の小さいことも望まれ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
先行技術に記載される誘電体磁器組成物によれば、その
ほとんどが、誘電損失が０．６％を越えるものでありこ
の目的には合わない。一部に０．６％以下の組成物も記
載されているが、いずれも比誘電率が３０００以下と小
さいためにコンデンサの小型化に限界がある。
先行技術に記載される誘電体磁器組成物によれば、その
ほとんどが、誘電損失が０．６％を越えるものでありこ
の目的には合わない。一部に０．６％以下の組成物も記
載されているが、いずれも比誘電率が３０００以下と小
さいためにコンデンサの小型化に限界がある。
【０００６】上記先行技術に代表されるようにＢａＴｉ
Ｏ3 を主成分とする従来の誘電体磁器組成物では、誘電
損失が大きく、小型化に適用することができず、ある程
度の誘電損失の低減ができても比誘電率が小さくなると
いう問題があった。また、コンデンサの長寿命化につい
て十分検討されていないのが現状であった。
Ｏ3 を主成分とする従来の誘電体磁器組成物では、誘電
損失が大きく、小型化に適用することができず、ある程
度の誘電損失の低減ができても比誘電率が小さくなると
いう問題があった。また、コンデンサの長寿命化につい
て十分検討されていないのが現状であった。
【０００７】よって、本発明の目的は、高い比誘電率を
有しつつ誘電損失の小さい誘電体磁器組成物を提供する
にある。
有しつつ誘電損失の小さい誘電体磁器組成物を提供する
にある。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記の
目的に対して検討を重ねた結果、誘電体磁器組成物の主
成分であるＢａＴｉＯ3 のＢａ、Ｔｉが化学量論組成よ
りもＢａを多く含むことにより誘電損失を大きく低減で
き、しかも高温領域での比誘電率の変化を小さく制御で
きるために他の添加物の添加量を小さくし、比誘電率を
大きくできることさらに、組成物中のＳｉ量が高温での
寿命特性に大きく影響を及ぼすことを知見し、本発明に
至った。
目的に対して検討を重ねた結果、誘電体磁器組成物の主
成分であるＢａＴｉＯ3 のＢａ、Ｔｉが化学量論組成よ
りもＢａを多く含むことにより誘電損失を大きく低減で
き、しかも高温領域での比誘電率の変化を小さく制御で
きるために他の添加物の添加量を小さくし、比誘電率を
大きくできることさらに、組成物中のＳｉ量が高温での
寿命特性に大きく影響を及ぼすことを知見し、本発明に
至った。
【０００９】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
成分として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｍ及びＺｎ
を含む複合酸化物からなり、各金属成分の酸化物による
モル比の組成式をａＢａ1+X ＴｉＯ3 ・ｂＴａ2 Ｏ5 ・
ｃＳｍ2 Ｏ3 ・ｄＺｎＯと表した時、ａ、ｂ、ｃ、ｄお
よびｘ値が０．９７０５≦ａ≦０．９８５０、０．０１
００＜ｂ≦０．０１２０、０．０００８≦ｃ≦０．００
２５、０．００５０≦ｄ≦０．０１５０、０．００６≦
ｘ≦０．０１８０およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足する
ことを特徴とするものである。
成分として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｍ及びＺｎ
を含む複合酸化物からなり、各金属成分の酸化物による
モル比の組成式をａＢａ1+X ＴｉＯ3 ・ｂＴａ2 Ｏ5 ・
ｃＳｍ2 Ｏ3 ・ｄＺｎＯと表した時、ａ、ｂ、ｃ、ｄお
よびｘ値が０．９７０５≦ａ≦０．９８５０、０．０１
００＜ｂ≦０．０１２０、０．０００８≦ｃ≦０．００
２５、０．００５０≦ｄ≦０．０１５０、０．００６≦
ｘ≦０．０１８０およびａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足する
ことを特徴とするものである。
【００１０】本発明において、Ｂａ1+X ＴｉＯ3 におけ
るｘ値を上記範囲に限定したのは、ｘ値が０．００６よ
り小さいと磁器の誘電損失が大きくなるとともに、温度
特性が劣化し、０．０１８を越えると磁器密度が小さく
なるからである。
るｘ値を上記範囲に限定したのは、ｘ値が０．００６よ
り小さいと磁器の誘電損失が大きくなるとともに、温度
特性が劣化し、０．０１８を越えると磁器密度が小さく
なるからである。
【００１１】また、ａ、ｂ、ｃおよびｄの各値を上記の
範囲に限定したのは、ａ値が０．９７０５より小さいと
誘電損失が大きくなるとともに温度特性が劣化し、０．
９８５０より大きいと半導体化が生じるためである。ま
た、ｂ値が０．０１００より小さいと絶縁抵抗が極めて
小さく、コンデンサの機能を有しなくなり、０．０１２
０より大きいと比誘電率が小さくなるからである。さら
に、ｃ値が０．００２５より大きいと温度特性が劣化す
るためである。ｄ値が０．００５０より小さいと誘電損
失が大きいとともに温度特性が劣化し、０．０１５０よ
り大きいと誘電損失が大きくなる。
範囲に限定したのは、ａ値が０．９７０５より小さいと
誘電損失が大きくなるとともに温度特性が劣化し、０．
９８５０より大きいと半導体化が生じるためである。ま
た、ｂ値が０．０１００より小さいと絶縁抵抗が極めて
小さく、コンデンサの機能を有しなくなり、０．０１２
０より大きいと比誘電率が小さくなるからである。さら
に、ｃ値が０．００２５より大きいと温度特性が劣化す
るためである。ｄ値が０．００５０より小さいと誘電損
失が大きいとともに温度特性が劣化し、０．０１５０よ
り大きいと誘電損失が大きくなる。
【００１２】ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘの各値のより望ま
しい範囲は、０．９７２５≦ａ≦０．９８３２、０．０
１１０≦ｂ≦０．０１２５、０．０００８≦ｃ≦０．０
０２５、０．００７５≦ｄ≦０．０１２５、０．００６
≦ｘ≦０．０１８である。
しい範囲は、０．９７２５≦ａ≦０．９８３２、０．０
１１０≦ｂ≦０．０１２５、０．０００８≦ｃ≦０．０
０２５、０．００７５≦ｄ≦０．０１２５、０．００６
≦ｘ≦０．０１８である。
【００１３】また、本発明によれば、上述の誘電体磁器
組成物中のＳｉの酸化物重量換算で２０ｐｐｍ以下であ
ることが望ましい。これは、Ｓｉ量が、２０ｐｐｍを越
えると高温高電界下で絶縁抵抗が低下する傾向にあるた
めである。
組成物中のＳｉの酸化物重量換算で２０ｐｐｍ以下であ
ることが望ましい。これは、Ｓｉ量が、２０ｐｐｍを越
えると高温高電界下で絶縁抵抗が低下する傾向にあるた
めである。
【００１４】さらに、本発明によれば、上述の誘電体磁
器組成物中にＭｎを実質的に含有しないことが望まし
く、不可避不純物としての混入することを考慮した場
合、酸化物重量換算で３００ｐｐｍ以下であることが望
ましい。Ｍｎは通常、ＭｎＯとしてＢａＴｉＯ3 に添加
することにより誘電損失を低下させたりする効果を有す
るとして多用されるが、本発明によれば、Ｍｎ無添加で
誘電損失を十分に低くすることができる。このような本
発明の系によれば、Ｍｎの存在は磁器の寿命性能を劣化
させる要因となることが判明した。即ち、Ｍｎ量を上記
の範囲に限定したのは、Ｍｎ量が酸化物重量換算量で３
００ｐｐｍを越えると、高温高電界を付与した状態で曝
されると絶縁抵抗が大きく劣化するためである。
器組成物中にＭｎを実質的に含有しないことが望まし
く、不可避不純物としての混入することを考慮した場
合、酸化物重量換算で３００ｐｐｍ以下であることが望
ましい。Ｍｎは通常、ＭｎＯとしてＢａＴｉＯ3 に添加
することにより誘電損失を低下させたりする効果を有す
るとして多用されるが、本発明によれば、Ｍｎ無添加で
誘電損失を十分に低くすることができる。このような本
発明の系によれば、Ｍｎの存在は磁器の寿命性能を劣化
させる要因となることが判明した。即ち、Ｍｎ量を上記
の範囲に限定したのは、Ｍｎ量が酸化物重量換算量で３
００ｐｐｍを越えると、高温高電界を付与した状態で曝
されると絶縁抵抗が大きく劣化するためである。
【００１５】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂａ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｓｍ、Ｚｎの各金属元素の酸化物、あるいは
ＢａＯとＴｉＯ2 とを混合後、仮焼粉砕した複合酸化物
粉末などを用いて、組成物の組成が前述した範囲になる
ように秤量混合した粉末を、あるいは９６０〜１０８０
℃の酸化性雰囲気中で仮焼後粉砕した粉末を所望の成形
手段、例えば、ドクターブレード法、金型プレスなどの
方法により成形する。積層型磁器コンデンサを作成する
場合にはシート状に成形すればよい。
ｉ、Ｔａ、Ｓｍ、Ｚｎの各金属元素の酸化物、あるいは
ＢａＯとＴｉＯ2 とを混合後、仮焼粉砕した複合酸化物
粉末などを用いて、組成物の組成が前述した範囲になる
ように秤量混合した粉末を、あるいは９６０〜１０８０
℃の酸化性雰囲気中で仮焼後粉砕した粉末を所望の成形
手段、例えば、ドクターブレード法、金型プレスなどの
方法により成形する。積層型磁器コンデンサを作成する
場合にはシート状に成形すればよい。
【００１６】かかる成形体は１３００〜１３７０℃の酸
化性雰囲気中で焼成することにより磁器を作製すること
ができるが、積層型磁器コンデンサを作製する場合に
は、例えば、シート状成形体の表面にＰｄなどの内部電
極形成用のペーストを塗布し、積層した後に焼成すれば
よい。
化性雰囲気中で焼成することにより磁器を作製すること
ができるが、積層型磁器コンデンサを作製する場合に
は、例えば、シート状成形体の表面にＰｄなどの内部電
極形成用のペーストを塗布し、積層した後に焼成すれば
よい。
【００１７】また、本発明によれば、組成物中のＳｉ量
を低減することが重要であるが、Ｓｉは、主としてチタ
ン酸バリウム中の不純物や混合、粉砕時のメディアから
混入する場合があるために、最終磁器中のＳｉの合量が
２０ｐｐｍを越えないように高純度の原料粉末を用いる
ことおよび製造工程から混入しないようにすることが必
要である。
を低減することが重要であるが、Ｓｉは、主としてチタ
ン酸バリウム中の不純物や混合、粉砕時のメディアから
混入する場合があるために、最終磁器中のＳｉの合量が
２０ｐｐｍを越えないように高純度の原料粉末を用いる
ことおよび製造工程から混入しないようにすることが必
要である。
【００１８】
【作用】本発明によれば、チタン酸バリウムとしてＢａ
の量の化学量論組成よりも多く存在させることにより、
磁器全体の誘電損失を大幅に減少させることができる。
の量の化学量論組成よりも多く存在させることにより、
磁器全体の誘電損失を大幅に減少させることができる。
【００１９】また、チタン酸バリウムの上記の改良によ
り、磁器の誘電損失を低下させるために添加するＴａ2
Ｏ5 の量を少なくすることができ、高い比誘電率を有す
ることになるまた、従来からチタン酸バリウム系におい
て誘電率を高めるためにＣａＺｒＯ3 を添加されている
が、このＣａＺｒＯ3 は温度特性を劣化させる。本発明
では、ＣａＺｒＯ3 無添加で高誘電率を有するために温
度特性など他の特性を劣化させることがない。
り、磁器の誘電損失を低下させるために添加するＴａ2
Ｏ5 の量を少なくすることができ、高い比誘電率を有す
ることになるまた、従来からチタン酸バリウム系におい
て誘電率を高めるためにＣａＺｒＯ3 を添加されている
が、このＣａＺｒＯ3 は温度特性を劣化させる。本発明
では、ＣａＺｒＯ3 無添加で高誘電率を有するために温
度特性など他の特性を劣化させることがない。
【００２０】本発明の誘電体磁器組成物によれば、比誘
電率３０００以上、絶縁抵抗１×１０12Ωｃｍ以上、比
誘電率の温度特性（−５５℃〜＋１２５℃）が２５℃を
基準にして±７．５％以内、エージング率２％／ｄｅｃ
ａｄｅ以下の優れた誘電特性が得られる。
電率３０００以上、絶縁抵抗１×１０12Ωｃｍ以上、比
誘電率の温度特性（−５５℃〜＋１２５℃）が２５℃を
基準にして±７．５％以内、エージング率２％／ｄｅｃ
ａｄｅ以下の優れた誘電特性が得られる。
【００２１】これにより、積層型磁器コンデンサにおい
て誘電層の厚みを５μｍ程度に薄くしても誘電損失が小
さく、高誘電率であるためにコンデンサの小型化を行う
ことができる。
て誘電層の厚みを５μｍ程度に薄くしても誘電損失が小
さく、高誘電率であるためにコンデンサの小型化を行う
ことができる。
【００２２】
【実施例】実施例１
しゅう酸塩法により化学量論組成よりＢａ過剰側に０．
６〜１．８原子％ずれた組成のしゅう酸バリウムチタノ
ールを合成し、９５０〜１０２０℃で仮焼してチタン酸
バリウム粉末を得てこれを主原料とした。この主原料に
Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｍ2 Ｏ3 およびＺｎＯ粉末を用いて、組
成が表１および表２の組成となるように秤量混合し、ボ
ールミルで混合し、酢酸ビニル樹脂を粉末１００重量部
に対して１重量部添加し顆粒にし、１２ｍｍφ×約１．
０ｍｍ厚みの円板状に加圧成形した後、大気中で１３０
０〜１３７０℃で２時間焼成した。
６〜１．８原子％ずれた組成のしゅう酸バリウムチタノ
ールを合成し、９５０〜１０２０℃で仮焼してチタン酸
バリウム粉末を得てこれを主原料とした。この主原料に
Ｔａ2 Ｏ5 、Ｓｍ2 Ｏ3 およびＺｎＯ粉末を用いて、組
成が表１および表２の組成となるように秤量混合し、ボ
ールミルで混合し、酢酸ビニル樹脂を粉末１００重量部
に対して１重量部添加し顆粒にし、１２ｍｍφ×約１．
０ｍｍ厚みの円板状に加圧成形した後、大気中で１３０
０〜１３７０℃で２時間焼成した。
【００２３】得られた磁器に対して嵩密度を測定した
後、銀電極を付与し円板コンデンサを作成し評価試料と
した。そして、１Ｖｒｍｓ、１．０ＫＨｚの条件で静電
容量及び誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。また、５０
０Ｖの直流電圧を１分間印加し、絶縁抵抗計にて絶縁抵
抗を測定した。さらに、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で
静電容量を測定し、２５℃の値を基準にして−５５℃、
＋８５℃、＋１２５℃の値から変化率を計算した。その
結果を表１に示した。
後、銀電極を付与し円板コンデンサを作成し評価試料と
した。そして、１Ｖｒｍｓ、１．０ＫＨｚの条件で静電
容量及び誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。また、５０
０Ｖの直流電圧を１分間印加し、絶縁抵抗計にて絶縁抵
抗を測定した。さらに、−５５℃〜＋１２５℃の範囲で
静電容量を測定し、２５℃の値を基準にして−５５℃、
＋８５℃、＋１２５℃の値から変化率を計算した。その
結果を表１に示した。
【００２４】なお表１の試料Ｎo.４について、１５０℃
で１時間熱処理した後、１時間後の静電容量値を基準に
して常温中に１００時間放置した直後の静電容量値から
ディケート当たりのエージング率を算出した。尚、比誘
電率は静電容量からＡｇ電極の直径及び磁器厚さから算
出した。これらの測定値及び計算値を表１にそれぞれ記
載した。
で１時間熱処理した後、１時間後の静電容量値を基準に
して常温中に１００時間放置した直後の静電容量値から
ディケート当たりのエージング率を算出した。尚、比誘
電率は静電容量からＡｇ電極の直径及び磁器厚さから算
出した。これらの測定値及び計算値を表１にそれぞれ記
載した。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に示すように、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよび
ｘ値が本発明の範囲を満足する試料は、いずれも高密度
を有し、３０００以上の高い比誘電率を示し、０．６％
以下の低い誘電損失、１×１０12Ωｃｍの高い絶縁抵
抗、さらに±７．５％以内の安定した温度特性を有する
ものであった。
ｘ値が本発明の範囲を満足する試料は、いずれも高密度
を有し、３０００以上の高い比誘電率を示し、０．６％
以下の低い誘電損失、１×１０12Ωｃｍの高い絶縁抵
抗、さらに±７．５％以内の安定した温度特性を有する
ものであった。
【００２７】実施例２
実施例１において、不純物としてＳｉ量の異なる原料粉
末を用いて、Ｂａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｍ、Ｚｎを用いて、
実施例１と同様にして磁器を作製した。得られた磁器に
対してＩＣＰ発光分光分析により磁器中のＳｉ量を測定
し表２に示した。
末を用いて、Ｂａ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｍ、Ｚｎを用いて、
実施例１と同様にして磁器を作製した。得られた磁器に
対してＩＣＰ発光分光分析により磁器中のＳｉ量を測定
し表２に示した。
【００２８】得られた磁器を直径１０ｍｍ、厚み約０．
２５ｍｍに加工し、かかる磁器に３０〜３１ＫＶ／ｍｍ
の電位傾度をもつように直流電圧を印加し、１２５〜１
２７℃の恒温槽中に４８時間保存した。そして、試験前
後の絶縁抵抗値（５００ＶＤＣ、１分値）において、試
験後の絶縁抵抗値が試験前のそれの１／４以下に低下し
た場合を劣化とみなし、その割合を表２に示した。
２５ｍｍに加工し、かかる磁器に３０〜３１ＫＶ／ｍｍ
の電位傾度をもつように直流電圧を印加し、１２５〜１
２７℃の恒温槽中に４８時間保存した。そして、試験前
後の絶縁抵抗値（５００ＶＤＣ、１分値）において、試
験後の絶縁抵抗値が試験前のそれの１／４以下に低下し
た場合を劣化とみなし、その割合を表２に示した。
【００２９】
【表２】
【００３０】表２の結果によれば、不純物としてのＳｉ
の量が３０ｐｐｍを越えるといずれも絶縁抵抗の低下が
観測された。これは本発明試料について同様な試験を行
ったところ、表２と同様な試験結果を得、かかる傾向が
本発明の誘電体磁器組成物全般にあることを確認した。
の量が３０ｐｐｍを越えるといずれも絶縁抵抗の低下が
観測された。これは本発明試料について同様な試験を行
ったところ、表２と同様な試験結果を得、かかる傾向が
本発明の誘電体磁器組成物全般にあることを確認した。
【００３１】実施例３
同様に、原料中のＳｉ量が１．２ｐｐｍ、ＭｎＯ量が
０．５ｐｐｍの原料組成物に対してＭｎＯ2 粉末を７０
〜４２０ｐｐｍ添加して秤量混合後、実施例１と同様に
して磁器を作製した。得られた磁器を基に実施例２と同
様にして高温高電圧下での絶縁抵抗の劣化について調
べ、劣化した割合を表３に示した。
０．５ｐｐｍの原料組成物に対してＭｎＯ2 粉末を７０
〜４２０ｐｐｍ添加して秤量混合後、実施例１と同様に
して磁器を作製した。得られた磁器を基に実施例２と同
様にして高温高電圧下での絶縁抵抗の劣化について調
べ、劣化した割合を表３に示した。
【００３２】
【表３】
【００３３】表３によれば、Ｍｎ量が３００ｐｐｍを越
えると、いずれも絶縁抵抗の低下が観測され、Ｍｎ量を
３００ｐｐｍ以下に制御することにより高温高電圧下で
の特性の劣化が抑制されることがわかった。また、表１
の本発明の各試料についても同様な実験を行ったとこ
ろ、表３と同様な結果を得た。
えると、いずれも絶縁抵抗の低下が観測され、Ｍｎ量を
３００ｐｐｍ以下に制御することにより高温高電圧下で
の特性の劣化が抑制されることがわかった。また、表１
の本発明の各試料についても同様な実験を行ったとこ
ろ、表３と同様な結果を得た。
【００３４】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明の誘電体磁
器組成物によれば、チタン酸バリウムとしてＢａの量の
化学量論組成よりも多く存在させるとともに、Ｓｍ、Ｔ
ａおよびＺｎ量を特定の範囲に制御することにより、磁
器全体の誘電損失を大幅に減少させることができ、比誘
電率３０００以上、絶縁抵抗１×１０12Ωｃｍ以上、比
誘電率の温度特性（−５５℃〜＋１２５℃）が±７．５
％以内、嵩密度５．８０ｇ／ｃｍ3 以上の高密度の誘電
特性に優れた磁器を得ることができる。
器組成物によれば、チタン酸バリウムとしてＢａの量の
化学量論組成よりも多く存在させるとともに、Ｓｍ、Ｔ
ａおよびＺｎ量を特定の範囲に制御することにより、磁
器全体の誘電損失を大幅に減少させることができ、比誘
電率３０００以上、絶縁抵抗１×１０12Ωｃｍ以上、比
誘電率の温度特性（−５５℃〜＋１２５℃）が±７．５
％以内、嵩密度５．８０ｇ／ｃｍ3 以上の高密度の誘電
特性に優れた磁器を得ることができる。
【００３５】また、Ｓｉ量、Ｍｎ量を最小限小さくする
ことにより磁器の高温高電界下での特性劣化を防止し、
磁器特性の長寿命化を達成することができる。
ことにより磁器の高温高電界下での特性劣化を防止し、
磁器特性の長寿命化を達成することができる。
【００３６】これにより、積層型磁器コンデンサにおい
て誘電層の厚みを５μｍ程度に薄くしても誘電損失が小
さく、高誘電率であるためにコンデンサの小型化を行う
ことができる。
て誘電層の厚みを５μｍ程度に薄くしても誘電損失が小
さく、高誘電率であるためにコンデンサの小型化を行う
ことができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも金属成分として、Ｂａ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｓｍ及びＺｎを含む複合金属酸化物からな
り、各金属成分の酸化物によるモル比の組成式をａＢａ
1+X ＴｉＯ3・ｂＴａ2Ｏ5 ・ｃＳｍ2 Ｏ3 ・ｄＺｎＯと
表した時、 ０．９７０５≦ａ≦０．９８５０ ０．０１００＜ｂ≦０．０１２００．０００８ ≦ｃ≦０．００２５ ０．００５０≦ｄ≦０．０１５０ ０．００６ ≦ｘ≦０．０１８ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満足することを特徴とする誘電体
磁器組成物。 - 【請求項２】 少なくとも金属成分として、Ｂａ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｓｍ及びＺｎを含む複合金属酸化物からなる
誘電体磁器組成物であって、該組成物中のＳｉの酸化物
重量換算量が２０ｐｐｍ以下、ＭｎのＭｎＯ2 重量換算
量が３００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29317192A JP3469911B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29317192A JP3469911B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150718A JPH06150718A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3469911B2 true JP3469911B2 (ja) | 2003-11-25 |
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ID=17791334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29317192A Expired - Fee Related JP3469911B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3469911B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP29317192A patent/JP3469911B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06150718A (ja) | 1994-05-31 |
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